弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器
【課題】使用環境によらず、発振安定性に優れた弾性表面波共振子、およびかかる共振子を備えた弾性表面波発振器および電子機器を提供すること。
【解決手段】オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板30を用い、SAWを励振するIDT12およびこれを挟む一対の反射器20と、電極指18間の水晶基板30を窪ませた溝32を有するSAW共振子10であって、SAWの波長をλ、溝32の深さをGとした場合に、0.01λ≦Gを満たし、IDT12のライン占有率をηとした場合に、溝32の深さGとライン占有率ηとが−2×G/λ+0.72≦η≦−2.5×G/λ+0.7775(ただし0.01λ≦G≦0.05λ)、および、−3.5898×G/λ+0.7995≦η≦−2.5×G/λ+0.7775(ただし0.05λ<G≦0.0695λ)の関係を満たす。
【解決手段】オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板30を用い、SAWを励振するIDT12およびこれを挟む一対の反射器20と、電極指18間の水晶基板30を窪ませた溝32を有するSAW共振子10であって、SAWの波長をλ、溝32の深さをGとした場合に、0.01λ≦Gを満たし、IDT12のライン占有率をηとした場合に、溝32の深さGとライン占有率ηとが−2×G/λ+0.72≦η≦−2.5×G/λ+0.7775(ただし0.01λ≦G≦0.05λ)、および、−3.5898×G/λ+0.7995≦η≦−2.5×G/λ+0.7775(ただし0.05λ<G≦0.0695λ)の関係を満たす。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、弾性表面波共振子、およびこれを搭載した弾性表面波発振器に係り、特に基板表面に溝を設けたタイプの弾性表面波共振子、およびこれを搭載した弾性表面波発振器および電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
弾性表面波(SAW:surface acoustic wave)装置(例えばSAW共振子)において、周波数温度特性の変化には、SAWのストップバンドや圧電基板(例えば水晶基板)のカット角、およびIDT(interdigital transducer)の形成形態等が及ぼす影響が大きい。
【0003】
例えば特許文献1には、SAWのストップバンドの上端モード、下端モードのそれぞれを励起させる構成、およびストップバンドの上端モード、下端モードにおけるそれぞれの定在波の分布などが開示されている。
【0004】
また、特許文献2〜6には、SAWにおけるストップバンドの上端モードの方が、ストップバンドの下端モードよりも周波数温度特性が良好である点が記載されている。
このうち、特許文献2には、回転YカットX伝搬の水晶基板を用い、ストップバンドの上端の共振を利用することで、ストップバンドの下端の共振を用いる場合よりも周波数温度特性が向上する旨が記載されている。
【0005】
また、特許文献3、4には、レイリー波を利用したSAW装置において良好な周波数温度特性を得るために、水晶基板のカット角を調整するとともに、電極の基準化膜厚(H/λ)を0.1程度まで厚くすることが記載されている。なお、λは、SAWの波長である。
また、特許文献5には、レイリー波を利用したSAW装置において水晶基板のカット角を調整するとともに、電極の基準化膜厚(H/λ)を0.045以上に厚くすることが記載されている。
【0006】
一方、特許文献7および非特許文献1には、STカット水晶基板を用いたSAW装置において、IDTを構成する電極指間や反射器を構成する導体ストリップ間に溝(グルーブ)を設けることが記載されている。また非特許文献1には、溝の深さにより周波数温度特性が変化する旨が記載されている。
また、特許文献8〜11にも、水晶等の圧電基板に溝を形成することにより、周波数特性を調整し得ることが開示されている。
【0007】
さらには、特許文献12には、トランスバーサル型SAWフィルタにおいて、IDTの電極間の圧電基板表面をエッチング加工することにより溝を形成し、かつ、電極指の材料をアルミよりも比重の大きい純金属または合金で形成することにより、見かけ上伝搬速度を小さくして、電極指のピッチを小さくすることで、チップの小型化が実現できることが開示されている。
【0008】
一方、特許文献13において、回転Yカット、カットアングル−43°ないし−52°、すべり波伝搬方向をZ’軸方向(オイラー角(φ,θ,ψ)=(0°,38°≦θ≦47°,90°))の水晶基板に基準化電極膜厚(H/λ)が2.0≦H/λ≦4.0%のIDT電極をアルミで形成してなるSAW共振器において、SSBW(Surface Skimming Bulk Wave)を励振させることにより、三次の周波数温度特性が実現できることが開示されているが、このSAW共振器は、圧電基板の表面直下を伝搬するSH波をIDTによって励起し、その振動エネルギーを電極直下に閉じ込めることを特徴としているので、前記SH波は基本的に基板内部に潜って進んでいく波となる。このため、圧電基板表面に沿って伝搬するSTカット水晶SAWと比較してグレーティング反射器によるSAWの反射効率が悪く、小型で高QなSAWデバイスを実現し難いという問題があった。
なお、特許文献14には、上記問題を解決するため、オイラー角(φ,θ,ψ)=(0°,−64°<θ<−49.3°,85°≦ψ≦95°)の水晶基板の表面にIDT電極とグレーティング反射器を形成したSAWデバイスが提案されている。
【0009】
また、特許文献15では、電極膜厚が厚いことに起因して発生するストレスマイグレーションが原因となってQ値や周波数安定性が劣化してしまうという問題に鑑みて、電極指間に対応する領域の水晶基板にエッチングにより溝を形成し、前記溝の深さをHp、金属膜の膜厚をHmとした時に、基準化電極膜厚(H/λ)を0.04<H/λ<0.12(ただし、H=Hp+Hm)の範囲とすることが開示されている。これにより、Q値が高く、周波数変動を抑圧したSAWデバイスが実現できるとしている。
【0010】
さらに、特許文献16では、前述の特許文献3ないし6に記載された、いわゆる面内回転ST水晶基板を用いたSAWデバイスでは、電極膜厚が厚いことに起因して、エッチングにより電極指を形成する過程においてサイドエッチングが進行してしまい、個体間でのライン占有率が変動してしまうので、温度変化時における周波数の変動量が大きく変化し、製品の信頼性、品質という点で大きな問題があることに鑑みて、オイラー角(φ,θ,ψ)=(0°、95°≦θ≦155°、33°≦|ψ|≦46°)の面内回転STカット水晶を用いることが提案されている。この水晶基板を用いることにより、弾性表面波のストップバンド上限モードを励振させ、周波数変動のバラツキを抑圧したSAWデバイスを実現できるとしている。
しかしながら、このように電極指間の水晶基板表面をエッチングして溝を形成することにより、実効膜厚を確保しつつ、周波数変動のバラツキを抑圧することができたとしても、SAWデバイスの動作温度範囲における周波数温度特性は、依然として2次特性を有しているため周波数変動幅の大幅な縮小には至っていない。
【0011】
また、特許文献17には、LSTカットの水晶基板を用いたSAW装置において、周波数温度特性を示す曲線を三次曲線とするための構成が記載されている一方で、レイリー波を用いたSAW装置においては、三次曲線で示されるような温度特性を持つカット角の基板は発見することができなかった旨が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0012】
【特許文献1】特許第3266846号(特開平11−214958号)公報
【特許文献2】特開2002−100959号公報
【特許文献3】特開2006−148622号公報
【特許文献4】特開2007−208871号公報
【特許文献5】特開2007−267033号公報
【特許文献6】特開2007−300287号公報
【特許文献7】特公平2−7207号(特開昭57−5418号)公報
【特許文献8】特開平2−189011号公報
【特許文献9】特開平5−90865号公報
【特許文献10】特開平1−231412号公報
【特許文献11】特開昭61−92011号公報
【特許文献12】特開平10−270974号公報
【特許文献13】特公平1−34411号公報
【特許文献14】再公表WO2005/099089A1公報
【特許文献15】特開2006−203408号公報
【特許文献16】特開2009−225420号公報
【特許文献17】特許第3851336号公報
【非特許文献】
【0013】
【非特許文献1】グルーブ形SAW共振器の製造条件と特性(電子通信学会技術研究報告MW82−59(1982))
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】
上記のように、周波数温度特性を改善するための要素は多岐にわたり、特にレイリー波を用いたSAW装置では、IDTを構成する電極の膜厚を厚くすることが周波数温度特性に寄与する要因の1つであると考えられている。しかし、本願出願人は、電極の膜厚を厚くすると、経時変化特性や耐温度衝撃特性等の耐環境特性が劣化することを実験的に見出した。また、周波数温度特性の改善を主目的とした場合には、前述したように電極膜厚を厚くしなければならず、これに伴って経時変化特性や耐温度衝撃特性等の劣化を余儀なくされていた。これはQ値に関しても当てはめられることであり、電極膜厚を厚くせずに高Q化を実現させることは困難であった。また、電極膜厚を厚くすることはCI(crystal impedance)値の上昇も伴い、発振安定性の低下を招いていた。
【0015】
したがって本願発明において、弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器を提供する際の課題は、第1に良好な周波数温度特性の実現、第2に耐環境特性の向上、第3に高いQ値を得る、第4に低いCI値を得る、というものである。すなわち、本発明の目的は、使用環境によらず、発振安定性に優れた弾性表面波共振子、およびかかる共振子を備えた弾性表面波発振器および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0016】
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]
本発明の弾性表面波共振子は、オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板上に設けられ、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するIDTと、前記IDTを構成する電極指間に位置する基板を窪ませた電極指間溝と、を有する弾性表面波共振子であって、
前記弾性表面波の波長をλ、前記電極指間溝の深さをGとした場合に、
【数1】
を満たし、
かつ、前記IDTのライン占有率をηとした場合に、前記電極指間溝の深さGと前記ライン占有率ηとが、
【数2】
【数3】
の関係を満たし、
前記IDTを前記弾性表面波の伝搬方向において挟み込むように配置され、前記弾性表面波を反射する一対の反射手段を有することを特徴とする。
これにより、第1に良好な周波数温度特性の実現、第2に耐環境特性の向上、第3に高いQ値を得る、第4に低いCI値を得ることを実現した弾性表面波共振子が得られる。すなわち、使用環境によらず、発振安定性に優れた弾性表面波共振子が得られる。
【0017】
[適用例2]
本発明の弾性表面波共振子では、前記電極指間溝の深さGが、
【数4】
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、電極指間溝の深さGが製造時の誤差によりずれた場合であっても、個体間における共振周波数のシフトを補正範囲内に抑え得る弾性表面波共振子が得られる。
【0018】
[適用例3]
本発明の弾性表面波共振子では、前記IDTの電極指の膜厚をHとしたとき、
【数5】
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、動作温度範囲内において良好な周波数温度特性を示す弾性表面波共振子が得られる。また、このような特徴を有することによれば、電極膜厚の増加に伴う耐環境特性の劣化を抑制することが可能となる。
【0019】
[適用例4]
本発明の弾性表面波共振子では、前記ライン占有率ηが、
【数6】
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、二次温度係数をほぼ±0.01ppm/℃2以内に収めることが可能となる。
【0020】
[適用例5]
本発明の弾性表面波共振子では、前記電極指間溝の深さGと前記電極指の膜厚Hとの和が、
【数7】
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、従来の弾性表面波共振子よりも高いQ値を得ることができる。
【0021】
[適用例6]
本発明の弾性表面波共振子では、前記ψと前記θが、
【数8】
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、広い範囲で良好な周波数温度特性を示す弾性表面波共振子が得られる。
【0022】
[適用例7]
本発明の弾性表面波共振子では、前記IDTにおけるストップバンド上端モードの周波数をft2、前記反射手段におけるストップバンド下端モードの周波数をfr1、前記反射器のストップバンド上端モードの周波数をfr2としたとき、
【数9】
の関係を満たすことが好ましい。
【0023】
これにより、IDTのストップバンド上端モードの周波数ft2において、反射手段の反射係数|Γ|が大きくなり、IDTから励振されたストップバンド上端モードの弾性表面波が、反射手段にて高い反射係数でIDT側に反射されるようになる。そしてストップバンド上端モードの弾性表面波のエネルギー閉じ込めが強くなり、低損失な弾性表面波共振子を実現することができる。
【0024】
[適用例8]
本発明の弾性表面波共振子では、前記反射手段は、前記IDTを構成する電極指と平行になるよう配置され、前記水晶基板を窪ませた溝で構成されていることが好ましい。
これにより、反射手段の製造容易性を高めることができる。また、導体ストリップの形成が不要になるので、反射手段の特性バラツキを抑制することができる。
【0025】
[適用例9]
本発明の弾性表面波共振子では、前記反射手段が有する溝は、互いに平行な複数本の溝であることが好ましい。
これにより、反射手段の製造容易性を高めることができる。また、導体ストリップの形成が不要になるので、反射手段の特性バラツキを抑制することができる。
【0026】
[適用例10]
本発明の弾性表面波共振子では、前記IDTを構成する電極指の膜厚をHmT、前記電極指間溝の深さをHgT、前記電極指の実効膜厚をHT/λ(ただし、HT=HmT+HgT)とするとともに、前記反射手段が有する前記溝の深さをHgRとしたとき、
前記IDTおよび前記反射手段は、
HT/λ<HgR/λ
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、導体ストリップが省略されていても反射手段の反射特性が向上してストップバンド上端モードのSAWのエネルギー閉じ込め効果がより顕著になり、Q値のさらなる向上が図られる。また、相対的にIDTの電極指の実効膜厚は減少するため、IDTの電気機械結合係数を高めることができ、CI値をさらに下げることができる。
[適用例11]
本発明の弾性表面波共振子では、前記HgRは、3λ以上であることが好ましい。
これにより、反射手段の製造にあたって、単に深さの深い溝を形成しさえすればよいことから、その製造容易性を格段に高めることができる。
【0027】
[適用例12]
本発明の弾性表面波共振子では、前記反射手段は、前記水晶基板上に設けられた互いに平行な複数本の導体ストリップで構成されていることが好ましい。
これにより、反射手段の製造容易性を高めることができる。また、溝の形成が不要になるので、反射手段の特性バラツキを抑制することができる。
【0028】
[適用例13]
本発明の弾性表面波共振子では、前記IDTを構成する電極指の膜厚をHmT、前記電極指間溝の深さをHgT、前記電極指の実効膜厚をHT/λ(ただし、HT=HmT+HgT)とするとともに、前記導体ストリップの膜厚をHmRとしたとき、
前記IDTおよび前記反射手段は、
HT/λ<HmR/λ
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、溝が省略されていても反射手段の反射特性が向上してストップバンド上端モードのSAWのエネルギー閉じ込め効果がより顕著になり、Q値のさらなる向上が図られる。また、相対的にIDTの電極指の実効膜厚は減少するため、IDTの電気機械結合係数を高めることができ、CI値をさらに下げることができる。
【0029】
[適用例14]
本発明の弾性表面波共振子では、前記反射手段は、互いに平行な複数本の前記溝と、前記溝に隣接して前記水晶基板上に設けられた互いに平行な複数本の導体ストリップとで構成されていることが好ましい。
これにより、周波数温度特性に優れた弾性表面波共振子が得られる。
【0030】
[適用例15]
本発明の弾性表面波共振子では、前記IDTを構成する電極指の膜厚をHmT、前記電極指間溝の深さをHgT、前記電極指の実効膜厚をHT/λ(ただし、HT=HmT+HgT)とするとともに、前記導体ストリップの膜厚をHmR、前記反射手段が有する前記溝の深さをHgR、前記導体ストリップの実効膜厚をHR/λ(ただし、HR=HmR+HgR)としたとき、
前記IDTおよび前記反射手段は、
HT/λ<HR/λ
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、導体ストリップの実効膜厚の増大とともに反射手段の反射特性が向上してストップバンド上端モードのSAWのエネルギー閉じ込め効果がより顕著になり、Q値のさらなる向上が図られる。また、相対的にIDTの電極指の実効膜厚は減少するため、IDTの電気機械結合係数を高めることができ、CI値をさらに下げることができる。
【0031】
[適用例16]
本発明の弾性表面波共振子では、前記IDTを構成する電極指の膜厚HmTと前記導体ストリップの膜厚HmRとが、
HmT/λ=HmR/λ
の関係を満たし、かつ、
前記電極指間溝の深さHgTと前記反射手段が有する前記溝の深さHgRとが、
HgT/λ<HgR/λ
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、高Q化と低CI化の両立を図ることができる。また、単一膜厚の導電膜を成膜すればよく、製造容易性が高くなる。
【0032】
[適用例17]
本発明の弾性表面波共振子では、前記電極指間溝の深さHgTと前記反射手段が有する前記溝の深さHgRとが、
HgT/λ=HgR/λ
の関係を満たし、かつ、
前記IDTを構成する電極指の膜厚HmTと前記導体ストリップの膜厚HmRとが、
HmT/λ<HmR/λ
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、高Q化と低CI化の両立を図ることができる。また、単一条件で溝を加工すればよく、製造容易性が高くなる。
【0033】
[適用例18]
本発明の弾性表面波共振子では、前記反射手段は、前記水晶基板の端面で構成されていることが好ましい。
これにより、反射手段の製造容易性を高めることができる。また、溝や導体ストリップの形成が不要になるので、反射手段の特性バラツキを抑制するとともに、小型化を図ることができる。
【0034】
[適用例19]
本発明の弾性表面波発振器は、本発明の弾性表面波共振子と、前記IDTを駆動するためのICと、を備えることを特徴とする。
これにより、使用環境によらず、発振安定性に優れた弾性表面波発振器が得られる。
[適用例20]
本発明の電子機器は、本発明の弾性表面波共振子を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【図1】実施形態に係るSAWデバイスの構成を示す図であって、(A)は平面構成を示す図であり、(B)は側面における部分拡大断面を示す図であり、(C)は(B)における詳細を説明するための部分拡大図であり、(D)は(C)における部分拡大図であって、SAW共振子をフォトリソグラフィ技法とエッチング技法とを用いて製造したときに想定しえる溝部の断面形状を示す図である。
【図2】本発明で用いる水晶基板の母材となるウェーハの方位を示す図である。
【図3】傾斜型IDTを採用した場合におけるSAWデバイスの構成例を示す図であって、(A)は電極指を傾斜させてX´軸に直交させた形態の例であり、(B)は電極指を繋ぐバスバーを傾斜させたIDTを有するSAWデバイスの例である。
【図4】ストップバンド上端モードと下端モードとの関係を示す図である。
【図5】電極指間溝の深さと動作温度範囲内における周波数変動量との関係を示すグラフである。
【図6】STカット水晶基板における温度特性を示す図である。
【図7】ストップバンド上端モードの共振点とストップバンド下端モードの共振点におけるライン占有率ηの変化に伴う二次温度係数の変化の違いを示すグラフであり、(A)は溝深さGを2%λとした場合におけるストップバンド上端モードの二次温度係数βの変位を示すグラフであり、(B)は溝深さGを2%λとした場合におけるストップバンド下端モードの二次温度係数βの変位を示すグラフであり、(C)は溝深さGを4%λとした場合におけるストップバンド上端モードの二次温度係数βの変位を示すグラフであり、(D)は溝深さGを4%λとした場合におけるストップバンド下端モードの二次温度係数βの変位を示すグラフである。
【図8】電極膜厚を0として電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを1%λ、(B)は溝深さGを1.25%λ、(C)は溝深さGを1.5%λ、(D)は溝深さGを2%λ、(E)は溝深さGを3%λ、(F)は溝深さGを4%λ、(G)は溝深さGを5%λ、(H)は溝深さGを6%λ、(I)は溝深さGを8%λとした場合におけるグラフである。
【図9】電極膜厚を0とした場合における二次温度係数が0となる電極指間溝の深さとライン占有率ηとの関係を示すグラフである。
【図10】電極膜厚を0として電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを1%λ、(B)は溝深さGを1.25%λ、(C)は溝深さGを1.5%λ、(D)は溝深さGを2%λ、(E)は溝深さGを3%λ、(F)は溝深さGを4%λ、(G)は溝深さGを5%λ、(H)は溝深さGを6%λ、(I)は溝深さGを8%λとした場合におけるグラフである。
【図11】電極指間溝の深さと、該電極指間溝の深さが±0.001λずれた場合の周波数変動量との関係を示すグラフである。
【図12】電極膜厚を変化させた場合における二次温度係数が0となる電極指間溝の深さとライン占有率ηとの関係を示すグラフであり、(A)は電極膜厚を1%λ、(B)は電極膜厚を1.5%λ、(C)は電極膜厚を2%λ、(D)は電極膜厚を2.5%λ、(E)は電極膜厚を3%λ、(F)は電極膜厚を3.5%λとした場合におけるグラフである。
【図13】各電極膜厚における二次温度係数β≒0(ppm/℃2)となるη1と電極指間溝の深さとの関係をグラフにまとめた図であり、(A)は電極膜厚を1%λ〜3.5%λまで変化させた際の溝深さGとη1との関係を示し、(B)は、|β|≦0.01(ppm/℃2)となる領域が点aないしhを結んでなる多角形内であることを説明する図である。
【図14】電極膜厚H≒0からH=0.030λまでの電極指間溝の深さとライン占有率ηとの関係を近似曲線で示した図である。
【図15】電極膜厚を0.01λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを2%λ、(D)は溝深さGを3%λ、(E)は溝深さGを4%λ、(F)は溝深さGを5%λの場合におけるグラフである。
【図16】電極膜厚を0.015λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを1.5%λ、(D)は溝深さGを2.5%λ、(E)は溝深さGを3.5%λ、(F)は溝深さGを4.5%λの場合におけるグラフである。
【図17】電極膜厚を0.02λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを2%λ、(D)は溝深さGを3%λ、(E)は溝深さGを4%λ、(F)は溝深さGを5%λの場合におけるグラフである。
【図18】電極膜厚を0.025λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを1.5%λ、(D)は溝深さGを2.5%λ、(E)は溝深さGを3.5%λ、(F)は溝深さGを4.5%λの場合におけるグラフである。
【図19】電極膜厚を0.03λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを2%λ、(D)は溝深さGを3%λ、(E)は溝深さGを4%λ、(F)は溝深さGを5%λの場合におけるグラフである。
【図20】電極膜厚を0.035λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを2%λ、(D)は溝深さGを3%λ、(E)は溝深さGを4%λ、(F)は溝深さGを5%λの場合におけるグラフである。
【図21】電極膜厚を0.01λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを2%λ、(D)は溝深さGを3%λ、(E)は溝深さGを4%λ、(F)は溝深さGを5%λの場合におけるグラフである。
【図22】電極膜厚を0.015λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを1.5%λ、(D)は溝深さGを2.5%λ、(E)は溝深さGを3.5%λ、(F)は溝深さGを4.5%λの場合におけるグラフである。
【図23】電極膜厚を0.02λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを2%λ、(D)は溝深さGを3%λ、(E)は溝深さGを4%λ、(F)は溝深さGを5%λの場合におけるグラフである。
【図24】電極膜厚を0.025λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを1.5%λ、(D)は溝深さGを2.5%λ、(E)は溝深さGを3.5%λ、(F)は溝深さGを4.5%λの場合におけるグラフである。
【図25】電極膜厚を0.03λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを2%λ、(D)は溝深さGを3%λ、(E)は溝深さGを4%λ、(F)は溝深さGを5%λの場合におけるグラフである。
【図26】電極膜厚を0.035λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを2%λ、(D)は溝深さGを3%λ、(E)は溝深さGを4%λ、(F)は溝深さGを5%λの場合におけるグラフである。
【図27】電極膜厚Hを0≦H<0.005λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さGの関係を示すグラフによって|β|≦0.01となる範囲を示す図であり、(A)はη1、(B)はη2の場合を示す。
【図28】電極膜厚Hを0.005λ≦H<0.010λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さGの関係を示すグラフによって|β|≦0.01となる範囲を示す図であり、(A)はη1、(B)はη2の場合を示す。
【図29】電極膜厚Hを0.010λ≦H<0.015λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さGの関係を示すグラフによって|β|≦0.01となる範囲を示す図であり、(A)はη1、(B)はη2の場合を示す。
【図30】電極膜厚Hを0.015λ≦H<0.020λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さGの関係を示すグラフによって|β|≦0.01となる範囲を示す図であり、(A)はη1、(B)はη2の場合を示す。
【図31】電極膜厚Hを0.020λ≦H<0.025λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さGの関係を示すグラフによって|β|≦0.01となる範囲を示す図であり、(A)はη1、(B)はη2の場合を示す。
【図32】電極膜厚Hを0.025λ≦H<0.030λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さGの関係を示すグラフによって|β|≦0.01となる範囲を示す図であり、(A)はη1、(B)はη2の場合を示す。
【図33】電極膜厚Hを0.030λ≦H<0.035λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さGの関係を示すグラフによって|β|≦0.01となる範囲を示す図であり、(A)はη1、(B)はη2の場合を示す。
【図34】電極膜厚、ライン占有率η(η1:実線、η2:破線)を定めた際の電極指間溝の深さとオイラー角ψとの関係を示すグラフであり、(A)は電極膜厚を1%λ、(B)は電極膜厚を1.5%λ、(C)は電極膜厚を2%λ、(D)は電極膜厚を2.5%λ、(E)は電極膜厚を3%λ、(F)は電極膜厚を3.5%λとした場合のグラフである。
【図35】各電極膜厚Hにおける電極指間溝の深さGとオイラー角ψとの関係をグラフにまとめた図である。
