【課題】 小型化が可能、または、設計の自由度を向上させることが可能なフィルタおよびアンテナ分波器を提供すること。
【解決手段】 本発明は、第１の共振子と、第１の共振子より励起効率を低減させた第２の共振子（Ｓ３１）と、第２の共振子（Ｓ３１）と並列に接続されるインダクタ（Ｌ３１）と、を具備することを特徴とするフィルタ、アンテナ分波器および分波器である。本発明によれば、減衰特性を改善するため共振子に付加するインダクタンスを小さくでき、実装面積を削減できる。または、２つの反共振点を任意に設定できる。 （もっと読む）

【課題】 通過特性を劣化させることなく通過帯域近傍の減衰量を改善する。
【解決手段】 ２段縦続接続縦１次−２次ＤＭＳフィルタ１０は、圧電基板１２に第１フィルタ部１４と第２フィルタ部１６とが並列に近接して設けてある。第１フィルタ部１４は、弾性表面波の伝播方向に、ＩＤＴ１８、２０と、これらを挟んだ一対の反射器３４ａ、３４ｂが形成してある。第２フィルタ部１６は、弾性表面波の伝播方向に、ＩＤＴ４０、４２と、これらを挟んだ一対の反射器４４ａ、４４ｂが形成してある。第１フィルタ部１４と第２フィルタ部１６とは、ＩＤＴの電極指の形成ピッチＬｔと、反射器の導体ストリップの形成ピッチＬｒとの比が相互に異なっている。すなわち、Ｌｔ１／Ｌｒ１≠Ｌｔ２／Ｌｒ２となっている。 （もっと読む）

【課題】 安価な水晶基板を用い、しかもＳＨ型弾性境界波を利用することが可能であり、電気機械結合係数Ｋ²等の物性や特性を高めること等が可能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】 水晶基板２上に、少なくともＩＤＴ４が形成されており、ＩＤＴ４を覆うように、誘電体３が形成されており、水晶基板２と誘電体３との界面を弾性境界波が伝搬する弾性境界波装置であって、ＩＤＴ４の厚みは、ＳＨ型境界波の音速は、水晶基板２を伝搬する遅い横波及び誘電体３を伝搬する遅い横波の各音速よりも低音速となるように設定されており、かつ水晶基板２のオイラー角が、図１３に示されている斜線を付した領域内とされている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、共振点より低域側に生じるスプリアスを抑圧することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１上に、ＩＤＴ２とその両側にグレーティング反射器３ａ、３ｂを配置する。前記圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定している。そして、ＩＤＴ２のＳＡＷの伝搬方向の全長をＬとしたとき、ＩＤＴの左端を基準位置として、基準位置から０．２５Ｌまでの範囲、又は０．７５ＬからＬまでの範囲のどちらか一方、又は両方の範囲に配置された電極指に重み付けを施す。 （もっと読む）

【課題】
ＳＡＷ装置に用いる際に、ＩＤＴを構成する電極膜厚の厚みを保ったまま、高いＱ値を得ることができる弾性表面波素子片を提供する。
【解決手段】
圧電基板１２の板面に、当該圧電基板１２に励起される弾性表面波の進行方向と直交する方向に配された電極指２２を有するＩＤＴ１４を有するＳＡＷ素子片１０であって、隣接する複数の電極指２２を１つの組として、電極指２２を形成する周期長を組単位で周期的に異ならせ、ＩＤＴ１４を格子状に配された複数の導体ストリップを有する反射器１８ａ，１８ｂで挟み込む構成とする。また、このような構成のＳＡＷ素子片１０では、組単位の電極指形成周期長は２つの周期長から成り、その周期長比は７：１０から９：１０の範囲内とすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 同一のウエハから形成した弾性表面波素子間における周波数温度特性のばらつきを小さくする。
【解決手段】 圧電体基板に設けたフォトレジストを露光するためのフォトマスクであって、フォトマスク４０は、透明基板４２に、圧電体基板に形成する電極に対応させて設けた複数の電極パターン４４（４４ａ〜４４ｃ）を有する。各電極パターン４４は、ＩＤＴ用パターン４６（４６ａ〜４６ｃ）と反射器用パターン４８（４８ａ〜４８ｃ）とからなっている。各ＩＤＴ用パターン４６を構成している電極指パターン５４（５４ａ〜５４ｃ）、５６（５６ａ〜５６ｃ）は、それぞれ電極指幅と電極指ピッチとが相互に異なっている。 （もっと読む）

【課題】 同一のウエハから形成した弾性表面波素子間における周波数温度特性のばらつきを小さくする。
【解決手段】 圧電体基板に設けたフォトレジストを露光するためのフォトマスクであって、フォトマスク３０は、透明基板３２に、圧電体基板に形成するすだれ状電極に対応した向きの異なる同一の電極パターン３４（３４ａ〜３４ｃ）が設けてある。これら電極パターン３４は、圧電体基板の位置による弾性表面波素子の周波数温度特性のばらつきに応じて、フォトレジストを露光する際に使い分ける。 （もっと読む）

