【課題】不要な振動モードが生じることを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、第１電極２０との間の静電力によって基板１０の厚み方向に振動可能となる梁部３２、および梁部３２を支持する支持部３４を有する第２電極と、を含み、第２電極３０は、梁部３２を複数有する。 （もっと読む）

【課題】梁部が疲労破壊することを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０の上方に配置された窒化シリコン層３０と、窒化シリコン層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、シリコン基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５４、および窒化シリコン層３０の上方に配置され、梁部５４を支持する支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、第１電極４０および第２電極５０の材質は、導電性を有する単結晶シリコンである。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ回路の横に配置されたＭＥＭＳ振動子の温度を上記ＣＭＯＳ回路内で容易に検出する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置（１）は、ＭＥＭＳ振動子（１１）と、ＣＭＯＳ回路（１２）とを含む。上記ＣＭＯＳ回路は、温度検出のための温度センサ（１６）と、上記ＣＭＯＳ回路で消費する電流を検出可能な電流センサ（１９）と、上記電流センサでの検出結果に基づいて上記ＣＭＯＳ回路の温度上昇分を求め、それに基づいて、上記温度センサで得られた温度情報を補正する温度情報補正回路（１７）と、上記温度情報補正回路で補正された温度情報に基づいて、上記クロック信号の周波数を補正するための回路（１５）とを含む。ＣＭＯＳ回路の横にＭＥＭＳ振動子が配置されることで、ＭＥＭＳ振動子とＣＭＯＳ回路との間に温度差を生じている場合でも、上記温度情報補正回路での補正によって、ＭＥＭＳ振動子の温度情報を容易に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ねじり振動と別の振動モードが励振されることを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、ねじり振動する可動電極３０と、可動電極３０と間隙を介して形成された第１固定電極４０および第２固定電極５０と、を含み、可動電極３０は、第１面３２と、第１面３２に接続され互いに反対を向く第２面３４および第３面３６と、を有し、第１固定電極４０は、第１面３２と対向する第４面４２と、第２面３４と対向する第５面４４と、を有し、第２固定電極５０は、第１面３２と対向する第６面５２と、第３面３６と対向する第７面５４と、を有し、第２面３４と第５面４４との間隔Ｄ２は、第１面３２と第４面４２との間隔Ｄ１よりも大きく、第３面３６と第７面５４との間隔Ｄ４は、第１面３２と第６面５２との間隔Ｄ３よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ディスク状の振動板がワイングラスモードで振動するように構成された輪郭振動型のディスク振動子において、当該ディスク振動子の小型化を図ること。
【解決手段】平面で見た時に第１の電極２１、２１を結ぶと共に振動板１０の中心を通る直線をＬとすると、この直線とのなす角度θが４５°となる位置において振動板１０に貫通孔１１を形成し、即ち振動板１０の振動の節となる位置（振動板１０の振動を阻害しない位置）に貫通孔１１を形成し、この貫通孔１１の内壁面とベース基板１（導電膜５）との間を接続するように支持部３０を設ける。 （もっと読む）

【課題】異常発振を抑圧する発振器を提供する。
【解決手段】発振信号を起動および増幅する増幅部１２０と、所望の発振周波数を決定する共振部１３０と、を備えた発振回路１１０と、発振回路１１０の出力端子に緩衝回路１６０が接続された発振器１００であって、増幅部１２０は入出力用の２端子を有する低域濾波器１４０と、３段の増幅回路とを有し、増幅部１２０の１段目増幅器１２１と２段目増幅器１２２とが不平衡型増幅器で、３段目増幅器１２３がオペアンプであり、２段目増幅器１２２の出力端子が、低域濾波器１４０の入力端子と３段目増幅器（オペアンプ）１２３の反転入力端子に接続され、低域濾波器１４０の出力端子が、３段目増幅器（オペアンプ）１２３の非反転入力端子に接続されている。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化、高コスト化することなく、共振周波数の変動を低減したＭＥＭＳ共振器を提供する。