【図36】二次温度係数βが−0.01(ppm/℃2)となる電極指間溝の深さとオイラー角ψとの関係を示すグラフである。
【図37】二次温度係数βが+0.01(ppm/℃2)となる電極指間溝の深さとオイラー角ψとの関係を示すグラフである。
【図38】電極膜厚Hの範囲を0<H≦0.005λとした場合において、|β|≦0.01(ppm/℃2)の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、(A)はψの最大値と最小値、(B)は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。
【図39】電極膜厚Hの範囲を0.005λ<H≦0.010λとした場合において、|β|≦0.01(ppm/℃2)の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、(A)はψの最大値と最小値、(B)は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。
【図40】電極膜厚Hの範囲を0.010λ<H≦0.015λとした場合において、|β|≦0.01(ppm/℃2)の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、(A)はψの最大値と最小値、(B)は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。
【図41】電極膜厚Hの範囲を0.015λ<H≦0.020λとした場合において、|β|≦0.01(ppm/℃2)の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、(A)はψの最大値と最小値、(B)は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。
【図42】電極膜厚Hの範囲を0.020λ<H≦0.025λとした場合において、|β|≦0.01(ppm/℃2)の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、(A)はψの最大値と最小値、(B)は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。
【図43】電極膜厚Hの範囲を0.025λ<H≦0.030λとした場合において、|β|≦0.01(ppm/℃2)の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、(A)はψの最大値と最小値、(B)は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。
【図44】電極膜厚Hの範囲を0.030λ<H≦0.035λとした場合において、|β|≦0.01(ppm/℃2)の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、(A)はψの最大値と最小値、(B)は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。
【図45】電極膜厚0.02λ、電極指間溝の深さ0.04λにおけるオイラー角θと二次温度係数βとの関係を示すグラフである。
【図46】オイラー角φと二次温度係数βとの関係を示すグラフである。
【図47】周波数温度特性が良好となるオイラー角θとオイラー角ψとの関係を示すグラフである。
【図48】周波数温度特性が最も良好となった条件下における4つの試験片での周波数温度特性データの例を示す図である。
【図49】電極指間溝の深さと電極膜厚との和である段差とCI値との関係を示すグラフである。
【図50】本実施形態に係るSAW共振子における等価回路定数や静特性の例を示す表である。
【図51】本実施形態に係るSAW共振子におけるインピーダンスカーブデータである。
【図52】従来のSAW共振子における段差とQ値の関係と本実施形態に係るSAW共振子段差とQ値の関係を比較するためのグラフである。
【図53】IDTと反射器のSAW反射特性を示す図である。
【図54】ヒートサイクル試験における電極膜厚Hと周波数変動との関係を示すグラフである。
【図55】実施形態に係るSAW発振器の構成を示す図である。
【図56】SAW共振子の周波数温度特性を示すグラフであり、(A)は特開2006−203408号に開示されているSAW共振子の周波数温度特性を示すグラフ、(B)は実質的な動作温度範囲内における周波数温度特性の範囲を示すグラフである。
【図57】IDTおよび反射器に保護膜としてアルミナを被覆したSAW共振子における動作範囲内の周波数変動量の変化を示すグラフである。
【図58】IDTおよび反射器に保護膜としてSiO2を被覆したSAW共振子における動作範囲内の周波数変動量の変化を示すグラフである。
【図59】実施形態に係るSAWデバイスの他の構成例を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
【図60】実施形態に係るSAWデバイスの他の構成例を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
【図61】(a)は、IDTの電極指の実効膜厚を横軸に、Q値を縦軸にとり、実効膜厚を変化させたときのQ値の変化の推移を示すグラフ、(b)は、実効膜厚を横軸に、電気機械結合係数を縦軸にとり、実効膜厚を変化させたときの電気機械結合係数の変化の推移を示すグラフである。
【図62】実施形態に係るSAWデバイスの第2の実施形態を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
【図63】図62に示すSAW共振子の他の構成例を示す図である。
【図64】実施形態に係るSAWデバイスの第3の実施形態を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
【図65】実施形態に係るSAWデバイスの第4の実施形態を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0036】
以下、本発明の弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
[弾性表面波共振子]
<第1実施形態>
まず、図1を参照して、本発明の弾性表面波(SAW)共振子に係る第1の実施形態について説明する。なお、図1において、図1(A)はSAW共振子の平面図であり、図1(B)は部分拡大断面図、図1(C)は同図(B)における詳細を説明するための拡大図、図1(D)は図1(C)の部分拡大図に関して、本発明に係るSAW共振子をフォトリソグラフィ技法とエッチング技法とを用いて製造したときに想定し得る断面形状であって、断面形状が矩形ではなく台形状となった場合における、IDT電極指のライン占有率ηの特定方法を説明するための図である。ライン占有率ηは、溝32の底部から、溝32の深さ(台座の高さ)Gと電極膜厚Hとを足した値である(G+H)の1/2となる高さにおける、凸部の幅Lと溝32の幅Sとを足した値(L+S)に対する前記幅Lの占める割合とするのが適切である。
【0037】
本実施形態に係るSAW共振子10は、水晶基板30と、IDT12、および反射器20を基本として構成される。
図2は、本発明で用いる水晶基板30の母材となるウェーハ1の方位を示す図である。図2において、X軸は水晶の電気軸、Y軸は水晶の機械軸、Z軸は水晶の光学軸である。ウェーハ1は、Y軸に垂直な面2を、X軸を回転軸として、+Z軸から−Y軸に向かって回転する方向に角度θ´度(ディグリー)回転させた面を有している。この回転した面に垂直な軸がY´軸、回転した面に平行かつX軸に垂直な軸がZ´軸である。さらに、SAW共振子10を構成するIDT12および反射器20は、水晶のX軸を、Y´軸を回転軸とし、+X軸から+Z´軸に向かって回転する方向を正として+ψ度(または−ψ度)回転させたX´軸に沿って配置される。SAW共振子10を構成する水晶基板30は、ウェーハ1から切り出されて個片化されたものである。水晶基板30の平面視形状は特に限定されないが、例えばY´軸を回転軸としてZ´軸を+ψ度回転させたZ´´軸に平行な短辺を有し、X´軸に平行な長辺を有する長方形であってもよい。なお、θ´とオイラー角におけるθとの関係は、θ´=θ−90°となる。
【0038】
本実施形態では水晶基板30として、オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)で表される面内回転STカット水晶基板を採用した。ここで、オイラー角について説明する。オイラー角(0°,0°,0°)で表される基板は、Z軸に垂直な主面を有するZカット基板となる。ここで、オイラー角(φ,θ,ψ)のφはZカット基板の第1の回転に関するものであり、Z軸を回転軸とし、+X軸から+Y軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第1回転角度である。オイラー角のθはZカット基板の第1の回転後に行う第2の回転に関するものであり、第1の回転後のX軸を回転軸とし、第1の回転後の+Y軸から+Z軸へ回転する方向を正の回転角度とした第2の回転角度である。圧電基板のカット面は、第1回転角度φと第2回転角度θとで決定される。オイラー角のψはZカット基板の第2の回転後に行う第3の回転に関するものであり、第2の回転後のZ軸を回転軸とし、第2の回転後の+X軸から第2の回転後の+Y軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第3回転角度である。SAWの伝搬方向は、第2の回転後のX軸に対する第3回転角度ψで表される。
【0039】
IDT12は、複数の電極指18a、18bの基端部をそれぞれバスバー16a,16bで接続した櫛歯状電極14a,14bを一対有し、一方の櫛歯状電極14aを構成する電極指18aと、他方の櫛歯状電極14bを構成する電極指18bとを所定の間隔をあけて交互に配置している。さらに、図1(A)に示す如く電極指18a、18bは、それら電極指の延長方向が、弾性表面波の伝播方向であるX′軸と直交するように配置される。このようにして構成されるSAW共振子10によって励起されるSAWは、Rayleigh型(レイリー型)のSAWであり、Y´軸とX´軸の両方に振動変位成分を有する。そしてこのように、SAWの伝播方向を水晶の結晶軸であるX軸からずらすことで、ストップバンド上端モードのSAWを励起することが可能となるのである。
【0040】
また、更に、本発明に係るSAW共振子10は、図3に示す如き形態とすることができる。即ち、図3に示す如くX´軸からパワーフロー角(以下、PFAと称す)δだけ傾斜させたIDTを適用する場合であっても、以下の要件を満たすことによって高Q化することができる。図3(A)は、傾斜型IDT12aの一実施形態例を示す平面図であり、オイラー角で決まるSAWの伝播方向であるX´軸と傾斜型IDT12aの電極指18a,18bの方向とが直交関係となるように、傾斜型IDT12aにおける電極指18a,18bの配置形態を傾斜させたものである。
【0041】
図3(B)は、傾斜型IDT12aの別の実施形態例を示す平面図である。本例では、電極指18a,18bを相互に接続するバスバー16a,16bを傾斜させることにより、X´軸に対して電極指配列方向を傾斜させて配置しているが、図3(A)と同様にX´軸と電極指18a,18bの延長方向とが直交関係となるように構成されている。
【0042】
どのような傾斜型IDTを用いたとしても、これらの実施形態例のようにX´軸に垂直な方向が電極指の延長方向となるよう電極指を配置することにより、本発明における良好な温度特性を維持しつつ、低損失なSAW共振子を実現することができる。
【0043】
ここで、ストップバンド上端モードのSAWと下端モードのSAWの関係について説明する。図4に示すような正規型IDT12(図4に示すのはIDT12を構成する電極指18)によって形成されるストップバンド下端モード、および上端モードのSAWにおいて、それぞれの定在波は、腹(又は節)の位置が互いにπ/2ずれている。図4は、正規型IDT12におけるストップバンド上端モードおよび下端モードの定在波の分布を示す図である。
【0044】
図4によれば上述したように、実線で示すストップバンド下端モードの定在波は、電極指18の中央位置、すなわち反射中心位置に腹が存在し、一点鎖線で示したストップバンド上端モードの定在波は反射中心位置に節が存在する。このような電極指間の中心位置に節が存在するモードでは、SAWの振動を電極指18(18a,18b)によって効率良く電荷に変換することができず、そのモードは電気信号として励振、もしくは、受信することができない場合が多い。しかし、本出願に記載の手法では、オイラー角におけるψを零でなくし、SAWの伝播方向を水晶の結晶軸であるX軸からずらすことで、ストップバンド上端モードの定在波を図4の実線の位置、すなわち、そのモードの定在波の腹を電極指18の中央位置にシフトさせることが可能となり、ストップバンド上端モードのSAWを励起することが可能となるのである。
【0045】
また、反射器(反射手段)20は、前記IDT12をSAWの伝播方向に挟み込むように一対設けられる。具体的構成例としては、IDT12を構成する電極指18と平行に設けられる複数の導体ストリップ22の両端をそれぞれ接続したものである。
【0046】
このようにして構成されるIDT12や反射器20を構成する電極膜の材料としては、アルミニウム(Al)やAlを主体とした合金を用いることができる。
【0047】
IDT12や反射器20を構成する電極膜の電極の厚みを極力少なくすることにより電極が有する温度特性の影響を最小限としている。更に、水晶基板部の溝の深さを大きく採り、水晶基板部の溝の性能によって、すなわち水晶の良好な温度特性を利用することで、良好な周波数温度特性を引き出している。それによって電極の温度特性がSAW共振子の温度特性に与える影響を小さくすることができ、電極の質量が10%以内の変動であれば良好な温度特性を維持することができる。
【0048】
なお、上記の理由により電極膜材料として合金を用いる場合、主成分となるAl以外の金属は重量比で10%以下、望ましくは3%以下にすればよい。Al以外の金属を主体とした電極を用いる場合には、電極の質量がAlを用いた場合の±10%以内となるようにその電極の膜厚を調整すれば良い。このようにすることでAlを用いたときと同等の良好な温度特性が得られる。
【0049】
上記のような基本構成を有するSAW共振子10における水晶基板30では、IDT12の電極指間や反射器20の導体ストリップ22間に、電極指18と平行に設けられる複数の溝(電極指間溝)32を設けている。
【0050】
水晶基板30に設ける溝32は、ストップバンド上端モードにおけるSAWの波長をλとし、溝深さをGとした場合、
【0051】
【数10】
【0052】
とすると良い。なお溝深さGについて上限値を定める場合には、図5を参照することで読み取れるように、
【0053】
【数11】
【0054】
の範囲とすると良い。溝深さGをこのような範囲で定めることにより、動作温度範囲内(−40℃〜+85℃)における周波数変動量を、詳細を後述する目標値としての25ppm以下とすることができるからである。また、溝深さGについて望ましくは、
【0055】
【数12】
【0056】
の範囲とすると良い。溝深さGをこのような範囲で定めることにより、溝深さGに製造上のばらつきが生じた場合であっても、SAW共振子10個体間における共振周波数のシフト量を補正範囲内に抑えることができる。
なお、上記SAWの波長λは、IDT12近傍におけるSAWの波長である。
【0057】
また、ライン占有率ηとは図1(C)や図1(D)に示すように、電極指18の線幅(水晶凸部のみの場合には凸部の幅をいう)Lを電極指18間のピッチλ/2(=L+S)で除した値である。したがって、ライン占有率ηは、式(4)で示すことができる。
【0058】
【数13】
【0059】
ここで本実施形態に係るSAW共振子10では、ライン占有率ηを式(5)、(6)を満たすような範囲で定めると良い。なお、式(5)、(6)からも解るようにηは溝32の深さGを定めることにより導き出すことができる。
【0060】
【数14】
【0061】
【数15】
【0062】
また、本実施形態に係るSAW共振子10における電極膜材料(IDT12や反射器20等)の膜厚は、
【0063】
【数16】
【0064】
の範囲とすることが望ましい。
【0065】
さらに、ライン占有率ηについて式(7)で示した電極膜の厚みを考慮した場合、ηは式(8)により求めることができる。
【0066】
【数17】
【0067】
ライン占有率ηは、電極膜厚が厚いほど電気的特性(特に共振周波数)の製造ばらつきが大きくなり、電極膜厚Hが式(5)、(6)の範囲内においては±0.04以内の製造ばらつき、H>0.035λにおいては±0.04より大きい製造ばらつきが生じる可能性が大きい。しかしながら、電極膜厚Hが式(5)、(6)の範囲内であり、かつライン占有率ηのばらつきが±0.04以内であれば、二次温度係数βの小さいSAWデバイスが実現できる。即ちライン占有率ηは、式(8)に±0.04の公差を加えた式(9)の範囲まで許容できる。
【0068】
【数18】
【0069】
上記のような構成の本実施形態に係るSAW共振子10では、二次温度係数βを±0.01(ppm/℃2)以内とし、望ましくはSAWの動作温度範囲を−40℃〜+85℃とした場合に、当該動作温度範囲内における周波数変動量ΔFを25ppm以下とすることができる程度まで、周波数温度特性を向上させることを目的としている。
ところで、一般的に弾性表面波共振子の温度特性は、下式で示される。
Δf=α×(T−T0)+β×(T−T0)2
ここで、Δfは温度Tと頂点温度T0間の周波数変化量(ppm)、αは1次温度係数(ppm/℃)、βは2次温度係数(ppm/℃2)、Tは温度、T0は周波数が最大となる温度(頂点温度)を意味する。
例えば、圧電基板がいわゆるSTカット(オイラー角(φ、θ、ψ)=(0°、120°〜130°、0°))の水晶板で形成されている場合、1次定数α=0.0、2次定数β=−0.034となり、グラフに示すと図6のようになる。図6において、温度特性は上に凸の放物線(2次曲線)を描いている。
図6に示すようなSAW共振子は、温度の変化に対する周波数変動量が極めて大きく、温度変化に対する周波数変化量Δfを抑圧することが必要となる。従って、図6に示す2次温度係数βをより0に近づけて、SAW共振子が実際に使用される際の温度(動作温度)の変化に対する周波数変化量Δfが0に近づくように、弾性表面波共振子を新たな知見に基づいて実現する必要があるのである。
従って、本発明の目的の1つは、上記の如き課題を解消し、弾性表面波デバイスの周波数温度特性を極めて良好なものとし、温度が変化しても周波数が安定して動作する弾性表面波デバイスを実現することである。
【0070】
上記の如き技術思想(技術要素)を備えた構成とするSAWデバイスとすれば、前述の如き課題を解決することを実現し得ること、即ち、本願発明者がシミュレーションと実験を繰り返すことによって、如何にして本発明に係る知見に想到したのかについて、以下に詳細に説明し、証明する。
【0071】
なお、前述のSTカットと呼ばれる水晶基板を用いて伝搬方向を結晶X軸方向としたSAW共振子は、動作温度範囲を同一とした場合、動作温度範囲内における周波数変動量ΔFは約133(ppm)となり、二次温度係数βは、−0.034(ppm/℃2)程度となる。また、水晶基板のカット角とSAW伝搬方向をオイラー角表示で(0,123°,45°)とし、動作温度範囲を同一とした面内回転STカット水晶基板を用いたSAW共振子においてストップバンド下端モードの励振を利用した場合、周波数変動量ΔFは約63ppm、二次温度係数βは−0.016(ppm/℃2)程度となる。
これらSTカット水晶基板や面内回転STカット水晶基板を用いたSAW共振子はいずれもレイリー波と呼ばれる弾性表面波を利用しており、LSTカット水晶基板のリーキー波と呼ばれる弾性表面波に比べて水晶基板や電極の加工精度に対する周波数や周波数温度特性のばらつきが極めて小さいため、量産性に優れ、各種のSAW装置に利用されている。しかしながら、従来利用されていたSTカット水晶基板や面内回転STカット水晶基板などを用いたSAW共振子は、前述のとおり、周波数温度特性を示す曲線を二次曲線とした2次温度特性であり、更に、その2次温度特性の2次温度係数の絶対値が大きいので、動作温度範囲における周波数変動量が大きく、周波数の安定性を求める有線通信装置や無線通信装置に使用される共振子や発振器などのSAW装置には利用できなかった。例えば、STカット水晶基板の2次温度係数βの1/3以下、面内回転STカット水晶基板の2次温度係数βの37%以上の改善に相当する2次温度係数βが±0.01(ppm/℃2)以下の2次温度特性を持つ周波数温度特性が得られれば、そのような周波数の安定性を求める装置を実現できる。更に、2次温度係数βがほぼ零であり、周波数温度特性を示す曲線を三次曲線とした3次温度特性が得られれば、動作温度範囲において、より周波数の安定性が高まり、より望ましい。このような3次温度特性では−40℃〜+85℃もの広い動作温度範囲においても±25ppm以下の従来の如きSAWデバイスでは実現し得なかった極めて高い周波数安定度が得られる。
【0072】
SAW共振子10の周波数温度特性の変化には上述したように、IDT12における電極指18のライン占有率ηや電極膜厚H、及び溝深さGなどが関係していることが、本願発明者が行ったシミュレーションと実験に基づく知見により明らかとなった。そして本実施形態に係るSAW共振子10は、ストップバンド上端モードの励振を利用する。
【0073】
図7は、図1(C)において、電極膜厚Hを零(H=0%λ)として、即ち、水晶基板30の表面に凹凸の水晶からなる溝32を形成した状態において、水晶基板30の表面にSAWを励起して伝播させた場合のライン占有率ηの変化に対する二次温度係数βの変化を示すグラフである。図7において図7(A)は溝深さGを0.02λとした場合のストップバンド上端モードの共振における二次温度係数βを示し、図7(B)は溝深さGを0.02λとした場合のストップバンド下端モードの共振における二次温度係数βを示す。また、図7において図7(C)は溝深さGを0.04λとした場合のストップバンド上端モードの共振における二次温度係数βを示し、図7(D)は溝深さGを0.04λとした場合のストップバンド下端モードの共振における二次温度係数βを示す。なお、図7に示すシミュレーションは、周波数温度特性を変動させる因子を減らすために、電極膜を設けない水晶基板30に何らかの形でSAWを伝搬させた場合の例を示すものである。また、水晶基板30のカット角は、オイラー角(0°,123°,ψ)のものを使用した。なお、ψに関しては、二次温度係数βの絶対値が最小となる値を適宜選択している。
【0074】
図7からは、ストップバンド上端モードの場合も下端モードの場合も、ライン占有率ηが0.6〜0.7となるあたりで二次温度係数βが大きく変化していることを読み取ることができる。そして、ストップバンド上端モードにおける二次温度係数βの変化とストップバンド下端モードにおける二次温度係数βの変化とを比較すると、次のようなことを読み取ることができる。すなわち、ストップバンド下端モードにおける二次温度係数βの変化は、マイナス側からさらにマイナス側へ変化することにより特性が低下している(二次温度係数βの絶対値が大きくなっている)。これに対し、ストップバンド上端モードにおける二次温度係数βの変化は、マイナス側からプラス側へ変化することにより特性が向上している(二次温度係数βの絶対値が小さくなる点が存在している)ということである。
【0075】
このことより、SAWデバイスにおいて良好な周波数温度特性を得るためには、ストップバンド上端モードの振動を用いることが望ましいということが明らかとなった。
次に発明者は、溝深さGを種々変化させた水晶基板においてストップバンド上端モードのSAWを伝搬させた際におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係について調べた。
【0076】
図8(A)ないし(I)は、図7と同様に電極膜厚Hを零(H=0%λ)として、それぞれ溝深さGを0.01λ(1%λ)から0.08λ(8%λ)まで変化させたときのライン占有率ηと二次温度係数βとの関係をシミュレーションしたときの評価結果を示すグラフである。評価結果から、溝深さGを図8(B)に示す如く0.0125λ(1.25%λ)としたあたりからβ=0となる点、すなわち周波数温度特性を示す近似曲線が三次曲線を示す点が現れ始めていることが読み取れる。そして、図8からは、β=0となるηがそれぞれ2箇所(ηが大きな方におけるβ=0となる点(η1)や、ηが小さい方におけるβ=0となる点(η2))が存在することも判明した。更に、図8に示す評価結果から、η2の方が、η1よりも溝深さGの変化に対するライン占有率ηの変動量が大きいということも読み取ることができる。
【0077】
この点については、図9を参照することによりその理解を深めることができる。図9は、溝深さGを変えていった場合において二次温度係数βが0となるη1、η2をそれぞれプロットしたグラフである。図9は、溝深さGが大きくなるにつれて、η1、η2は互いに小さくなるが、η2の方は、縦軸ηのスケールを0.5λ〜0.9λの範囲で示したグラフにおいて、溝深さG=0.04λとなったあたりでスケールアウトしてしまうほど変動量が大きいということを読み取ることができる。つまり、η2は、溝深さGの変化に対する変動量が大きいということがいえる。
【0078】
図10(A)ないし(I)は、図7や図8と同様に電極膜厚Hを零(H=0%λ)として、図8における縦軸を二次温度係数βに替えて周波数変動量ΔFとして示したグラフである。図10からは当然に、β=0となる2つの点(η1、η2)において、周波数変動量ΔFが低下することを読み取ることができる。さらに図10からは、β=0となる2つの点では、溝深さGを変えたいずれのグラフにおいても、η1にあたる点の方が、周波数変動量ΔFが小さく抑えられているということを読み取ることができる。
【0079】
上記傾向によると、製造時に誤差が生じ易い量産品に関しては、溝深さGの変動に対するβ=0となる点の周波数変動量が少ない方、すなわちη1を採用することが望ましいと考えられる。図5には、各溝深さGにおいて二次温度係数βが最小となる点(η1)での周波数変動量ΔFと溝深さGとの関係のグラフを示す。図5によると、周波数変動量ΔFが目標値である25ppm以下となる溝深さGの下限値は、溝深さGが0.01λとなり、溝深さGの範囲はそれ以上、すなわち0.01≦Gということになる。
【0080】
なお、図5にはシミュレーションによって、溝深さGが0.08以上となる場合の例も追加した。このシミュレーションによれば溝深さGは、0.01λ以上で周波数変動量ΔFが25ppm以下となり、その後、溝深さGが増す毎に周波数変動量ΔFが小さくなる。しかし、溝深さGが約0.09λ以上となった場合に、周波数変動量ΔFは再び増加し、0.094λを越えると周波数変動量ΔFが25ppmを超えることとなる。
【0081】
図5に示すグラフは水晶基板30上に、IDT12や反射器20等の電極膜を形成していない状態でのシミュレーションであるが、詳細を以下に示す図21〜図26を参照すると解るように、SAW共振子10は電極膜を設けた方が周波数変動量ΔFを小さくすることができると考えられる。よって溝深さGの上限値を定めるとすれば電極膜を形成していない状態での最大値、すなわちG≦0.094λとすれば良く、目標を達成するために好適な溝深さGの範囲としては、
【0082】
【数19】
【0083】
と示すことができる。
【0084】
なお、量産工程において溝深さGは、最大±0.001λ程度のバラツキを持つ。よって、ライン占有率ηを一定とした場合において、溝深さGが±0.001λだけズレた場合におけるSAW共振子10の個々の周波数変動量Δfについて図11に示す。図11によれば、G=0.04λの場合において、溝深さGが±0.001λズレた場合、すなわち溝深さが0.039λ≦G≦0.041λの範囲においては、周波数変動量Δfが±500ppm程度であるということを読み取ることができる。
【0085】
ここで、周波数変動量Δfが±1000ppm未満であれば、種々の周波数微調整手段により周波数調整が可能である。しかし、周波数変動量Δfが±1000ppm以上となった場合には、周波数の調整によりQ値、CI(crystal impedance)値等の静特性や、長期信頼性への影響が生じ、SAW共振子10として良品率の低下へと繋がる。
【0086】
図11に示すプロットを繋ぐ直線について、周波数変動量Δf[ppm]と溝深さGとの関係を示す近似式を導くと、式(10)を得ることができる。
【0087】
【数20】
【0088】
ここで、Δf<1000ppmとなるGの値を求めると、G≦0.0695λとなる。したがって、本実施形態に係る溝深さGの範囲として好適には、
【0089】
【数21】
【0090】
とすることが望ましいということができる。
【0091】
次に、図12(A)ないし(F)に、二次温度係数β=0となるη、すなわち三次温度特性を示すライン占有率ηと溝深さGとの関係をシミュレーションしたときの評価結果のグラフを示す。水晶基板30は、オイラー角を(0°,123°,ψ)とした。ここでψについては、周波数温度特性が三次曲線の傾向を示す角度、すなわち二次温度係数β=0となる角度を適宜選択している。なお、図12と同様な条件において、β=0となるηを得た際のオイラー角ψと溝深さGとの関係を図34に示す。図34の電極膜厚H=0.02λのグラフ(図34(C))において、ψ<42°のプロットが表示されていないが、このグラフのη2のプロットはG=0.03λにてψ=41.9°となっている。各電極膜厚における溝深さGとライン占有率ηとの関係については、詳細を後述する図15〜図20に基づいてプロットを得ている。
【0092】
