【課題】 高温高湿の環境下でも安定して動作し、更に温度補償精度を向上させることができる温度補償型水晶発振器を提供する。
【解決手段】 第１のパッケージ内に水晶片が封入された水晶振動子２と、発振部４２と、温度センサ部４４と、温度補償部４５とを備えたＩＣチップ３５が第２のパッケージ（パッケージ３０）内に樹脂封入された樹脂封止ＩＣ３とが、第３のパッケージ（パッケージ１）の同一のキャビティ内に近接して搭載され、リッド４によって気密に封止され、ＩＣチップ３５が第２のパッケージに設けられた外部端子の内側の導通面に密着して接続され、更に第２のパッケージの当該外部端子の外側の導通面がパッケージ１の裏面に設けられた外部端子に接続された温度補償型水晶発振器としている。 （もっと読む）

【課題】実装する機器側の入力インピーダンスに整合するような温度補償型圧電発振器を得る。
【解決手段】温度を検出する温度センサ１０と、温度センサ１０の温度検出結果に応じた補償電圧を発生する補償電圧発生回路１１と、圧電振動子６を備え補償電圧に基づいて所定の発振周波数で発振する発振回路１２と、発振回路１２の発振出力をバッファするバッファ回路１３と、各種情報を記憶するメモリ１４と、を備え、バッファ回路１３は、発振回路１２の発振出力を増幅する増幅回路と、増幅回路の出力に設けられ容量を選択可能な容量回路と、を有し、メモリ１４により容量回路の容量を設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制しつつ、広範囲の制御電圧に対して発振周波数を直線的に変化させることが可能な電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる電圧制御発振器は、増幅器１１と、増幅器１１に並列に接続され帰還ループを構成する水晶振動子１３と、水晶振動子１３に対して負荷する容量値が制御電圧ＶＣに応じて変化する可変容量部１５，１７と、制御電圧ＶＣを生成する制御電圧生成回路１４と、を備える。また、可変容量部１５は、固定容量１５２と、固定容量１５２と直列に接続され制御電圧ＶＣに応じて導通状態が制御されるディプレッション型のトランジスタ１５１と、を有する。可変容量部１７は、固定容量１７２と、固定容量１７２と直列に接続され制御電圧ＶＣに応じて導通状態が制御されるエンハンスメント型のトランジスタ１７１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子を用いた水晶発振回路において、電源起動時における出力周波数変動をより安定化可能にする。
【解決手段】水晶振動子１５を用いた水晶発振回路は、水晶振動子１５と発振ループを形成する可変容量素子１０と、可変容量素子１０に制御信号を与え、水晶振動子１５の温度特性を補償する温度補償回路３とを備えている。さらに、第２の可変容量素子群２２ａ，２２ｂと、所定の時定数で変化する時定数信号を第２の可変容量素子群２２ａ，２２ｂに制御信号として与える時定数回路２５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】温度上昇や温度下降の際の温度変化に対する周波数のヒステリシスが少なく安定した周波数温度特性が得られる温度補償圧電発振器及びその周波数調整方法を提供すること。
【解決手段】第１のメモリー３０と第２のメモリー４０には、それぞれ、圧電振動子８０の温度上昇時、温度下降時における周波数温度特性を特定するための第１、第２の温度補償データ３２、４２が記憶される。温度変化検出回路１０は、温度センサー５０が取得した温度情報に基づいて温度上昇と温度下降のいずれかが生じたかを検出する。セレクター２０は、温度変化検出回路の検出結果に基づいて、温度上昇時、温度下降時にそれぞれ第１、第２の温度補償データを選択する。温度補償電圧発生回路６０は、セレクターにより選択された第１又は第２の温度補償データに基づいて、温度補償電圧６２を発生させる。電圧制御発振回路７０は、温度補償電圧に基づいて圧電振動子の周波数を制御する。 （もっと読む）

