【課題】ＩＤＴ電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】電気機械結合係数ｋの２乗が０．０２５以上のＬｉＮｂＯ₃からなる圧電性基板１と、前記圧電性基板１上に形成されており、Ａｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金、またはＡｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金と他の金属とからなる積層膜からなる少なくとも１つの電極４Ａと、前記少なくとも１つの電極４Ａが形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と略等しい膜厚に形成された第１絶縁物層２と、前記電極及び第１絶縁物層２を被覆するように形成された第２絶縁物層６とを備え、前記電極４Ａの密度が、前記第１絶縁物層４の１．５倍以上である、弾性表面波装置。 （もっと読む）

圧電体基板（１１）と、この圧電体基板（１１）上の第１の弾性表面波伝播路上に設けた複数個のＩＤＴ電極（１２、１３）と、これらのＩＤＴ電極（１２、１３）を含む第１の電極パターンの両端部に配設された反射器電極（１４、１５）と、上記圧電体基板（１１）上で、かつ第１の弾性表面波伝播路上とは異なる第２の弾性表面波伝播路上に設けた１個以上のＩＤＴ電極（１６）と、このＩＤＴ電極（１６）を含む第２の電極パターンの両端部に配設された反射器電極（１７、１８）とを有し、第１の弾性表面波伝播路上のＩＤＴ電極（１２、１３）間を接続配線部（１９）で電気的に直列に接続するとともに、この接続配線部（１９）とグランド（２０）との間に第２の弾性表面波伝播路上のＩＤＴ電極（１６）を接続した構成からなり、ＳＡＷフィルタ（１０）を小型化できる。
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【課題】平衡−不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタにおいて、通過帯域内において現れる所望でないリップルを効果的に抑圧することが可能とされている構造を得る。
【解決手段】第１，第３及び第５のＩＤＴ１１，１３，１５の一端が不平衡信号端子５に、第２，第４のＩＤＴ１２，１４がそれぞれ第１，第２の平衡信号端子６，７に接続され、第２のＩＤＴ１２の両側の最外側電極指と、第１，第３のＩＤＴ１１，１３の最外側電極指と、第４のＩＤＴ１４の最外側電極指とがア−スに接続される電極指またはシグナル電極指とされ、ＩＤＴ１３，１５の最外側電極指がシグナル電極指またはアース電位に接続される電極指とされ、ＩＤＴ１３，１４同士が隣接する部分において、最外側電極指１４ａに直列重み付けが施され、ＩＤＴ１４，１５同士が隣接する部分において、最外側電極指１４ｂに直列重み付が施されている、弾性表面波フィルタ装置。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電性基板としてのＬｉＴａＯ₃基板上に、第１絶縁物層２を全面に形成し、ＩＤＴ電極を形成するためのレジストパターン３を用いて、ＩＤＴ電極が形成される部分の絶縁物層を除去し、第１絶縁物層が除去されている領域にＡｌよりも大きい密度の金属または該金属を主成分とする合金からなる電極膜を形成してＩＤＴ電極４Ａを形成し、第１絶縁物層上に残留しているレジストを除去し、第１絶縁物層２及びＩＤＴ電極４Ａを被覆するように第２絶縁物層６を形成する、弾性表面波装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 帯域幅におけるリップルを低減できるようにする。
【解決手段】 弾性表面波素子片１０は、圧電基板１２がタンタル酸リチウムのＸカット板から形成してある。圧電基板１２の表面には、すだれ状電極からなる一対のＩＤＴ１４（１４ａ、１４ｂ）と、これらのＩＤＴを挟むように一対の反射器２０（２０ａ、２０ｂ）とが設けてある。ＩＤＴ１４を形成している電極指部１８（１８ａ、１８ｂ）は、アルミニウム系金属膜からなる電極指本体３０を有する。電極指本体３０の表面には、電極指本体３０を陽極酸化して形成した陽極酸化膜３２が設けてある。陽極酸化膜３４は、二酸化ケイ素膜２６によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】 不平衡−平衡変換機能を有し、通過帯域内の平衡度が良好な弾性表面波素子およびそれを用いた通信装置を提供すること。
【解決手段】 弾性表面波素子は、圧電基板１上に、弾性表面波の伝搬方向に第１のＩＤＴ電極31〜34の複数を電気的に接続したＩＤＴ電極群21，22及び第１の反射器電極２，３を配設し、ＩＤＴ電極群21，22の少なくとも２つの第１のＩＤＴ電極31〜34の間に、第１のＩＤＴ電極31〜34に電気的に非接続の、第２のＩＤＴ電極及び第２の反射器電極41，42の内いずれか１種以上を第１の分離電極として配設し、ＩＤＴ電極群21，22と第１の反射器電極２，３との間に、ＩＤＴ電極群21，22とは電気的に非接続の第３のＩＤＴ電極51，52を第２の分離電極として配設した弾性表面波素子部を備え、第３のＩＤＴ電極51，52同士が接続されて不平衡入力部４とされ、ＩＤＴ電極群21，22のそれぞれが平衡出力部５，６とされている。 （もっと読む）