図12(A)ないし(F)に示す評価結果からは、いずれの膜厚においても、上述したように、η1はη2に比べて溝深さGの変化による変動が少ないということを読み取ることができる。このため、図12におけるそれぞれの膜厚の溝深さGとライン占有率ηとの関係を示すグラフからη1を抜き出し図13(A)にβ≒0となる点をプロットしてまとめた。それに対して、β≒0とはならずとも、|β|≦0.01を満足する領域を評価したところ、図13(B)に示す如く実線で示す多角形の中にη1が集中していることが明らかとなった。
【0093】
図13(B)の点aないしhの座標を下表1に示す。
【0094】
【表1】
【0095】
図13(B)は、点aないしhで囲まれた多角形内であれば、電極膜厚Hの厚みに係わらず|β|≦0.01が保証され、良好な周波数温度特性が得られることを示している。この良好な周波数温度特性が得られる範囲は、下に示す式(11)と式(12)、および式(13)の両方を満足する範囲である。
【0096】
【数22】
【0097】
【数23】
【0098】
【数24】
【0099】
式(11)、(12)、(13)より、図13(B)において実線で囲った範囲において、ライン占有率ηは、式(5)と式(6)の両方を満たす範囲として特定することができるといえる。
【0100】
【数25】
【0101】
【数26】
【0102】
ここで、二次温度係数βを±0.01(ppm/℃2)以内まで許容する場合、0.0100λ≦G≦0.0500λにおいては、式(3)と式(5)を共に満たし、0.0500λ≦G≦0.0695λにおいては、式(3)と式(6)を共に満たすように構成すれば、二次温度係数βが±0.01(ppm/℃2)以内になることを確認した。
【0103】
なお、点aないしhにおける各電極膜厚Hの二次温度係数βの値を下表2に示す。表2からは、全ての点において、|β|≦0.01となっていることが確認できる。
【0104】
【表2】
【0105】
また、式(11)〜(13)およびこれにより導かれる式(5)、(6)を踏まえて電極膜厚H≒0、0.01λ、0.02λ、0.03λ、0.035λとしたSAW共振子10についてそれぞれ、β=0となる溝深さGとライン占有率ηとの関係を近似直線で示すと図14のようになる。なお、電極膜を設けない水晶基板30における溝深さGとライン占有率ηとの関係については、図9に示した通りである。
【0106】
電極膜厚Hを3.0%λ(0.030λ)以下で変化させたときに、β=0、即ち、3次曲線の周波数温度特性が得られる。このとき、周波数温度特性が良好となるGとηとの関係式は式(8)で示すことができる。
【0107】
【数27】
【0108】
ここで、G、Hの単位はλである。
但し、この式(8)は、電極膜厚Hが、0<H≦0.030λの範囲において成立するものである。
【0109】
ライン占有率ηは、電極膜厚が厚いほど電気的特性(特に共振周波数)の製造ばらつきが大きくなり、電極膜厚Hが式(5)、(6)の範囲内においては±0.04以内の製造ばらつき、H>0.035λにおいては±0.04より大きい製造ばらつきが生じる可能性が大きい。しかしながら、電極膜厚Hが式(5)、(6)の範囲内であり、かつライン占有率ηのばらつきが±0.04以内であれば、二次温度係数βの小さいSAWデバイスが実現できる。即ち、ライン占有率の製造ばらつきを考慮した上で二次温度係数βを±0.01ppm/℃2以内とする場合、ライン占有率ηは、式(8)に±0.04の公差を加えた式(9)の範囲まで許容できる。
【0110】
【数28】
【0111】
図15〜図20に、電極膜厚をそれぞれ0.01λ(1%λ)、0.015λ(1.5%λ)、0.02λ(2%λ)、0.025λ(2.5%λ)、0.03λ(3%λ)、0.035λ(3.5%λ)とした場合において、溝深さGを変化させた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係のグラフを示す。
【0112】
また、図21〜図26には、図15〜図20にそれぞれ対応したSAW共振子10におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係のグラフを示す。なお、水晶基板はいずれもオイラー角(0°,123°,ψ)のものを使用し、ψについては適宜ΔFが最小となる角度を選択する。
【0113】
ここで、図15(A)ないし(F)は、電極膜厚Hを0.01λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図21(A)ないし(F)は電極膜厚Hを0.01λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示す図である。
【0114】
また、図16(A)ないし(F)は、電極膜厚Hを0.015λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図22(A)ないし(F)は電極膜厚Hを0.015λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示す図である。
【0115】
また、図17(A)ないし(F)は、電極膜厚Hを0.02λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図23(A)ないし(F)は電極膜厚Hを0.02λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示す図である。
【0116】
また、図18(A)ないし(F)は、電極膜厚Hを0.025λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図24(A)ないし(F)は電極膜厚Hを0.025λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示す図である。
【0117】
また、図19(A)ないし(F)は、電極膜厚Hを0.03λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図25(A)ないし(F)は電極膜厚Hを0.03λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示す図である。
【0118】
また、図20(A)ないし(F)は、電極膜厚Hを0.035λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図26(A)ないし(F)は電極膜厚Hを0.035λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示す図である。
【0119】
これらの図(図15〜図26)においては、いずれのグラフにおいても微差はあるものの、その変化の傾向に関しては、水晶基板30のみにおけるライン占有率ηと二次温度係数β、およびライン占有率ηと周波数変動量ΔFの関係を示すグラフである図8、図10と似ていることが解る。
つまり、本実施形態に係る効果は、電極膜を除いた水晶基板30単体における弾性表面波の伝播においても奏することができるということが言える。
【0120】
二次温度係数βが0となる2点のη1、η2の各々に対して、βの範囲を|β|≦0.01まで拡張したときのη1、η2の範囲について、電極膜厚Hの範囲を定めて溝深さGを変化させた場合について、それぞれシミュレーションを実施した。なお、η1、η2はそれぞれ、|β|≦0.01となる大きい方のηをη1、|β|≦0.01となる小さい方のηをη2としている。なお、水晶基板はいずれもオイラー角(0°,123°,ψ)のものを使用し、ψについては適宜ΔFが最小となる角度を選択する。
【0121】
図27(A)は、電極膜厚Hを0.000λ<H≦0.005λとした場合において、上記βの範囲を満たすη1と溝深さGの関係を示すグラフであり、表3は、図27(A)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0122】
【表3】
【0123】
図27(A)と表3から、η1では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.09λの範囲において、計測点a−rで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0124】
図27(B)は、電極膜厚Hを0.000λ<H≦0.005λとした場合において、上記βの範囲を満たすη2と溝深さGの関係を示すグラフであり、表4は、図27(B)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0125】
【表4】
【0126】
図27(B)と表4から、η2では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.03λ≦G≦0.09λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0127】
図28(A)は、電極膜厚Hを0.005λ<H≦0.010λとした場合において、上記βの範囲を満たすη1と溝深さGの関係を示すグラフであり、表5は、図28(A)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0128】
【表5】
【0129】
図28(A)と表5から、η1では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.08λの範囲において、計測点a−pで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0130】
図28(B)は、電極膜厚Hを0.005λ<H≦0.010λとした場合において、上記βの範囲を満たすη2と溝深さGの関係を示すグラフであり、表6は、図28(B)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0131】
【表6】
【0132】
図28(B)と表6から、η2では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.02λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−lで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0133】
図29(A)は、電極膜厚Hを0.010λ<H≦0.015λとした場合において、上記βの範囲を満たすη1と溝深さGの関係を示すグラフであり、表7は、図29(A)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0134】
【表7】
【0135】
図29(A)と表7から、η1では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.08λの範囲において、計測点a−pで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0136】
図29(B)は、電極膜厚Hを0.010λ<H≦0.015λとした場合において、上記βの範囲を満たすη2と溝深さGの関係を示すグラフであり、表8は、図29(B)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0137】
【表8】
【0138】
図29(B)と表8から、η2では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0139】
図30(A)は、電極膜厚Hを0.015λ<H≦0.020λとした場合において、上記βの範囲を満たすη1と溝深さGの関係を示すグラフであり、表9は、図30(A)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0140】
【表9】
【0141】
図30(A)と表9から、η1では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0142】
図30(B)は、電極膜厚Hを0.015λ<H≦0.020λとした場合において、上記βの範囲を満たすη2と溝深さGの関係を示すグラフであり、表10は、図30(B)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0143】
【表10】
【0144】
図30(B)と表10から、η2では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0145】
図31(A)は、電極膜厚Hを0.020λ<H≦0.025λとした場合において、上記βの範囲を満たすη1と溝深さGの関係を示すグラフであり、表11は、図31(A)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0146】
【表11】
【0147】
図31(A)と表11から、η1では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0148】
図31(B)は、電極膜厚Hを0.020λ<H≦0.025λとした場合において、上記βの範囲を満たすη2と溝深さGの関係を示すグラフであり、表12は、図31(B)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0149】
【表12】
【0150】
図31(B)と表12から、η2では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0151】
図32(A)は、電極膜厚Hを0.025λ<H≦0.030λとした場合において、上記βの範囲を満たすη1と溝深さGの関係を示すグラフであり、表13は、図32(A)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0152】
【表13】
【0153】
図32(A)と表13から、η1では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0154】
図32(B)は、電極膜厚Hを0.025λ<H≦0.030λとした場合において、上記βの範囲を満たすη2と溝深さGの関係を示すグラフであり、表14は、図32(B)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0155】
【表14】
【0156】
図32(B)と表14から、η2では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0157】
図33(A)は、電極膜厚Hを0.030λ<H≦0.035λとした場合において、上記βの範囲を満たすη1と溝深さGの関係を示すグラフであり、表15は、図33(A)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0158】
【表15】
【0159】
図33(A)と表15から、η1では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0160】
図33(B)は、電極膜厚Hを0.030λ<H≦0.035λとした場合において、上記βの範囲を満たすη2と溝深さGの関係を示すグラフであり、表16は、図33(B)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0161】
【表16】
【0162】
図33(B)と表16から、η2では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0163】
図35に、図34に示すグラフにおけるη1によって得られるψと溝深さGとの関係をまとめた。なお、η1を選択した理由については上述した通りである。図35に示すように、電極膜の膜厚が変化した場合であっても、ψの角度には殆ど違いは無く、ψの最適角度は溝深さGの変動にしたがって変化して行くことが解る。これも、二次温度係数βの変化が水晶基板30の形態に起因する割合が高いことの裏付けということができる。
【0164】
上記と同様にして、二次温度係数β=−0.01(ppm/℃2)となるψとβ=+0.01(ppm/℃2)となるψについて溝深さGとの関係を求め、図36、図37にまとめた。これらのグラフ(図35〜図37)から−0.01≦β≦+0.01とすることのできるψの角度を求めると、上記条件下における好適なψの角度範囲は43°<ψ<45°と定めることができ、さらに好適には43.2°≦ψ≦44.2と定めることができる。
【0165】
なお、電極膜厚Hを変化させた場合において、溝深さGを変化させた際に|β|≦0.01の要件を満たすψの範囲についてシミュレーションを行った。そのシミュレーションの結果を、図38〜図44に示す。なお、水晶基板はいずれもオイラー角(0°,123°,ψ)のものを使用し、ψについては適宜ΔFが最少となる角度を選択する。
【0166】
図38(A)は、電極膜厚Hの範囲を0<H≦0.005λとした場合において、|β|≦0.01の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
【0167】
溝深さGを0.01λ≦G≦0.0695λの範囲として、図38(A)に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図38(B)のように示すことができ、図38(B)において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図38(B)に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式(14)、(15)で示すことができる。
【0168】
【数29】
【0169】
【数30】
【0170】
図39(A)は、電極膜厚Hの範囲を0.005λ<H≦0.010λとした場合において、|β|≦0.01の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
【0171】
溝深さGを0.01λ≦G≦0.0695λの範囲として、図39(A)に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図29(B)のように示すことができ、図39(B)において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図39(B)に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式(16)、(17)で示すことができる。
【0172】
【数31】
【0173】
【数32】
【0174】
図40(A)は、電極膜厚Hの範囲を0.010λ<H≦0.015λとした場合において、|β|≦0.01の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
【0175】
溝深さGを0.01λ≦G≦0.0695λの範囲として、図40(A)に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図40(B)のように示すことができ、図40(B)において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図40(B)に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式(18)、(19)で示すことができる。
【0176】
【数33】
【0177】
【数34】
【0178】
図41(A)は、電極膜厚Hの範囲を0.015λ<H≦0.020λとした場合において、|β|≦0.01の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
【0179】
溝深さGを0.01λ≦G≦0.0695λの範囲として、図41(A)に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図41(B)のように示すことができ、図41(B)において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図41(B)に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式(20)、(21)で示すことができる。
【0180】
【数35】
【0181】
【数36】
【0182】
図42は、電極膜厚Hの範囲を0.020λ<H≦0.025λとした場合において、|β|≦0.01の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
【0183】
溝深さGを0.01λ≦G≦0.0695λの範囲として、図42に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図42(B)のように示すことができ、図42(B)において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図42(B)に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式(22)〜(24)で示すことができる。
【0184】
【数37】
【0185】
【数38】
【0186】
【数39】
【0187】
図43(A)は、電極膜厚Hの範囲を0.025λ<H≦0.030λとした場合において、|β|≦0.01の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
【0188】
溝深さGを0.01λ≦G≦0.0695λの範囲として、図43(A)に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図43(B)のように示すことができ、図43(B)において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図43(B)に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式(25)〜(27)で示すことができる。
【0189】
【数40】
【0190】
【数41】
【0191】
【数42】
【0192】
図44(A)は、電極膜厚Hの範囲を0.030λ<H≦0.035λとした場合において、|β|≦0.01の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
【0193】
溝深さGを0.01λ≦G≦0.0695λの範囲として、図44(A)に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図44(B)のように示すことができ、図44(B)において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図44(B)に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式(28)〜(30)で示すことができる。
【0194】
【数43】
【0195】
【数44】
【0196】
【数45】
【0197】
次に、図45にθの角度を振った際の二次温度係数βの変化、すなわちθと二次温度係数βとの関係を示す。ここで、シミュレーションに用いたSAWデバイスは、カット角とSAW伝搬方向をオイラー角表示で(0,θ,ψ)とし、溝深さGを0.04λとした水晶基板であり、電極膜厚Hは0.02λとしている。なお、ψに関しては、θの設定角度に基づいて、上述した角度範囲内において、適宜二次温度係数βの絶対値が最小となる値を選択した。また、ηに関しては、上記式(8)に従って、0.6383とした。
【0198】
このような条件の下、θと二次温度係数βとの関係を示す図45からは、θが117°以上142°以下の範囲内であれば、二次温度係数βの絶対値が0.01(ppm/℃2)の範囲内にあることを読み取ることができる。よって、上記のような設定値において、θを117°≦θ≦142°の範囲で定めることによれば、良好な周波数温度特性を持ったSAW共振子10を構成することができると言える。
【0199】
θと二次温度係数βとの関係を裏付けるシミュレーションデータとして、表17〜19を示す。
【0200】
【表17】
【0201】
表17は、電極膜厚Hを変えた場合におけるθと二次温度係数βとの関係を示す表であり、電極膜厚Hを0.01%λとした場合と、電極膜厚Hを3.50%λとした場合におけるθの臨界値(117°、142°)での二次温度係数βの値を示す。なお、このシミュレーションにおける溝深さGは、いずれも4%λである。表17からは、117°≦θ≦142°の範囲では、電極膜厚Hの厚みを変えた場合(電極膜厚の臨界値として規定した0≒0.01%λと3.5%λ)であっても、その厚みに依存すること無く|β|≦0.01を満足するということを読み取ることができる。
【0202】
【表18】
【0203】
表18は、溝深さGを変えた場合におけるθと二次温度係数βとの関係を示す表であり、溝深さGを1.00%λと6.95%λとした場合におけるθの臨界値(117°、142°)での二次温度係数βの値を示す。なお、このシミュレーションにおける電極膜厚Hは、いずれも2.00%λである。表18からは、117°≦θ≦142°の範囲では、溝深さGを変えた場合(溝深さGの臨界値として規定した1.00%λと6.95%λ)であっても、その深さに依存すること無く|β|≦0.01を満足するということを読み取ることができる。
【0204】
【表19】
【0205】
表19は、ライン占有率ηを変えた場合におけるθと二次温度係数βとの関係を示す表であり、ライン占有率ηを0.62と0.76とした場合におけるθの臨界値(117°、142°)での二次温度係数βの値を示す。なお、このシミュレーションにおける電極膜厚Hは、いずれも2.00%λであり、溝深さGは、いずれも4.00%λである。表19からは、117°≦θ≦142°の範囲では、ライン占有率ηを変えた場合(η=0.62、0.76は、電極膜厚Hを0.020λ〜0.025λの範囲としてライン占有率η(η1)と溝深さGの関係を示した図31(A)において、溝深さを4%λとした場合におけるηの最小値と最大値)であっても、その値に依存すること無く|β|≦0.01を満足するということを読み取ることができる。
【0206】
図46は、オイラー角表示で(φ,123°,43.77°)の水晶基板30を用い、溝深さGを0.04λ、電極膜厚Hを0.02λ、及びライン占有率ηを0.65とした場合において、φの角度と二次温度係数βとの関係を示すグラフである。
【0207】
図46からは、φが−2°、+2°の場合にはそれぞれ二次温度係数βが−0.01よりも低くなってしまっているが、φが−1.5°から+1.5°の範囲であれば確実に、二次温度係数βの絶対値が0.01の範囲内にあることを読み取ることができる。よって、上記のような設定値においてφを−1.5°≦φ≦+1.5°、好適には−1°≦φ≦+1°の範囲で定めることによれば、良好な周波数温度特性を持ったSAW共振子10を構成することができる。
【0208】
上記説明では、φ、θ、ψはそれぞれ、一定条件の下に溝深さGとの関係において最適値の範囲を導き出している。これに対し、図47では、−40℃〜+85℃における周波数変動量が最小となる非常に望ましいθとψの関係を示しており、その近似式を求めている。図47によれば、ψの角度は、θの角度上昇に伴って変化し、三次曲線を描くように上昇する。なお、図47の例では、θ=117°とした場合のψは42.79°であり、θ=142°とした場合のψは49.57°である。これらのプロットを近似曲線として示すと図47中破線で示す曲線となり、近似式としては式(31)で示すことができる。
【0209】
【数46】
【0210】
このことより、ψはθが定まることにより定めることができ、θの範囲を117°≦θ≦142°とした場合におけるψの範囲は42.79°≦ψ≦49.57°とすることができる。なお、シミュレーションにおける溝深さG、電極膜厚Hはそれぞれ、G=0.04λ、H=0.02λとした。
【0211】
上記のような理由により、本実施形態において種々定めた条件によりSAW共振子10を構成することによれば、目標値を満たす良好な周波数温度特性を実現可能なSAW共振子とすることができる。
【0212】
また、本実施形態に係るSAW共振子10では、式(7)や図15〜図26に示したように、電極膜の膜厚Hを0<H≦0.035λの範囲とした上で周波数温度特性の改善を図っている。これは、従来のように膜厚Hを極度に厚くして周波数温度特性の改善を図るものとは異なり、耐環境特性を維持したまま周波数温度特性の改善を実現するものである。図54に、ヒートサイクル試験における電極膜厚(Al電極膜厚)と周波数変動との関係を示す。なお、図54に示したヒートサイクル試験の結果は、−55℃雰囲気下においてSAW共振子を30分間晒した上で雰囲気温度+125℃まで上昇させて30分晒すというサイクルを8回続けた後のものである。図54からは、電極膜厚Hを0.06λにし、かつ電極指間溝を設けない場合に比べ、本実施形態に係るSAW共振子10の電極膜厚Hの範囲では、周波数変動(F変動)が、1/3以下になっていることを読み取ることができる。なお、図54は何れのプロットもH+G=0.06λとしている。
【0213】
また、図54と同じ条件で製造されたSAW共振子について、125℃雰囲気に1000時間放置する高温放置試験を行ったところ、従来のSAW共振子(H=0.06λかつG=0)に比べ、本実施形態に係るSAW共振子(H=0.03λかつG=0.03λ、H=0.02λかつG=0.04λ、H=0.015λかつG=0.045λ、H=0.01λかつG=0.05λの4条件)の試験前後の周波数変動量が1/3以下になることを確認した。
【0214】
