弾性波デバイス
【課題】電極指からバスバー方向への弾性波の漏れを抑制すること。
【解決手段】本発明は、弾性波を反射する弾性波反射領域（２０）を有する圧電基板（１０）と、圧電基板（１０）上に設けられ、弾性波を励振する複数の電極指（１２）と、圧電基板（１０）上に設けられ、複数の電極指（１２）を互いに接続するバスバー（１３）と、バスバー（１３）の少なくとも一部上に接して設けられた第１媒質層（１６ａ）と、を有する。弾性波反射領域（２０）は、複数の電極指（１２）のバスバー（１３）方向にバスバー（１３）に接するように設けられている。
【解決手段】本発明は、弾性波を反射する弾性波反射領域（２０）を有する圧電基板（１０）と、圧電基板（１０）上に設けられ、弾性波を励振する複数の電極指（１２）と、圧電基板（１０）上に設けられ、複数の電極指（１２）を互いに接続するバスバー（１３）と、バスバー（１３）の少なくとも一部上に接して設けられた第１媒質層（１６ａ）と、を有する。弾性波反射領域（２０）は、複数の電極指（１２）のバスバー（１３）方向にバスバー（１３）に接するように設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス関し、特に、弾性波反射領域を有する圧電基板を用いた弾性波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
レーリー波や第１漏洩波などの弾性表面波を利用した弾性表面波デバイスでは、小型化及び軽量化を進めることができ、かつ周波数調整が不要である。このため、弾性表面波デバイスは、携帯電話用ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）フィルタ、ＩＦ（Ｉｎｔｅｒｍｉｄｉａｔｅ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）フィルタ、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｏｃｉｌｌａｔｏｒ）用共振子またはテレビ用ＶＩＦ（Ｖｅｄｅｏ Ｉｎｔｅｒｍｉｄｉａｔｅ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）フィルタなどに広く用いられている。
【０００３】
また、非特許文献１のように、圧電基板と媒質膜との間の界面付近を伝搬するラブ波や弾性境界波を用いた弾性境界波デバイスも開発されている。弾性境界波デバイスは、弾性表面波デバイスと比べ、例えば共振周波数の温度依存性等の温度特性を改善できる。また、弾性表面波デバイスのように気密封止が必要なく、安価なパッケージを使用することができる。
【０００４】
図１（ａ）および図１（ｂ）は従来例に係る弾性境界波デバイスを示す平面図および断面図である。図１（ａ）を参照に、圧電基板１０上に金属膜からなる櫛型電極ＩＤＴ０および反射器Ｒ０が設けられている。櫛型電極ＩＤＴ０は弾性波を励振する複数の電極指１２と複数の電極指１２を接続するバスバー１３とを有している。電極指１２が形成されている領域が電極指領域２２、バスバー１３が形成されている領域がバスバー領域２３である。図１（ｂ）を参照に、圧電基板１０上に複数の電極指１２が設けられ、電極指１２を覆うように第２媒質層１４が設けられている。第２媒質層１４上に第３媒質層１６が設けられている。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２２２９９１号公報
【非特許文献１】IEEE Trans. Sonics and ultrason. Vol. SU-25, No.6, pp384-389, 1978 IEEE
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
弾性波デバイスでは、弾性波の振動が電極指領域２２からバスバー領域２３に漏れると通過特性が悪化してしまう。例えば、図２を参照に、弾性境界波デバイスにおいては、電極指領域２２およびバスバー領域２３上に第２媒質層１４が形成されている。このため、図２の矢印のように、電極指領域２２からバスバー領域２３に第２媒質層１４を介し弾性波が漏れてしまう。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑み、電極指からバスバー方向への弾性波の漏れを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、弾性波を反射する弾性波反射領域を有する圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、前記弾性波を励振する複数の電極指と、前記圧電基板上に設けられ、前記複数の電極指を互いに接続するバスバーと、前記バスバーの少なくとも一部上に接して設けられた第１媒質層と、を具備し、前記弾性波反射領域は、前記複数の電極指の前記バスバー方向に前記バスバーに接するように設けられていることを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、電極指からバスバー方向への弾性波の漏れを抑制し、弾性波デバイスの特性を改善することができる。
【０００９】
上記構成において、前記弾性波反射領域は、前記圧電基板の表面が除去された段差である構成とすることができる。この構成によれば、段差を弾性波反射領域として用いることができる。
【００１０】
上記構成において、前記圧電基板の表面が除去された段差上に前記第１媒質層が設けられ、前記バスバーは前記第１媒質層上に設けられている構成とすることができる。この構成によれば、圧電基板の段差を第１媒質層で平坦化することができる。よって、段差に起因した電極の切断等を抑制することができる。
【００１１】
上記構成において、前記段差の深さは前記弾性波の波長以下である構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記弾性波反射領域は、前記圧電基板の表面に設けられた複数の溝部である構成とすることができる。この構成によれば複数の溝部を弾性波反射領域として用いることができるため、溝の深さを浅くすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記溝部の深さは前記弾性波の波長以下である構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記弾性波反射領域は、前記圧電基板の表面に設けられ前記弾性波の波長以下の中心線平均粗さを有する面荒れ部である構成とすることができる。この構成によれば面荒れ部を弾性波反射領域として用いることができるため、
【００１５】