【課題】温度補償電圧発生回路、及び温度補償型発振回路を提供する。
【解決手段】圧電振動子１２と、前記圧電振動子１２の発振周波数の温度補償を行う第１可変容量素子１６と、前記発振周波数を所定の値に調整する第２可変容量素子１８と、を有する発振回路１２と、前記第２可変容量素子１８に接続され、前記第２可変容量素子１８の容量を制御するＡＦＣ回路５４と、に接続される温度補償電圧発生回路２９であって、前記温度補償電圧発生回路２９は、前記第１可変容量素子１６の一端に接続され、前記第１可変容量素子１６の容量を制御する温度補償電圧を出力する第１温度補償電圧発生回路３０と、入力側が、前記第１温度補償電圧発生回路３０及び前記ＡＦＣ回路５４に接続され、出力側が前記第１可変容量素子１６の一端の反対側の他端に接続され、入力された前記温度補償電圧と前記ＡＦＣ回路５４の出力とによって生成された補助温度補償電圧を前記第１可変容量素子３０に出力する第２温度補償電圧発生回路４４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】温度補償型発振回路を提供する。
【解決手段】圧電振動子１４と、電圧制御型の第１可変回路１６、及び前記圧電振動子１４の発振周波数の温度特性を相殺する温度特性を有する電圧制御型の第２可変容量回路２４、が接続された発振回路１２と、前記第１可変容量回路１６に前記第１可変容量回路１６の容量を制御する電圧を出力して前記発振周波数を所定の値に調整するＡＦＣ回路４８と、前記第２可変容量回路２４に１次の温度特性を有する温度補償電圧を出力する温度補償回路４０と、を有し、前記発振回路１２には、電圧制御型の第３可変容量回路３２が接続され、前記第３可変容量回路３２には、温度センサー３８からの出力と前記ＡＦＣ回路４８の出力とを掛け合わせることにより前記第３可変容量回路３２に１次の温度特性を有する電圧を出力する温度特性補正回路５４が接続されてなる。 （もっと読む）

【課題】温度補償機能とＡＦＣ機能を備えた回路構成において、温度補償機能とＡＦＣ機能が互いに影響を及ぼすことがなく、高精度の温度補償を実現できる圧電発振器を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の圧電発振器１０は、圧電振動子２６と、発振用増幅回路と、電圧制御型の第１及び第２の可変容量素子２８ａ，２８ｂと、を備えた発振回路２０と、第１の可変容量素子２８ａの値を増減制御して発振回路２０の周波数温度特性を補償するための温度補償電圧を出力する温度補償電圧発生回路３０と、温度補償電圧による第１の可変容量素子２８ａの変化に対して、発振回路２０のＡＦＣ感度の増減を抑えるように第２の可変容量素子２８ｂの値を変化させる調整信号を出力する補償電圧検出回路４０と、調整信号を受けて外部制御電圧の増幅率の調整を行なうゲイン調整回路６０を備え、第２の可変容量素子２８ｂを制御するための周波数制御電圧を出力する増幅回路５０と、を備えたことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】接続不良を見つけた場合は、容量検査を行わないようにして検査時間を短縮させることができる検査回路を備えたコンデンサ回路、そのコンデンサ回路を使用した可変容量回路、その可変容量回路を使用した発振回路及びコンデンサ回路の検査方法を得る。
【解決手段】検査信号ＴＥＳＴがハイレベルになると、ＮＭＯＳトランジスタＭ２がオフすると共にＰＭＯＳトランジスタＭ１及びＭ３がそれぞれオンし、ＮＭＯＳトランジスタＭＣのドレインはＰＭＯＳトランジスタＭ１と電流計３を介して電源電圧Ｖｄｄに接続され、ＮＭＯＳトランジスタＭＣのゲート電圧が電源電圧Ｖｄｄまで上昇してＮＭＯＳトランジスタＭＣはオン状態になり、電源電圧Ｖｄｄ→電流計３→接続端子Ｔ１→ＰＭＯＳトランジスタＭ１→ＮＭＯＳトランジスタＭＣ→接地電圧ＧＮＤの経路で電流ｉ１が流れるようにした。 （もっと読む）