上記のような条件の下、H+G=0.067λ(アルミ膜厚2000Å、溝深さ4700Å)、IDTのライン占有率ηi=0.6、反射器のライン占有率ηr=0.8、オイラー角(0°,123°,43.5°)、IDTの対数120対、交差幅40λ(λ=10μm)、反射器本数(片側あたり)72本(36対)、電極指の傾斜角度なし(電極指の配列方向とSAWの位相速度方向が一致)、といった条件で製造されたSAW共振子10では、図48に示すような周波数温度特性を示すこととなる。
【0215】
図48は、試験片個数n=4個による周波数温度特性をプロットしたものである。図48によれば、これらの試験片による動作温度範囲内における周波数変動量ΔFは約20ppm以下に抑制されていることを読み取ることができる。
【0216】
本実施形態では溝深さGや電極膜厚H等による周波数温度特性への影響を説明してきた。しかし溝深さGと電極膜厚Hを合わせた深さ(段差)は、等価回路定数やCI値等の静特性やQ値にも影響を与える。例えば図49、段差を0.062λ〜0.071λまで変化させた場合における段差とCI値との関係を示すグラフである。図49によればCI値は、段差を0.067λとした時に収束し、段差をそれ以上大きくした場合であっても良化しない(低くならない)ということを読み取ることができる。
【0217】
図48に示すような周波数温度特性を示すSAW共振子10における周波数と等価回路定数、および静特性を図50にまとめた。ここで、Fは周波数、QはQ値、γは容量比、CIはCI(クリスタルインピーダンス:Crystal Impedance)値、Mは性能指数(フィギュアオブメリット:Figure of Merit)をそれぞれ示す。
【0218】
また、図52には、従来のSAW共振子と、本実施形態に係るSAW共振子10における段差とQ値との関係を比較するためのグラフを示す。なお、図52においては、太線で示すグラフが本実施形態に係るSAW共振子10の特性を示すものであり、電極指間に溝を設け、かつストップバンド上端モードの共振を用いたものである。細線で示すグラフが従来のSAW共振子の特性を示すものであり、電極指間に溝を設けずにストップバンド上端モードの共振を用いたものである。図52から明らかなように、電極指間に溝を設け、かつストップバンド上端モードの共振を用いると、段差(G+H)が0.0407λ(4.07%λ)以上の領域において、電極指間に溝を設けずにストップバンド下端モードの共振を用いた場合よりも高いQ値が得られる。
【0219】
なお、シミュレーションに係るSAW共振子の基本データは以下の通りである。
・本実施形態に係るSAW共振子10の基本データ
H:0.02λ
G:変化
IDTライン占有率ηi:0.6
反射器ライン占有率ηr:0.8
オイラー角(0°,123°,43.5°)
対数:120
交差幅:40λ(λ=10μm)
反射器本数(片側あたり):60
電極指の傾斜角度なし
・従来のSAW共振子の基本データ
H:変化
G:ゼロ
IDTライン占有率ηi:0.4
反射器ライン占有率ηr:0.3
オイラー角(0°,123°,43.5°)
対数:120
交差幅:40λ(λ=10μm)
反射器本数(片側あたり):60
電極指の傾斜角度なし
【0220】
これらのSAW共振子の特性を比較するため図50や図52を参照すると、本実施形態に係るSAW共振子10が、いかに高Q化されているかを理解することができる。このような高Q化は、エネルギー閉じ込め効果の向上によるものであると考えられ、以下の理由による。
【0221】
ストップバンドの上端モードで励振した弾性表面波を効率良くエネルギー閉じ込めするためには、図53のように、IDT12のストップバンド上端の周波数ft2を、反射器20のストップバンド下端の周波数fr1と反射器20のストップバンド上端の周波数fr2との間に設定すれば良い。即ち、
【0222】
【数47】
【0223】
の関係を満たすように設定すれば良い。これにより、IDT12のストップバンド上端の周波数ft2において、反射器20の反射係数Γが大きくなり、IDT12から励振されたストップバンド上端モードのSAWが、反射器20にて高い反射係数でIDT12側に反射されるようになる。そしてストップバンド上端モードのSAWのエネルギー閉じ込めが強くなり、低損失な共振子を実現することができる。
【0224】
これに対し、IDT12のストップバンド上端の周波数ft2と反射器20のストップバンド下端の周波数fr1、反射器20のストップバンド上端の周波数fr2との関係をft2<fr1の状態やfr2<ft2の状態に設定してしまうと、IDT12のストップバンド上端周波数ft2において反射器20の反射係数Γが小さくなってしまい、強いエネルギー閉じ込め状態を実現することが困難になってしまう。
【0225】
ここで、式(32)の状態を実現するためには、反射器20のストップバンドをIDT12のストップバンドよりも高域側へ周波数シフトする必要がある。具体的には、IDT12の電極指18の配列周期よりも、反射器20の導体ストリップ22の配列周期を小さくすることで実現できる。
また、IDT12の電極指間溝の深さよりも反射器20の導体ストリップ22間溝の深さを深くしたり、IDT12の電極指18の膜厚よりも反射器20の導体ストリップ22の膜厚を厚くしたりすることによっても、高Q化を図ることができる。
【0226】
図59、60は、それぞれ実施形態に係るSAWデバイスの他の構成例を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
図59に示すSAW共振子10では、反射器20に導体ストリップ22の膜厚と、IDT12の電極指18の膜厚とが、ほぼ等しくなっている。一方、反射器20の導体ストリップ22間に設けられる溝322の深さが、IDT12の電極指18間に設けられる溝321の深さより深くなっている。このようにすることで、反射器20の反射特性が向上するとともに、IDT12の電気機械結合係数の向上が図られる。その結果、SAW共振子10におけるQ値の向上とCI値の低下とを高度に両立することができる。
【0227】
ここで、反射器20の導体ストリップ22の膜厚をHmR、導体ストリップ22間に設けられる溝322の深さをHgRとし、IDT12の電極指18の膜厚をHmT、電極指18間に設けられる溝321の深さをHgTとする。また、電極指18の膜厚は、その機能を考慮するとき、隣接する溝321の底から電極指18の上面までの長さ(距離)とみなすことができるので、電極指18の膜厚HmTと溝321の深さHgTとの和を弾性表面波の波長λで除したものを、電極指18の「実効膜厚HT/λ」と定義する。同様に、導体ストリップ22の膜厚は、その機能を考慮するとき、隣接する溝322の底から導体ストリップ22の上面までの長さ(距離)とみなすことができるので、導体ストリップ22の膜厚HmRと溝322の深さHgRとの和を弾性表面波の波長λで除したものを、導体ストリップ22の「実効膜厚HR/λ」と定義する。
このとき、図59に示すSAW共振子10は、
HT/λ<HR/λ ・・・(33)
の関係を満たすよう構成されている。
【0228】
SAW共振子10が上記のような関係を満たすことにより、導体ストリップ22の実効膜厚HRの増大とともに反射器20の反射特性が向上してストップバンド上端モードのSAWのエネルギー閉じ込め効果がより顕著になり、Q値のさらなる向上が図られる。また、相対的にIDT12の電極指18の実効膜厚HTは減少するため、IDT12の電気機械結合係数を高めることができ、CI値をさらに下げることができる。
【0229】
なお、図59に示すSAW共振子10では、前述したように、反射器20の導体ストリップ22の膜厚HmRと、IDT12の電極指18の膜厚HmTとがほぼ等しい(HmT/λ=HmR/λ)ので、上記式(33)を満たすためには、導体ストリップ22間に設けられる溝322の深さHgRと、電極指18間に設けられる溝321の深さHgTとの間に、
HgT/λ<HgR/λ ・・・(34)
の関係が存在している必要がある。
一方、図60に示すSAW共振子10も、上記式(33)の関係を満たすものの、その構成は図59と若干異なる。
【0230】
図60に示すSAW共振子10では、導体ストリップ22間に設けられる溝322の深さHgRと、電極指18間に設けられる溝321の深さHgTとがほぼ等しい(HgT/λ=HgR/λ)ので、上記式(33)を満たすためには、反射器20の導体ストリップ22の膜厚HmRと、IDT12の電極指18の膜厚HmTとの間に、
HmT/λ<HmR/λ ・・・(35)
の関係が存在している必要がある。
図59および図60のいずれに示すSAW共振子10においても、高Q化と低CI化の両立を図ることができる。
【0231】
また、図59に示すSAW共振子10の場合、導体ストリップ22および電極指18の膜厚が等しいので、これらを形成するとき、単一膜厚の導電膜を成膜すればよく、製造容易性が高くなる。
一方、図60に示すSAW共振子10の場合、溝322および溝321の深さが等しいので、これらを例えばエッチング法等で形成するとき、単一条件でエッチングを行えばよく、製造容易性が高くなる。
なお、反射器20の導体ストリップ22の本数は、特に限定されないものの、例えば、10〜500本程度であるのが好ましく、20〜400本程度であるのがより好ましい。
【0232】
また、反射器20に設けられる複数の導体ストリップ22の膜厚HmRは、複数の導体ストリップ22間でほぼ等しいのが好ましい。これは、複数の電極指18間の膜厚HmT、複数の溝322間の深さHgR、および複数の溝321間の深さHgTについても同様である。
さらに、上記式(33)を満たすためには、HmT/λ>HmR/λであって、かつ、その大小関係を反転させる程度に、HgT/λ<HgR/λの関係の方が強いという構成のSAW共振子10であってもよい。同様に、HgT/λ>HgR/λであって、かつ、その大小関係を反転させる程度に、HmT/λ<HmR/λの関係の方が強いという構成のSAW共振子10であってもよい。
【0233】
なお、図50によれば、高Q化の他、高いフィギュアオブメリットMを得ることができているということができる。また、図51は、図50を得たSAW共振子におけるインピーダンスZと周波数との関係を示すグラフである。図51からは、共振点付近に無用なスプリアスが存在していないことを読み取ることができる。
【0234】
上記実施形態では、SAW共振子10を構成するIDT12はすべての電極指が交互に交差しているように示した。しかし、本発明にかかるSAW共振子10は、その水晶基板のみによっても相当な効果を奏することができる。このため、IDT12における電極指18を間引きした場合であっても、同様な効果を奏することができる。
【0235】
また、溝32に関しても、電極指18間や反射器20の導体ストリップ22間に部分的に設けるようにしても良い。特に、振動変位の高いIDT12の中央部は周波数温度特性に支配的な影響を与えるため、その部分のみに溝32を設ける構造としても良い。このような構造であっても、周波数温度特性が良好なSAW共振子10とすることができる。
【0236】
また、上記実施形態では、電極膜としてAlまたはAlを主体とする合金を用いる旨記載した。しかしながら、上記実施形態と同様な効果を奏することのできる金属であれば、他の金属材料を用いて電極膜を構成しても良い。
【0237】
また、上記実施形態はIDTを一つだけ設けた一端子対SAW共振子であるが、本発明はIDTを複数設けた二端子対SAW共振子にも適用可能であり、縦結合型や横結合型の二重モードSAWフィルタや多重モードSAWフィルタにも適用可能である。
【0238】
図61は、(a)IDT12の電極指18の段差(HmT+HgT)を横軸に、Q値を縦軸にとり、実効膜厚HTを変化させたときのQ値の変化の推移を示すグラフ、および、(b)段差(HmT+HgT)を横軸に、電気機械結合係数を縦軸にとり、実効膜厚HTを変化させたときの電気機械結合係数の変化の推移を示すグラフである。
図61から明らかなように、SAW共振子10では、実効膜厚HTの増大とともに、Q値が上昇するものの、相対的に電気機械結合係数が低下するためCI値が上昇してしまう。
【0239】
そこで、SAW共振子10が上記式(33)を満たすように構成されることにより、実効膜厚HTを適度に減少させ、高Q化と低CI化とを高度に両立することが可能になる。
図61の例では、例えば、電極指18の実効膜厚HTが5.5%λに抑えられると、Q値が約15000と高く、かつ、電気機械結合係数が約0.056%も高くなるから、高Q化と低CI化とを両立し得ることが読み取れる。
【0240】
<第2実施形態>
次に、本発明の弾性表面波共振子に係る第2の実施形態について説明する。
図62は、実施形態に係るSAWデバイスの第2の実施形態を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
以下、第2の実施形態について説明するが、第1の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【0241】
図62に示すSAW共振子10は、反射器(反射手段)20の導体ストリップが省略された以外は、図59に示すSAW共振子10と同様である。すなわち、図62に示すSAW共振子10の反射器20は、水晶基板30の上面を窪ませるようにして形成された複数の溝322で構成されている。このような本実施形態では、反射器20における導体ストリップの形成が省略されているため、反射器20の製造容易性を高めることができる。また、導体ストリップの形成に伴う反射器20の特性バラツキを抑制することができる。
【0242】
ここで、溝322の深さHgR、IDT12の電極指18の膜厚HmT、および電極指18間に設けられる溝321の深さHgTは、以下の関係を満たしている。
電極指18の膜厚HmTと溝321の深さHgTとの和を弾性表面波の波長λで除したものを、電極指18の「実効膜厚HT/λ」と定義すると、図62に示すSAW共振子10は、
HT/λ<HgR/λ ・・・(36)
の関係を満たすように構成されている。
【0243】
SAW共振子10が上記のような関係を満たすことにより、導体ストリップが省略されていても反射器20の反射特性が向上してストップバンド上端モードのSAWのエネルギー閉じ込め効果がより顕著になり、Q値のさらなる向上が図られる。また、相対的にIDT12の電極指18の実効膜厚HTは減少するため、IDT12の電気機械結合係数を高めることができ、CI値をさらに下げることができる。
なお、本実施形態に係るSAW共振子10は、第1の実施形態に係るSAW共振子10と同様の作用・効果を奏する。
【0244】
また、図63は、図62に示すSAW共振子10の他の構成例を示す図である。
図63に示すSAW共振子10は、溝322が1本であり、かつこの溝322の深さが図62に比べて十分に深くなっている。このような十分な深さを有する溝322は、たとえ1本であっても、複数の溝322と同様の反射特性を有するものとなる。このため、反射器20の製造にあたって、単に深さの深い溝322を形成しさえすればよいことから、その製造容易性を格段に高めることができる。
このとき、溝322の深さHgRは、3λ以上であるのが好ましく、6λ以上であるのがより好ましい。これにより、溝322は、1本であっても必要かつ十分な反射特性を有するものとなる。
【0245】
<第3実施形態>
次に、本発明の弾性表面波共振子に係る第3の実施形態について説明する。
図64は、実施形態に係るSAWデバイスの第3の実施形態を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
以下、第3の実施形態について説明するが、第1の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【0246】
図64に示すSAW共振子10は、反射器(反射手段)20の導体ストリップ22間に設けられる溝が省略された以外は、図59に示すSAW共振子10と同様である。すなわち、図64に示すSAW共振子10の反射器20は、水晶基板30上に形成された複数の導体ストリップ22で構成されている。このような本実施形態では、反射器20における溝の形成が省略されているため、反射器20の製造容易性を高めることができる。また、溝の形成に伴う反射器20の特性バラツキを抑制することができる。
【0247】
ここで、導体ストリップ22の膜厚HmR、IDT12の電極指18の膜厚HmT、および電極指18間に設けられる溝321の深さHgTは、以下の関係を満たしている。
電極指18の膜厚HmTと溝321の深さHgTとの和を弾性表面波の波長λで除したものを、電極指18の「実効膜厚HT/λ」と定義すると、図64に示すSAW共振子10は、
HT/λ<HmR/λ ・・・(37)
の関係を満たすように構成されている。
【0248】
SAW共振子10が上記のような関係を満たすことにより、溝が省略されていても反射器20の反射特性が向上してストップバンド上端モードのSAWのエネルギー閉じ込め効果がより顕著になり、Q値のさらなる向上が図られる。また、相対的にIDT12の電極指18の実効膜厚HTは減少するため、IDT12の電気機械結合係数を高めることができ、CI値をさらに下げることができる。
なお、本実施形態に係るSAW共振子10は、第1の実施形態に係るSAW共振子10と同様の作用・効果を奏する。
【0249】
<第4実施形態>
次に、本発明の弾性表面波共振子に係る第4の実施形態について説明する。
図65は、実施形態に係るSAWデバイスの第4の実施形態を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
以下、第4の実施形態について説明するが、第1の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【0250】
図65に示すSAW共振子10は、反射器(反射手段)20が水晶基板30の端面で構成されている以外は、図59に示すSAW共振子10と同様である。このような本実施形態では、単に水晶基板30に平滑性の高い端面を形成するのみで、反射器20を形成することができるので、反射器20の製造容易性がとりわけ高くなる。また、溝や導体ストリップの形成が不要なので、これらの形成に伴う反射器20の特性バラツキを抑制するとともに、SAW共振子10の小型化を図ることができる。
【0251】
図65には、水晶基板30の端面30a、30bが、IDT12を挟むように位置しており、両端面30a、30bは互いに平行である。また、両端面30a、30bは、IDT12の電極指18とも平行になるよう構成されている。
反射特性の観点から、両端面30a、30bの平滑性はできるだけ高いことが好ましく、また水晶基板30の上面に対して垂直であるのが好ましい。
なお、各端面30a、30bのIDT12からの離間距離は、弾性表面波の波長λに応じて設定されるが、例えば、電極指18の中心からλ/2の整数倍となるよう設定される。
【0252】
[弾性表面波発振器]
次に、本発明に係るSAW発振器について、図55を参照して説明する。本発明に係るSAW発振器は図55に示すように、上述したSAW共振子10と、このSAW共振子10のIDT12に電圧を印加して駆動制御するIC(integrated circuit)50と、これらを収容するパッケージとから成る。なお、図55において、図55(A)はリッドを除いた平面図であり、図55(B)は、同図(A)におけるA−A断面を示す図である。
【0253】
実施形態に係るSAW発振器100では、SAW共振子10とIC50とを同一のパッケージ56に収容し、パッケージ56の底板56aに形成された電極パターン54a〜54gとSAW共振子10の櫛歯状電極14a,14b、およびIC50のパッド52a〜52fとを金属ワイヤー60により接続している。そして、SAW共振子10とIC50とを収容したパッケージ56のキャビティーは、リッド58により気密に封止している。このような構成とすることで、IDT12(図1参照)とIC50、及びパッケージ56の底面に形成された図示しない外部実装電極とを電気的に接続することができる。
【0254】
よって、近年の情報通信の高速化によるリファレンスクロックの高周波化に加え、ブレードサーバーをはじめとする筐体の小型化に伴い、内部発熱の影響が大きくなり、内部に搭載される電子デバイスに求められる動作温度範囲の拡大や高精度化の要求、更には、屋外に設置される無線基地局など低温から高温の環境において、長期に亘って安定した動作が必要とされている市場において、本発明に係るSAW発振器は、動作温度範囲(使用温度範囲:−40℃〜+85℃)で周波数変動量が約20(ppm)以下という極めて良好な周波数温度特性を有しているので好適である。
【0255】
[電子機器]
本発明に係るSAW共振子あるいは当該SAW共振子を備えたSAW発振器は、周波数温度特性の大幅な改善を実現しているので、例えば、特開2007−333500号公報、特開2007−93213号公報等に開示されている圧力センサー、特開2008−286520号公報等に開示されている加速度センサー、特開2008−286521号公報等に開示されている回転速度センサー等に適用されることで、信頼性の高い各種センサー(電子機器)の実現に寄与する。
【0256】
また、本発明に係るSAW共振子あるいは当該SAW共振子を備えたSAW発振器は、周波数温度特性の大幅な改善を実現しているので、例えば、携帯電話,ハードディスク,パーソナルコンピューター,BSおよびCS放送を受信するチューナー,同軸ケーブル中を伝播する高周波信号または光ケーブル中を伝播する光信号を処理する機器,広い温度範囲にて高周波・高精度クロック(低ジッタ、低位相雑音)を必要とされるサーバー・ネットワーク機器や無線通信用機器などの電子機器において、極めて良好な周波数温度特性と共に、ジッタ特性、位相ノイズ特性に優れた製品を実現することに大きく寄与し、さらなるシステムの信頼性と品質の向上に大きく貢献することは言うまでもない。
【0257】
以上、説明したように、本発明に係るSAW共振子は、図48で示す如く動作温度範囲(使用温度範囲:−40℃〜+85℃)内に変曲点を有しているので、3次曲線若しくは3次曲線に近い周波数変動量の極めて小さい、約20ppm以下という周波数温度特性を実現できた。
【0258】
図56(A)は、特開2006−203408号に開示されているSAW共振子の周波数温度特性を示すグラフである。周波数温度特性が3次曲線を示しているが、ご覧のとおり変極点が動作温度範囲(使用温度範囲:−40℃〜+85℃)を超えた領域に存在しているため、実質的には図56(B)に示す如く上に凸の頂点を有する2次曲線となる。このため、周波数変動量は100(ppm)という極めて大きな値となっている。
【0259】
それに対して、本発明に係るSAW共振子は、動作温度範囲内で3次曲線もしくは3次曲線に近い周波数変動量とし、周波数変動量を飛躍的に小さくすることを実現したのである。IDTおよび反射器に保護膜を被覆したSAW共振子における動作範囲内の周波数変動量の変化について、図57、および図58に示す。
【0260】
図57に示す例は、電極に対して保護膜としてのアルミナを皮膜した場合における動作温度範囲内における周波数変動量を示す図である。図57によれば、動作温度範囲内における周波数変動量は、10(ppm)以下とすることができることを読み取ることができる。
【0261】
・図57に示す例に係るSAW共振子の基本データ
H(材質:アルミ):2000(Å)
G:4700(Å)
(H+G=0.067)
IDTライン占有率ηi:0.6
反射器ライン占有率ηr:0.8
オイラー角(0°,123°,43.5°)の面内回転STカット基板
対数:120
交差幅:40λ(λ=10(μm))
反射器本数(片側あたり):36
電極指の傾斜角度なし
保護膜(アルミナ)の膜厚:400(Å)
二次温度係数β=+0.0007(ppm/℃2)
【0262】
図58に示す例は、電極に対して保護膜としてのSiO2を皮膜した場合における動作温度範囲内における周波数変動量を示す図である。図58によれば、動作温度範囲内における周波数変動量は、20(ppm)以下とすることができることを読み取ることができる。
・図58に示す例に係るSAW共振子の基本データ
H(材質:アルミ):2000(Å)
G:4700(Å)
(H+G=0.067)
IDTライン占有率ηi:0.6
反射器ライン占有率ηr:0.8
オイラー角(0°,123°,43.5°)の面内回転STカット基板
対数:120
交差幅:40λ(λ=10(μm))
反射器本数(片側あたり):36
電極指の傾斜角度なし
保護膜(SiO2)の膜厚:400(Å)
二次温度係数β=+0.0039(ppm/℃2)
【0263】
以上、本発明の弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明の弾性表面波共振子は、前述した各実施形態を組み合わせたものでもよい。例えば、反射器(反射手段)は、導体ストリップのみを形成した領域、溝のみを形成した領域、この双方を形成した領域等が混在したものであってもよい。また、これに、十分に深い溝や反射端面を組み合わせたものでもよい。
【符号の説明】
【0264】
1……ウェーハ 10……SAW共振子(弾性表面波共振子) 12……IDT(正規型IDT) 12a……傾斜型IDT 14a、14b……櫛歯状電極 16a、16b……バスバー 18、18a、18b……電極指 2……面 20……反射器 22……導体ストリップ 30……水晶基板 30a、30b……端面 32、321、322……溝 50……IC 52a〜52f……パッド 54a〜54g……電極パターン 56……パッケージ 56a……底板 58……リッド 60……金属ワイヤー 100……SAW発振器
【技術分野】
【0001】
本発明は、弾性表面波共振子、およびこれを搭載した弾性表面波発振器に係り、特に基板表面に溝を設けたタイプの弾性表面波共振子、およびこれを搭載した弾性表面波発振器および電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
弾性表面波(SAW:surface acoustic wave)装置(例えばSAW共振子)において、周波数温度特性の変化には、SAWのストップバンドや圧電基板(例えば水晶基板)のカット角、およびIDT(interdigital transducer)の形成形態等が及ぼす影響が大きい。
【0003】
例えば特許文献1には、SAWのストップバンドの上端モード、下端モードのそれぞれを励起させる構成、およびストップバンドの上端モード、下端モードにおけるそれぞれの定在波の分布などが開示されている。
【0004】
また、特許文献2〜6には、SAWにおけるストップバンドの上端モードの方が、ストップバンドの下端モードよりも周波数温度特性が良好である点が記載されている。
このうち、特許文献2には、回転YカットX伝搬の水晶基板を用い、ストップバンドの上端の共振を利用することで、ストップバンドの下端の共振を用いる場合よりも周波数温度特性が向上する旨が記載されている。
【0005】
また、特許文献3、4には、レイリー波を利用したSAW装置において良好な周波数温度特性を得るために、水晶基板のカット角を調整するとともに、電極の基準化膜厚(H/λ)を0.1程度まで厚くすることが記載されている。なお、λは、SAWの波長である。
また、特許文献5には、レイリー波を利用したSAW装置において水晶基板のカット角を調整するとともに、電極の基準化膜厚(H/λ)を0.045以上に厚くすることが記載されている。
【0006】
一方、特許文献7および非特許文献1には、STカット水晶基板を用いたSAW装置において、IDTを構成する電極指間や反射器を構成する導体ストリップ間に溝(グルーブ)を設けることが記載されている。また非特許文献1には、溝の深さにより周波数温度特性が変化する旨が記載されている。
また、特許文献8〜11にも、水晶等の圧電基板に溝を形成することにより、周波数特性を調整し得ることが開示されている。
【0007】
さらには、特許文献12には、トランスバーサル型SAWフィルタにおいて、IDTの電極間の圧電基板表面をエッチング加工することにより溝を形成し、かつ、電極指の材料をアルミよりも比重の大きい純金属または合金で形成することにより、見かけ上伝搬速度を小さくして、電極指のピッチを小さくすることで、チップの小型化が実現できることが開示されている。
【0008】
一方、特許文献13において、回転Yカット、カットアングル−43°ないし−52°、すべり波伝搬方向をZ’軸方向(オイラー角(φ,θ,ψ)=(0°,38°≦θ≦47°,90°))の水晶基板に基準化電極膜厚(H/λ)が2.0≦H/λ≦4.0%のIDT電極をアルミで形成してなるSAW共振器において、SSBW(Surface Skimming Bulk Wave)を励振させることにより、三次の周波数温度特性が実現できることが開示されているが、このSAW共振器は、圧電基板の表面直下を伝搬するSH波をIDTによって励起し、その振動エネルギーを電極直下に閉じ込めることを特徴としているので、前記SH波は基本的に基板内部に潜って進んでいく波となる。このため、圧電基板表面に沿って伝搬するSTカット水晶SAWと比較してグレーティング反射器によるSAWの反射効率が悪く、小型で高QなSAWデバイスを実現し難いという問題があった。
なお、特許文献14には、上記問題を解決するため、オイラー角(φ,θ,ψ)=(0°,−64°<θ<−49.3°,85°≦ψ≦95°)の水晶基板の表面にIDT電極とグレーティング反射器を形成したSAWデバイスが提案されている。
【0009】
また、特許文献15では、電極膜厚が厚いことに起因して発生するストレスマイグレーションが原因となってQ値や周波数安定性が劣化してしまうという問題に鑑みて、電極指間に対応する領域の水晶基板にエッチングにより溝を形成し、前記溝の深さをHp、金属膜の膜厚をHmとした時に、基準化電極膜厚(H/λ)を0.04<H/λ<0.12(ただし、H=Hp+Hm)の範囲とすることが開示されている。これにより、Q値が高く、周波数変動を抑圧したSAWデバイスが実現できるとしている。
【0010】
