【課題】弾性表面波デバイス用のキャップ基板であるパッケージ材料に穴を形成する際に、目的とする径長さ通りの穴径を有する穴を正確に形成することができ、さらに放熱性にも優れるパッケージ材料、またそれから製造されるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス接合ウエハ、及びそれから切断されることによって得られ、電気特性と信頼性を確保したまま小型化及び低背化でき、さらにはモジュール搭載が可能であるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、圧電性が消失された単結晶圧電基板２に穴３が形成され、かつ基板外部よりＬｉが拡散されたものであることを特徴とする弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料１。 （もっと読む）

【課題】主振動とは発振周波数が異なる副振動の発生を抑える圧電振動子の提供。
【解決手段】厚みすべり振動を主振動とする水晶片１０の両面に夫々励振電極２１，２２が形成された水晶振動子１において、前記励振電極２１における副振動が発生する部位に、孔部２５を形成すると共に水晶片１０における孔部２５に対応する領域に凹部１１を形成する。あるいは水晶片１０における副振動が発生する部位に凸部を設ける。凹部１１または凸部は水晶振動子の中心に対して対称に設けることが好ましい。これにより、副振動が減衰し、かつ副振動の発振周波数が高周波側に移動する。 （もっと読む）

【課題】電気的抵抗損失が少なく、電極膜厚を厚くしても大きな電気機械結合係数ｋ^２を得ることを可能とするＳＨ波を利用した弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】上面と下面とを有し、上面に溝が形成されている水晶基板２と、前記溝内に充填されている金属層３ａを有し、該金属層３ａがアルミニウムよりも密度の重い金属からなるＩＤＴ電極４とを備え、ＳＨ波を利用している弾性表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現するとともに、周波数のバラつきを抑制可能な弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板と、前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を含み、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、を備え、平面視で、前記電極指の間の位置に、前記水晶基板の窪である電極指間溝を配置し、前記電極指間溝の間に配置されている前記水晶基板の凸部のライン占有率をηｇ、前記凸部上に配置されている前記電極指のライン占有率をηｅとし、前記ＩＤＴの実効ライン占有率ηｅｆｆを前記ライン占有率ηｇと前記ライン占有率ηｅとの相加平均とした場合、下記式の関係を満たす。


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【課題】フィルタの振幅特性における通過帯域幅を広くすることができる弾性波素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の弾性波素子１０は、圧電基板１１の主表面１２、及び裏面１３は鏡面研磨が施されており、主表面１２に入力インターディジタル電極１４、出力インターディジタル電極１５が設けられている。入力インターディジタル電極１４から放射されたバルク波１６は裏面１３で反射されて出力インターディジタル電極１５で受信される。さらに、入力インターディジタル電極１４、もしくは出力インターディジタル電極１５の少なくとも一方には交差幅重み付けが施されている。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性と高いＱ値とを同時に実現するＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板１２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１３と、その両側に配置した一対の反射器１４と、ＩＤＴの電極指１５ａ，１５ｂ間に凹設した電極指間溝１７と、反射器の導体ストリップ１４ａ間に凹設した導体ストリップ間溝１８とを有し、ＳＡＷの波長λと電極指間溝の深さＧとが０．０１λ≦Ｇを満足し、ＩＤＴのライン占有率ηと電極指間溝の深さＧとが所定の関係式を満足し、ＩＤＴのライン占有率ηと反射器のライン占有率ηrとがη＜ηrの関係にある。 （もっと読む）

