【課題】本発明は、位相雑音の劣化原因によらず位相雑音を低減できる高周波二倍波発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】トランジスタと、該トランジスタのベース側に接続された第一電気信号線路と、該第一電気信号線路に接続され他の端は接地された第一シャントキャパシタと、該トランジスタのコレクタ側に接続された第二電気信号線路と、該第二電気信号線路に接続され他の端は接地された第二シャントキャパシタと、該第一電気信号線路と該第二電気信号線路を接続する大容量キャパシタとを備える。該第一電気信号線路の線路長は、基本波信号の波長の１／４の値を奇数倍した長さから基本波信号の波長の１／１６の長さを減算した長さと、基本波信号の波長の１／４の値を奇数倍した長さに基本波信号の波長の１／１６の長さを加算した長さとの間の値である。 （もっと読む）

【課題】周波数が、中心周波数近辺の同調範囲内の周波数で制御される発振信号を形成するＬＣ電圧制御発振器の提供。
【解決手段】位相補間電圧制御発振器は、複数のｎ個の位相シフトセルＡ及びｎ−１レベルの加算セルＳを内含する。位相シフトセルＡは、共通の入力信号を受理し、各々は、その他の位相シフトセルＡとは異なる量だけ入力信号を位相シフトさせる。第１レベルの加算セルＳは、少なくとも２つの位相シフトセルＡの出力を受信し加算し、残りの加算セルレベルの各々は、加算セルＳの先行レベルの出力を受理する。最後のレベルは、位相シフトセルＡの共通の入力信号としてフィードバックされる出力信号を生成する単一の加算セルＳを含む。 （もっと読む）

２つのインダクタ（Ｌ_ｄ、Ｌ_ｇ）と、トランジスタ（Ｑ_１）と、バラクタ（Ｃ）とを備えるハートレー電圧制御発振器（ＶＣＯ）回路において、２つのインダクタ（Ｌ_ｄ、Ｌ_ｇ）は結合インダクタ対として配列され、その間に正の相互インダクタンス（Ｍ）を可能にし、ＶＣＯのサイズを小さくする。 （もっと読む）

【課題】誘電体共振器型発振器（ＤＲＯ）の量産においては、誘電体共振器を設置する位置を高い精度で調節する必要があり、組立作業に要する時間が増大してしまう。また、誘電体共振器と電磁的に結合させ、共振器を構成する伝送線路の先端の終端抵抗および接地手段を誘電体基板上に形成すると製造コストが高くなる。
【解決手段】ＤＲＯの構成部品のうち、伝送線路のみを誘電体基板上に形成し、ＭＭＩＣチップ上の発振用能動素子、終端抵抗および接地手段を伝送線路と金属ワイヤ、金属リボン等で接続する。また、誘電体共振器から見て発振用能動素子側の伝送線路の中途に、オープンスタブを形成する。 （もっと読む）

【課題】発振トランジスタの発振周波数安定化装置を提供する。
【解決手段】 発振トランジスタ（22）を含む周波数安定化発振装置（120）である。加熱素子が発振トランジスタ（22）の近傍に設けられている。温度センサ（30）が発振トランジスタ（22）の近傍に設けられている。温度制御装置（105）が発振トランジスタ（22）の温度に依存した可変信号を供給し、この可変信号が加熱素子の動作を制御する。この加熱素子は、１以上の抵抗性パッチ（Ｒ１−Ｒ７）からなるか、又は十分な加熱をなすようにバイアスされた１以上の加熱トランジスタからなる。発振装置は、ＩＣ技術又はＭＭＩＣ技術によって形成され、また、シリコン基板又はＧａＡｓ基板が用いられる。 （もっと読む）

ａ）例えば半波長ストリップ線路共振器などのマイクロ波集積回路（１１）上に配置された、例えばディスク状ＹＩＧ結晶などの強磁性薄膜共振板（１１０）を含むマイクロ波共振器（１）、ｂ）前記強磁性薄膜共振板（１１０）に垂直にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界手段（１２）、ｃ）発振用能動素子（２１）、受動帰還素子（２４）、および、負荷帰還ループ（４）を介して、当該強磁性薄膜共振板（１１０）のマイクロ波特性により制御される負荷（２３，２５）、ならびにｄ）前記発振用能動素子（２１）と前記マイクロ波共振器（１）との間に接続され、当該強磁性薄膜共振板（１１０）のパラメトリック励起された共振の一つにおいて持続的発振を確立させるためのオーバーオール正帰還ループ（３，１４，１５）を含む、強磁性薄膜共振器を用いたマイクロ波同調発振器。
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本出願は、集積回路と一緒に形成されたフィードバック発振器装置（１０）を開示する。このフィードバック発振器装置は、接地面上に半導体材料基板を有している。この回路は、入力および出力を有して少なくとも部分的に前記半導体材料基板上に設けられた増幅器（１７）を有している。方向性結合器（１８）が、平行離間伝送線路（１８’、１８’’）伝達システムおよびバラクタなどのキャパシタ（２１）によって増幅器出力信号を増幅器入力に結合させるために使用される。前記基板は、ガリウムヒ素であってよい。
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