さらに、特許文献16では、前述の特許文献3ないし6に記載された、いわゆる面内回転ST水晶基板を用いたSAWデバイスでは、電極膜厚が厚いことに起因して、エッチングにより電極指を形成する過程においてサイドエッチングが進行してしまい、個体間でのライン占有率が変動してしまうので、温度変化時における周波数の変動量が大きく変化し、製品の信頼性、品質という点で大きな問題があることに鑑みて、オイラー角(φ,θ,ψ)=(0°、95°≦θ≦155°、33°≦|ψ|≦46°)の面内回転STカット水晶を用いることが提案されている。この水晶基板を用いることにより、弾性表面波のストップバンド上限モードを励振させ、周波数変動のバラツキを抑圧したSAWデバイスを実現できるとしている。
しかしながら、このように電極指間の水晶基板表面をエッチングして溝を形成することにより、実効膜厚を確保しつつ、周波数変動のバラツキを抑圧することができたとしても、SAWデバイスの動作温度範囲における周波数温度特性は、依然として2次特性を有しているため周波数変動幅の大幅な縮小には至っていない。
【0011】
また、特許文献17には、LSTカットの水晶基板を用いたSAW装置において、周波数温度特性を示す曲線を三次曲線とするための構成が記載されている一方で、レイリー波を用いたSAW装置においては、三次曲線で示されるような温度特性を持つカット角の基板は発見することができなかった旨が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0012】
【特許文献1】特許第3266846号(特開平11−214958号)公報
【特許文献2】特開2002−100959号公報
【特許文献3】特開2006−148622号公報
【特許文献4】特開2007−208871号公報
【特許文献5】特開2007−267033号公報
【特許文献6】特開2007−300287号公報
【特許文献7】特公平2−7207号(特開昭57−5418号)公報
【特許文献8】特開平2−189011号公報
【特許文献9】特開平5−90865号公報
【特許文献10】特開平1−231412号公報
【特許文献11】特開昭61−92011号公報
【特許文献12】特開平10−270974号公報
【特許文献13】特公平1−34411号公報
【特許文献14】再公表WO2005/099089A1公報
【特許文献15】特開2006−203408号公報
【特許文献16】特開2009−225420号公報
【特許文献17】特許第3851336号公報
【非特許文献】
【0013】
【非特許文献1】グルーブ形SAW共振器の製造条件と特性(電子通信学会技術研究報告MW82−59(1982))
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】
上記のように、周波数温度特性を改善するための要素は多岐にわたり、特にレイリー波を用いたSAW装置では、IDTを構成する電極の膜厚を厚くすることが周波数温度特性に寄与する要因の1つであると考えられている。しかし、本願出願人は、電極の膜厚を厚くすると、経時変化特性や耐温度衝撃特性等の耐環境特性が劣化することを実験的に見出した。また、周波数温度特性の改善を主目的とした場合には、前述したように電極膜厚を厚くしなければならず、これに伴って経時変化特性や耐温度衝撃特性等の劣化を余儀なくされていた。これはQ値に関しても当てはめられることであり、電極膜厚を厚くせずに高Q化を実現させることは困難であった。また、電極膜厚を厚くすることはCI(crystal impedance)値の上昇も伴い、発振安定性の低下を招いていた。
【0015】
したがって本願発明において、弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器を提供する際の課題は、第1に良好な周波数温度特性の実現、第2に耐環境特性の向上、第3に高いQ値を得る、第4に低いCI値を得る、というものである。すなわち、本発明の目的は、使用環境によらず、発振安定性に優れた弾性表面波共振子、およびかかる共振子を備えた弾性表面波発振器および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0016】
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]
本発明の弾性表面波共振子は、オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板上に設けられ、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するIDTと、前記IDTを構成する電極指間に位置する基板を窪ませた電極指間溝と、を有する弾性表面波共振子であって、
前記弾性表面波の波長をλ、前記電極指間溝の深さをGとした場合に、
【数1】
を満たし、
かつ、前記IDTのライン占有率をηとした場合に、前記電極指間溝の深さGと前記ライン占有率ηとが、
【数2】
【数3】
の関係を満たし、
前記IDTを前記弾性表面波の伝搬方向において挟み込むように配置され、前記弾性表面波を反射する一対の反射手段を有することを特徴とする。
これにより、第1に良好な周波数温度特性の実現、第2に耐環境特性の向上、第3に高いQ値を得る、第4に低いCI値を得ることを実現した弾性表面波共振子が得られる。すなわち、使用環境によらず、発振安定性に優れた弾性表面波共振子が得られる。
【0017】
[適用例2]
本発明の弾性表面波共振子では、前記電極指間溝の深さGが、
【数4】
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、電極指間溝の深さGが製造時の誤差によりずれた場合であっても、個体間における共振周波数のシフトを補正範囲内に抑え得る弾性表面波共振子が得られる。
【0018】
[適用例3]
本発明の弾性表面波共振子では、前記IDTの電極指の膜厚をHとしたとき、
【数5】
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、動作温度範囲内において良好な周波数温度特性を示す弾性表面波共振子が得られる。また、このような特徴を有することによれば、電極膜厚の増加に伴う耐環境特性の劣化を抑制することが可能となる。
【0019】
[適用例4]
本発明の弾性表面波共振子では、前記ライン占有率ηが、
【数6】
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、二次温度係数をほぼ±0.01ppm/℃2以内に収めることが可能となる。
【0020】
[適用例5]
本発明の弾性表面波共振子では、前記電極指間溝の深さGと前記電極指の膜厚Hとの和が、
【数7】
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、従来の弾性表面波共振子よりも高いQ値を得ることができる。
【0021】
[適用例6]
本発明の弾性表面波共振子では、前記ψと前記θが、
【数8】
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、広い範囲で良好な周波数温度特性を示す弾性表面波共振子が得られる。
【0022】
[適用例7]
本発明の弾性表面波共振子では、前記IDTにおけるストップバンド上端モードの周波数をft2、前記反射手段におけるストップバンド下端モードの周波数をfr1、前記反射器のストップバンド上端モードの周波数をfr2としたとき、
【数9】
の関係を満たすことが好ましい。
【0023】
これにより、IDTのストップバンド上端モードの周波数ft2において、反射手段の反射係数|Γ|が大きくなり、IDTから励振されたストップバンド上端モードの弾性表面波が、反射手段にて高い反射係数でIDT側に反射されるようになる。そしてストップバンド上端モードの弾性表面波のエネルギー閉じ込めが強くなり、低損失な弾性表面波共振子を実現することができる。
【0024】
[適用例8]
本発明の弾性表面波共振子では、前記反射手段は、前記IDTを構成する電極指と平行になるよう配置され、前記水晶基板を窪ませた溝で構成されていることが好ましい。
これにより、反射手段の製造容易性を高めることができる。また、導体ストリップの形成が不要になるので、反射手段の特性バラツキを抑制することができる。
【0025】
[適用例9]
本発明の弾性表面波共振子では、前記反射手段が有する溝は、互いに平行な複数本の溝であることが好ましい。
これにより、反射手段の製造容易性を高めることができる。また、導体ストリップの形成が不要になるので、反射手段の特性バラツキを抑制することができる。
【0026】
[適用例10]
本発明の弾性表面波共振子では、前記IDTを構成する電極指の膜厚をHmT、前記電極指間溝の深さをHgT、前記電極指の実効膜厚をHT/λ(ただし、HT=HmT+HgT)とするとともに、前記反射手段が有する前記溝の深さをHgRとしたとき、
前記IDTおよび前記反射手段は、
HT/λ<HgR/λ
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、導体ストリップが省略されていても反射手段の反射特性が向上してストップバンド上端モードのSAWのエネルギー閉じ込め効果がより顕著になり、Q値のさらなる向上が図られる。また、相対的にIDTの電極指の実効膜厚は減少するため、IDTの電気機械結合係数を高めることができ、CI値をさらに下げることができる。
[適用例11]
本発明の弾性表面波共振子では、前記HgRは、3λ以上であることが好ましい。
これにより、反射手段の製造にあたって、単に深さの深い溝を形成しさえすればよいことから、その製造容易性を格段に高めることができる。
【0027】
[適用例12]
本発明の弾性表面波共振子では、前記反射手段は、前記水晶基板上に設けられた互いに平行な複数本の導体ストリップで構成されていることが好ましい。
これにより、反射手段の製造容易性を高めることができる。また、溝の形成が不要になるので、反射手段の特性バラツキを抑制することができる。
【0028】
[適用例13]
本発明の弾性表面波共振子では、前記IDTを構成する電極指の膜厚をHmT、前記電極指間溝の深さをHgT、前記電極指の実効膜厚をHT/λ(ただし、HT=HmT+HgT)とするとともに、前記導体ストリップの膜厚をHmRとしたとき、
前記IDTおよび前記反射手段は、
HT/λ<HmR/λ
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、溝が省略されていても反射手段の反射特性が向上してストップバンド上端モードのSAWのエネルギー閉じ込め効果がより顕著になり、Q値のさらなる向上が図られる。また、相対的にIDTの電極指の実効膜厚は減少するため、IDTの電気機械結合係数を高めることができ、CI値をさらに下げることができる。
【0029】
[適用例14]
本発明の弾性表面波共振子では、前記反射手段は、互いに平行な複数本の前記溝と、前記溝に隣接して前記水晶基板上に設けられた互いに平行な複数本の導体ストリップとで構成されていることが好ましい。
これにより、周波数温度特性に優れた弾性表面波共振子が得られる。
【0030】
[適用例15]
本発明の弾性表面波共振子では、前記IDTを構成する電極指の膜厚をHmT、前記電極指間溝の深さをHgT、前記電極指の実効膜厚をHT/λ(ただし、HT=HmT+HgT)とするとともに、前記導体ストリップの膜厚をHmR、前記反射手段が有する前記溝の深さをHgR、前記導体ストリップの実効膜厚をHR/λ(ただし、HR=HmR+HgR)としたとき、
前記IDTおよび前記反射手段は、
HT/λ<HR/λ
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、導体ストリップの実効膜厚の増大とともに反射手段の反射特性が向上してストップバンド上端モードのSAWのエネルギー閉じ込め効果がより顕著になり、Q値のさらなる向上が図られる。また、相対的にIDTの電極指の実効膜厚は減少するため、IDTの電気機械結合係数を高めることができ、CI値をさらに下げることができる。
【0031】
[適用例16]
本発明の弾性表面波共振子では、前記IDTを構成する電極指の膜厚HmTと前記導体ストリップの膜厚HmRとが、
HmT/λ=HmR/λ
の関係を満たし、かつ、
前記電極指間溝の深さHgTと前記反射手段が有する前記溝の深さHgRとが、
HgT/λ<HgR/λ
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、高Q化と低CI化の両立を図ることができる。また、単一膜厚の導電膜を成膜すればよく、製造容易性が高くなる。
【0032】
[適用例17]
本発明の弾性表面波共振子では、前記電極指間溝の深さHgTと前記反射手段が有する前記溝の深さHgRとが、
HgT/λ=HgR/λ
の関係を満たし、かつ、
前記IDTを構成する電極指の膜厚HmTと前記導体ストリップの膜厚HmRとが、
HmT/λ<HmR/λ
の関係を満たすことが好ましい。
これにより、高Q化と低CI化の両立を図ることができる。また、単一条件で溝を加工すればよく、製造容易性が高くなる。
【0033】
[適用例18]
本発明の弾性表面波共振子では、前記反射手段は、前記水晶基板の端面で構成されていることが好ましい。
これにより、反射手段の製造容易性を高めることができる。また、溝や導体ストリップの形成が不要になるので、反射手段の特性バラツキを抑制するとともに、小型化を図ることができる。
【0034】
[適用例19]
本発明の弾性表面波発振器は、本発明の弾性表面波共振子と、前記IDTを駆動するためのICと、を備えることを特徴とする。
これにより、使用環境によらず、発振安定性に優れた弾性表面波発振器が得られる。
[適用例20]
本発明の電子機器は、本発明の弾性表面波共振子を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【図1】実施形態に係るSAWデバイスの構成を示す図であって、(A)は平面構成を示す図であり、(B)は側面における部分拡大断面を示す図であり、(C)は(B)における詳細を説明するための部分拡大図であり、(D)は(C)における部分拡大図であって、SAW共振子をフォトリソグラフィ技法とエッチング技法とを用いて製造したときに想定しえる溝部の断面形状を示す図である。
【図2】本発明で用いる水晶基板の母材となるウェーハの方位を示す図である。
【図3】傾斜型IDTを採用した場合におけるSAWデバイスの構成例を示す図であって、(A)は電極指を傾斜させてX´軸に直交させた形態の例であり、(B)は電極指を繋ぐバスバーを傾斜させたIDTを有するSAWデバイスの例である。
【図4】ストップバンド上端モードと下端モードとの関係を示す図である。
【図5】電極指間溝の深さと動作温度範囲内における周波数変動量との関係を示すグラフである。
【図6】STカット水晶基板における温度特性を示す図である。
【図7】ストップバンド上端モードの共振点とストップバンド下端モードの共振点におけるライン占有率ηの変化に伴う二次温度係数の変化の違いを示すグラフであり、(A)は溝深さGを2%λとした場合におけるストップバンド上端モードの二次温度係数βの変位を示すグラフであり、(B)は溝深さGを2%λとした場合におけるストップバンド下端モードの二次温度係数βの変位を示すグラフであり、(C)は溝深さGを4%λとした場合におけるストップバンド上端モードの二次温度係数βの変位を示すグラフであり、(D)は溝深さGを4%λとした場合におけるストップバンド下端モードの二次温度係数βの変位を示すグラフである。
【図8】電極膜厚を0として電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを1%λ、(B)は溝深さGを1.25%λ、(C)は溝深さGを1.5%λ、(D)は溝深さGを2%λ、(E)は溝深さGを3%λ、(F)は溝深さGを4%λ、(G)は溝深さGを5%λ、(H)は溝深さGを6%λ、(I)は溝深さGを8%λとした場合におけるグラフである。
【図9】電極膜厚を0とした場合における二次温度係数が0となる電極指間溝の深さとライン占有率ηとの関係を示すグラフである。
【図10】電極膜厚を0として電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを1%λ、(B)は溝深さGを1.25%λ、(C)は溝深さGを1.5%λ、(D)は溝深さGを2%λ、(E)は溝深さGを3%λ、(F)は溝深さGを4%λ、(G)は溝深さGを5%λ、(H)は溝深さGを6%λ、(I)は溝深さGを8%λとした場合におけるグラフである。
【図11】電極指間溝の深さと、該電極指間溝の深さが±0.001λずれた場合の周波数変動量との関係を示すグラフである。
【図12】電極膜厚を変化させた場合における二次温度係数が0となる電極指間溝の深さとライン占有率ηとの関係を示すグラフであり、(A)は電極膜厚を1%λ、(B)は電極膜厚を1.5%λ、(C)は電極膜厚を2%λ、(D)は電極膜厚を2.5%λ、(E)は電極膜厚を3%λ、(F)は電極膜厚を3.5%λとした場合におけるグラフである。
【図13】各電極膜厚における二次温度係数β≒0(ppm/℃2)となるη1と電極指間溝の深さとの関係をグラフにまとめた図であり、(A)は電極膜厚を1%λ〜3.5%λまで変化させた際の溝深さGとη1との関係を示し、(B)は、|β|≦0.01(ppm/℃2)となる領域が点aないしhを結んでなる多角形内であることを説明する図である。
【図14】電極膜厚H≒0からH=0.030λまでの電極指間溝の深さとライン占有率ηとの関係を近似曲線で示した図である。
【図15】電極膜厚を0.01λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを2%λ、(D)は溝深さGを3%λ、(E)は溝深さGを4%λ、(F)は溝深さGを5%λの場合におけるグラフである。
【図16】電極膜厚を0.015λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを1.5%λ、(D)は溝深さGを2.5%λ、(E)は溝深さGを3.5%λ、(F)は溝深さGを4.5%λの場合におけるグラフである。
【図17】電極膜厚を0.02λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを2%λ、(D)は溝深さGを3%λ、(E)は溝深さGを4%λ、(F)は溝深さGを5%λの場合におけるグラフである。
【図18】電極膜厚を0.025λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを1.5%λ、(D)は溝深さGを2.5%λ、(E)は溝深さGを3.5%λ、(F)は溝深さGを4.5%λの場合におけるグラフである。
【図19】電極膜厚を0.03λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを2%λ、(D)は溝深さGを3%λ、(E)は溝深さGを4%λ、(F)は溝深さGを5%λの場合におけるグラフである。
【図20】電極膜厚を0.035λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを2%λ、(D)は溝深さGを3%λ、(E)は溝深さGを4%λ、(F)は溝深さGを5%λの場合におけるグラフである。
【図21】電極膜厚を0.01λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを2%λ、(D)は溝深さGを3%λ、(E)は溝深さGを4%λ、(F)は溝深さGを5%λの場合におけるグラフである。
【図22】電極膜厚を0.015λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを1.5%λ、(D)は溝深さGを2.5%λ、(E)は溝深さGを3.5%λ、(F)は溝深さGを4.5%λの場合におけるグラフである。
【図23】電極膜厚を0.02λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを2%λ、(D)は溝深さGを3%λ、(E)は溝深さGを4%λ、(F)は溝深さGを5%λの場合におけるグラフである。
【図24】電極膜厚を0.025λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを1.5%λ、(D)は溝深さGを2.5%λ、(E)は溝深さGを3.5%λ、(F)は溝深さGを4.5%λの場合におけるグラフである。
【図25】電極膜厚を0.03λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを2%λ、(D)は溝深さGを3%λ、(E)は溝深さGを4%λ、(F)は溝深さGを5%λの場合におけるグラフである。
【図26】電極膜厚を0.035λとして電極指間溝の深さを変えた場合におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示すグラフであり、(A)は溝深さGを0、(B)は溝深さGを1%λ、(C)は溝深さGを2%λ、(D)は溝深さGを3%λ、(E)は溝深さGを4%λ、(F)は溝深さGを5%λの場合におけるグラフである。
【図27】電極膜厚Hを0≦H<0.005λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さGの関係を示すグラフによって|β|≦0.01となる範囲を示す図であり、(A)はη1、(B)はη2の場合を示す。
【図28】電極膜厚Hを0.005λ≦H<0.010λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さGの関係を示すグラフによって|β|≦0.01となる範囲を示す図であり、(A)はη1、(B)はη2の場合を示す。
【図29】電極膜厚Hを0.010λ≦H<0.015λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さGの関係を示すグラフによって|β|≦0.01となる範囲を示す図であり、(A)はη1、(B)はη2の場合を示す。
【図30】電極膜厚Hを0.015λ≦H<0.020λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さGの関係を示すグラフによって|β|≦0.01となる範囲を示す図であり、(A)はη1、(B)はη2の場合を示す。
【図31】電極膜厚Hを0.020λ≦H<0.025λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さGの関係を示すグラフによって|β|≦0.01となる範囲を示す図であり、(A)はη1、(B)はη2の場合を示す。
【図32】電極膜厚Hを0.025λ≦H<0.030λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さGの関係を示すグラフによって|β|≦0.01となる範囲を示す図であり、(A)はη1、(B)はη2の場合を示す。
【図33】電極膜厚Hを0.030λ≦H<0.035λとした場合におけるライン占有率ηと溝深さGの関係を示すグラフによって|β|≦0.01となる範囲を示す図であり、(A)はη1、(B)はη2の場合を示す。
【図34】電極膜厚、ライン占有率η(η1:実線、η2:破線)を定めた際の電極指間溝の深さとオイラー角ψとの関係を示すグラフであり、(A)は電極膜厚を1%λ、(B)は電極膜厚を1.5%λ、(C)は電極膜厚を2%λ、(D)は電極膜厚を2.5%λ、(E)は電極膜厚を3%λ、(F)は電極膜厚を3.5%λとした場合のグラフである。
【図35】各電極膜厚Hにおける電極指間溝の深さGとオイラー角ψとの関係をグラフにまとめた図である。
【図36】二次温度係数βが−0.01(ppm/℃2)となる電極指間溝の深さとオイラー角ψとの関係を示すグラフである。
【図37】二次温度係数βが+0.01(ppm/℃2)となる電極指間溝の深さとオイラー角ψとの関係を示すグラフである。
【図38】電極膜厚Hの範囲を0<H≦0.005λとした場合において、|β|≦0.01(ppm/℃2)の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、(A)はψの最大値と最小値、(B)は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。
【図39】電極膜厚Hの範囲を0.005λ<H≦0.010λとした場合において、|β|≦0.01(ppm/℃2)の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、(A)はψの最大値と最小値、(B)は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。
【図40】電極膜厚Hの範囲を0.010λ<H≦0.015λとした場合において、|β|≦0.01(ppm/℃2)の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、(A)はψの最大値と最小値、(B)は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。
【図41】電極膜厚Hの範囲を0.015λ<H≦0.020λとした場合において、|β|≦0.01(ppm/℃2)の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、(A)はψの最大値と最小値、(B)は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。
【図42】電極膜厚Hの範囲を0.020λ<H≦0.025λとした場合において、|β|≦0.01(ppm/℃2)の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、(A)はψの最大値と最小値、(B)は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。
【図43】電極膜厚Hの範囲を0.025λ<H≦0.030λとした場合において、|β|≦0.01(ppm/℃2)の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、(A)はψの最大値と最小値、(B)は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。
【図44】電極膜厚Hの範囲を0.030λ<H≦0.035λとした場合において、|β|≦0.01(ppm/℃2)の要件を満たすψの範囲を示すグラフであり、(A)はψの最大値と最小値、(B)は、βの要件を満たすψの領域をそれぞれ示すグラフである。
【図45】電極膜厚0.02λ、電極指間溝の深さ0.04λにおけるオイラー角θと二次温度係数βとの関係を示すグラフである。
【図46】オイラー角φと二次温度係数βとの関係を示すグラフである。
【図47】周波数温度特性が良好となるオイラー角θとオイラー角ψとの関係を示すグラフである。
【図48】周波数温度特性が最も良好となった条件下における4つの試験片での周波数温度特性データの例を示す図である。
【図49】電極指間溝の深さと電極膜厚との和である段差とCI値との関係を示すグラフである。
【図50】本実施形態に係るSAW共振子における等価回路定数や静特性の例を示す表である。
【図51】本実施形態に係るSAW共振子におけるインピーダンスカーブデータである。
【図52】従来のSAW共振子における段差とQ値の関係と本実施形態に係るSAW共振子段差とQ値の関係を比較するためのグラフである。
【図53】IDTと反射器のSAW反射特性を示す図である。
【図54】ヒートサイクル試験における電極膜厚Hと周波数変動との関係を示すグラフである。
【図55】実施形態に係るSAW発振器の構成を示す図である。
【図56】SAW共振子の周波数温度特性を示すグラフであり、(A)は特開2006−203408号に開示されているSAW共振子の周波数温度特性を示すグラフ、(B)は実質的な動作温度範囲内における周波数温度特性の範囲を示すグラフである。
【図57】IDTおよび反射器に保護膜としてアルミナを被覆したSAW共振子における動作範囲内の周波数変動量の変化を示すグラフである。
【図58】IDTおよび反射器に保護膜としてSiO2を被覆したSAW共振子における動作範囲内の周波数変動量の変化を示すグラフである。
【図59】実施形態に係るSAWデバイスの他の構成例を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
【図60】実施形態に係るSAWデバイスの他の構成例を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
【図61】(a)は、IDTの電極指の実効膜厚を横軸に、Q値を縦軸にとり、実効膜厚を変化させたときのQ値の変化の推移を示すグラフ、(b)は、実効膜厚を横軸に、電気機械結合係数を縦軸にとり、実効膜厚を変化させたときの電気機械結合係数の変化の推移を示すグラフである。
【図62】実施形態に係るSAWデバイスの第2の実施形態を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
【図63】図62に示すSAW共振子の他の構成例を示す図である。
【図64】実施形態に係るSAWデバイスの第3の実施形態を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
【図65】実施形態に係るSAWデバイスの第4の実施形態を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0036】
以下、本発明の弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
[弾性表面波共振子]
<第1実施形態>