上記構成において、前記第１媒質層は窒化アルミニウム、窒化シリコンまたは酸化タンタルからなる構成とすることができる。この構成によれば、音速の早い材料を第１媒質層とすることにより、弾性波を反射することができる。
【００１６】
上記構成において、前記複数の電極指を覆うように設けられ、前記第１媒質層より音速の遅い第２媒質層を具備する構成とすることができる。この構成によれば、圧電基板を介した弾性波の漏れを弾性波反射領域が抑制し、第２媒質層を介した弾性波の漏れを第１媒質層が抑制することができる。
【００１７】
上記構成において、前記第２媒質層は前記圧電基板とは逆符号の線熱膨張係数を有する構成とすることができる。この構成によれば、温度特性を改善することができる。
【００１８】
上記構成において、前記第２媒質層はＳｉＯ２、ＺｒＷ２Ｏ８、ＮｂＯＰＯ４またはＬｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ｎＳｉＯ２からなる構成とすることができる。
【００１９】
上記構成において、前記第２媒質層上に設けられ、前記第２媒質層より音速の速い第３媒質層を具備する構成とすることができる。この構成によれば、弾性波を第２媒質層に閉じ込めることができる。
【００２０】
上記構成において、前記圧電基板と前記複数の電極指との間に設けられた第４媒質層を具備する構成とすることができる。
【００２１】
上記構成において、前記圧電基板は、ＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ３からなる構成とすることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、電極指からバスバー方向への弾性波の漏れを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示した従来例に係る弾性境界波デバイスについて、共振点および反共振点での変位分布を有限要素法で計算した。その結果、反共振点において、弾性境界波が電極指からバスバー方向に漏れていることがわかった。以下に、反共振点において、弾性波の電極指からバスバー方向への漏れが抑制することができる弾性波デバイスについて説明する。
【実施例１】
【００２４】
図３（ａ）は実施例１に係る弾性境界波デバイスの平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図４は図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図３（ａ）を参照に、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極ＩＤＴ０は複数の電極指１２と複数の電極指１２を互いに接続するバスバー１３から構成されている。櫛形電極ＩＤＴ０の両側には反射器Ｒ０が設けられている。反射器Ｒ０においても、弾性波を反射する電極を電極指１２、電極指１２を互いに接続する電極をバスバー１３として示した。また、電極指１２が配置される領域を電極指領域２２、バスバー１３が配置される領域をバスバー領域２３として示した。
【００２５】
図３（ｂ）および図４を参照に、圧電基板１０上に弾性波を励振するＣｕ（銅）からなる複数の電極指１２が設けられている。電極指１２を覆うようにＳｉＯ２（酸化シリコン）からなる第２媒質層１４が設けられている。第２媒質層１４上にＡｌＮ（窒化アルミニウム）からなる第３媒質層１６が設けられている。図３（ｂ）の電極指１２の外側および図４のバスバー領域２３の圧電基板１０にはｔ１の段差が設けられている。圧電基板１０のバスバー１３上には第１媒質層１６ａが接して設けられている。図４において、圧電基板１０の表面が除去された段差が設けられた領域が弾性波反射領域２０、段差が形成されていない領域が弾性波伝搬領域２１である。
【００２６】
図５（ａ）から図５（ｄ）を参照に、実施例１に係る弾性境界波デバイスの製造工程を説明する。図５（ａ）を参照に、４２度ＹカットＬｉＴａＯ３（タンタル酸リチウム）からなる圧電基板１０の弾性波反射領域２０に０．２μｍの段差を形成する。段差の形成は、露光技術およびイオンミリング法を用いて行う。図５（ｂ）を参照に、圧電基板１０上に電極指１２およびバスバー１３を有する電極を形成する。電極の形成は以下により行う。ウェハ全面にスパッタリング法を用い膜厚が０．５μｍ／０．１５μｍのＴｉ（チタン）／Ｃｕ（銅）膜を形成する。露光技術およびエッチング法を用い電極パターンを形成する。このとき、バスバー１３は弾性波反射領域２０に形成され、電極指１２は弾性波伝搬領域２１に形成される。
【００２７】
図５（ｃ）を参照に、複数の電極指１２を覆うように第２媒質層１４を形成する。第２媒質層１４の形成は、スパッタリング法を用い膜厚が１μｍの酸化シリコン膜を形成する。露光技術およびエッチング法を用い、弾性波反射領域２０の第２媒質層１４を除去し、弾性波伝搬領域２１に第２媒質層１４を残存させる。図５（ｄ）を参照に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)法を用い第２媒質層１４およびバスバー１３を覆うように膜厚が２μｍの窒化アルミニウム膜を形成する。これにより、バスバー１３上に接するように第１媒質層１６ａが形成され、第２媒質層１４上に第３媒質層１６が形成される。
【００２８】
実施例１の効果を調べるため、従来例および実施例１に加え比較例１および比較例２についてＦＥＭ（有限要素法）シミュレーションを行った。図６を参照に、比較例１に係る弾性境界波デバイスは、第２媒質層１４はバスバー領域２３には形成されておらずバスバー１３上には第１媒質層１６ａが接して設けられているが、弾性波反射領域２０は形成されていない。図７を参照に、比較例２に係る弾性境界波デバイスは、段差つまり弾性波反射領域２０は形成されているが、第２媒質層１４はバスバー領域２３上に接して形成されている。
【００２９】
従来例、比較例１および比較例２の対応する材料および寸法は実施例１と同じとし、反共振点での弾性波の変位量、Ｓ２１の絶対値およびアドミッタンスをシミュレーションした。図８から図１１はそれぞれ、実施例１、従来例、比較例１および比較例２の弾性波の変位量を示す図である。図８は図４の電極指領域２２およびバスバー領域２３に対応している。図８を参照に、実施例１において、弾性波の変位は電極指領域２２に限定されており、バスバー領域２３への弾性波の漏れが抑制されている。図９を参照に、従来例において、弾性波の変位は電極指領域２２およびバスバー領域２３に存在し、弾性波は電極指領域２２からバスバー領域２３に漏れている。図１０および図１１を参照に、比較例１および比較例２においても弾性波は電極指領域２２からバスバー領域２３に漏れている。
【００３０】
