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電気機械共振器を用いた発振回路 (23,106) | 周波数決定素子 (2,461) | 電気機械振動子 (2,458)

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【課題】梁部が疲労破壊することを抑制できるMEMS振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るMEMS振動子100は、シリコン基板10と、シリコン基板10の上方に配置された窒化シリコン層30と、窒化シリコン層30の上方に配置された第1電極40と、第1電極40との間に空隙を有した状態で配置され、シリコン基板10の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部54、および窒化シリコン層30の上方に配置され、梁部54を支持する支持部56を有する第2電極50と、を含み、第1電極40および第2電極50の材質は、導電性を有する単結晶シリコンである。 (もっと読む)


【課題】不要な振動モードが生じることを抑制できるMEMS振動子を提供する。
【解決手段】MEMS振動子100は、基板10と、基板10の上方に配置された第1電極20と、第1電極20との間に空隙を有した状態で配置され、第1電極20との間の静電力によって基板10の厚み方向に振動可能となる梁部32、および梁部32を支持する支持部34を有する第2電極と、を含み、第2電極30は、梁部32を複数有する。 (もっと読む)


【課題】CMOS回路の横に配置されたMEMS振動子の温度を上記CMOS回路内で容易に検出する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置(1)は、MEMS振動子(11)と、CMOS回路(12)とを含む。上記CMOS回路は、温度検出のための温度センサ(16)と、上記CMOS回路で消費する電流を検出可能な電流センサ(19)と、上記電流センサでの検出結果に基づいて上記CMOS回路の温度上昇分を求め、それに基づいて、上記温度センサで得られた温度情報を補正する温度情報補正回路(17)と、上記温度情報補正回路で補正された温度情報に基づいて、上記クロック信号の周波数を補正するための回路(15)とを含む。CMOS回路の横にMEMS振動子が配置されることで、MEMS振動子とCMOS回路との間に温度差を生じている場合でも、上記温度情報補正回路での補正によって、MEMS振動子の温度情報を容易に得ることができる。 (もっと読む)


【課題】ねじり振動と別の振動モードが励振されることを抑制できるMEMS振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るMEMS振動子100は、ねじり振動する可動電極30と、可動電極30と間隙を介して形成された第1固定電極40および第2固定電極50と、を含み、可動電極30は、第1面32と、第1面32に接続され互いに反対を向く第2面34および第3面36と、を有し、第1固定電極40は、第1面32と対向する第4面42と、第2面34と対向する第5面44と、を有し、第2固定電極50は、第1面32と対向する第6面52と、第3面36と対向する第7面54と、を有し、第2面34と第5面44との間隔D2は、第1面32と第4面42との間隔D1よりも大きく、第3面36と第7面54との間隔D4は、第1面32と第6面52との間隔D3よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】ディスク状の振動板がワイングラスモードで振動するように構成された輪郭振動型のディスク振動子において、当該ディスク振動子の小型化を図ること。
【解決手段】平面で見た時に第1の電極21、21を結ぶと共に振動板10の中心を通る直線をLとすると、この直線とのなす角度θが45°となる位置において振動板10に貫通孔11を形成し、即ち振動板10の振動の節となる位置(振動板10の振動を阻害しない位置)に貫通孔11を形成し、この貫通孔11の内壁面とベース基板1(導電膜5)との間を接続するように支持部30を設ける。 (もっと読む)


【課題】異常発振を抑圧する発振器を提供する。
【解決手段】発振信号を起動および増幅する増幅部120と、所望の発振周波数を決定する共振部130と、を備えた発振回路110と、発振回路110の出力端子に緩衝回路160が接続された発振器100であって、増幅部120は入出力用の2端子を有する低域濾波器140と、3段の増幅回路とを有し、増幅部120の1段目増幅器121と2段目増幅器122とが不平衡型増幅器で、3段目増幅器123がオペアンプであり、2段目増幅器122の出力端子が、低域濾波器140の入力端子と3段目増幅器(オペアンプ)123の反転入力端子に接続され、低域濾波器140の出力端子が、3段目増幅器(オペアンプ)123の非反転入力端子に接続されている。 (もっと読む)