【解決手段】静電力が印加されると機械的に振動する梁状の振動子１０１と、前記振動子１０１を振動可能に支持する支持部と、空隙１０３を介して前記振動子１０１と対向する面を有する少なくとも１つの電極１０２とを有し、前記振動子１０１の振動により発生する電流を前記振動子１０１又は前記少なくとも１つの電極１０２に接続された出力端子を介して出力するＭＥＭＳ共振器２００であって、前記振動子は前記梁の長手軸を中心としたねじり共振モードで振動を行い、前記振動子１０１および前記電極１０２の互いに対向する面は、互いに異なる導電型の半導体からなり、前記振動子１０１において、前記電極１０２に対向する面を含む表面部分１１１は、他の部分より高い密度で不純物がドープされている。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された機能素子２０と、機能素子２０が収容された空洞部１を画成する被覆構造体３０と、を含み、被覆構造体３０は、空洞部１に連通する第１貫通孔５２および第１貫通孔５２よりも大きい第２貫通孔５４を有し、かつ空洞部１の上方に配置される第１被覆層５０と、第１被覆層５０の上方に配置され、第１貫通孔５２および第２貫通孔５４を塞ぐ第２被覆層５８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高い周波数精度を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置され、開口部２２が形成された第１絶縁層２０と、開口部２２を覆って、第１絶縁層２０の上方に配置された第２絶縁層３０と、第２絶縁層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５２、梁部５２の一端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第１支持部５４、および梁部５２の他端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第２支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、基板１０の厚み方向からの平面視において、開口部２２の少なくとも一部は、第１支持部５４と第２支持部５６との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された機能素子２０と、機能素子２０が配置された空洞部１を画成する包囲壁４０と、基板１０の上方に形成され、機能素子２０に接続された配線層３０，３２と、を含み、配線層３０，３２は、基板１０と包囲壁４０との間を通って、包囲壁４０の外側まで延出され、包囲壁４０は、窒化シリコン層４２と、金属層およびシリコン層の少なくとも１層である導電層と、を有し、配線層３０，３２と導電層４４との間には、窒化シリコン層４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】周波数精度の高いＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、少なくとも一部が前記第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、前記基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部３４、梁部３４の一端３４ａを支持し基板１０の上方に配置された支持部３２を有する第２電極３０と、を含み、支持部３２の一端３４ａを支持する支持側面３２ａは、基板１０の厚み方向からの平面視で屈曲している屈曲部を有し、一端３４ａは、屈曲部を含む支持側面３２ａにより支持されている。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対し安定した周波数特性を有するＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】基板１００と、基板１００の表面に形成された第１ベース層３０と、第１ベース層３０の表面に固定された固定電極８０と、基板１００の表面に形成された第２ベース層４０と、固定電極８０と対向する梁部９１を備え、梁部９１を支持し第２ベース層４０の表面に固定されたアンカー部９２とを備えた可動電極と、を含み、第２ベース層４０は第１ベース層３０よりも熱膨張係数の大きい材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路上に小面積で形成でき、かつ、適切な周波数の発振信号を生成できる発振器と、これを用いたＰＬＬ回路を提供する。
【解決手段】発振器は、第１のノードと第２のノードと間に並列接続される抵抗と、反転増幅器と、半導体素子とを備える。前記半導体素子は、半導体基板と、前記半導体基板に、長辺および短辺を有する形状で形成される音響波伝播層と、少なくとも前記音響波伝播層の長辺方向の両端に形成される音響波反射層と、前記音響波伝播層上に形成され、前記第１のノードと電気的に接続される第１のコンタクトと、前記音響波伝播層上に前記第１のコンタクトとは離れて形成され、前記第２のノードと電気的に接続される第２のコンタクトと、を有する。前記第１のノードまたは前記第２のノードから発振信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】簡易に半導体基板上に形成でき、差動型で動作する半導体装置ならびにこれを用いた発振器、アンテナシステムおよび送受信システムを提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、複数の音響波伝播層と、分離層と、音響波反射層と、第１のコンタクトと、第２のコンタクトとを備える。前記複数の音響波伝播層は、前記半導体基板に、互いに離間して形成される。前記分離層は、前記半導体基板に形成され、前記複数の音響波伝播層を互いに電気的に分離するが、音響波は通過させる。前記音響波反射層は、前記半導体基板に形成され、前記複数の音響波伝播層内に前記音響波を閉じ込めるように形成される。前記第１のコンタクトは、前記複数の音響波伝播層の１つに形成され、第１の差動信号が入力または出力される。前記第２のコンタクトは、前記複数の音響波伝播層の他の１つに形成され、前記第１の差動信号とは位相が異なる第２の差動信号が入力または出力される。 （もっと読む）