図１２および図１３はそれぞれ通過特性（Ｓ２１の絶対値）およびアドミッタンスの周波数依存を示す図である。図１２および図１３を参照に、実施例１は従来例、比較例１および比較例２に比べ、通過特性およびアドミッタンスの極小値が最も小さい。
【００３１】
以上のように、実施例１においては、反共振点での電極指領域２２からバスバー領域２３への漏れが抑制され、通過特性およびアドミッタンスを改善することができる。これは、複数の電極指１２のバスバー１３方向に弾性波反射領域２０である段差を設けることにより、圧電基板１０内の弾性波がバスバー１３方向に漏れることを抑制でき、かつ、バスバー１３上に第２媒質層１４より音速の速い第１媒質層１６ａを設ける（つまり、第２媒質層１４の音速は第１媒質層１６ａより遅い）ことにより、第２媒質層１４内の弾性波がバスバー１３方向に漏れることを抑制できたためである。
【００３２】
第２媒質層１４上に第２媒質層１４より音速の速い第３媒質層１６を設けることにより、弾性波を第２媒質層１４に閉じ込める効果がある。さらに、第１媒質層１６ａと第３媒質層１６とを窒化アルミニウムで構成することにより、図５（ｄ）のように、第１媒質層１６ａと第３媒質層１６とを同時に形成することができる。
【００３３】
さらに、段差の深さｔ１は弾性波の波長以下であること好ましい。これにより、段差を形成することが容易となる。なお、段差の深さｔ１は大きい方が弾性波を反射する効果を有するが、実施例１では段差の深さは弾性波の波長の１／１０程度であり、この程度でも十分弾性波を反射することができる。
【００３４】
さらに、第２媒質層１４は圧電基板１０とは逆符号の線熱膨張係数を有することにより、第２媒質層１４と圧電基板１０との両方を伝搬する弾性境界波の温度特性を改善することができる。
【実施例２】
【００３５】
実施例２は弾性波反射領域２５が圧電基板１０の表面に設けられた複数の溝部を有する例である。図１４を参照に、バスバー１３は複数の溝部を有する弾性波反射領域２５に設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例２においても、溝部が弾性波を反射するため実施例１のように弾性波のバスバー方向への漏れを抑制することができる。さらに、実施例２では複数の溝部を設けるため、各溝部で弾性波が反射される。よって、実施例１に比べ、溝部の深さが浅くとも同じ効果を得ることができる。
【００３６】
また、溝部の深さｔ２は弾性波の波長以下であることが好ましい。これにより、溝部を形成することが容易となる。
【実施例３】
【００３７】
実施例３は、弾性波反射領域２６が圧電基板１０の表面に設けられ面荒れ部の例である。図１５を参照に、バスバー１３は中心線平均粗さｔ３が弾性波の波長以下である面荒れ部に設けられている。面荒れ部は例えばサンドブラスト法を用い形成し、例えば弾性波の波長の１／１０の中心線平均粗さを有する。実施例３のように、圧電基板１０の表面が面荒れしていることにより、弾性波を反射することができ、実施例１と同様に、弾性波のバスバー方向への漏れを抑制することができる。
【００３８】
面荒れ部の中心線平均粗さｔ３が弾性波の波長以下のため、面荒れ部を形成することが容易となる。また、弾性波を反射する効果を得るためには中心線平均粗さｔ３は弾性波の波長の１／２０以上であることが好ましい。
【００３９】
実施例１から実施例３のように、弾性波反射領域は圧電基板１０内の電極指領域２２からバスバー領域２３方向に伝搬する弾性波を反射する機能を有していればよい。また、弾性波反射領域は電極指１２からバスバー１３方向にバスバー１３に接するように設けられていればよく、例えば、バスバー１３の一部が弾性波反射領域に設けられている、または、バスバー１３の外側に弾性波反射領域が設けられていても良い。しかしながら、弾性波の漏れを抑制するためには、バスバー１３は全て弾性波反射領域に設けられることが好ましい。
【００４０】
第１媒質層１６ａは、バスバー１３の少なくとも一部上に接して設けられていれば、弾性波が電極指１２からバスバー１３方向に漏れることを抑制できる。実施例１から実施例３のように、バスバー１３上には全て第１媒質層１６ａが設けられていることが好ましい。
【実施例４】
【００４１】
実施例４は、ラブ波を弾性波とする弾性波デバイスの例である。図１６を参照に、実施例１の図４に対し、第２媒質層１４上に第３媒質層１６が設けられていない。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例４のように、ラブ波を弾性波とする弾性波デバイスに第１媒質層１６ａと弾性波反射領域２０とを設けても良い。
【実施例５】
【００４２】
実施例５は弾性表面波デバイスの例である。図１７を参照に、実施例４の図１６に対し、第２媒質層１４が設けられていない。その他の構成は実施例４と同じであり説明を省略する。実施例５のように、弾性表面波デバイスに第１媒質層１６ａと弾性波反射領域２０とを設けても良い。
【実施例６】
【００４３】
実施例６は、バスバーと圧電基板との間にも第１媒質層を有する例である。図１８（ａ）を参照に、実施例１の図５（ａ）の後、段差に窒化アルミニウムからなる第１媒質層１７を形成する。第１媒質層１７により表面が平坦化される。図１８（ｂ）を参照に、電極指１２およびバスバー１３、第２媒質層１４、第３媒質層１６および第１媒質層１６ａを形成する。実施例６に係る弾性波デバイスは、圧電基板１０の表面が除去された段差上に第１媒質層１７が設けられ、バスバー１３は第１媒質層１７上に設けられている。さらに、バスバー１３上には第１媒質層１６ａが設けられている。このように、バスバー１３を第１媒質層１６ａおよび１７で挟むこともできる。実施例６によれば、電極指１２およびバスバー１３を形成する面が平坦化できるため、段差に起因した電極の切断等を抑制することができる。
【実施例７】
【００４４】
実施例７は、圧電基板と複数の電極指との間に第４媒質層が設けられた例である。図１９を参照に、圧電基板１０と複数の電極指１２との間に第４媒質層１８が設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例７によれば、圧電基板１０と電極指１２との間に第４媒質層１８を設けることにより、共振点の温度依存と反共振点の温度依存とをともに改善することができる。第４媒質層１８としては例えば酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜を用いることができる。
【００４５】
実施例１から実施例７において、第１媒質層１６ａおよび第３媒質層１６は例えば、窒化アルミニウム、窒化シリコンまたは酸化タンタルからなる材料を用いることができる。このように、音速の速い材料を用いることにより弾性波を電極指領域に閉じ込めることができる。第２媒質層１６は例えば、ＳｉＯ２、ＺｒＷ２Ｏ８、ＮｂＯＰＯ４またはＬｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ｎＳｉＯ２からなること材料を用いることができる。このように、圧電基板１０や第１媒質層１６ａおよび第３媒質層１６に比べ音速の遅い材料を用いることができる。