【課題】装置を大型化、高コスト化することなく、共振周波数の変動を低減したMEMS共振器を提供する。
【解決手段】静電力が印加されると機械的に振動する梁状の振動子101と、前記振動子101を振動可能に支持する支持部と、空隙103を介して前記振動子101と対向する面を有する少なくとも1つの電極102とを有し、前記振動子101の振動により発生する電流を前記振動子101又は前記少なくとも1つの電極102に接続された出力端子を介して出力するMEMS共振器200であって、前記振動子は前記梁の長手軸を中心としたねじり共振モードで振動を行い、前記振動子101および前記電極102の互いに対向する面は、互いに異なる導電型の半導体からなり、前記振動子101において、前記電極102に対向する面を含む表面部分111は、他の部分より高い密度で不純物がドープされている。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置100は、基板10と、基板10の上方に配置された機能素子20と、機能素子20が収容された空洞部1を画成する被覆構造体30と、を含み、被覆構造体30は、空洞部1に連通する第1貫通孔52および第1貫通孔52よりも大きい第2貫通孔54を有し、かつ空洞部1の上方に配置される第1被覆層50と、第1被覆層50の上方に配置され、第1貫通孔52および第2貫通孔54を塞ぐ第2被覆層58と、を有する。 (もっと読む)


【課題】高い周波数精度を有するMEMS振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るMEMS振動子100は、基板10と、基板10の上方に配置され、開口部22が形成された第1絶縁層20と、開口部22を覆って、第1絶縁層20の上方に配置された第2絶縁層30と、第2絶縁層30の上方に配置された第1電極40と、第1電極40との間に空隙を有した状態で配置され、基板10の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部52、梁部52の一端を支持し第2絶縁層30の上方に配置された第1支持部54、および梁部52の他端を支持し第2絶縁層30の上方に配置された第2支持部56を有する第2電極50と、を含み、基板10の厚み方向からの平面視において、開口部22の少なくとも一部は、第1支持部54と第2支持部56との間に配置されている。 (もっと読む)


【課題】高い信頼性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置100は、基板10と、基板10の上方に形成された機能素子20と、機能素子20が配置された空洞部1を画成する包囲壁40と、基板10の上方に形成され、機能素子20に接続された配線層30,32と、を含み、配線層30,32は、基板10と包囲壁40との間を通って、包囲壁40の外側まで延出され、包囲壁40は、窒化シリコン層42と、金属層およびシリコン層の少なくとも1層である導電層と、を有し、配線層30,32と導電層44との間には、窒化シリコン層42が配置されている。 (もっと読む)


【課題】周波数精度の高いMEMS振動子を提供する。
【解決手段】MEMS振動子100は、基板10と、基板10の上方に配置された第1電極20と、少なくとも一部が前記第1電極20との間に空隙を有した状態で配置され、前記基板10の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部34、梁部34の一端34aを支持し基板10の上方に配置された支持部32を有する第2電極30と、を含み、支持部32の一端34aを支持する支持側面32aは、基板10の厚み方向からの平面視で屈曲している屈曲部を有し、一端34aは、屈曲部を含む支持側面32aにより支持されている。 (もっと読む)


【課題】温度変化に対し安定した周波数特性を有するMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】基板100と、基板100の表面に形成された第1ベース層30と、第1ベース層30の表面に固定された固定電極80と、基板100の表面に形成された第2ベース層40と、固定電極80と対向する梁部91を備え、梁部91を支持し第2ベース層40の表面に固定されたアンカー部92とを備えた可動電極と、を含み、第2ベース層40は第1ベース層30よりも熱膨張係数の大きい材料で形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路上に小面積で形成でき、かつ、適切な周波数の発振信号を生成できる発振器と、これを用いたPLL回路を提供する。
【解決手段】発振器は、第1のノードと第2のノードと間に並列接続される抵抗と、反転増幅器と、半導体素子とを備える。前記半導体素子は、半導体基板と、前記半導体基板に、長辺および短辺を有する形状で形成される音響波伝播層と、少なくとも前記音響波伝播層の長辺方向の両端に形成される音響波反射層と、前記音響波伝播層上に形成され、前記第1のノードと電気的に接続される第1のコンタクトと、前記音響波伝播層上に前記第1のコンタクトとは離れて形成され、前記第2のノードと電気的に接続される第2のコンタクトと、を有する。前記第1のノードまたは前記第2のノードから発振信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】簡易に半導体基板上に形成でき、差動型で動作する半導体装置ならびにこれを用いた発振器、アンテナシステムおよび送受信システムを提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、複数の音響波伝播層と、分離層と、音響波反射層と、第1のコンタクトと、第2のコンタクトとを備える。前記複数の音響波伝播層は、前記半導体基板に、互いに離間して形成される。前記分離層は、前記半導体基板に形成され、前記複数の音響波伝播層を互いに電気的に分離するが、音響波は通過させる。前記音響波反射層は、前記半導体基板に形成され、前記複数の音響波伝播層内に前記音響波を閉じ込めるように形成される。前記第1のコンタクトは、前記複数の音響波伝播層の1つに形成され、第1の差動信号が入力または出力される。前記第2のコンタクトは、前記複数の音響波伝播層の他の1つに形成され、前記第1の差動信号とは位相が異なる第2の差動信号が入力または出力される。 (もっと読む)