【課題】 横モードスプリアスを抑制しつつ共振周波数の低域側に生じるスプリアスを低減できるようにする。
【解決手段】 弾性表面波素子片２０は、圧電基板２２の表面にすだれ状電極からなる入力用ＩＤＴ２４と出力用ＩＤＴ２６と、これらのＩＤＴ２４、２６を挟んで配置した格子状の反射器４４、４４とを備えている。入力用ＩＤＴ２４、出力用ＩＤＴ２６は、電極指３６、３８、４０、４４が一対の直線部と、各直線部間に斜めに折り曲げて形成されて前記各直線部を相互に接続する接続部とからなる。弾性表面波素子片２０は、ＩＤＴ２４、２６を構成している電極指の形成ピッチをＰｔ、反射器４４を構成している各導体ストリップ４６の形成ピッチをＰｒとしたときに、０．９９７≦Ｐｔ／Ｐｒ≦０．９９９となっている。 （もっと読む）

【課題】低損失で急峻な減衰特性を持ち、小型化された分波器に好適な弾性表面波素子を提供すること。
【解決手段】圧電基板の主面上に、送信用ラダー型弾性表面波素子Ｔ１と受信用ラダー型弾性表面波素子Ｒ２とを備える。送信用ラダー型弾性表面波素子Ｔ１の弾性表面波共振子Ｓ１における電極指のピッチＰＴに対する電極指幅ＬＴの比（ＬＴ／ＰＴ）を、受信用ラダー型弾性表面波素子Ｒ２の弾性表面波共振子Ｓ２における弾性表面波共振子Ｓ２の電極指のピッチＰＲに対する電極指幅ＬＲの比（ＬＲ／ＰＲ）より小さくする。その結果、帯域内で低損失、帯域外で急峻な減衰特性を持ち、小型化された弾性表面波素子Ｄ１を提供することができる。 （もっと読む）

【目的】本発明は、溝（グレーティンググルーブ）を設けた圧電性基板上にすだれ状電極を作製することにより、温度の変化に対する中心周波数の変化の小さい擬似弾性表面波基板、或いは電気機械結合係数の大きな基板を得ることを目的としている。
【構成】圧電性基板１の表面に弾性表面波の伝搬方向に直角な溝（グルーブ）２を作製した構造の圧電性基板上に溝に埋め込まれたすだれ状電極を用いた構造であって、圧電性基板として、回転Ｙ−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３、ＬｉＮｂＯ_３、或いは水晶、ランガサイトなどの零ＴＣＦ基板を用いて従来の特性より大きなｋ^２の基板、或いは従来より優れたＴＣＦの基板を得るのが本特許の構成である。 （もっと読む）

周波数ばらつきの低減と、反共振周波数におけるＱ値の改善の双方を図り得る１ポート型弾性表面波共振子を提供する。 回転ＹカットＬｉＴａＯ_３基板２と、該ＬｉＴａＯ_３基板２上に形成されたインターデジタル電極３と、インターデジタル電極３の表面波伝搬方向両側に設けられた反射器４，５とが形成されている１ポート型弾性表面波共振子であって、インターデジタル電極３の電極指の幅をａ、電極指間ギャップをｂとしたときに、メタライゼーション比ａ／（ａ＋ｂ）が０．５５〜０．８５の範囲とされており、かつインターデジタル電極３が交差幅重み付けを施されている、１ポート型弾性表面波共振子１。
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【課題】圧電基板に水晶基板を用い励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスにおいて、広帯域で、且つ優れた周波数温度特性を実現することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１上に、ＩＤＴ２とその両側にグレーティング反射器３ａ、３ｂを配置する。圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６５°≦θ≦−５１°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＴａ又はＴａを主成分とする合金からなり、弾性表面波の波長をλとした時、波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λをＨ／λ≧０．０１の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】 溶液を受容体に容易に接触させることができるようにする。
【解決手段】 弾性表面波センサ１０は、圧電基板１２の表面に、圧電基板１２に弾性表面波を生成するすだれ状電極からなる励振用ＩＤＴ１４を有する。また、圧電基板１２の表面には、励振用ＩＤＴ１４が励振した弾性表面波を受信するすだれ状電極からなる受信用ＩＤＴ１６が設けてある。表面弾性波の伝搬領域である励振用ＩＤＴ１４と受信用ＩＤＴ１６との間には、受容体２２が露出して設けてある。励振用ＩＤＴ１４と受信用ＩＤＴ１６とは、電極封止部材２４によって覆ってある。電極封止部材２４は、すだれ状電極の周囲に密閉空間を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＩＤＴの電極の膜厚を大きくしても、所望の周波数特性・性能を維持し得るＳＡＷ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 面内回転ＳＴカット水晶板からなる水晶基板１１の主面に、ＳＡＷの波長λに対してＨ／λ＝０．０５〜０．１５となる厚さＨのＡｌ電極膜１５を形成する。電極膜の上にレジストパターン１６を形成し、電極膜の露出部分をドライエッチングしてその一部を除去しかつその残余部分１５ａをウエットエッチングにより完全に除去することにより、ＩＤＴ１３の交差指電極１２ａ，１２ｂを形成する。このとき、ＳＡＷ伝搬方向に沿って交差指電極の下辺及び上辺における線幅ｄ１，ｄ２が（ｄ１−ｄ２）／電極ピッチｐ＝０〜０．１６となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、容量比γを小さくし、周波数制御性を高めたＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。また、ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなり、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定する。そして、前記ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率ｍｒを電極指幅／（電極指幅＋電極指間スペース）とした時に、前記ライン占有率ｍｒを０．５３≦ｍｒ≦０．６５、又は０．５５≦ｍｒ≦０．６８に設定する。 （もっと読む）