【００４６】
圧電基板１０は、例えばＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ３からなる材料を用いることができる。これにより、高い電気機械結合係数を得ることができる。
【００４７】
実施例１から実施例７は、弾性波デバイスとして櫛型電極の両側に反射器を備えた共振器を例に説明した。弾性波デバイスとしては、共振器を組み合わせたラダー型フィルタ、櫛形電極を用いた多重モードフィルタとすることもできる。
【００４８】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】図１（ａ）は従来例に係る弾性境界波デバイスの平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】図２は図１（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】図３（ａ）は実施例１に係る弾性境界波デバイスの平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図４は図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｄ）は実施例１に係る弾性境界波デバイスの製造工程を示す断面図である。
【図６】図６は比較例１に係る弾性境界波デバイスの断面図である。
【図７】図７は比較例２に係る弾性境界波デバイスの断面図である。
【図８】図８は実施例１に係る弾性境界波デバイス内の弾性波の変位量を示す図である。
【図９】図９は従来例に係る弾性境界波デバイス内の弾性波の変位量を示す図である。
【図１０】図１０は比較例１に係る弾性境界波デバイス内の弾性波の変位量を示す図である。
【図１１】図１１は比較例２に係る弾性境界波デバイス内の弾性波の変位量を示す図である。
【図１２】図１２は反共振点付近の通過特性を示す図である。
【図１３】図１３は反共振点付近のアドミッタンスを示す図である。
【図１４】図１４は実施例２に係る弾性境界波デバイスの断面図である。
【図１５】図１５は実施例３に係る弾性境界波デバイスの断面図である。
【図１６】図１６は実施例４に係る弾性波デバイスの断面図である。
【図１７】図１７は実施例５に係る弾性表面波デバイスの断面図である。
【図１８】図１８（ａ）および図１８（ｂ）は実施例６に係る弾性境界波デバイスの製造工程を示す断面図である。
【図１９】図１９は実施例７に係る弾性境界波デバイスの断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０ 圧電基板
１２ 電極指
１３ バスバー
１４ 第２媒質層
１６ 第３媒質層
１６ａ、１７ 第１媒質層
１８ 第４媒質層
２０ 弾性波反射領域
２５ 弾性波反射領域
２６ 弾性波反射領域
２１ 弾性波伝搬領域
２２ 電極指領域
２３ バスバー領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス関し、特に、弾性波反射領域を有する圧電基板を用いた弾性波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
レーリー波や第１漏洩波などの弾性表面波を利用した弾性表面波デバイスでは、小型化及び軽量化を進めることができ、かつ周波数調整が不要である。このため、弾性表面波デバイスは、携帯電話用ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）フィルタ、ＩＦ（Ｉｎｔｅｒｍｉｄｉａｔｅ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）フィルタ、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｏｃｉｌｌａｔｏｒ）用共振子またはテレビ用ＶＩＦ（Ｖｅｄｅｏ Ｉｎｔｅｒｍｉｄｉａｔｅ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）フィルタなどに広く用いられている。
【０００３】
また、非特許文献１のように、圧電基板と媒質膜との間の界面付近を伝搬するラブ波や弾性境界波を用いた弾性境界波デバイスも開発されている。弾性境界波デバイスは、弾性表面波デバイスと比べ、例えば共振周波数の温度依存性等の温度特性を改善できる。また、弾性表面波デバイスのように気密封止が必要なく、安価なパッケージを使用することができる。
【０００４】
図１（ａ）および図１（ｂ）は従来例に係る弾性境界波デバイスを示す平面図および断面図である。図１（ａ）を参照に、圧電基板１０上に金属膜からなる櫛型電極ＩＤＴ０および反射器Ｒ０が設けられている。櫛型電極ＩＤＴ０は弾性波を励振する複数の電極指１２と複数の電極指１２を接続するバスバー１３とを有している。電極指１２が形成されている領域が電極指領域２２、バスバー１３が形成されている領域がバスバー領域２３である。図１（ｂ）を参照に、圧電基板１０上に複数の電極指１２が設けられ、電極指１２を覆うように第２媒質層１４が設けられている。第２媒質層１４上に第３媒質層１６が設けられている。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２２２９９１号公報
【非特許文献１】IEEE Trans. Sonics and ultrason. Vol. SU-25, No.6, pp384-389, 1978 IEEE
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
弾性波デバイスでは、弾性波の振動が電極指領域２２からバスバー領域２３に漏れると通過特性が悪化してしまう。例えば、図２を参照に、弾性境界波デバイスにおいては、電極指領域２２およびバスバー領域２３上に第２媒質層１４が形成されている。このため、図２の矢印のように、電極指領域２２からバスバー領域２３に第２媒質層１４を介し弾性波が漏れてしまう。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑み、電極指からバスバー方向への弾性波の漏れを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、弾性波を反射する弾性波反射領域を有する圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、前記弾性波を励振する複数の電極指と、前記圧電基板上に設けられ、前記複数の電極指を互いに接続するバスバーと、前記バスバーの少なくとも一部上に接して設けられた第１媒質層と、を具備し、前記弾性波反射領域は、前記複数の電極指の前記バスバー方向に前記バスバーに接するように設けられていることを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、電極指からバスバー方向への弾性波の漏れを抑制し、弾性波デバイスの特性を改善することができる。