まず、図1を参照して、本発明の弾性表面波(SAW)共振子に係る第1の実施形態について説明する。なお、図1において、図1(A)はSAW共振子の平面図であり、図1(B)は部分拡大断面図、図1(C)は同図(B)における詳細を説明するための拡大図、図1(D)は図1(C)の部分拡大図に関して、本発明に係るSAW共振子をフォトリソグラフィ技法とエッチング技法とを用いて製造したときに想定し得る断面形状であって、断面形状が矩形ではなく台形状となった場合における、IDT電極指のライン占有率ηの特定方法を説明するための図である。ライン占有率ηは、溝32の底部から、溝32の深さ(台座の高さ)Gと電極膜厚Hとを足した値である(G+H)の1/2となる高さにおける、凸部の幅Lと溝32の幅Sとを足した値(L+S)に対する前記幅Lの占める割合とするのが適切である。
【0037】
本実施形態に係るSAW共振子10は、水晶基板30と、IDT12、および反射器20を基本として構成される。
図2は、本発明で用いる水晶基板30の母材となるウェーハ1の方位を示す図である。図2において、X軸は水晶の電気軸、Y軸は水晶の機械軸、Z軸は水晶の光学軸である。ウェーハ1は、Y軸に垂直な面2を、X軸を回転軸として、+Z軸から−Y軸に向かって回転する方向に角度θ´度(ディグリー)回転させた面を有している。この回転した面に垂直な軸がY´軸、回転した面に平行かつX軸に垂直な軸がZ´軸である。さらに、SAW共振子10を構成するIDT12および反射器20は、水晶のX軸を、Y´軸を回転軸とし、+X軸から+Z´軸に向かって回転する方向を正として+ψ度(または−ψ度)回転させたX´軸に沿って配置される。SAW共振子10を構成する水晶基板30は、ウェーハ1から切り出されて個片化されたものである。水晶基板30の平面視形状は特に限定されないが、例えばY´軸を回転軸としてZ´軸を+ψ度回転させたZ´´軸に平行な短辺を有し、X´軸に平行な長辺を有する長方形であってもよい。なお、θ´とオイラー角におけるθとの関係は、θ´=θ−90°となる。
【0038】
本実施形態では水晶基板30として、オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)で表される面内回転STカット水晶基板を採用した。ここで、オイラー角について説明する。オイラー角(0°,0°,0°)で表される基板は、Z軸に垂直な主面を有するZカット基板となる。ここで、オイラー角(φ,θ,ψ)のφはZカット基板の第1の回転に関するものであり、Z軸を回転軸とし、+X軸から+Y軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第1回転角度である。オイラー角のθはZカット基板の第1の回転後に行う第2の回転に関するものであり、第1の回転後のX軸を回転軸とし、第1の回転後の+Y軸から+Z軸へ回転する方向を正の回転角度とした第2の回転角度である。圧電基板のカット面は、第1回転角度φと第2回転角度θとで決定される。オイラー角のψはZカット基板の第2の回転後に行う第3の回転に関するものであり、第2の回転後のZ軸を回転軸とし、第2の回転後の+X軸から第2の回転後の+Y軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第3回転角度である。SAWの伝搬方向は、第2の回転後のX軸に対する第3回転角度ψで表される。
【0039】
IDT12は、複数の電極指18a、18bの基端部をそれぞれバスバー16a,16bで接続した櫛歯状電極14a,14bを一対有し、一方の櫛歯状電極14aを構成する電極指18aと、他方の櫛歯状電極14bを構成する電極指18bとを所定の間隔をあけて交互に配置している。さらに、図1(A)に示す如く電極指18a、18bは、それら電極指の延長方向が、弾性表面波の伝播方向であるX′軸と直交するように配置される。このようにして構成されるSAW共振子10によって励起されるSAWは、Rayleigh型(レイリー型)のSAWであり、Y´軸とX´軸の両方に振動変位成分を有する。そしてこのように、SAWの伝播方向を水晶の結晶軸であるX軸からずらすことで、ストップバンド上端モードのSAWを励起することが可能となるのである。
【0040】
また、更に、本発明に係るSAW共振子10は、図3に示す如き形態とすることができる。即ち、図3に示す如くX´軸からパワーフロー角(以下、PFAと称す)δだけ傾斜させたIDTを適用する場合であっても、以下の要件を満たすことによって高Q化することができる。図3(A)は、傾斜型IDT12aの一実施形態例を示す平面図であり、オイラー角で決まるSAWの伝播方向であるX´軸と傾斜型IDT12aの電極指18a,18bの方向とが直交関係となるように、傾斜型IDT12aにおける電極指18a,18bの配置形態を傾斜させたものである。
【0041】
図3(B)は、傾斜型IDT12aの別の実施形態例を示す平面図である。本例では、電極指18a,18bを相互に接続するバスバー16a,16bを傾斜させることにより、X´軸に対して電極指配列方向を傾斜させて配置しているが、図3(A)と同様にX´軸と電極指18a,18bの延長方向とが直交関係となるように構成されている。
【0042】
どのような傾斜型IDTを用いたとしても、これらの実施形態例のようにX´軸に垂直な方向が電極指の延長方向となるよう電極指を配置することにより、本発明における良好な温度特性を維持しつつ、低損失なSAW共振子を実現することができる。
【0043】
ここで、ストップバンド上端モードのSAWと下端モードのSAWの関係について説明する。図4に示すような正規型IDT12(図4に示すのはIDT12を構成する電極指18)によって形成されるストップバンド下端モード、および上端モードのSAWにおいて、それぞれの定在波は、腹(又は節)の位置が互いにπ/2ずれている。図4は、正規型IDT12におけるストップバンド上端モードおよび下端モードの定在波の分布を示す図である。
【0044】
図4によれば上述したように、実線で示すストップバンド下端モードの定在波は、電極指18の中央位置、すなわち反射中心位置に腹が存在し、一点鎖線で示したストップバンド上端モードの定在波は反射中心位置に節が存在する。このような電極指間の中心位置に節が存在するモードでは、SAWの振動を電極指18(18a,18b)によって効率良く電荷に変換することができず、そのモードは電気信号として励振、もしくは、受信することができない場合が多い。しかし、本出願に記載の手法では、オイラー角におけるψを零でなくし、SAWの伝播方向を水晶の結晶軸であるX軸からずらすことで、ストップバンド上端モードの定在波を図4の実線の位置、すなわち、そのモードの定在波の腹を電極指18の中央位置にシフトさせることが可能となり、ストップバンド上端モードのSAWを励起することが可能となるのである。
【0045】
また、反射器(反射手段)20は、前記IDT12をSAWの伝播方向に挟み込むように一対設けられる。具体的構成例としては、IDT12を構成する電極指18と平行に設けられる複数の導体ストリップ22の両端をそれぞれ接続したものである。
【0046】
このようにして構成されるIDT12や反射器20を構成する電極膜の材料としては、アルミニウム(Al)やAlを主体とした合金を用いることができる。
【0047】
IDT12や反射器20を構成する電極膜の電極の厚みを極力少なくすることにより電極が有する温度特性の影響を最小限としている。更に、水晶基板部の溝の深さを大きく採り、水晶基板部の溝の性能によって、すなわち水晶の良好な温度特性を利用することで、良好な周波数温度特性を引き出している。それによって電極の温度特性がSAW共振子の温度特性に与える影響を小さくすることができ、電極の質量が10%以内の変動であれば良好な温度特性を維持することができる。
【0048】
なお、上記の理由により電極膜材料として合金を用いる場合、主成分となるAl以外の金属は重量比で10%以下、望ましくは3%以下にすればよい。Al以外の金属を主体とした電極を用いる場合には、電極の質量がAlを用いた場合の±10%以内となるようにその電極の膜厚を調整すれば良い。このようにすることでAlを用いたときと同等の良好な温度特性が得られる。
【0049】
上記のような基本構成を有するSAW共振子10における水晶基板30では、IDT12の電極指間や反射器20の導体ストリップ22間に、電極指18と平行に設けられる複数の溝(電極指間溝)32を設けている。
【0050】
水晶基板30に設ける溝32は、ストップバンド上端モードにおけるSAWの波長をλとし、溝深さをGとした場合、
【0051】
【数10】
【0052】
とすると良い。なお溝深さGについて上限値を定める場合には、図5を参照することで読み取れるように、
【0053】
【数11】
【0054】
の範囲とすると良い。溝深さGをこのような範囲で定めることにより、動作温度範囲内(−40℃〜+85℃)における周波数変動量を、詳細を後述する目標値としての25ppm以下とすることができるからである。また、溝深さGについて望ましくは、
【0055】
【数12】
【0056】
の範囲とすると良い。溝深さGをこのような範囲で定めることにより、溝深さGに製造上のばらつきが生じた場合であっても、SAW共振子10個体間における共振周波数のシフト量を補正範囲内に抑えることができる。
なお、上記SAWの波長λは、IDT12近傍におけるSAWの波長である。
【0057】
また、ライン占有率ηとは図1(C)や図1(D)に示すように、電極指18の線幅(水晶凸部のみの場合には凸部の幅をいう)Lを電極指18間のピッチλ/2(=L+S)で除した値である。したがって、ライン占有率ηは、式(4)で示すことができる。
【0058】
【数13】
【0059】
ここで本実施形態に係るSAW共振子10では、ライン占有率ηを式(5)、(6)を満たすような範囲で定めると良い。なお、式(5)、(6)からも解るようにηは溝32の深さGを定めることにより導き出すことができる。
【0060】
【数14】
【0061】
【数15】
【0062】
また、本実施形態に係るSAW共振子10における電極膜材料(IDT12や反射器20等)の膜厚は、
【0063】
【数16】
【0064】
の範囲とすることが望ましい。
【0065】
さらに、ライン占有率ηについて式(7)で示した電極膜の厚みを考慮した場合、ηは式(8)により求めることができる。
【0066】
【数17】
【0067】
ライン占有率ηは、電極膜厚が厚いほど電気的特性(特に共振周波数)の製造ばらつきが大きくなり、電極膜厚Hが式(5)、(6)の範囲内においては±0.04以内の製造ばらつき、H>0.035λにおいては±0.04より大きい製造ばらつきが生じる可能性が大きい。しかしながら、電極膜厚Hが式(5)、(6)の範囲内であり、かつライン占有率ηのばらつきが±0.04以内であれば、二次温度係数βの小さいSAWデバイスが実現できる。即ちライン占有率ηは、式(8)に±0.04の公差を加えた式(9)の範囲まで許容できる。
【0068】
【数18】
【0069】
上記のような構成の本実施形態に係るSAW共振子10では、二次温度係数βを±0.01(ppm/℃2)以内とし、望ましくはSAWの動作温度範囲を−40℃〜+85℃とした場合に、当該動作温度範囲内における周波数変動量ΔFを25ppm以下とすることができる程度まで、周波数温度特性を向上させることを目的としている。
ところで、一般的に弾性表面波共振子の温度特性は、下式で示される。
Δf=α×(T−T0)+β×(T−T0)2
ここで、Δfは温度Tと頂点温度T0間の周波数変化量(ppm)、αは1次温度係数(ppm/℃)、βは2次温度係数(ppm/℃2)、Tは温度、T0は周波数が最大となる温度(頂点温度)を意味する。
例えば、圧電基板がいわゆるSTカット(オイラー角(φ、θ、ψ)=(0°、120°〜130°、0°))の水晶板で形成されている場合、1次定数α=0.0、2次定数β=−0.034となり、グラフに示すと図6のようになる。図6において、温度特性は上に凸の放物線(2次曲線)を描いている。
図6に示すようなSAW共振子は、温度の変化に対する周波数変動量が極めて大きく、温度変化に対する周波数変化量Δfを抑圧することが必要となる。従って、図6に示す2次温度係数βをより0に近づけて、SAW共振子が実際に使用される際の温度(動作温度)の変化に対する周波数変化量Δfが0に近づくように、弾性表面波共振子を新たな知見に基づいて実現する必要があるのである。
従って、本発明の目的の1つは、上記の如き課題を解消し、弾性表面波デバイスの周波数温度特性を極めて良好なものとし、温度が変化しても周波数が安定して動作する弾性表面波デバイスを実現することである。
【0070】
上記の如き技術思想(技術要素)を備えた構成とするSAWデバイスとすれば、前述の如き課題を解決することを実現し得ること、即ち、本願発明者がシミュレーションと実験を繰り返すことによって、如何にして本発明に係る知見に想到したのかについて、以下に詳細に説明し、証明する。
【0071】
なお、前述のSTカットと呼ばれる水晶基板を用いて伝搬方向を結晶X軸方向としたSAW共振子は、動作温度範囲を同一とした場合、動作温度範囲内における周波数変動量ΔFは約133(ppm)となり、二次温度係数βは、−0.034(ppm/℃2)程度となる。また、水晶基板のカット角とSAW伝搬方向をオイラー角表示で(0,123°,45°)とし、動作温度範囲を同一とした面内回転STカット水晶基板を用いたSAW共振子においてストップバンド下端モードの励振を利用した場合、周波数変動量ΔFは約63ppm、二次温度係数βは−0.016(ppm/℃2)程度となる。
これらSTカット水晶基板や面内回転STカット水晶基板を用いたSAW共振子はいずれもレイリー波と呼ばれる弾性表面波を利用しており、LSTカット水晶基板のリーキー波と呼ばれる弾性表面波に比べて水晶基板や電極の加工精度に対する周波数や周波数温度特性のばらつきが極めて小さいため、量産性に優れ、各種のSAW装置に利用されている。しかしながら、従来利用されていたSTカット水晶基板や面内回転STカット水晶基板などを用いたSAW共振子は、前述のとおり、周波数温度特性を示す曲線を二次曲線とした2次温度特性であり、更に、その2次温度特性の2次温度係数の絶対値が大きいので、動作温度範囲における周波数変動量が大きく、周波数の安定性を求める有線通信装置や無線通信装置に使用される共振子や発振器などのSAW装置には利用できなかった。例えば、STカット水晶基板の2次温度係数βの1/3以下、面内回転STカット水晶基板の2次温度係数βの37%以上の改善に相当する2次温度係数βが±0.01(ppm/℃2)以下の2次温度特性を持つ周波数温度特性が得られれば、そのような周波数の安定性を求める装置を実現できる。更に、2次温度係数βがほぼ零であり、周波数温度特性を示す曲線を三次曲線とした3次温度特性が得られれば、動作温度範囲において、より周波数の安定性が高まり、より望ましい。このような3次温度特性では−40℃〜+85℃もの広い動作温度範囲においても±25ppm以下の従来の如きSAWデバイスでは実現し得なかった極めて高い周波数安定度が得られる。
【0072】
SAW共振子10の周波数温度特性の変化には上述したように、IDT12における電極指18のライン占有率ηや電極膜厚H、及び溝深さGなどが関係していることが、本願発明者が行ったシミュレーションと実験に基づく知見により明らかとなった。そして本実施形態に係るSAW共振子10は、ストップバンド上端モードの励振を利用する。
【0073】
図7は、図1(C)において、電極膜厚Hを零(H=0%λ)として、即ち、水晶基板30の表面に凹凸の水晶からなる溝32を形成した状態において、水晶基板30の表面にSAWを励起して伝播させた場合のライン占有率ηの変化に対する二次温度係数βの変化を示すグラフである。図7において図7(A)は溝深さGを0.02λとした場合のストップバンド上端モードの共振における二次温度係数βを示し、図7(B)は溝深さGを0.02λとした場合のストップバンド下端モードの共振における二次温度係数βを示す。また、図7において図7(C)は溝深さGを0.04λとした場合のストップバンド上端モードの共振における二次温度係数βを示し、図7(D)は溝深さGを0.04λとした場合のストップバンド下端モードの共振における二次温度係数βを示す。なお、図7に示すシミュレーションは、周波数温度特性を変動させる因子を減らすために、電極膜を設けない水晶基板30に何らかの形でSAWを伝搬させた場合の例を示すものである。また、水晶基板30のカット角は、オイラー角(0°,123°,ψ)のものを使用した。なお、ψに関しては、二次温度係数βの絶対値が最小となる値を適宜選択している。
【0074】
図7からは、ストップバンド上端モードの場合も下端モードの場合も、ライン占有率ηが0.6〜0.7となるあたりで二次温度係数βが大きく変化していることを読み取ることができる。そして、ストップバンド上端モードにおける二次温度係数βの変化とストップバンド下端モードにおける二次温度係数βの変化とを比較すると、次のようなことを読み取ることができる。すなわち、ストップバンド下端モードにおける二次温度係数βの変化は、マイナス側からさらにマイナス側へ変化することにより特性が低下している(二次温度係数βの絶対値が大きくなっている)。これに対し、ストップバンド上端モードにおける二次温度係数βの変化は、マイナス側からプラス側へ変化することにより特性が向上している(二次温度係数βの絶対値が小さくなる点が存在している)ということである。
【0075】
このことより、SAWデバイスにおいて良好な周波数温度特性を得るためには、ストップバンド上端モードの振動を用いることが望ましいということが明らかとなった。
次に発明者は、溝深さGを種々変化させた水晶基板においてストップバンド上端モードのSAWを伝搬させた際におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係について調べた。
【0076】
図8(A)ないし(I)は、図7と同様に電極膜厚Hを零(H=0%λ)として、それぞれ溝深さGを0.01λ(1%λ)から0.08λ(8%λ)まで変化させたときのライン占有率ηと二次温度係数βとの関係をシミュレーションしたときの評価結果を示すグラフである。評価結果から、溝深さGを図8(B)に示す如く0.0125λ(1.25%λ)としたあたりからβ=0となる点、すなわち周波数温度特性を示す近似曲線が三次曲線を示す点が現れ始めていることが読み取れる。そして、図8からは、β=0となるηがそれぞれ2箇所(ηが大きな方におけるβ=0となる点(η1)や、ηが小さい方におけるβ=0となる点(η2))が存在することも判明した。更に、図8に示す評価結果から、η2の方が、η1よりも溝深さGの変化に対するライン占有率ηの変動量が大きいということも読み取ることができる。
【0077】
この点については、図9を参照することによりその理解を深めることができる。図9は、溝深さGを変えていった場合において二次温度係数βが0となるη1、η2をそれぞれプロットしたグラフである。図9は、溝深さGが大きくなるにつれて、η1、η2は互いに小さくなるが、η2の方は、縦軸ηのスケールを0.5λ〜0.9λの範囲で示したグラフにおいて、溝深さG=0.04λとなったあたりでスケールアウトしてしまうほど変動量が大きいということを読み取ることができる。つまり、η2は、溝深さGの変化に対する変動量が大きいということがいえる。
【0078】
図10(A)ないし(I)は、図7や図8と同様に電極膜厚Hを零(H=0%λ)として、図8における縦軸を二次温度係数βに替えて周波数変動量ΔFとして示したグラフである。図10からは当然に、β=0となる2つの点(η1、η2)において、周波数変動量ΔFが低下することを読み取ることができる。さらに図10からは、β=0となる2つの点では、溝深さGを変えたいずれのグラフにおいても、η1にあたる点の方が、周波数変動量ΔFが小さく抑えられているということを読み取ることができる。
【0079】
上記傾向によると、製造時に誤差が生じ易い量産品に関しては、溝深さGの変動に対するβ=0となる点の周波数変動量が少ない方、すなわちη1を採用することが望ましいと考えられる。図5には、各溝深さGにおいて二次温度係数βが最小となる点(η1)での周波数変動量ΔFと溝深さGとの関係のグラフを示す。図5によると、周波数変動量ΔFが目標値である25ppm以下となる溝深さGの下限値は、溝深さGが0.01λとなり、溝深さGの範囲はそれ以上、すなわち0.01≦Gということになる。
【0080】
なお、図5にはシミュレーションによって、溝深さGが0.08以上となる場合の例も追加した。このシミュレーションによれば溝深さGは、0.01λ以上で周波数変動量ΔFが25ppm以下となり、その後、溝深さGが増す毎に周波数変動量ΔFが小さくなる。しかし、溝深さGが約0.09λ以上となった場合に、周波数変動量ΔFは再び増加し、0.094λを越えると周波数変動量ΔFが25ppmを超えることとなる。
【0081】
図5に示すグラフは水晶基板30上に、IDT12や反射器20等の電極膜を形成していない状態でのシミュレーションであるが、詳細を以下に示す図21〜図26を参照すると解るように、SAW共振子10は電極膜を設けた方が周波数変動量ΔFを小さくすることができると考えられる。よって溝深さGの上限値を定めるとすれば電極膜を形成していない状態での最大値、すなわちG≦0.094λとすれば良く、目標を達成するために好適な溝深さGの範囲としては、
【0082】
【数19】
【0083】
と示すことができる。
【0084】
なお、量産工程において溝深さGは、最大±0.001λ程度のバラツキを持つ。よって、ライン占有率ηを一定とした場合において、溝深さGが±0.001λだけズレた場合におけるSAW共振子10の個々の周波数変動量Δfについて図11に示す。図11によれば、G=0.04λの場合において、溝深さGが±0.001λズレた場合、すなわち溝深さが0.039λ≦G≦0.041λの範囲においては、周波数変動量Δfが±500ppm程度であるということを読み取ることができる。
【0085】
ここで、周波数変動量Δfが±1000ppm未満であれば、種々の周波数微調整手段により周波数調整が可能である。しかし、周波数変動量Δfが±1000ppm以上となった場合には、周波数の調整によりQ値、CI(crystal impedance)値等の静特性や、長期信頼性への影響が生じ、SAW共振子10として良品率の低下へと繋がる。
【0086】
図11に示すプロットを繋ぐ直線について、周波数変動量Δf[ppm]と溝深さGとの関係を示す近似式を導くと、式(10)を得ることができる。
【0087】
【数20】
【0088】
ここで、Δf<1000ppmとなるGの値を求めると、G≦0.0695λとなる。したがって、本実施形態に係る溝深さGの範囲として好適には、
【0089】
【数21】
【0090】
とすることが望ましいということができる。
【0091】
次に、図12(A)ないし(F)に、二次温度係数β=0となるη、すなわち三次温度特性を示すライン占有率ηと溝深さGとの関係をシミュレーションしたときの評価結果のグラフを示す。水晶基板30は、オイラー角を(0°,123°,ψ)とした。ここでψについては、周波数温度特性が三次曲線の傾向を示す角度、すなわち二次温度係数β=0となる角度を適宜選択している。なお、図12と同様な条件において、β=0となるηを得た際のオイラー角ψと溝深さGとの関係を図34に示す。図34の電極膜厚H=0.02λのグラフ(図34(C))において、ψ<42°のプロットが表示されていないが、このグラフのη2のプロットはG=0.03λにてψ=41.9°となっている。各電極膜厚における溝深さGとライン占有率ηとの関係については、詳細を後述する図15〜図20に基づいてプロットを得ている。
【0092】
図12(A)ないし(F)に示す評価結果からは、いずれの膜厚においても、上述したように、η1はη2に比べて溝深さGの変化による変動が少ないということを読み取ることができる。このため、図12におけるそれぞれの膜厚の溝深さGとライン占有率ηとの関係を示すグラフからη1を抜き出し図13(A)にβ≒0となる点をプロットしてまとめた。それに対して、β≒0とはならずとも、|β|≦0.01を満足する領域を評価したところ、図13(B)に示す如く実線で示す多角形の中にη1が集中していることが明らかとなった。
【0093】
図13(B)の点aないしhの座標を下表1に示す。
【0094】
【表1】
【0095】
図13(B)は、点aないしhで囲まれた多角形内であれば、電極膜厚Hの厚みに係わらず|β|≦0.01が保証され、良好な周波数温度特性が得られることを示している。この良好な周波数温度特性が得られる範囲は、下に示す式(11)と式(12)、および式(13)の両方を満足する範囲である。
【0096】
【数22】
【0097】
【数23】
【0098】
【数24】
【0099】
式(11)、(12)、(13)より、図13(B)において実線で囲った範囲において、ライン占有率ηは、式(5)と式(6)の両方を満たす範囲として特定することができるといえる。
【0100】
【数25】
【0101】
【数26】
【0102】
ここで、二次温度係数βを±0.01(ppm/℃2)以内まで許容する場合、0.0100λ≦G≦0.0500λにおいては、式(3)と式(5)を共に満たし、0.0500λ≦G≦0.0695λにおいては、式(3)と式(6)を共に満たすように構成すれば、二次温度係数βが±0.01(ppm/℃2)以内になることを確認した。
【0103】
なお、点aないしhにおける各電極膜厚Hの二次温度係数βの値を下表2に示す。表2からは、全ての点において、|β|≦0.01となっていることが確認できる。
【0104】
【表2】
【0105】
また、式(11)〜(13)およびこれにより導かれる式(5)、(6)を踏まえて電極膜厚H≒0、0.01λ、0.02λ、0.03λ、0.035λとしたSAW共振子10についてそれぞれ、β=0となる溝深さGとライン占有率ηとの関係を近似直線で示すと図14のようになる。なお、電極膜を設けない水晶基板30における溝深さGとライン占有率ηとの関係については、図9に示した通りである。
【0106】
電極膜厚Hを3.0%λ(0.030λ)以下で変化させたときに、β=0、即ち、3次曲線の周波数温度特性が得られる。このとき、周波数温度特性が良好となるGとηとの関係式は式(8)で示すことができる。
【0107】
【数27】
【0108】
ここで、G、Hの単位はλである。
但し、この式(8)は、電極膜厚Hが、0<H≦0.030λの範囲において成立するものである。
【0109】
ライン占有率ηは、電極膜厚が厚いほど電気的特性(特に共振周波数)の製造ばらつきが大きくなり、電極膜厚Hが式(5)、(6)の範囲内においては±0.04以内の製造ばらつき、H>0.035λにおいては±0.04より大きい製造ばらつきが生じる可能性が大きい。しかしながら、電極膜厚Hが式(5)、(6)の範囲内であり、かつライン占有率ηのばらつきが±0.04以内であれば、二次温度係数βの小さいSAWデバイスが実現できる。即ち、ライン占有率の製造ばらつきを考慮した上で二次温度係数βを±0.01ppm/℃2以内とする場合、ライン占有率ηは、式(8)に±0.04の公差を加えた式(9)の範囲まで許容できる。
【0110】
【数28】
【0111】
図15〜図20に、電極膜厚をそれぞれ0.01λ(1%λ)、0.015λ(1.5%λ)、0.02λ(2%λ)、0.025λ(2.5%λ)、0.03λ(3%λ)、0.035λ(3.5%λ)とした場合において、溝深さGを変化させた場合におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係のグラフを示す。
【0112】
また、図21〜図26には、図15〜図20にそれぞれ対応したSAW共振子10におけるライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係のグラフを示す。なお、水晶基板はいずれもオイラー角(0°,123°,ψ)のものを使用し、ψについては適宜ΔFが最小となる角度を選択する。
【0113】
ここで、図15(A)ないし(F)は、電極膜厚Hを0.01λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図21(A)ないし(F)は電極膜厚Hを0.01λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示す図である。
【0114】
また、図16(A)ないし(F)は、電極膜厚Hを0.015λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図22(A)ないし(F)は電極膜厚Hを0.015λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示す図である。
【0115】
また、図17(A)ないし(F)は、電極膜厚Hを0.02λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図23(A)ないし(F)は電極膜厚Hを0.02λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示す図である。
【0116】
また、図18(A)ないし(F)は、電極膜厚Hを0.025λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図24(A)ないし(F)は電極膜厚Hを0.025λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示す図である。
【0117】
また、図19(A)ないし(F)は、電極膜厚Hを0.03λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図25(A)ないし(F)は電極膜厚Hを0.03λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示す図である。
【0118】
また、図20(A)ないし(F)は、電極膜厚Hを0.035λとした場合のライン占有率ηと二次温度係数βとの関係を示す図であり、図26(A)ないし(F)は電極膜厚Hを0.035λとした場合のライン占有率ηと周波数変動量ΔFとの関係を示す図である。