【課題】出力信号の周波数のふらつきを抑制した発振回路を提供すること。
【解決手段】空隙を隔てて配置された第1電極11及び第2電極12を有するMEMS振動子10と、第1入力端子221及び第1出力端子222を有し、利得が1よりも大きい利得部22と、第2入力端子241及び第2出力端子242を有し、利得が1よりも小さい利得制限部24と、を含む増幅部20と、第1出力端子222と接続される出力端子30と、を含み、第1電極11と第1入力端子221とが接続され、第1出力端子222と第2入力端子241とが接続され、第2出力端子242と第2電極12とが接続される。 (もっと読む)


【課題】パッケージに封止された後においても発振周波数を調整できる発振器を提供すること。
【解決手段】それぞれ第1端子及び第2端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のMEMS振動子11〜14と、入力端子21及び出力端子22を有する増幅回路20と、複数のMEMS振動子11〜14のうちの1つの第1端子と入力端子21とを接続し、第2端子と出力端子22とを接続することによって、複数のMEMS振動子11〜14のうちの1つと増幅回路20とを接続する接続回路30と、接続回路30の状態を切り替えるための切替信号を受け付ける信号受付端子40と、接続回路30に対して、増幅回路20と接続されるMEMS振動子を切替信号に基づいて切り替えさせる切替回路50とを含む。また、MEMS振動子11〜14は、空洞の内部に収容されており、信号受付端子40は、空洞の外部に設けられている。 (もっと読む)


【課題】PLL回路を有する発振器であって、小型化を図ることができる発振器を提供する。
【解決手段】発振器100は、基板110の上方に配置された第1MEMS振動子12を含み第1発振信号を出力する基準発振回路と、基板110の上方に配置された第2MEMS振動子52を含み制御信号で発振周波数が制御され第2発振信号を出力する電圧制御発振回路と、前記第2発振信号を分周して分周信号を出力する分周回路と、前記分周信号と前記第1発振信号との位相差に基づいた前記制御信号を出力する位相比較回路と、を含み、第1MEMS振動子12および第2MEMS振動子52の各々は、第1電極と、第2電極と、を有し、第2電極は、第1電極と対向配置された可動部を有し、基板の平面視において第1MEMS振動子12の可動部の面積は、第2MEMS振動子52の可動部の面積よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】出力が大きく、かつ高い周波数で駆動するMEMS振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るMEMS振動子100は、基板10の表面11に固定された第1電極20と、第1電極20の第1面21と対向する第2面31を備えた梁部34、および梁部34を支持し基板10の表面11に固定された支持部32を有する第2電極30と、を含み、梁部34は、梁部34の第1面21の垂線Q方向の長さTが、梁部34の先端35に向かうにつれて単調に減少する第1部分36を有する。 (もっと読む)


【課題】大きなインダクタンスをもつインダクタ素子を実現する音響半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、素子部と、第1端子と、を備えた音響半導体装置が提供される。前記素子部は、半導体結晶を含み音響定在波が励起可能な音響共振部を含む。前記第1端子は、前記素子部と電気的に接続される。前記第1端子を介して、前記音響定在波と同期する電気的信号を前記音響共振部から出力する、及び、前記音響定在波と同期する電気的信号を前記音響共振部に入力する、の少なくもいずれかを実施可能である。 (もっと読む)


【課題】MEMS振動子を用いて、発振周波数のばらつきを抑制した発振回路を提供すること。
【解決手段】それぞれ第1端子及び第2端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のMEMS振動子11〜14と、入力端子21及び出力端子22を有する増幅回路(反転増幅回路20)と、複数のMEMS振動子11〜14のうちの1つの第1端子と入力端子21とを接続し、第2端子と出力端子22とを接続することによって、複数のMEMS振動子11〜14のうちの1つと増幅回路(反転増幅回路20)とを接続する接続回路30と、を含む。 (もっと読む)


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