【課題】周波数の揺らぎを低減した圧電発振器を提供する。
【解決手段】温度センサ３と、温度センサ３の検出出力に基づいて、常温温度を中心とし
て低温側の温度特性を補償する低温補償電圧と、高温側の温度特性を補償する高温補償電
圧を発生する温度補償電圧発生部４と、温度センサ３の検出出力が所定電圧以下になった
ときに温度センサ３の検出出力の位相を切り替えて出力する温度センサ位相切替部９と、
温度センサ位相切替部９から出力される出力電圧を入力として、温度センサ３の検出出力
に含まれる高域成分のみを通過させて基準電圧に重畳して出力するＨＰＦ１０と、発振回
路２１、圧電振動子２２、及び周波数温度補償回路２３を直列に接続して構成され発振回
路部７と、を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】瞬間的な温度変化や風などによる微細な温度変動（揺らぎ）による周波数揺らぎ
を除去する手段を得る。
【解決手段】圧電発振器は、温度を検出する温度センサーと、該温度センサーの検出出力
に基づいて周波数制御を行う周波数制御回路と、少なくとも、圧電振動子と電圧制御型の
可変容量素子とを含み、周波数制御回路の出力信号により発振周波数を調整可能な発振回
路と、温度センサーの検出出力を入力信号として、温度センサーの検出出力に含まれる高
域成分電圧信号のみを通過させるハイパスフィルタ回路と、ハイパスフィルタ回路の出力
信号により周波数制御回路の出力信号に含まれる高周波ノイズをキャンセルするキャンセ
ル手段と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】温度補償のための回路網が発生する出力雑音が、温度補償型水晶発振器の位相雑音を特性に影響するという課題があった。
【解決手段】周囲の温度変化に対して、電位が１次関数的に変化して、負極性の温度勾配係数を有する温度信号Ｓ１２と、同じように電位が１次関数的に変化して、正極性の温度勾配件数を有する温度信号Ｓ１０とを合成して、２つの初期温度信号より温度勾配係数が増幅された温度信号を基に温度補正信号発生回路２７０を制御して、温度補正に係る入力段の温度センサー回路から温度信号発生回路に至るまでの信号増幅率を下げる。 （もっと読む）

【課題】実装する機器側の入力インピーダンスに整合するような温度補償型圧電発振器を得る。
【解決手段】温度を検出する温度センサ１０と、温度センサ１０の温度検出結果に応じた補償電圧を発生する補償電圧発生回路１１と、圧電振動子６を備え補償電圧に基づいて所定の発振周波数で発振する発振回路１２と、発振回路１２の発振出力をバッファするバッファ回路１３と、各種情報を記憶するメモリ１４と、を備え、バッファ回路１３は、発振回路１２の発振出力を増幅する増幅回路と、増幅回路の出力に設けられ容量を選択可能な容量回路と、を有し、メモリ１４により容量回路の容量を設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】発振装置の発振周波数の調整において、歩留りを向上させやすくする。
【解決手段】半導体基板７に形成された第１電極に、圧電体で構成される圧電体膜を重ねて形成し、前記圧電体膜に、前記圧電体膜を挟んで前記第１電極に対向する第２電極を形成して、前記第１電極、前記圧電体膜及び前記第２電極を構成の一部として有する第１キャパシタを形成する工程と、容器３の底となる第３基板４５に、容器３の内側及び外側の間を貫通する貫通孔６１が設けられた容器３内に、半導体基板７を、半導体基板７が貫通孔６１を塞ぐように、且つ平面視で、前記第１キャパシタが貫通孔６１に重なるように実装する工程と、前記発振回路の発振周波数を測定した結果に基づいて、半導体基板７によって塞がれた貫通孔６１内に容器３の外側から圧力Ｐ１を付与した状態で、貫通孔６１を容器３の外側から塞ぐ工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の発振回路では、電圧可変容量と電源電圧間に大きな容量の固定容量が必要になり小型化の妨げになっていた。また大きな寄生容量が電圧化変容量に並列に挿入される構成のため、大きな周波数可変幅を得ることが難しかった。
【解決手段】帰還抵抗と反転増幅回路と水晶振動子を並列に接続し、反転増幅回路の入出力両側の接続点を直流カット容量と負荷容量を介して接地し、さらに前記直流カット容量と負荷容量の入出力両側の接続点を電圧可変容量を介して接続し、この電圧可変容量の両端に制御信号を印加して周波数調整を行う構成とする。 （もっと読む）