【０００９】
上記構成において、前記弾性波反射領域は、前記圧電基板の表面が除去された段差である構成とすることができる。この構成によれば、段差を弾性波反射領域として用いることができる。
【００１０】
上記構成において、前記圧電基板の表面が除去された段差上に前記第１媒質層が設けられ、前記バスバーは前記第１媒質層上に設けられている構成とすることができる。この構成によれば、圧電基板の段差を第１媒質層で平坦化することができる。よって、段差に起因した電極の切断等を抑制することができる。
【００１１】
上記構成において、前記段差の深さは前記弾性波の波長以下である構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記弾性波反射領域は、前記圧電基板の表面に設けられた複数の溝部である構成とすることができる。この構成によれば複数の溝部を弾性波反射領域として用いることができるため、溝の深さを浅くすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記溝部の深さは前記弾性波の波長以下である構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記弾性波反射領域は、前記圧電基板の表面に設けられ前記弾性波の波長以下の中心線平均粗さを有する面荒れ部である構成とすることができる。この構成によれば面荒れ部を弾性波反射領域として用いることができるため、
【００１５】
上記構成において、前記第１媒質層は窒化アルミニウム、窒化シリコンまたは酸化タンタルからなる構成とすることができる。この構成によれば、音速の早い材料を第１媒質層とすることにより、弾性波を反射することができる。
【００１６】
上記構成において、前記複数の電極指を覆うように設けられ、前記第１媒質層より音速の遅い第２媒質層を具備する構成とすることができる。この構成によれば、圧電基板を介した弾性波の漏れを弾性波反射領域が抑制し、第２媒質層を介した弾性波の漏れを第１媒質層が抑制することができる。
【００１７】
上記構成において、前記第２媒質層は前記圧電基板とは逆符号の線熱膨張係数を有する構成とすることができる。この構成によれば、温度特性を改善することができる。
【００１８】
上記構成において、前記第２媒質層はＳｉＯ２、ＺｒＷ２Ｏ８、ＮｂＯＰＯ４またはＬｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ｎＳｉＯ２からなる構成とすることができる。
【００１９】
上記構成において、前記第２媒質層上に設けられ、前記第２媒質層より音速の速い第３媒質層を具備する構成とすることができる。この構成によれば、弾性波を第２媒質層に閉じ込めることができる。
【００２０】
上記構成において、前記圧電基板と前記複数の電極指との間に設けられた第４媒質層を具備する構成とすることができる。
【００２１】
上記構成において、前記圧電基板は、ＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ３からなる構成とすることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、電極指からバスバー方向への弾性波の漏れを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示した従来例に係る弾性境界波デバイスについて、共振点および反共振点での変位分布を有限要素法で計算した。その結果、反共振点において、弾性境界波が電極指からバスバー方向に漏れていることがわかった。以下に、反共振点において、弾性波の電極指からバスバー方向への漏れが抑制することができる弾性波デバイスについて説明する。
【実施例１】
【００２４】
図３（ａ）は実施例１に係る弾性境界波デバイスの平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図４は図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図３（ａ）を参照に、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極ＩＤＴ０は複数の電極指１２と複数の電極指１２を互いに接続するバスバー１３から構成されている。櫛形電極ＩＤＴ０の両側には反射器Ｒ０が設けられている。反射器Ｒ０においても、弾性波を反射する電極を電極指１２、電極指１２を互いに接続する電極をバスバー１３として示した。また、電極指１２が配置される領域を電極指領域２２、バスバー１３が配置される領域をバスバー領域２３として示した。
【００２５】
図３（ｂ）および図４を参照に、圧電基板１０上に弾性波を励振するＣｕ（銅）からなる複数の電極指１２が設けられている。電極指１２を覆うようにＳｉＯ２（酸化シリコン）からなる第２媒質層１４が設けられている。第２媒質層１４上にＡｌＮ（窒化アルミニウム）からなる第３媒質層１６が設けられている。図３（ｂ）の電極指１２の外側および図４のバスバー領域２３の圧電基板１０にはｔ１の段差が設けられている。圧電基板１０のバスバー１３上には第１媒質層１６ａが接して設けられている。図４において、圧電基板１０の表面が除去された段差が設けられた領域が弾性波反射領域２０、段差が形成されていない領域が弾性波伝搬領域２１である。
【００２６】
図５（ａ）から図５（ｄ）を参照に、実施例１に係る弾性境界波デバイスの製造工程を説明する。図５（ａ）を参照に、４２度ＹカットＬｉＴａＯ３（タンタル酸リチウム）からなる圧電基板１０の弾性波反射領域２０に０．２μｍの段差を形成する。段差の形成は、露光技術およびイオンミリング法を用いて行う。図５（ｂ）を参照に、圧電基板１０上に電極指１２およびバスバー１３を有する電極を形成する。電極の形成は以下により行う。ウェハ全面にスパッタリング法を用い膜厚が０．５μｍ／０．１５μｍのＴｉ（チタン）／Ｃｕ（銅）膜を形成する。露光技術およびエッチング法を用い電極パターンを形成する。このとき、バスバー１３は弾性波反射領域２０に形成され、電極指１２は弾性波伝搬領域２１に形成される。
【００２７】
