【課題】横モードによるスプリアスを低減し、良好な振幅特性が保たれる弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】圧電基板上に互いに対向する各一対のバスバーと、各バスバーから各々交叉するように櫛歯状に伸び出した多数の励振用の電極指と、を備えた共振器型一方向性電極である入力側電極及び出力側電極を備え、前記入力側電極及び出力側電極の励振用の電極指により、各バスバーの伸長方向に沿った入力側電極の中央部と出力側電極の中央部との間で弾性波を繰り返し反射させ、増幅させて入力側電極から出力側電極に伝搬させる弾性波デバイスにおいて、弾性波の進行方向における入力側電極の中央部と弾性波の進行方向における出力側電極の中央部との間の領域における入力側バスバー、出力側バスバーの少なくともいずれか一方に吸音材を設け、バスバーに漏れ出したエネルギーを吸収する。 （もっと読む）

【課題】四硼酸リチウム圧電基板を用いた弾性表面波デバイスの共振周波数の高周波側に生じる、バルク波に起因するスプリアスを抑圧する手段を得る。
【解決手段】四硼酸リチウム圧電基板の表面上に少なくとも１つのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板の裏面に前記ＩＤＴ電極によって励起される弾性表面波の伝搬方向に対し、傾斜角θを有する複数の溝を備え、前記溝は前記圧電基板の厚さＨの２９％より深くした弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】四硼酸リチウム圧電基板を用いた弾性表面波デバイスおいて、共振周波数より高周波側に生じる、バルク波に起因するスプリアスを抑圧すると共に、圧電基板の裏面を装置で吸引する際のエラーを低減する手段を得る。
【解決手段】四硼酸リチウム圧電基板の表面上に少なくとも１つのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板の裏面に、前記ＩＤＴ電極によって励起される弾性表面波の伝搬方向に対し、傾斜角θ（０°＜θ≦９０°）を有する複数の溝を備え、前記溝は、エッチング工程により前記圧電基板の裏面の周縁部を残して形成され弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】電極指からバスバー方向への弾性波の漏れを抑制すること。
【解決手段】本発明は、弾性波を反射する弾性波反射領域（２０）を有する圧電基板（１０）と、圧電基板（１０）上に設けられ、弾性波を励振する複数の電極指（１２）と、圧電基板（１０）上に設けられ、複数の電極指（１２）を互いに接続するバスバー（１３）と、バスバー（１３）の少なくとも一部上に接して設けられた第１媒質層（１６ａ）と、を有する。弾性波反射領域（２０）は、複数の電極指（１２）のバスバー（１３）方向にバスバー（１３）に接するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】フィルタ特性の劣化を招くことなく、小型化を進めることが可能なトランスバーサル型の弾性表面波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２の第１の主面２ｃ上において、傾斜型ＩＤＴ電極からなる入力側ＩＤＴ３及び出力側ＩＤＴ４が表面波伝搬方向において隔てられて設けられており、入力側ＩＤＴ３の弾性表面波伝搬方向外側の第１の端面２ａ側の領域に第１の吸音材７が、出力側ＩＤＴ４の表面波伝搬方向外側の領域である第２の端面側の領域に第２の吸音材８が設けられており、第１，第２の吸音材７，８が、それぞれ、入力側ＩＤＴ３及び出力側ＩＤＴ４の表面波伝搬方向外側端部から、該入力側ＩＤＴ３及び出力側ＩＤＴ４の一部に至るように設けられている、弾性表面波フィルタ装置１。 （もっと読む）

【課題】不要応答を抑制することが可能な弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電性を有する第１媒質（１０）と、第１媒質上に設けられた弾性波を励振する電極（１２）と、第１媒質（１０）と異なる材料からなり、第１媒質上に電極（１２）を覆うように設けられた第２媒質（１４）を有する弾性境界波デバイスにおいて、第２媒質（１４）上に設けられた吸音部（２０）を有する弾性境界波デバイスである。または、第２媒質上に設けられた凸部を有する弾性境界波デバイスである。または、第２媒質上に設けられた第３媒質を有し、第３媒質の膜厚は電極の周期の０．２５倍以上である弾性境界波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】 強焦電効果を有する圧電基板を用いてＳＡＷデバイスを構成する際に、ヒートサイクル試験等の温度変化に耐えるＳＡＷデバイスを構成する手段を得る。
【解決手段】 強焦電効果を有する圧電基板上に少なくとも１個のＩＤＴ電極を配置して形成した弾性表面波デバイス素子を接着剤を用いてパッケージの内底部に接着固定した弾性表面波デバイスにおいて、前記接着剤の硬度をショア２８以下としたことを特徴とする弾性表面波デバイス。 （もっと読む）

【課題】圧電体基板の端部に反射された波が、電極に入ることを効果的に防止する。
【解決手段】弾性表面波フィルタ1は、圧電体基板2上に、弾性表面波の進行方向と略直交する向きに延びた複数の電極指30、30を有する入力電極3及び出力電極4を具えている。圧電体基板2の端部は、該端部に伝達される弾性表面波の反射を抑えるべく、膨らみを外側に向けた円弧状に形成されている。圧電体基板2の端部は半円状、又は１／４円状であり、圧電体基板2上にて、両電極3、4の弾性表面波進行方向に沿う外側には、吸音剤5が塗布されている。 （もっと読む）

電気応答デバイス及び電気応答デバイスを製造する方法であって、電気応答材料（例えば、圧電材料）（１３２）を基板材料（１０４）の表面の少なくとも一部の上に適用するステップと、前記電気応答材料の表面の少なくとも一部の上に電極材料（１４０）を適用するステップとを含む。電極材料（１４０）の少なくとも１つの領域が選択的に除去されて、前記電気応答材料が露出される（２４４）。前記電気応答材料の少なくとも一部が、前記電極材料の前記少なくとも１つの領域に対応する領域において選択的に除去される。
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【課題】 表面弾性波素子から漏れ出した表面弾性波の反射を抑制しつつ、その表面弾性波を減衰させる。
【解決手段】 複数の表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄが形成された圧電体基板１上に表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄから漏洩した表面弾性波を吸収する吸収体５を表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄの間に所定間隔で離散的に配置し、表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄから漏洩した表面弾性波を打ち消し合わせることにより、表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄから漏洩した表面弾性波の反射を抑制しつつ、表面弾性波を吸収体に効率よく吸収させるようにする。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、容量比γを小さくし、周波数制御性を高めたＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。また、ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなり、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定する。そして、前記ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率ｍｒを電極指幅／（電極指幅＋電極指間スペース）とした時に、前記ライン占有率ｍｒを０．５３≦ｍｒ≦０．６５、又は０．５５≦ｍｒ≦０．６８に設定する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ上に形成された状態で各トランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子の周波数特性の良否を判断するための測定用パッドを備えた状態で、各素子の小型化を図り、ウェハ上の集積密度を高めて、ウェハ一枚あたりからの取り個数を増やす。
【解決手段】 プローブ測定を行うための測定パッドを、隣接するトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子同士で共有してウェハ上に形成し、測定用パッドの個数をおよそ半減させることにより、１素子あたりの専有面積を小さくしたことを特徴とするトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子の製造方法。 （もっと読む）