【課題】励振電極間にＰＮＲ（Positive and Nagative Reflectivity：正負反射型反射エレメント）を配置した一方向性ＳＡＷ変換器及びそれを用いたＳＡＷデバイスにおいて、優れた群遅延時間偏差及び低リップル化を実現することを目的とする。
【解決手段】ＰＮＲ型一方向性ＳＡＷ変換器１は、外部端子４に接続されたバスバー２より伸長する正電極指Ｔ１、Ｔ２と接地されたバスバー３より伸長する負電極指Ｔ３、Ｔ４を一対とするスプリット電極１０と、前記バスバー２、３のどちらにも電気的に接続されていない開放型浮き電極Ｏ１、Ｏ２と短絡型浮き電極Ｓ１、Ｓ２からなるＰＮＲ１１から構成されており、ＰＮＲ１１の電極周期をλ１、スプリット電極１０の電極周期をλ２とした時、電極周期偏倚率ｄ＝（λ１−λ２）／λ１を０＜ｄ≦０．０３８の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】 入力側ＩＤＴ電極と出力側ＩＤＴ電極との間にシールド電極を配置したトランスバーサル型の弾性表面波フィルタであって、小型化を進めることができ、かつ通過帯域内におけるリップルが生じ難い、良好なフィルタ特性を得ることを可能とする弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】 表面波基板２上に、入力側ＩＤＴ電極３と、出力側ＩＤＴ電極４とが表面波伝搬方向において隔てられて配置されており、両者の間にシールド電極５が設けられており、入力側ＩＤＴ電極３が交差幅重み付けされており、該重み付けが、目標とするフィルタ特性に応じたインパルス応答を第１のインパルス応答とし、入力側ＩＤＴ電極３とシールド電極５との間の電界に基づく不要波による励振を相殺するインパルス応答を第２のインパルス応答としたときに、第１のインパルス応答と第２のインパルス応答との和であるインパルス応答に従って施されている、弾性表面波フィルタ１。 （もっと読む）

【課題】 送信側フィルタおよび受信側フィルタを同一の圧電基板上に作製した弾性表面波素子ではアイソレーション特性が悪かった。
【解決手段】 圧電基板２の一方主面にそれぞれ励振電極３と入力パッド部と出力パッド部とを具備する送信側フィルタ領域12および受信側フィルタ領域13が形成され、他方主面に導体層16が形成された弾性表面波素子１を、実装用基体上に一方主面を対面させて実装しており、導体層16は、多数の導体非形成部を点在させて形成されている弾性表面波装置である。従来、圧電基板２の励振電極３の形成面とは異なる他方主面全面に、弾性表面波素子作製工程で発生する焦電破壊を防止するために設けていた導体層16を、多数の導体非形成部を点在させて形成することにより、送信側フィルタ領域12の入力パッド部５および受信側フィルタ領域13の出力パッド部８間に形成されていた寄生容量を低減することができ、これにより、アイソレーション特性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＧＰＳ受信機のＲＦ用ＳＡＷデバイスの要求規格を満たす手段を得る。
【解決手段】 オイラー角（０°±４°，１４４．１°〜１６０．０°，０°±４°）のタンタル酸リチウム基板の上に少なくとも１つのＩＤＴ電極と該ＩＤＴ電極の両側に配置したグレーティング反射器とを備えたＳＡＷデバイスであって、前記ＩＤＴ電極及びグレーティング反射器をアルミニウムあるいはアルミニウム合金で形成し、その基準化電極膜厚Ｈ／λ（Ｈは電極膜厚、λは波長）を０．１０から０．１４の範囲に設定して構成する。 （もっと読む）