図５（ｃ）を参照に、複数の電極指１２を覆うように第２媒質層１４を形成する。第２媒質層１４の形成は、スパッタリング法を用い膜厚が１μｍの酸化シリコン膜を形成する。露光技術およびエッチング法を用い、弾性波反射領域２０の第２媒質層１４を除去し、弾性波伝搬領域２１に第２媒質層１４を残存させる。図５（ｄ）を参照に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)法を用い第２媒質層１４およびバスバー１３を覆うように膜厚が２μｍの窒化アルミニウム膜を形成する。これにより、バスバー１３上に接するように第１媒質層１６ａが形成され、第２媒質層１４上に第３媒質層１６が形成される。
【００２８】
実施例１の効果を調べるため、従来例および実施例１に加え比較例１および比較例２についてＦＥＭ（有限要素法）シミュレーションを行った。図６を参照に、比較例１に係る弾性境界波デバイスは、第２媒質層１４はバスバー領域２３には形成されておらずバスバー１３上には第１媒質層１６ａが接して設けられているが、弾性波反射領域２０は形成されていない。図７を参照に、比較例２に係る弾性境界波デバイスは、段差つまり弾性波反射領域２０は形成されているが、第２媒質層１４はバスバー領域２３上に接して形成されている。
【００２９】
従来例、比較例１および比較例２の対応する材料および寸法は実施例１と同じとし、反共振点での弾性波の変位量、Ｓ２１の絶対値およびアドミッタンスをシミュレーションした。図８から図１１はそれぞれ、実施例１、従来例、比較例１および比較例２の弾性波の変位量を示す図である。図８は図４の電極指領域２２およびバスバー領域２３に対応している。図８を参照に、実施例１において、弾性波の変位は電極指領域２２に限定されており、バスバー領域２３への弾性波の漏れが抑制されている。図９を参照に、従来例において、弾性波の変位は電極指領域２２およびバスバー領域２３に存在し、弾性波は電極指領域２２からバスバー領域２３に漏れている。図１０および図１１を参照に、比較例１および比較例２においても弾性波は電極指領域２２からバスバー領域２３に漏れている。
【００３０】
図１２および図１３はそれぞれ通過特性（Ｓ２１の絶対値）およびアドミッタンスの周波数依存を示す図である。図１２および図１３を参照に、実施例１は従来例、比較例１および比較例２に比べ、通過特性およびアドミッタンスの極小値が最も小さい。
【００３１】
以上のように、実施例１においては、反共振点での電極指領域２２からバスバー領域２３への漏れが抑制され、通過特性およびアドミッタンスを改善することができる。これは、複数の電極指１２のバスバー１３方向に弾性波反射領域２０である段差を設けることにより、圧電基板１０内の弾性波がバスバー１３方向に漏れることを抑制でき、かつ、バスバー１３上に第２媒質層１４より音速の速い第１媒質層１６ａを設ける（つまり、第２媒質層１４の音速は第１媒質層１６ａより遅い）ことにより、第２媒質層１４内の弾性波がバスバー１３方向に漏れることを抑制できたためである。
【００３２】
第２媒質層１４上に第２媒質層１４より音速の速い第３媒質層１６を設けることにより、弾性波を第２媒質層１４に閉じ込める効果がある。さらに、第１媒質層１６ａと第３媒質層１６とを窒化アルミニウムで構成することにより、図５（ｄ）のように、第１媒質層１６ａと第３媒質層１６とを同時に形成することができる。
【００３３】
さらに、段差の深さｔ１は弾性波の波長以下であること好ましい。これにより、段差を形成することが容易となる。なお、段差の深さｔ１は大きい方が弾性波を反射する効果を有するが、実施例１では段差の深さは弾性波の波長の１／１０程度であり、この程度でも十分弾性波を反射することができる。
【００３４】
さらに、第２媒質層１４は圧電基板１０とは逆符号の線熱膨張係数を有することにより、第２媒質層１４と圧電基板１０との両方を伝搬する弾性境界波の温度特性を改善することができる。
【実施例２】
【００３５】
実施例２は弾性波反射領域２５が圧電基板１０の表面に設けられた複数の溝部を有する例である。図１４を参照に、バスバー１３は複数の溝部を有する弾性波反射領域２５に設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例２においても、溝部が弾性波を反射するため実施例１のように弾性波のバスバー方向への漏れを抑制することができる。さらに、実施例２では複数の溝部を設けるため、各溝部で弾性波が反射される。よって、実施例１に比べ、溝部の深さが浅くとも同じ効果を得ることができる。
【００３６】
また、溝部の深さｔ２は弾性波の波長以下であることが好ましい。これにより、溝部を形成することが容易となる。
【実施例３】
【００３７】
実施例３は、弾性波反射領域２６が圧電基板１０の表面に設けられ面荒れ部の例である。図１５を参照に、バスバー１３は中心線平均粗さｔ３が弾性波の波長以下である面荒れ部に設けられている。面荒れ部は例えばサンドブラスト法を用い形成し、例えば弾性波の波長の１／１０の中心線平均粗さを有する。実施例３のように、圧電基板１０の表面が面荒れしていることにより、弾性波を反射することができ、実施例１と同様に、弾性波のバスバー方向への漏れを抑制することができる。
【００３８】
面荒れ部の中心線平均粗さｔ３が弾性波の波長以下のため、面荒れ部を形成することが容易となる。また、弾性波を反射する効果を得るためには中心線平均粗さｔ３は弾性波の波長の１／２０以上であることが好ましい。
【００３９】
実施例１から実施例３のように、弾性波反射領域は圧電基板１０内の電極指領域２２からバスバー領域２３方向に伝搬する弾性波を反射する機能を有していればよい。また、弾性波反射領域は電極指１２からバスバー１３方向にバスバー１３に接するように設けられていればよく、例えば、バスバー１３の一部が弾性波反射領域に設けられている、または、バスバー１３の外側に弾性波反射領域が設けられていても良い。しかしながら、弾性波の漏れを抑制するためには、バスバー１３は全て弾性波反射領域に設けられることが好ましい。
【００４０】
第１媒質層１６ａは、バスバー１３の少なくとも一部上に接して設けられていれば、弾性波が電極指１２からバスバー１３方向に漏れることを抑制できる。実施例１から実施例３のように、バスバー１３上には全て第１媒質層１６ａが設けられていることが好ましい。
【実施例４】
【００４１】
実施例４は、ラブ波を弾性波とする弾性波デバイスの例である。図１６を参照に、実施例１の図４に対し、第２媒質層１４上に第３媒質層１６が設けられていない。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例４のように、ラブ波を弾性波とする弾性波デバイスに第１媒質層１６ａと弾性波反射領域２０とを設けても良い。
【実施例５】
【００４２】