【課題】極大値と極小値とそれらの間に変曲点とを有する曲線の周波数温度特性を有するＳＡＷデバイスにおいて、周波数温度特性を動作温度範囲に関して最適に調整する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのレイリー波（波長：λ）を励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指間に凹設した電極指間溝８とを有し、ＩＤＴライン占有率ηと電極指間溝深さＧとが波長λに関して所定の関係を満足することにより、動作温度範囲で極大値と極小値との間に変曲点を有する三次曲線の周波数温度特性を有し、かつ変曲点をＩＤＴライン占有率ηによって動作温度範囲内で所望の温度又は温度域に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲に極大値と極小値とそれらの間に変曲点とを有する曲線の周波数温度特性を有するＳＡＷデバイスにおいて、製造ばらつきにより個体間に生じ得る周波数温度特性のばらつき及び劣化を抑制する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのレイリー波（波長：λ）を励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指間に凹設した電極指間溝８とを有し、電極指間溝の深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λであり、電極指膜厚ＨとＩＤＴライン占有率ηとが所定の関係を満足することにより、周波数温度特性が常に動作温度範囲内で極大値と極小値との間に変曲点を有し、かつＩＤＴライン占有率ηの製造ばらつきによる変曲点温度の変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】周波数特性のばらつき、及び水晶基板との熱歪みや経年変化による周波数変動を抑制するとともに、電気機械結合係数を改善した弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器を提供する。
【解決手段】オイラー角を（φ＝０°、１１０°≦θ≦１５０°、８８°≦ψ≦９２°）とした水晶基板３０と、前記水晶基板３０上に配置された複数の電極指１８を有し、励振波を弾性表面波としたＩＤＴ１２と、を有した弾性表面波共振子であって、前記水晶基板３０上には、前記弾性表面波の伝播方向にストライプ状に並んだ複数の溝３２が配置され、前記電極指１８が、前記溝３２の間、または前記溝の内部に配置される。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる二端子対弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】二端子対ＳＡＷ共振子は、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２Ａ，１２Ｂと、ＩＤＴ１２Ａ，１２Ｂを構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有する二端子対ＳＡＷ共振子１０Ａであって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、


を満たし、かつ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ共振子は、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２と、ＩＤＴ１２を構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、λとＧ間で所定の関係式を有し、且つ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧとライン占有率ηと波長λ間でも所定の関係式を有し、更に、前記ＩＤＴにおける電極指の対数Ｎも所定の範囲を有する弾性表面波共振子。 （もっと読む）

【課題】各種特性（特にＱ値）に優れる弾性表面波共振子の製造方法を提供すること。
【解決手段】弾性表面波共振子１は、いわゆる１ポート型と呼ばれるタイプの素子であり、圧電体基板２と、圧電体基板２上に設けられたＩＤＴ（櫛歯電極）３と、ＩＤＴ３の両側に設けられた１対の反射器４、５とを有している。ＩＤＴ３は、複数の電極指３１ａ、３１ｂを有しており、また、圧電体基板２の電極指３１ａ、３１ｂ間には第２の溝２５が形成されている。一方、反射器４、５は、複数の導体ストリップ４１、５１を有しており、また、圧電体基板２の導体ストリップ４１、５１間には第２の溝２５より深い第１の溝２６が形成されている。このような深さの異なる第１の溝２６および第２の溝２５は、特性の異なる２種類のレジスト材料からなるレジスト層を用い、これらの剥離液に対する剥離性の違いを利用して形成される。 （もっと読む）

【課題】各種特性（特にＱ値）に優れる弾性表面波共振子の製造方法を提供すること。
【解決手段】弾性表面波共振子１は、いわゆる１ポート型と呼ばれるタイプの素子であり、圧電体基板２と、圧電体基板２上に設けられたＩＤＴ（櫛歯電極）３と、ＩＤＴ３の両側に設けられた１対の反射器４、５とを有している。ＩＤＴ３は、複数の電極指３１ａ、３１ｂを有しており、また、圧電体基板２の電極指３１ａ、３１ｂ間には第２の溝２５が形成されている。一方、反射器４、５は、複数の導体ストリップ４１、５１を有しており、また、圧電体基板２の導体ストリップ４１、５１間には第２の溝２５より深い第１の溝２６が形成されている。このような深さの異なる第１の溝２６および第２の溝２５は、レジスト層と着脱自在のマスク部材とを用い、これらを重複して使用しても相互に悪影響を及ぼさないことを利用して形成される。 （もっと読む）