【課題】従来の電圧制御発振回路の電圧可変容量素子は、制御信号を入力する入力端子数が少ないために、制御信号を合成する必要があった。その合成回路が位相ノイズの悪化、回路面積の増加、消費電流の増加という問題を引き起こしていた。
【解決手段】本発明の電圧制御発振回路は、電圧可変容量素子としてＭＩＳ型トランジスタを用い、ソース端子とドレイン端子とを短絡したソースドレイン端子とゲート端子とバルク端子とを入力端子とし、それぞれ異なる３種類の制御信号を入力し、容量値を変化させることができる。このような構成とすることによって、制御信号を合成するための合成回路を減らすことができ、合成回路に起因する位相ノイズの悪化や、回路面積の増大、消費電流の増加を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によりＣ／Ｎ特性の劣化を低減した圧電発振器を提供する。
【解決手段】この圧電発振器５０は、発振回路３内の電圧可変容量素子４の両端に電位差を与えて電圧可変容量素子４の容量を可変とすることにより、発振周波数を可変する圧電発振器であって、電圧可変容量素子４の両端に印加する電位差の基準となる電位を供給する基準電圧端子１と、基準となる電位に対して電位差を与える制御電圧端子２と、演算増幅器５の同相入力端子に基準電圧端子１から供給された基準電圧を抵抗Ｒ１とＲ２により分圧して入力すると共に、抵抗Ｒ６を介して電圧可変容量素子４のカソードに接続する。また、演算増幅器５の逆相入力端子に制御電圧端子２から供給された制御電圧を抵抗Ｒ３を介して入力し、演算増幅器５の出力端子を抵抗Ｒ５を介して電圧可変容量素子４のアノードに接続する。また、抵抗Ｒ４により演算増幅器５の出力端子と入力端子間を接続する。 （もっと読む）

【課題】 周波数の温度依存特性をＭＥＭＳキャパシタの温度依存特性を利用して自動的に補正する、MEMS振動子を用いた発振器を提供する。
【解決手段】 機械的に振動するＭＥＭＳ振動子と、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数で発振して発振信号を出力する出力用発振回路と、周囲の温度によってアノード電極とカソードビームの距離が変わり、容量値が変化するＭＥＭＳキャパシタとを備える。 （もっと読む）

【課題】
安価に製造することができ、かつ発振周波数の制御が容易にできる電圧制御ＳＡＷ発振回
路を提供する。
【解決手段】
ＳＡＷ発振子１と、ＳＡＷ発振子１と並列に接続される反転増幅器２と、ＳＡＷ発振子１
の一端に接続される第１の可変容量４ａと、ＳＡＷ発振子１の他端に接続される第２の可
変容量４ｂとを有する。第１の可変容量４ａはＰＭＯＳトランジスタ４１ａからなり、第
２の可変容量４ｂはＰＭＯＳトランジスタ４１ｂからなり、ＰＭＯＳトランジスタ４１ａ
、４１ｂのゲートはそれぞれＳＡＷ発振子の一端、他端に接続され、ソース及びドレイン
は接地され、基板領域は発振周波数制御端子５に接続される。発振周波数制御端子５に入
力される発振周波数制御信号に基づいて可変容量４ａ、４ｂの容量値及び電圧制御ＳＡＷ
発振回路の発振周波数を調整する。 （もっと読む）

【課題】温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）の３次関数制御電圧の調整を行いやすくする為に３次関数の係数を独立して制御でき、かつ構成が簡略化され小型化になる回路構成を提供する。
【解決手段】近似３次関数発生回路１００は、一方の入力端子に１次関数信号が入力され、他方の入力端子に第1の定レベル信号が入力される第１の差動増幅器１０３と、一方の入力端子に１次関数信号が入力され、他方の入力端子に第２の定レベル信号が入力される第２の差動増幅器１０４と、第１と第２の差動増幅器１０３，１０４の電圧出力を合成し、近似３次関数成分を出力する合成回路１１４，１１５とを備える。また、差動増幅器１つで１次成分関数を構成し、その出力をＮ系統に分け、その出力にオフセット信号をつける回路を備え、そのＮ系統の出力を合成する合成回路を備える。 （もっと読む）