【0119】
これらの図(図15〜図26)においては、いずれのグラフにおいても微差はあるものの、その変化の傾向に関しては、水晶基板30のみにおけるライン占有率ηと二次温度係数β、およびライン占有率ηと周波数変動量ΔFの関係を示すグラフである図8、図10と似ていることが解る。
つまり、本実施形態に係る効果は、電極膜を除いた水晶基板30単体における弾性表面波の伝播においても奏することができるということが言える。
【0120】
二次温度係数βが0となる2点のη1、η2の各々に対して、βの範囲を|β|≦0.01まで拡張したときのη1、η2の範囲について、電極膜厚Hの範囲を定めて溝深さGを変化させた場合について、それぞれシミュレーションを実施した。なお、η1、η2はそれぞれ、|β|≦0.01となる大きい方のηをη1、|β|≦0.01となる小さい方のηをη2としている。なお、水晶基板はいずれもオイラー角(0°,123°,ψ)のものを使用し、ψについては適宜ΔFが最小となる角度を選択する。
【0121】
図27(A)は、電極膜厚Hを0.000λ<H≦0.005λとした場合において、上記βの範囲を満たすη1と溝深さGの関係を示すグラフであり、表3は、図27(A)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0122】
【表3】
【0123】
図27(A)と表3から、η1では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.09λの範囲において、計測点a−rで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0124】
図27(B)は、電極膜厚Hを0.000λ<H≦0.005λとした場合において、上記βの範囲を満たすη2と溝深さGの関係を示すグラフであり、表4は、図27(B)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0125】
【表4】
【0126】
図27(B)と表4から、η2では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.03λ≦G≦0.09λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0127】
図28(A)は、電極膜厚Hを0.005λ<H≦0.010λとした場合において、上記βの範囲を満たすη1と溝深さGの関係を示すグラフであり、表5は、図28(A)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0128】
【表5】
【0129】
図28(A)と表5から、η1では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.08λの範囲において、計測点a−pで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0130】
図28(B)は、電極膜厚Hを0.005λ<H≦0.010λとした場合において、上記βの範囲を満たすη2と溝深さGの関係を示すグラフであり、表6は、図28(B)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0131】
【表6】
【0132】
図28(B)と表6から、η2では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.02λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−lで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0133】
図29(A)は、電極膜厚Hを0.010λ<H≦0.015λとした場合において、上記βの範囲を満たすη1と溝深さGの関係を示すグラフであり、表7は、図29(A)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0134】
【表7】
【0135】
図29(A)と表7から、η1では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.08λの範囲において、計測点a−pで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0136】
図29(B)は、電極膜厚Hを0.010λ<H≦0.015λとした場合において、上記βの範囲を満たすη2と溝深さGの関係を示すグラフであり、表8は、図29(B)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0137】
【表8】
【0138】
図29(B)と表8から、η2では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0139】
図30(A)は、電極膜厚Hを0.015λ<H≦0.020λとした場合において、上記βの範囲を満たすη1と溝深さGの関係を示すグラフであり、表9は、図30(A)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0140】
【表9】
【0141】
図30(A)と表9から、η1では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0142】
図30(B)は、電極膜厚Hを0.015λ<H≦0.020λとした場合において、上記βの範囲を満たすη2と溝深さGの関係を示すグラフであり、表10は、図30(B)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0143】
【表10】
【0144】
図30(B)と表10から、η2では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0145】
図31(A)は、電極膜厚Hを0.020λ<H≦0.025λとした場合において、上記βの範囲を満たすη1と溝深さGの関係を示すグラフであり、表11は、図31(A)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0146】
【表11】
【0147】
図31(A)と表11から、η1では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0148】
図31(B)は、電極膜厚Hを0.020λ<H≦0.025λとした場合において、上記βの範囲を満たすη2と溝深さGの関係を示すグラフであり、表12は、図31(B)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0149】
【表12】
【0150】
図31(B)と表12から、η2では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0151】
図32(A)は、電極膜厚Hを0.025λ<H≦0.030λとした場合において、上記βの範囲を満たすη1と溝深さGの関係を示すグラフであり、表13は、図32(A)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0152】
【表13】
【0153】
図32(A)と表13から、η1では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0154】
図32(B)は、電極膜厚Hを0.025λ<H≦0.030λとした場合において、上記βの範囲を満たすη2と溝深さGの関係を示すグラフであり、表14は、図32(B)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0155】
【表14】
【0156】
図32(B)と表14から、η2では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0157】
図33(A)は、電極膜厚Hを0.030λ<H≦0.035λとした場合において、上記βの範囲を満たすη1と溝深さGの関係を示すグラフであり、表15は、図33(A)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0158】
【表15】
【0159】
図33(A)と表15から、η1では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0160】
図33(B)は、電極膜厚Hを0.030λ<H≦0.035λとした場合において、上記βの範囲を満たすη2と溝深さGの関係を示すグラフであり、表16は、図33(B)に示す範囲を定めるための主要な計測点の座標(G/λ、η)と、当該計測点におけるβの値を示す表である。
【0161】
【表16】
【0162】
図33(B)と表16から、η2では電極膜厚Hが上記範囲内である場合、溝深さGが0.01λ≦G≦0.07λの範囲において、計測点a−nで囲まれた領域内では、βが上記要件を満たすということを読み取ることができる。
【0163】
図35に、図34に示すグラフにおけるη1によって得られるψと溝深さGとの関係をまとめた。なお、η1を選択した理由については上述した通りである。図35に示すように、電極膜の膜厚が変化した場合であっても、ψの角度には殆ど違いは無く、ψの最適角度は溝深さGの変動にしたがって変化して行くことが解る。これも、二次温度係数βの変化が水晶基板30の形態に起因する割合が高いことの裏付けということができる。
【0164】
上記と同様にして、二次温度係数β=−0.01(ppm/℃2)となるψとβ=+0.01(ppm/℃2)となるψについて溝深さGとの関係を求め、図36、図37にまとめた。これらのグラフ(図35〜図37)から−0.01≦β≦+0.01とすることのできるψの角度を求めると、上記条件下における好適なψの角度範囲は43°<ψ<45°と定めることができ、さらに好適には43.2°≦ψ≦44.2と定めることができる。
【0165】
なお、電極膜厚Hを変化させた場合において、溝深さGを変化させた際に|β|≦0.01の要件を満たすψの範囲についてシミュレーションを行った。そのシミュレーションの結果を、図38〜図44に示す。なお、水晶基板はいずれもオイラー角(0°,123°,ψ)のものを使用し、ψについては適宜ΔFが最少となる角度を選択する。
【0166】
図38(A)は、電極膜厚Hの範囲を0<H≦0.005λとした場合において、|β|≦0.01の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
【0167】
溝深さGを0.01λ≦G≦0.0695λの範囲として、図38(A)に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図38(B)のように示すことができ、図38(B)において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図38(B)に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式(14)、(15)で示すことができる。
【0168】
【数29】
【0169】
【数30】
【0170】
図39(A)は、電極膜厚Hの範囲を0.005λ<H≦0.010λとした場合において、|β|≦0.01の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
【0171】
溝深さGを0.01λ≦G≦0.0695λの範囲として、図39(A)に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図29(B)のように示すことができ、図39(B)において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図39(B)に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式(16)、(17)で示すことができる。
【0172】
【数31】
【0173】
【数32】
【0174】
図40(A)は、電極膜厚Hの範囲を0.010λ<H≦0.015λとした場合において、|β|≦0.01の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
【0175】
溝深さGを0.01λ≦G≦0.0695λの範囲として、図40(A)に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図40(B)のように示すことができ、図40(B)において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図40(B)に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式(18)、(19)で示すことができる。
【0176】
【数33】
【0177】
【数34】
【0178】
図41(A)は、電極膜厚Hの範囲を0.015λ<H≦0.020λとした場合において、|β|≦0.01の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
【0179】
溝深さGを0.01λ≦G≦0.0695λの範囲として、図41(A)に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図41(B)のように示すことができ、図41(B)において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図41(B)に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式(20)、(21)で示すことができる。
【0180】
【数35】
【0181】
【数36】
【0182】
図42は、電極膜厚Hの範囲を0.020λ<H≦0.025λとした場合において、|β|≦0.01の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
【0183】
溝深さGを0.01λ≦G≦0.0695λの範囲として、図42に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図42(B)のように示すことができ、図42(B)において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図42(B)に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式(22)〜(24)で示すことができる。
【0184】
【数37】
【0185】
【数38】
【0186】
【数39】
【0187】
図43(A)は、電極膜厚Hの範囲を0.025λ<H≦0.030λとした場合において、|β|≦0.01の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
【0188】
溝深さGを0.01λ≦G≦0.0695λの範囲として、図43(A)に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図43(B)のように示すことができ、図43(B)において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図43(B)に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式(25)〜(27)で示すことができる。
【0189】
【数40】
【0190】
【数41】
【0191】
【数42】
【0192】
図44(A)は、電極膜厚Hの範囲を0.030λ<H≦0.035λとした場合において、|β|≦0.01の要件を満たすψの範囲を示すグラフである。ここで、ψの最大値を示すプロットを結ぶ直線と、ψの最小値を示すプロットを結ぶ破線とで挟まれた範囲が、上記条件を満たす範囲である。
【0193】
溝深さGを0.01λ≦G≦0.0695λの範囲として、図44(A)に示す実線と破線の範囲を多角形状で近似すると、図44(B)のように示すことができ、図44(B)において実線で示される多角形の内側にあたる範囲では、βが上記条件を満たすといえる。図44(B)に示される多角形の範囲を近似式で示すと、式(28)〜(30)で示すことができる。
【0194】
【数43】
【0195】
【数44】
【0196】
【数45】
【0197】
次に、図45にθの角度を振った際の二次温度係数βの変化、すなわちθと二次温度係数βとの関係を示す。ここで、シミュレーションに用いたSAWデバイスは、カット角とSAW伝搬方向をオイラー角表示で(0,θ,ψ)とし、溝深さGを0.04λとした水晶基板であり、電極膜厚Hは0.02λとしている。なお、ψに関しては、θの設定角度に基づいて、上述した角度範囲内において、適宜二次温度係数βの絶対値が最小となる値を選択した。また、ηに関しては、上記式(8)に従って、0.6383とした。
【0198】
このような条件の下、θと二次温度係数βとの関係を示す図45からは、θが117°以上142°以下の範囲内であれば、二次温度係数βの絶対値が0.01(ppm/℃2)の範囲内にあることを読み取ることができる。よって、上記のような設定値において、θを117°≦θ≦142°の範囲で定めることによれば、良好な周波数温度特性を持ったSAW共振子10を構成することができると言える。
【0199】
θと二次温度係数βとの関係を裏付けるシミュレーションデータとして、表17〜19を示す。
【0200】
【表17】
【0201】
表17は、電極膜厚Hを変えた場合におけるθと二次温度係数βとの関係を示す表であり、電極膜厚Hを0.01%λとした場合と、電極膜厚Hを3.50%λとした場合におけるθの臨界値(117°、142°)での二次温度係数βの値を示す。なお、このシミュレーションにおける溝深さGは、いずれも4%λである。表17からは、117°≦θ≦142°の範囲では、電極膜厚Hの厚みを変えた場合(電極膜厚の臨界値として規定した0≒0.01%λと3.5%λ)であっても、その厚みに依存すること無く|β|≦0.01を満足するということを読み取ることができる。
【0202】
【表18】
【0203】
表18は、溝深さGを変えた場合におけるθと二次温度係数βとの関係を示す表であり、溝深さGを1.00%λと6.95%λとした場合におけるθの臨界値(117°、142°)での二次温度係数βの値を示す。なお、このシミュレーションにおける電極膜厚Hは、いずれも2.00%λである。表18からは、117°≦θ≦142°の範囲では、溝深さGを変えた場合(溝深さGの臨界値として規定した1.00%λと6.95%λ)であっても、その深さに依存すること無く|β|≦0.01を満足するということを読み取ることができる。
【0204】
【表19】
【0205】
表19は、ライン占有率ηを変えた場合におけるθと二次温度係数βとの関係を示す表であり、ライン占有率ηを0.62と0.76とした場合におけるθの臨界値(117°、142°)での二次温度係数βの値を示す。なお、このシミュレーションにおける電極膜厚Hは、いずれも2.00%λであり、溝深さGは、いずれも4.00%λである。表19からは、117°≦θ≦142°の範囲では、ライン占有率ηを変えた場合(η=0.62、0.76は、電極膜厚Hを0.020λ〜0.025λの範囲としてライン占有率η(η1)と溝深さGの関係を示した図31(A)において、溝深さを4%λとした場合におけるηの最小値と最大値)であっても、その値に依存すること無く|β|≦0.01を満足するということを読み取ることができる。
【0206】
図46は、オイラー角表示で(φ,123°,43.77°)の水晶基板30を用い、溝深さGを0.04λ、電極膜厚Hを0.02λ、及びライン占有率ηを0.65とした場合において、φの角度と二次温度係数βとの関係を示すグラフである。
【0207】
図46からは、φが−2°、+2°の場合にはそれぞれ二次温度係数βが−0.01よりも低くなってしまっているが、φが−1.5°から+1.5°の範囲であれば確実に、二次温度係数βの絶対値が0.01の範囲内にあることを読み取ることができる。よって、上記のような設定値においてφを−1.5°≦φ≦+1.5°、好適には−1°≦φ≦+1°の範囲で定めることによれば、良好な周波数温度特性を持ったSAW共振子10を構成することができる。
【0208】
上記説明では、φ、θ、ψはそれぞれ、一定条件の下に溝深さGとの関係において最適値の範囲を導き出している。これに対し、図47では、−40℃〜+85℃における周波数変動量が最小となる非常に望ましいθとψの関係を示しており、その近似式を求めている。図47によれば、ψの角度は、θの角度上昇に伴って変化し、三次曲線を描くように上昇する。なお、図47の例では、θ=117°とした場合のψは42.79°であり、θ=142°とした場合のψは49.57°である。これらのプロットを近似曲線として示すと図47中破線で示す曲線となり、近似式としては式(31)で示すことができる。
【0209】
【数46】
【0210】
このことより、ψはθが定まることにより定めることができ、θの範囲を117°≦θ≦142°とした場合におけるψの範囲は42.79°≦ψ≦49.57°とすることができる。なお、シミュレーションにおける溝深さG、電極膜厚Hはそれぞれ、G=0.04λ、H=0.02λとした。
【0211】
上記のような理由により、本実施形態において種々定めた条件によりSAW共振子10を構成することによれば、目標値を満たす良好な周波数温度特性を実現可能なSAW共振子とすることができる。
【0212】
また、本実施形態に係るSAW共振子10では、式(7)や図15〜図26に示したように、電極膜の膜厚Hを0<H≦0.035λの範囲とした上で周波数温度特性の改善を図っている。これは、従来のように膜厚Hを極度に厚くして周波数温度特性の改善を図るものとは異なり、耐環境特性を維持したまま周波数温度特性の改善を実現するものである。図54に、ヒートサイクル試験における電極膜厚(Al電極膜厚)と周波数変動との関係を示す。なお、図54に示したヒートサイクル試験の結果は、−55℃雰囲気下においてSAW共振子を30分間晒した上で雰囲気温度+125℃まで上昇させて30分晒すというサイクルを8回続けた後のものである。図54からは、電極膜厚Hを0.06λにし、かつ電極指間溝を設けない場合に比べ、本実施形態に係るSAW共振子10の電極膜厚Hの範囲では、周波数変動(F変動)が、1/3以下になっていることを読み取ることができる。なお、図54は何れのプロットもH+G=0.06λとしている。
【0213】
また、図54と同じ条件で製造されたSAW共振子について、125℃雰囲気に1000時間放置する高温放置試験を行ったところ、従来のSAW共振子(H=0.06λかつG=0)に比べ、本実施形態に係るSAW共振子(H=0.03λかつG=0.03λ、H=0.02λかつG=0.04λ、H=0.015λかつG=0.045λ、H=0.01λかつG=0.05λの4条件)の試験前後の周波数変動量が1/3以下になることを確認した。
【0214】
上記のような条件の下、H+G=0.067λ(アルミ膜厚2000Å、溝深さ4700Å)、IDTのライン占有率ηi=0.6、反射器のライン占有率ηr=0.8、オイラー角(0°,123°,43.5°)、IDTの対数120対、交差幅40λ(λ=10μm)、反射器本数(片側あたり)72本(36対)、電極指の傾斜角度なし(電極指の配列方向とSAWの位相速度方向が一致)、といった条件で製造されたSAW共振子10では、図48に示すような周波数温度特性を示すこととなる。
【0215】
図48は、試験片個数n=4個による周波数温度特性をプロットしたものである。図48によれば、これらの試験片による動作温度範囲内における周波数変動量ΔFは約20ppm以下に抑制されていることを読み取ることができる。
【0216】
本実施形態では溝深さGや電極膜厚H等による周波数温度特性への影響を説明してきた。しかし溝深さGと電極膜厚Hを合わせた深さ(段差)は、等価回路定数やCI値等の静特性やQ値にも影響を与える。例えば図49、段差を0.062λ〜0.071λまで変化させた場合における段差とCI値との関係を示すグラフである。図49によればCI値は、段差を0.067λとした時に収束し、段差をそれ以上大きくした場合であっても良化しない(低くならない)ということを読み取ることができる。
【0217】
図48に示すような周波数温度特性を示すSAW共振子10における周波数と等価回路定数、および静特性を図50にまとめた。ここで、Fは周波数、QはQ値、γは容量比、CIはCI(クリスタルインピーダンス:Crystal Impedance)値、Mは性能指数(フィギュアオブメリット:Figure of Merit)をそれぞれ示す。
【0218】
また、図52には、従来のSAW共振子と、本実施形態に係るSAW共振子10における段差とQ値との関係を比較するためのグラフを示す。なお、図52においては、太線で示すグラフが本実施形態に係るSAW共振子10の特性を示すものであり、電極指間に溝を設け、かつストップバンド上端モードの共振を用いたものである。細線で示すグラフが従来のSAW共振子の特性を示すものであり、電極指間に溝を設けずにストップバンド上端モードの共振を用いたものである。図52から明らかなように、電極指間に溝を設け、かつストップバンド上端モードの共振を用いると、段差(G+H)が0.0407λ(4.07%λ)以上の領域において、電極指間に溝を設けずにストップバンド下端モードの共振を用いた場合よりも高いQ値が得られる。
【0219】
なお、シミュレーションに係るSAW共振子の基本データは以下の通りである。
・本実施形態に係るSAW共振子10の基本データ
H:0.02λ
G:変化
IDTライン占有率ηi:0.6
反射器ライン占有率ηr:0.8
オイラー角(0°,123°,43.5°)
対数:120
交差幅:40λ(λ=10μm)
反射器本数(片側あたり):60
電極指の傾斜角度なし
・従来のSAW共振子の基本データ
H:変化
G:ゼロ
IDTライン占有率ηi:0.4
反射器ライン占有率ηr:0.3
オイラー角(0°,123°,43.5°)
対数:120
交差幅:40λ(λ=10μm)
反射器本数(片側あたり):60
電極指の傾斜角度なし
【0220】
これらのSAW共振子の特性を比較するため図50や図52を参照すると、本実施形態に係るSAW共振子10が、いかに高Q化されているかを理解することができる。このような高Q化は、エネルギー閉じ込め効果の向上によるものであると考えられ、以下の理由による。
【0221】
ストップバンドの上端モードで励振した弾性表面波を効率良くエネルギー閉じ込めするためには、図53のように、IDT12のストップバンド上端の周波数ft2を、反射器20のストップバンド下端の周波数fr1と反射器20のストップバンド上端の周波数fr2との間に設定すれば良い。即ち、
【0222】
【数47】
【0223】
の関係を満たすように設定すれば良い。これにより、IDT12のストップバンド上端の周波数ft2において、反射器20の反射係数Γが大きくなり、IDT12から励振されたストップバンド上端モードのSAWが、反射器20にて高い反射係数でIDT12側に反射されるようになる。そしてストップバンド上端モードのSAWのエネルギー閉じ込めが強くなり、低損失な共振子を実現することができる。
【0224】
これに対し、IDT12のストップバンド上端の周波数ft2と反射器20のストップバンド下端の周波数fr1、反射器20のストップバンド上端の周波数fr2との関係をft2<fr1の状態やfr2<ft2の状態に設定してしまうと、IDT12のストップバンド上端周波数ft2において反射器20の反射係数Γが小さくなってしまい、強いエネルギー閉じ込め状態を実現することが困難になってしまう。
【0225】
ここで、式(32)の状態を実現するためには、反射器20のストップバンドをIDT12のストップバンドよりも高域側へ周波数シフトする必要がある。具体的には、IDT12の電極指18の配列周期よりも、反射器20の導体ストリップ22の配列周期を小さくすることで実現できる。
また、IDT12の電極指間溝の深さよりも反射器20の導体ストリップ22間溝の深さを深くしたり、IDT12の電極指18の膜厚よりも反射器20の導体ストリップ22の膜厚を厚くしたりすることによっても、高Q化を図ることができる。
【0226】
図59、60は、それぞれ実施形態に係るSAWデバイスの他の構成例を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
図59に示すSAW共振子10では、反射器20に導体ストリップ22の膜厚と、IDT12の電極指18の膜厚とが、ほぼ等しくなっている。一方、反射器20の導体ストリップ22間に設けられる溝322の深さが、IDT12の電極指18間に設けられる溝321の深さより深くなっている。このようにすることで、反射器20の反射特性が向上するとともに、IDT12の電気機械結合係数の向上が図られる。その結果、SAW共振子10におけるQ値の向上とCI値の低下とを高度に両立することができる。
【0227】
ここで、反射器20の導体ストリップ22の膜厚をHmR、導体ストリップ22間に設けられる溝322の深さをHgRとし、IDT12の電極指18の膜厚をHmT、電極指18間に設けられる溝321の深さをHgTとする。また、電極指18の膜厚は、その機能を考慮するとき、隣接する溝321の底から電極指18の上面までの長さ(距離)とみなすことができるので、電極指18の膜厚HmTと溝321の深さHgTとの和を弾性表面波の波長λで除したものを、電極指18の「実効膜厚HT/λ」と定義する。同様に、導体ストリップ22の膜厚は、その機能を考慮するとき、隣接する溝322の底から導体ストリップ22の上面までの長さ(距離)とみなすことができるので、導体ストリップ22の膜厚HmRと溝322の深さHgRとの和を弾性表面波の波長λで除したものを、導体ストリップ22の「実効膜厚HR/λ」と定義する。