圧電基板（１１）と、圧電基板（１１）の表面に設けた複数個の電極指（１２）で構成されるＩＤＴ（１３）と、このＩＤＴ（１３）の両端部に近接して設けた反射器（１４）とを備え、上記ＩＤＴ（１３）は両端部の複数の電極指（１２）の電極指ピッチを、このＩＤＴ（１３）の中央付近の電極指ピッチと異ならせたグラデーション領域を有し、このグラデーション領域の電極指ピッチはグラデーション領域の一方に位置する最端部の電極指からグラデーション領域のもう一方の端部の電極指にかけて電極指ピッチを順次変化させるとともに、グラデーション領域の一方に位置する最端部の電極指の電極指ピッチを上記ＩＤＴ（１３）の中央付近の電極指ピッチの１〜５％小さくした構成からなる。 （もっと読む）

本発明は、これまでの公知の表面弾性波（ＳＡＷ）トランスデューサに比べて伝搬特性の高いエッジ急峻度のもとで群遅延時間の周波数応答が格段に改善された表面波で作動するトランスデューサに関する。このトランスデューサは、ＳＰＵＤＴセルをベースに構成されており、この変換器構造においては２つのセルが設けられている。これらのセルは縦方向で異ならせてスケーリングを施される以外は同じようにデザインされている。スケーリングレベルに応じて音響波の局所フェーズは本発明のトランスデューサが用いられるフィルタの通過帯域における群遅延時間の周波数特性における脈動率が最大でも５０ｎｓとなるように作用する。
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本発明は表面音響波によって動作する変換器に関する。この変換器においては妨害的な横方向のモードが抑制される。このことは、音響的なトラックおよびこのトラックに接する外部領域によって形成される導波体の音波の励起プロフィールと横方向の基本モードとの相互的な適合によって達成される。この適合は音響的なトラックを励起領域と端部領域に分割することによって行われ、それぞれの端部領域の幅は横方向の基本モードの約１／４波長であり、また横方向の基本モードの波数は励起領域において０である。本発明の有利な実施形態においては、励起領域を横方向において相互に直列および／または並列に接続されている部分トラックに分割することによって、横方向の座標に依存する励起強度を達成することができ、この励起強度は基本モードに最適に適合されている。
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【課題】 トランスバーサル弾性表面波フィルタの帯域内特性を平坦化する手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に２つのＩＤＴ電極を所定の間隔をおいて配置したトランスバーサル弾性表面波フィルタであって、ＩＤＴ電極の一方を反射機能を有する電極周期λＲの基本区間と、反射機能を有しない電極周期λＳの基本区間とを用いて形成すると共に電極周期λＲ及びλＳを互いに異ならせる。 （もっと読む）

【課題】 トランスバーサルＳＡＷフィルタの帯域幅を拡大すると共に減衰傾度を急峻にする手段を得る。
【解決手段】 トランスバーサルＳＡＷフィルタのＩＤＴ電極の少なくとも１つを電極間引き法を用いてメインローブ、第１サイドローブ及び第２サイドローブで形成し、メインローブの基本区間数をＬ、メインローブを置換する逆方向ＳＰＵＤＴの区間数をＮ１とするとき、０．０８Ｌ＜Ｎ１＜０．６Ｌの範囲内に選ぶ。 （もっと読む）