【課題】使用環境によらず、発振安定性に優れた弾性表面波共振子、およびかかる共振子を備えた弾性表面波発振器および電子機器を提供すること。
【解決手段】オイラー角（−1.5°≦φ≦1.5°，117°≦θ≦142°，42.79°≦｜ψ｜≦49.57°）の水晶基板３０を用い、ＳＡＷを励振するＩＤＴ１２およびこれを挟む一対の反射器２０と、電極指１８間の水晶基板３０を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、0.01λ≦Ｇを満たし、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧとライン占有率ηとが−2×Ｇ／λ＋0.72≦η≦−2.5×Ｇ／λ＋0.7775（ただし0.01λ≦Ｇ≦0.05λ）、および、−3.5898×Ｇ／λ＋0.7995≦η≦−2.5×Ｇ／λ＋0.7775（ただし0.05λ＜Ｇ≦0.0695λ）の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】帯域内でのリップル成分、帯域外でのスプリアス成分を減少させて機能を向上させるとともに、化学的影響による機能の劣化を防止することができるＳＡＷデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】機能領域Ａ１の圧電材料層３０を除く基板１の一部に、所定の表面粗さの凹凸を有する弾性表面波吸収部Ａ２が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極指からバスバー方向への弾性波の漏れを抑制すること。
【解決手段】本発明は、弾性波を反射する弾性波反射領域（２０）を有する圧電基板（１０）と、圧電基板（１０）上に設けられ、弾性波を励振する複数の電極指（１２）と、圧電基板（１０）上に設けられ、複数の電極指（１２）を互いに接続するバスバー（１３）と、バスバー（１３）の少なくとも一部上に接して設けられた第１媒質層（１６ａ）と、を有する。弾性波反射領域（２０）は、複数の電極指（１２）のバスバー（１３）方向にバスバー（１３）に接するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】トランスバーサル型フィルタの基板端面で反射された表面波は、スプリアスとなって信号にリップルを発生させる。故に、自動的に効果的にスプリアス対策を施し、十分にコストの低減を図る。
【解決手段】圧電体基板１の表面に、表面波の伝搬方向に沿って、２以上のＩＤＴ２や３（インターディジタルトランスデューサ）を配置する。圧電体基板１を表面波の伝搬方向に見たときの両端部近傍に、圧電体基板１の表面を凹凸加工した粗面を設ける。この粗面は、表面波の波長をλとしたとき、当該表面波の伝搬方向にλ以上の幅を有し、かつ、圧電体基板１の、表面波の伝搬方向と垂直な方向に見て全面に延長される長さを有する。 （もっと読む）

【課題】基板を温度変化させたときに、温度改善効果が高く、圧電基板において面内周波数温度係数のばらつきが小さく、周波数温度特性が優れた安定性を有するものであるとともに、熱により生じる反りが小さい複合圧電基板を提供する。
【解決手段】圧電基板とセラミック基板とを貼り合せた複合圧電基板であって、前記セラミック基板は厚さが１００μｍ以上であり、該セラミック基板と前記圧電基板とを接着剤を介して貼り合せたものである複合圧電基板。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Ｑ値が大きく、周波数エージング特性の優れたＳＨ波型ＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２としたＳＨ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記水晶基板を０．００２μｍ以上の厚さでエッチングしてＳＨ波型弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

電気応答デバイス及び電気応答デバイスを製造する方法であって、電気応答材料（例えば、圧電材料）（１３２）を基板材料（１０４）の表面の少なくとも一部の上に適用するステップと、前記電気応答材料の表面の少なくとも一部の上に電極材料（１４０）を適用するステップとを含む。電極材料（１４０）の少なくとも１つの領域が選択的に除去されて、前記電気応答材料が露出される（２４４）。前記電気応答材料の少なくとも一部が、前記電極材料の前記少なくとも１つの領域に対応する領域において選択的に除去される。
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