このとき、図59に示すSAW共振子10は、
HT/λ<HR/λ ・・・(33)
の関係を満たすよう構成されている。
【0228】
SAW共振子10が上記のような関係を満たすことにより、導体ストリップ22の実効膜厚HRの増大とともに反射器20の反射特性が向上してストップバンド上端モードのSAWのエネルギー閉じ込め効果がより顕著になり、Q値のさらなる向上が図られる。また、相対的にIDT12の電極指18の実効膜厚HTは減少するため、IDT12の電気機械結合係数を高めることができ、CI値をさらに下げることができる。
【0229】
なお、図59に示すSAW共振子10では、前述したように、反射器20の導体ストリップ22の膜厚HmRと、IDT12の電極指18の膜厚HmTとがほぼ等しい(HmT/λ=HmR/λ)ので、上記式(33)を満たすためには、導体ストリップ22間に設けられる溝322の深さHgRと、電極指18間に設けられる溝321の深さHgTとの間に、
HgT/λ<HgR/λ ・・・(34)
の関係が存在している必要がある。
一方、図60に示すSAW共振子10も、上記式(33)の関係を満たすものの、その構成は図59と若干異なる。
【0230】
図60に示すSAW共振子10では、導体ストリップ22間に設けられる溝322の深さHgRと、電極指18間に設けられる溝321の深さHgTとがほぼ等しい(HgT/λ=HgR/λ)ので、上記式(33)を満たすためには、反射器20の導体ストリップ22の膜厚HmRと、IDT12の電極指18の膜厚HmTとの間に、
HmT/λ<HmR/λ ・・・(35)
の関係が存在している必要がある。
図59および図60のいずれに示すSAW共振子10においても、高Q化と低CI化の両立を図ることができる。
【0231】
また、図59に示すSAW共振子10の場合、導体ストリップ22および電極指18の膜厚が等しいので、これらを形成するとき、単一膜厚の導電膜を成膜すればよく、製造容易性が高くなる。
一方、図60に示すSAW共振子10の場合、溝322および溝321の深さが等しいので、これらを例えばエッチング法等で形成するとき、単一条件でエッチングを行えばよく、製造容易性が高くなる。
なお、反射器20の導体ストリップ22の本数は、特に限定されないものの、例えば、10〜500本程度であるのが好ましく、20〜400本程度であるのがより好ましい。
【0232】
また、反射器20に設けられる複数の導体ストリップ22の膜厚HmRは、複数の導体ストリップ22間でほぼ等しいのが好ましい。これは、複数の電極指18間の膜厚HmT、複数の溝322間の深さHgR、および複数の溝321間の深さHgTについても同様である。
さらに、上記式(33)を満たすためには、HmT/λ>HmR/λであって、かつ、その大小関係を反転させる程度に、HgT/λ<HgR/λの関係の方が強いという構成のSAW共振子10であってもよい。同様に、HgT/λ>HgR/λであって、かつ、その大小関係を反転させる程度に、HmT/λ<HmR/λの関係の方が強いという構成のSAW共振子10であってもよい。
【0233】
なお、図50によれば、高Q化の他、高いフィギュアオブメリットMを得ることができているということができる。また、図51は、図50を得たSAW共振子におけるインピーダンスZと周波数との関係を示すグラフである。図51からは、共振点付近に無用なスプリアスが存在していないことを読み取ることができる。
【0234】
上記実施形態では、SAW共振子10を構成するIDT12はすべての電極指が交互に交差しているように示した。しかし、本発明にかかるSAW共振子10は、その水晶基板のみによっても相当な効果を奏することができる。このため、IDT12における電極指18を間引きした場合であっても、同様な効果を奏することができる。
【0235】
また、溝32に関しても、電極指18間や反射器20の導体ストリップ22間に部分的に設けるようにしても良い。特に、振動変位の高いIDT12の中央部は周波数温度特性に支配的な影響を与えるため、その部分のみに溝32を設ける構造としても良い。このような構造であっても、周波数温度特性が良好なSAW共振子10とすることができる。
【0236】
また、上記実施形態では、電極膜としてAlまたはAlを主体とする合金を用いる旨記載した。しかしながら、上記実施形態と同様な効果を奏することのできる金属であれば、他の金属材料を用いて電極膜を構成しても良い。
【0237】
また、上記実施形態はIDTを一つだけ設けた一端子対SAW共振子であるが、本発明はIDTを複数設けた二端子対SAW共振子にも適用可能であり、縦結合型や横結合型の二重モードSAWフィルタや多重モードSAWフィルタにも適用可能である。
【0238】
図61は、(a)IDT12の電極指18の段差(HmT+HgT)を横軸に、Q値を縦軸にとり、実効膜厚HTを変化させたときのQ値の変化の推移を示すグラフ、および、(b)段差(HmT+HgT)を横軸に、電気機械結合係数を縦軸にとり、実効膜厚HTを変化させたときの電気機械結合係数の変化の推移を示すグラフである。
図61から明らかなように、SAW共振子10では、実効膜厚HTの増大とともに、Q値が上昇するものの、相対的に電気機械結合係数が低下するためCI値が上昇してしまう。
【0239】
そこで、SAW共振子10が上記式(33)を満たすように構成されることにより、実効膜厚HTを適度に減少させ、高Q化と低CI化とを高度に両立することが可能になる。
図61の例では、例えば、電極指18の実効膜厚HTが5.5%λに抑えられると、Q値が約15000と高く、かつ、電気機械結合係数が約0.056%も高くなるから、高Q化と低CI化とを両立し得ることが読み取れる。
【0240】
<第2実施形態>
次に、本発明の弾性表面波共振子に係る第2の実施形態について説明する。
図62は、実施形態に係るSAWデバイスの第2の実施形態を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
以下、第2の実施形態について説明するが、第1の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【0241】
図62に示すSAW共振子10は、反射器(反射手段)20の導体ストリップが省略された以外は、図59に示すSAW共振子10と同様である。すなわち、図62に示すSAW共振子10の反射器20は、水晶基板30の上面を窪ませるようにして形成された複数の溝322で構成されている。このような本実施形態では、反射器20における導体ストリップの形成が省略されているため、反射器20の製造容易性を高めることができる。また、導体ストリップの形成に伴う反射器20の特性バラツキを抑制することができる。
【0242】
ここで、溝322の深さHgR、IDT12の電極指18の膜厚HmT、および電極指18間に設けられる溝321の深さHgTは、以下の関係を満たしている。
電極指18の膜厚HmTと溝321の深さHgTとの和を弾性表面波の波長λで除したものを、電極指18の「実効膜厚HT/λ」と定義すると、図62に示すSAW共振子10は、
HT/λ<HgR/λ ・・・(36)
の関係を満たすように構成されている。
【0243】
SAW共振子10が上記のような関係を満たすことにより、導体ストリップが省略されていても反射器20の反射特性が向上してストップバンド上端モードのSAWのエネルギー閉じ込め効果がより顕著になり、Q値のさらなる向上が図られる。また、相対的にIDT12の電極指18の実効膜厚HTは減少するため、IDT12の電気機械結合係数を高めることができ、CI値をさらに下げることができる。
なお、本実施形態に係るSAW共振子10は、第1の実施形態に係るSAW共振子10と同様の作用・効果を奏する。
【0244】
また、図63は、図62に示すSAW共振子10の他の構成例を示す図である。
図63に示すSAW共振子10は、溝322が1本であり、かつこの溝322の深さが図62に比べて十分に深くなっている。このような十分な深さを有する溝322は、たとえ1本であっても、複数の溝322と同様の反射特性を有するものとなる。このため、反射器20の製造にあたって、単に深さの深い溝322を形成しさえすればよいことから、その製造容易性を格段に高めることができる。
このとき、溝322の深さHgRは、3λ以上であるのが好ましく、6λ以上であるのがより好ましい。これにより、溝322は、1本であっても必要かつ十分な反射特性を有するものとなる。
【0245】
<第3実施形態>
次に、本発明の弾性表面波共振子に係る第3の実施形態について説明する。
図64は、実施形態に係るSAWデバイスの第3の実施形態を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
以下、第3の実施形態について説明するが、第1の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【0246】
図64に示すSAW共振子10は、反射器(反射手段)20の導体ストリップ22間に設けられる溝が省略された以外は、図59に示すSAW共振子10と同様である。すなわち、図64に示すSAW共振子10の反射器20は、水晶基板30上に形成された複数の導体ストリップ22で構成されている。このような本実施形態では、反射器20における溝の形成が省略されているため、反射器20の製造容易性を高めることができる。また、溝の形成に伴う反射器20の特性バラツキを抑制することができる。
【0247】
ここで、導体ストリップ22の膜厚HmR、IDT12の電極指18の膜厚HmT、および電極指18間に設けられる溝321の深さHgTは、以下の関係を満たしている。
電極指18の膜厚HmTと溝321の深さHgTとの和を弾性表面波の波長λで除したものを、電極指18の「実効膜厚HT/λ」と定義すると、図64に示すSAW共振子10は、
HT/λ<HmR/λ ・・・(37)
の関係を満たすように構成されている。
【0248】
SAW共振子10が上記のような関係を満たすことにより、溝が省略されていても反射器20の反射特性が向上してストップバンド上端モードのSAWのエネルギー閉じ込め効果がより顕著になり、Q値のさらなる向上が図られる。また、相対的にIDT12の電極指18の実効膜厚HTは減少するため、IDT12の電気機械結合係数を高めることができ、CI値をさらに下げることができる。
なお、本実施形態に係るSAW共振子10は、第1の実施形態に係るSAW共振子10と同様の作用・効果を奏する。
【0249】
<第4実施形態>
次に、本発明の弾性表面波共振子に係る第4の実施形態について説明する。
図65は、実施形態に係るSAWデバイスの第4の実施形態を示す図であって、部分拡大断面を示す図である。
以下、第4の実施形態について説明するが、第1の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【0250】
図65に示すSAW共振子10は、反射器(反射手段)20が水晶基板30の端面で構成されている以外は、図59に示すSAW共振子10と同様である。このような本実施形態では、単に水晶基板30に平滑性の高い端面を形成するのみで、反射器20を形成することができるので、反射器20の製造容易性がとりわけ高くなる。また、溝や導体ストリップの形成が不要なので、これらの形成に伴う反射器20の特性バラツキを抑制するとともに、SAW共振子10の小型化を図ることができる。
【0251】
図65には、水晶基板30の端面30a、30bが、IDT12を挟むように位置しており、両端面30a、30bは互いに平行である。また、両端面30a、30bは、IDT12の電極指18とも平行になるよう構成されている。
反射特性の観点から、両端面30a、30bの平滑性はできるだけ高いことが好ましく、また水晶基板30の上面に対して垂直であるのが好ましい。
なお、各端面30a、30bのIDT12からの離間距離は、弾性表面波の波長λに応じて設定されるが、例えば、電極指18の中心からλ/2の整数倍となるよう設定される。
【0252】
[弾性表面波発振器]
次に、本発明に係るSAW発振器について、図55を参照して説明する。本発明に係るSAW発振器は図55に示すように、上述したSAW共振子10と、このSAW共振子10のIDT12に電圧を印加して駆動制御するIC(integrated circuit)50と、これらを収容するパッケージとから成る。なお、図55において、図55(A)はリッドを除いた平面図であり、図55(B)は、同図(A)におけるA−A断面を示す図である。
【0253】
実施形態に係るSAW発振器100では、SAW共振子10とIC50とを同一のパッケージ56に収容し、パッケージ56の底板56aに形成された電極パターン54a〜54gとSAW共振子10の櫛歯状電極14a,14b、およびIC50のパッド52a〜52fとを金属ワイヤー60により接続している。そして、SAW共振子10とIC50とを収容したパッケージ56のキャビティーは、リッド58により気密に封止している。このような構成とすることで、IDT12(図1参照)とIC50、及びパッケージ56の底面に形成された図示しない外部実装電極とを電気的に接続することができる。
【0254】
よって、近年の情報通信の高速化によるリファレンスクロックの高周波化に加え、ブレードサーバーをはじめとする筐体の小型化に伴い、内部発熱の影響が大きくなり、内部に搭載される電子デバイスに求められる動作温度範囲の拡大や高精度化の要求、更には、屋外に設置される無線基地局など低温から高温の環境において、長期に亘って安定した動作が必要とされている市場において、本発明に係るSAW発振器は、動作温度範囲(使用温度範囲:−40℃〜+85℃)で周波数変動量が約20(ppm)以下という極めて良好な周波数温度特性を有しているので好適である。
【0255】
[電子機器]
本発明に係るSAW共振子あるいは当該SAW共振子を備えたSAW発振器は、周波数温度特性の大幅な改善を実現しているので、例えば、特開2007−333500号公報、特開2007−93213号公報等に開示されている圧力センサー、特開2008−286520号公報等に開示されている加速度センサー、特開2008−286521号公報等に開示されている回転速度センサー等に適用されることで、信頼性の高い各種センサー(電子機器)の実現に寄与する。
【0256】
また、本発明に係るSAW共振子あるいは当該SAW共振子を備えたSAW発振器は、周波数温度特性の大幅な改善を実現しているので、例えば、携帯電話,ハードディスク,パーソナルコンピューター,BSおよびCS放送を受信するチューナー,同軸ケーブル中を伝播する高周波信号または光ケーブル中を伝播する光信号を処理する機器,広い温度範囲にて高周波・高精度クロック(低ジッタ、低位相雑音)を必要とされるサーバー・ネットワーク機器や無線通信用機器などの電子機器において、極めて良好な周波数温度特性と共に、ジッタ特性、位相ノイズ特性に優れた製品を実現することに大きく寄与し、さらなるシステムの信頼性と品質の向上に大きく貢献することは言うまでもない。
【0257】
以上、説明したように、本発明に係るSAW共振子は、図48で示す如く動作温度範囲(使用温度範囲:−40℃〜+85℃)内に変曲点を有しているので、3次曲線若しくは3次曲線に近い周波数変動量の極めて小さい、約20ppm以下という周波数温度特性を実現できた。
【0258】
図56(A)は、特開2006−203408号に開示されているSAW共振子の周波数温度特性を示すグラフである。周波数温度特性が3次曲線を示しているが、ご覧のとおり変極点が動作温度範囲(使用温度範囲:−40℃〜+85℃)を超えた領域に存在しているため、実質的には図56(B)に示す如く上に凸の頂点を有する2次曲線となる。このため、周波数変動量は100(ppm)という極めて大きな値となっている。
【0259】
それに対して、本発明に係るSAW共振子は、動作温度範囲内で3次曲線もしくは3次曲線に近い周波数変動量とし、周波数変動量を飛躍的に小さくすることを実現したのである。IDTおよび反射器に保護膜を被覆したSAW共振子における動作範囲内の周波数変動量の変化について、図57、および図58に示す。
【0260】
図57に示す例は、電極に対して保護膜としてのアルミナを皮膜した場合における動作温度範囲内における周波数変動量を示す図である。図57によれば、動作温度範囲内における周波数変動量は、10(ppm)以下とすることができることを読み取ることができる。
【0261】
・図57に示す例に係るSAW共振子の基本データ
H(材質:アルミ):2000(Å)
G:4700(Å)
(H+G=0.067)
IDTライン占有率ηi:0.6
反射器ライン占有率ηr:0.8
オイラー角(0°,123°,43.5°)の面内回転STカット基板
対数:120
交差幅:40λ(λ=10(μm))
反射器本数(片側あたり):36
電極指の傾斜角度なし
保護膜(アルミナ)の膜厚:400(Å)
二次温度係数β=+0.0007(ppm/℃2)
【0262】
図58に示す例は、電極に対して保護膜としてのSiO2を皮膜した場合における動作温度範囲内における周波数変動量を示す図である。図58によれば、動作温度範囲内における周波数変動量は、20(ppm)以下とすることができることを読み取ることができる。
・図58に示す例に係るSAW共振子の基本データ
H(材質:アルミ):2000(Å)
G:4700(Å)
(H+G=0.067)
IDTライン占有率ηi:0.6
反射器ライン占有率ηr:0.8
オイラー角(0°,123°,43.5°)の面内回転STカット基板
対数:120
交差幅:40λ(λ=10(μm))
反射器本数(片側あたり):36
電極指の傾斜角度なし
保護膜(SiO2)の膜厚:400(Å)
二次温度係数β=+0.0039(ppm/℃2)
【0263】
以上、本発明の弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明の弾性表面波共振子は、前述した各実施形態を組み合わせたものでもよい。例えば、反射器(反射手段)は、導体ストリップのみを形成した領域、溝のみを形成した領域、この双方を形成した領域等が混在したものであってもよい。また、これに、十分に深い溝や反射端面を組み合わせたものでもよい。
【符号の説明】
【0264】
1……ウェーハ 10……SAW共振子(弾性表面波共振子) 12……IDT(正規型IDT) 12a……傾斜型IDT 14a、14b……櫛歯状電極 16a、16b……バスバー 18、18a、18b……電極指 2……面 20……反射器 22……導体ストリップ 30……水晶基板 30a、30b……端面 32、321、322……溝 50……IC 52a〜52f……パッド 54a〜54g……電極パターン 56……パッケージ 56a……底板 58……リッド 60……金属ワイヤー 100……SAW発振器
【特許請求の範囲】
【請求項1】
オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板上に設けられ、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するIDTと、前記IDTを構成する電極指間に位置する基板を窪ませた電極指間溝と、を有する弾性表面波共振子であって、
前記弾性表面波の波長をλ、前記電極指間溝の深さをGとした場合に、
【数1】
を満たし、
かつ、前記IDTのライン占有率をηとした場合に、前記電極指間溝の深さGと前記ライン占有率ηとが、
【数2】
【数3】
の関係を満たし、
前記IDTを前記弾性表面波の伝搬方向において挟み込むように配置され、前記弾性表面波を反射する一対の反射手段を有することを特徴とする弾性表面波共振子。
【請求項2】
前記電極指間溝の深さGが、
【数4】
の関係を満たす請求項1に記載の弾性表面波共振子。
【請求項3】
前記IDTの電極指の膜厚をHとしたとき、
【数5】
の関係を満たす請求項1または2に記載の弾性表面波共振子。
【請求項4】
前記ライン占有率ηが、
【数6】
の関係を満たす請求項3に記載の弾性表面波共振子。
【請求項5】
前記電極指間溝の深さGと前記電極指の膜厚Hとの和が、
【数7】
の関係を満たす請求項3または4に記載の弾性表面波共振子。
【請求項6】
前記ψと前記θが、
【数8】
の関係を満たす請求項1ないし5のいずれかに記載の弾性表面波共振子。
【請求項7】
前記IDTにおけるストップバンド上端モードの周波数をft2、前記反射手段におけるストップバンド下端モードの周波数をfr1、前記反射器のストップバンド上端モードの周波数をfr2としたとき、
【数9】
の関係を満たす請求項1ないし6のいずれかに記載の弾性表面波共振子。
【請求項8】
前記反射手段は、前記IDTを構成する電極指と平行になるよう配置され、前記水晶基板を窪ませた溝で構成されている請求項1ないし7のいずれかに記載の弾性表面波共振子。
【請求項9】
前記反射手段が有する溝は、互いに平行な複数本の溝である請求項8に記載の弾性表面波共振子。
【請求項10】
前記IDTを構成する電極指の膜厚をHmT、前記電極指間溝の深さをHgT、前記電極指の実効膜厚をHT/λ(ただし、HT=HmT+HgT)とするとともに、前記反射手段が有する前記溝の深さをHgRとしたとき、
前記IDTおよび前記反射手段は、
HT/λ<HgR/λ
の関係を満たす請求項8または9に記載の弾性表面波共振子。
【請求項11】
前記HgRは、3λ以上である請求項10に記載の弾性表面波共振子。
【請求項12】
前記反射手段は、前記水晶基板上に設けられた互いに平行な複数本の導体ストリップで構成されている請求項1ないし7のいずれかに記載の弾性表面波共振子。
【請求項13】
前記IDTを構成する電極指の膜厚をHmT、前記電極指間溝の深さをHgT、前記電極指の実効膜厚をHT/λ(ただし、HT=HmT+HgT)とするとともに、前記導体ストリップの膜厚をHmRとしたとき、
前記IDTおよび前記反射手段は、
HT/λ<HmR/λ
の関係を満たす請求項12に記載の弾性表面波共振子。
【請求項14】
前記反射手段は、互いに平行な複数本の前記溝と、前記溝に隣接して前記水晶基板上に設けられた互いに平行な複数本の導体ストリップとで構成されている請求項1ないし7のいずれかに記載の弾性表面波共振子。
【請求項15】
前記IDTを構成する電極指の膜厚をHmT、前記電極指間溝の深さをHgT、前記電極指の実効膜厚をHT/λ(ただし、HT=HmT+HgT)とするとともに、前記導体ストリップの膜厚をHmR、前記反射手段が有する前記溝の深さをHgR、前記導体ストリップの実効膜厚をHR/λ(ただし、HR=HmR+HgR)としたとき、
前記IDTおよび前記反射手段は、
HT/λ<HR/λ
の関係を満たす請求項14に記載の弾性表面波共振子。
【請求項16】
前記IDTを構成する電極指の膜厚HmTと前記導体ストリップの膜厚HmRとが、
HmT/λ=HmR/λ
の関係を満たし、かつ、
前記電極指間溝の深さHgTと前記反射手段が有する前記溝の深さHgRとが、
HgT/λ<HgR/λ
の関係を満たす請求項15に記載の弾性表面波共振子。
【請求項17】
前記電極指間溝の深さHgTと前記反射手段が有する前記溝の深さHgRとが、
HgT/λ=HgR/λ
の関係を満たし、かつ、
前記IDTを構成する電極指の膜厚HmTと前記導体ストリップの膜厚HmRとが、
HmT/λ<HmR/λ
の関係を満たす請求項15に記載の弾性表面波共振子。
【請求項18】
前記反射手段は、前記水晶基板の端面で構成されている請求項1ないし7のいずれかに記載の弾性表面波共振子。
【請求項19】
請求項1ないし18のいずれかに記載の弾性表面波共振子と、前記IDTを駆動するためのICと、を備えることを特徴とする弾性表面波発振器。
【請求項20】
請求項1ないし18のいずれかに記載の弾性表面波共振子を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項1】
オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板上に設けられ、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するIDTと、前記IDTを構成する電極指間に位置する基板を窪ませた電極指間溝と、を有する弾性表面波共振子であって、
前記弾性表面波の波長をλ、前記電極指間溝の深さをGとした場合に、
【数1】
を満たし、
かつ、前記IDTのライン占有率をηとした場合に、前記電極指間溝の深さGと前記ライン占有率ηとが、
【数2】
【数3】
の関係を満たし、
前記IDTを前記弾性表面波の伝搬方向において挟み込むように配置され、前記弾性表面波を反射する一対の反射手段を有することを特徴とする弾性表面波共振子。
【請求項2】
前記電極指間溝の深さGが、
【数4】
の関係を満たす請求項1に記載の弾性表面波共振子。
【請求項3】
前記IDTの電極指の膜厚をHとしたとき、
【数5】
の関係を満たす請求項1または2に記載の弾性表面波共振子。
【請求項4】
前記ライン占有率ηが、
【数6】
の関係を満たす請求項3に記載の弾性表面波共振子。
【請求項5】
前記電極指間溝の深さGと前記電極指の膜厚Hとの和が、
【数7】
の関係を満たす請求項3または4に記載の弾性表面波共振子。
【請求項6】
前記ψと前記θが、
【数8】
の関係を満たす請求項1ないし5のいずれかに記載の弾性表面波共振子。
【請求項7】
前記IDTにおけるストップバンド上端モードの周波数をft2、前記反射手段におけるストップバンド下端モードの周波数をfr1、前記反射器のストップバンド上端モードの周波数をfr2としたとき、
【数9】
の関係を満たす請求項1ないし6のいずれかに記載の弾性表面波共振子。
【請求項8】
前記反射手段は、前記IDTを構成する電極指と平行になるよう配置され、前記水晶基板を窪ませた溝で構成されている請求項1ないし7のいずれかに記載の弾性表面波共振子。
【請求項9】
前記反射手段が有する溝は、互いに平行な複数本の溝である請求項8に記載の弾性表面波共振子。
【請求項10】
前記IDTを構成する電極指の膜厚をHmT、前記電極指間溝の深さをHgT、前記電極指の実効膜厚をHT/λ(ただし、HT=HmT+HgT)とするとともに、前記反射手段が有する前記溝の深さをHgRとしたとき、
前記IDTおよび前記反射手段は、
HT/λ<HgR/λ
の関係を満たす請求項8または9に記載の弾性表面波共振子。
【請求項11】
前記HgRは、3λ以上である請求項10に記載の弾性表面波共振子。
【請求項12】
前記反射手段は、前記水晶基板上に設けられた互いに平行な複数本の導体ストリップで構成されている請求項1ないし7のいずれかに記載の弾性表面波共振子。
【請求項13】
前記IDTを構成する電極指の膜厚をHmT、前記電極指間溝の深さをHgT、前記電極指の実効膜厚をHT/λ(ただし、HT=HmT+HgT)とするとともに、前記導体ストリップの膜厚をHmRとしたとき、
前記IDTおよび前記反射手段は、
HT/λ<HmR/λ
の関係を満たす請求項12に記載の弾性表面波共振子。
【請求項14】
前記反射手段は、互いに平行な複数本の前記溝と、前記溝に隣接して前記水晶基板上に設けられた互いに平行な複数本の導体ストリップとで構成されている請求項1ないし7のいずれかに記載の弾性表面波共振子。
【請求項15】
前記IDTを構成する電極指の膜厚をHmT、前記電極指間溝の深さをHgT、前記電極指の実効膜厚をHT/λ(ただし、HT=HmT+HgT)とするとともに、前記導体ストリップの膜厚をHmR、前記反射手段が有する前記溝の深さをHgR、前記導体ストリップの実効膜厚をHR/λ(ただし、HR=HmR+HgR)としたとき、
前記IDTおよび前記反射手段は、
HT/λ<HR/λ
の関係を満たす請求項14に記載の弾性表面波共振子。
【請求項16】
前記IDTを構成する電極指の膜厚HmTと前記導体ストリップの膜厚HmRとが、
HmT/λ=HmR/λ
の関係を満たし、かつ、
前記電極指間溝の深さHgTと前記反射手段が有する前記溝の深さHgRとが、
HgT/λ<HgR/λ
の関係を満たす請求項15に記載の弾性表面波共振子。
【請求項17】
前記電極指間溝の深さHgTと前記反射手段が有する前記溝の深さHgRとが、
HgT/λ=HgR/λ
の関係を満たし、かつ、
前記IDTを構成する電極指の膜厚HmTと前記導体ストリップの膜厚HmRとが、
HmT/λ<HmR/λ
の関係を満たす請求項15に記載の弾性表面波共振子。
【請求項18】
前記反射手段は、前記水晶基板の端面で構成されている請求項1ないし7のいずれかに記載の弾性表面波共振子。
【請求項19】
請求項1ないし18のいずれかに記載の弾性表面波共振子と、前記IDTを駆動するためのICと、を備えることを特徴とする弾性表面波発振器。
【請求項20】
請求項1ないし18のいずれかに記載の弾性表面波共振子を備えることを特徴とする電子機器。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【公開番号】特開2012−4897(P2012−4897A)
【公開日】平成24年1月5日(2012.1.5)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−138495(P2010−138495)
【出願日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【出願人】(000002369)セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年1月5日(2012.1.5)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【出願人】(000002369)セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Fターム(参考)】
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