実施例５は弾性表面波デバイスの例である。図１７を参照に、実施例４の図１６に対し、第２媒質層１４が設けられていない。その他の構成は実施例４と同じであり説明を省略する。実施例５のように、弾性表面波デバイスに第１媒質層１６ａと弾性波反射領域２０とを設けても良い。
【実施例６】
【００４３】
実施例６は、バスバーと圧電基板との間にも第１媒質層を有する例である。図１８（ａ）を参照に、実施例１の図５（ａ）の後、段差に窒化アルミニウムからなる第１媒質層１７を形成する。第１媒質層１７により表面が平坦化される。図１８（ｂ）を参照に、電極指１２およびバスバー１３、第２媒質層１４、第３媒質層１６および第１媒質層１６ａを形成する。実施例６に係る弾性波デバイスは、圧電基板１０の表面が除去された段差上に第１媒質層１７が設けられ、バスバー１３は第１媒質層１７上に設けられている。さらに、バスバー１３上には第１媒質層１６ａが設けられている。このように、バスバー１３を第１媒質層１６ａおよび１７で挟むこともできる。実施例６によれば、電極指１２およびバスバー１３を形成する面が平坦化できるため、段差に起因した電極の切断等を抑制することができる。
【実施例７】
【００４４】
実施例７は、圧電基板と複数の電極指との間に第４媒質層が設けられた例である。図１９を参照に、圧電基板１０と複数の電極指１２との間に第４媒質層１８が設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例７によれば、圧電基板１０と電極指１２との間に第４媒質層１８を設けることにより、共振点の温度依存と反共振点の温度依存とをともに改善することができる。第４媒質層１８としては例えば酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜を用いることができる。
【００４５】
実施例１から実施例７において、第１媒質層１６ａおよび第３媒質層１６は例えば、窒化アルミニウム、窒化シリコンまたは酸化タンタルからなる材料を用いることができる。このように、音速の速い材料を用いることにより弾性波を電極指領域に閉じ込めることができる。第２媒質層１６は例えば、ＳｉＯ２、ＺｒＷ２Ｏ８、ＮｂＯＰＯ４またはＬｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ｎＳｉＯ２からなること材料を用いることができる。このように、圧電基板１０や第１媒質層１６ａおよび第３媒質層１６に比べ音速の遅い材料を用いることができる。
【００４６】
圧電基板１０は、例えばＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ３からなる材料を用いることができる。これにより、高い電気機械結合係数を得ることができる。
【００４７】
実施例１から実施例７は、弾性波デバイスとして櫛型電極の両側に反射器を備えた共振器を例に説明した。弾性波デバイスとしては、共振器を組み合わせたラダー型フィルタ、櫛形電極を用いた多重モードフィルタとすることもできる。
【００４８】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】図１（ａ）は従来例に係る弾性境界波デバイスの平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】図２は図１（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】図３（ａ）は実施例１に係る弾性境界波デバイスの平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図４は図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｄ）は実施例１に係る弾性境界波デバイスの製造工程を示す断面図である。
【図６】図６は比較例１に係る弾性境界波デバイスの断面図である。
【図７】図７は比較例２に係る弾性境界波デバイスの断面図である。
【図８】図８は実施例１に係る弾性境界波デバイス内の弾性波の変位量を示す図である。
【図９】図９は従来例に係る弾性境界波デバイス内の弾性波の変位量を示す図である。
【図１０】図１０は比較例１に係る弾性境界波デバイス内の弾性波の変位量を示す図である。
【図１１】図１１は比較例２に係る弾性境界波デバイス内の弾性波の変位量を示す図である。
【図１２】図１２は反共振点付近の通過特性を示す図である。
【図１３】図１３は反共振点付近のアドミッタンスを示す図である。
【図１４】図１４は実施例２に係る弾性境界波デバイスの断面図である。
【図１５】図１５は実施例３に係る弾性境界波デバイスの断面図である。
【図１６】図１６は実施例４に係る弾性波デバイスの断面図である。
【図１７】図１７は実施例５に係る弾性表面波デバイスの断面図である。
【図１８】図１８（ａ）および図１８（ｂ）は実施例６に係る弾性境界波デバイスの製造工程を示す断面図である。
【図１９】図１９は実施例７に係る弾性境界波デバイスの断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０ 圧電基板
１２ 電極指
１３ バスバー
１４ 第２媒質層
１６ 第３媒質層
１６ａ、１７ 第１媒質層
１８ 第４媒質層
２０ 弾性波反射領域
２５ 弾性波反射領域
２６ 弾性波反射領域
２１ 弾性波伝搬領域
２２ 電極指領域
２３ バスバー領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性波を反射する弾性波反射領域を有する圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ、前記弾性波を励振する複数の電極指と、
前記圧電基板上に設けられ、前記複数の電極指を互いに接続するバスバーと、
前記バスバーの少なくとも一部上に接して設けられた第１媒質層と、を具備し、
前記弾性波反射領域は、前記複数の電極指の前記バスバー方向に前記バスバーに接するように設けられていることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
前記弾性波反射領域は、前記圧電基板の表面が除去された段差であることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記圧電基板の表面が除去された段差上に前記第１媒質層が設けられ、