【課題】励振電極間に浮き電極を配置した一方向性ＳＡＷ変換器において、方向性を高め、設計を容易にした一方向性ＳＡＷ変換器を提供することを目的とする。
【解決手段】一方向性変換器１０は１基本区間当たり８本の電極指からなり、上下バスバーに接続された励振電極１，５と、上下バスバーに接続せず各々の一端を接続電極により電気的に短絡した短絡型浮き電極２，３，６，７と、上下バスバーに接続せず電気的に開放した開放型浮き電極４，８とを備える。そして、短絡型浮き電極指２、開放型浮き電極４、短絡型浮き電極６、開放型浮き電極８の各々の電極指の中心間距離、及び励振に寄与する励振電極１、短絡型浮き電極３、励振電極５、短絡型浮き電極７の各々の電極指の中心間距離をλ／４とし、且つ、励振電極１と短絡型浮き電極２との中心間距離をλ／８とする。 （もっと読む）

【課題】優れた温度特性を得ることができるマルチバンド型弾性波フィルタを提供する。
【解決手段】ＳＡＷフィルタ１０の中心周波数ｆ₁は、ＳＡＷフィルタ３０の中心周波数ｆ₂より低い。ＳＡＷフィルタ１０，３０に関してすだれ状電極の膜厚ｈはすべて等しく設定されている。そして、ＳＡＷフィルタ１０に関して入力側すだれ状電極１２，１４のメタライズ比、出力側すだれ状電極１６，１８のメタライズ比をそれぞれＭｉ１、Ｍｏ１とし、ＳＡＷフィルタ３０に関して入力側すだれ状電極３２，３４のメタライズ比、出力側すだれ状電極３６，３８のメタライズ比をそれぞれＭｉ２、Ｍｏ２とすると、Ｍｉ１＞Ｍｉ２及びＭｏ１＞Ｍｏ２が成立する。 （もっと読む）

電気機械結合係数が大きく、伝搬損失及びパワーフロー角が小さく、周波数温度係数ＴＣＦが適度な範囲にあり、簡潔な構造により簡単な工法で製造され得るＳＨ型の弾性境界波を用いた弾性境界波装置を提供する。圧電体の一面に誘電体が積層されており、圧電体と誘電体との間の境界に電極としてＩＤＴ及び反射器が配置されており、誘電体を伝搬する遅い横波の音速及び圧電体を伝搬する遅い横波の音速よりもＳＨ型弾性境界波の音速を低くするように、上記電極の厚みが決定されている、弾性境界波装置。
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【課題】広帯域化を図り得るだけでなく、通過帯域内における挿入損失を小さくし得る縦結合共振子型弾性表面波フィルタを得る。
【解決手段】圧電基板２上に、弾性表面波伝搬方向に沿ってそれぞれ複数本の電極指を有する少なくとも３つのＩＤＴ１３〜１５を備え、少なくとも１つのＩＤＴ１３〜１５が、表面波伝搬方向に隣接している他のＩＤＴ端部から一部分である狭ピッチ部分の電極指の周期が、該ＩＤＴの残りの部分の電極指の周期より狭くされており、かつ０次モード、２次モード及びＩＤＴ−ＩＤＴ間共振モードを利用している、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１。 （もっと読む）

【課題】任意の帯域幅の共振器及びフィルタを提供する。
【解決手段】大きな電気機械結合係数をもつ圧電・電歪物質基板の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器、或いはその両側に反射器を配置した構造の共振器において、電極の交差幅を伝搬方向に変化させることにより、励振効率を低下させ、全体の電極対数を大きくすることにより、共振−反共振の周波数幅を狭くする。 （もっと読む）