前記バスバーは前記第１媒質層上に設けられていることを特徴とする請求項２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記段差の深さは前記弾性波の波長以下であることを特徴とする請求項２または３記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記弾性波反射領域は、前記圧電基板の表面に設けられた複数の溝部であることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記溝部の深さは前記弾性波の波長以下であることを特徴とする請求項５記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記弾性波反射領域は、前記圧電基板の表面に設けられ前記弾性波の波長以下の中心線平均粗さを有する面荒れ部であることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記第１媒質層は窒化アルミニウム、窒化シリコンまたは酸化タンタルからなることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記複数の電極指を覆うように設けられ、前記第１媒質層より音速の遅い第２媒質層を具備することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記第２媒質層は前記圧電基板とは逆符号の線熱膨張係数を有することを特徴とする請求項９記載の弾性波デバイス。
【請求項１１】
前記第２媒質層はＳｉＯ２、ＺｒＷ２Ｏ８、ＮｂＯＰＯ４またはＬｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ｎＳｉＯ２からなることを特徴とする請求項９または１０記載の弾性波デバイス。
【請求項１２】
前記第２媒質層上に設けられ、前記第２媒質層より音速の速い第３媒質層を具備することを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１３】
前記圧電基板と前記複数の電極指との間に設けられた第４媒質層を具備することを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１４】
前記圧電基板は、ＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ３からなることを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１】
弾性波を反射する弾性波反射領域を有する圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ、前記弾性波を励振する複数の電極指と、
前記圧電基板上に設けられ、前記複数の電極指を互いに接続するバスバーと、
前記バスバーの少なくとも一部上に接して設けられた第１媒質層と、を具備し、
前記弾性波反射領域は、前記複数の電極指の前記バスバー方向に前記バスバーに接するように設けられていることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
前記弾性波反射領域は、前記圧電基板の表面が除去された段差であることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記圧電基板の表面が除去された段差上に前記第１媒質層が設けられ、
前記バスバーは前記第１媒質層上に設けられていることを特徴とする請求項２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記段差の深さは前記弾性波の波長以下であることを特徴とする請求項２または３記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記弾性波反射領域は、前記圧電基板の表面に設けられた複数の溝部であることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記溝部の深さは前記弾性波の波長以下であることを特徴とする請求項５記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記弾性波反射領域は、前記圧電基板の表面に設けられ前記弾性波の波長以下の中心線平均粗さを有する面荒れ部であることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記第１媒質層は窒化アルミニウム、窒化シリコンまたは酸化タンタルからなることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記複数の電極指を覆うように設けられ、前記第１媒質層より音速の遅い第２媒質層を具備することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記第２媒質層は前記圧電基板とは逆符号の線熱膨張係数を有することを特徴とする請求項９記載の弾性波デバイス。
【請求項１１】
前記第２媒質層はＳｉＯ２、ＺｒＷ２Ｏ８、ＮｂＯＰＯ４またはＬｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ｎＳｉＯ２からなることを特徴とする請求項９または１０記載の弾性波デバイス。
【請求項１２】
前記第２媒質層上に設けられ、前記第２媒質層より音速の速い第３媒質層を具備することを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１３】
前記圧電基板と前記複数の電極指との間に設けられた第４媒質層を具備することを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１４】
前記圧電基板は、ＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ３からなることを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２００８−１１８５７６（Ｐ２００８−１１８５７６Ａ）
【公開日】平成２０年５月２２日（２００８．５．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３０２１５４（Ｐ２００６−３０２１５４）
【出願日】平成１８年１１月７日（２００６．１１．７）
【出願人】（３９８０６７２７０）富士通メディアデバイス株式会社 (198)
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年５月２２日（２００８．５．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１１月７日（２００６．１１．７）
【出願人】（３９８０６７２７０）富士通メディアデバイス株式会社 (198)
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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