【課題】出力信号の周波数のふらつきを抑制した発振回路を提供すること。
【解決手段】空隙を隔てて配置された第１電極１１及び第２電極１２を有するＭＥＭＳ振動子１０と、第１入力端子２２１及び第１出力端子２２２を有し、利得が１よりも大きい利得部２２と、第２入力端子２４１及び第２出力端子２４２を有し、利得が１よりも小さい利得制限部２４と、を含む増幅部２０と、第１出力端子２２２と接続される出力端子３０と、を含み、第１電極１１と第１入力端子２２１とが接続され、第１出力端子２２２と第２入力端子２４１とが接続され、第２出力端子２４２と第２電極１２とが接続される。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＬ回路を有する発振器であって、小型化を図ることができる発振器を提供する。
【解決手段】発振器１００は、基板１１０の上方に配置された第１ＭＥＭＳ振動子１２を含み第１発振信号を出力する基準発振回路と、基板１１０の上方に配置された第２ＭＥＭＳ振動子５２を含み制御信号で発振周波数が制御され第２発振信号を出力する電圧制御発振回路と、前記第２発振信号を分周して分周信号を出力する分周回路と、前記分周信号と前記第１発振信号との位相差に基づいた前記制御信号を出力する位相比較回路と、を含み、第１ＭＥＭＳ振動子１２および第２ＭＥＭＳ振動子５２の各々は、第１電極と、第２電極と、を有し、第２電極は、第１電極と対向配置された可動部を有し、基板の平面視において第１ＭＥＭＳ振動子１２の可動部の面積は、第２ＭＥＭＳ振動子５２の可動部の面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】パッケージに封止された後においても発振周波数を調整できる発振器を提供すること。
【解決手段】それぞれ第１端子及び第２端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４と、入力端子２１及び出力端子２２を有する増幅回路２０と、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つの第１端子と入力端子２１とを接続し、第２端子と出力端子２２とを接続することによって、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路２０とを接続する接続回路３０と、接続回路３０の状態を切り替えるための切替信号を受け付ける信号受付端子４０と、接続回路３０に対して、増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子を切替信号に基づいて切り替えさせる切替回路５０とを含む。また、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、空洞の内部に収容されており、信号受付端子４０は、空洞の外部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】出力が大きく、かつ高い周波数で駆動するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０の表面１１に固定された第１電極２０と、第１電極２０の第１面２１と対向する第２面３１を備えた梁部３４、および梁部３４を支持し基板１０の表面１１に固定された支持部３２を有する第２電極３０と、を含み、梁部３４は、梁部３４の第１面２１の垂線Ｑ方向の長さＴが、梁部３４の先端３５に向かうにつれて単調に減少する第１部分３６を有する。 （もっと読む）

【課題】大きなインダクタンスをもつインダクタ素子を実現する音響半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、素子部と、第１端子と、を備えた音響半導体装置が提供される。前記素子部は、半導体結晶を含み音響定在波が励起可能な音響共振部を含む。前記第１端子は、前記素子部と電気的に接続される。前記第１端子を介して、前記音響定在波と同期する電気的信号を前記音響共振部から出力する、及び、前記音響定在波と同期する電気的信号を前記音響共振部に入力する、の少なくもいずれかを実施可能である。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ振動子を用いて、発振周波数のばらつきを抑制した発振回路を提供すること。
【解決手段】それぞれ第１端子及び第２端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４と、入力端子２１及び出力端子２２を有する増幅回路（反転増幅回路２０）と、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つの第１端子と入力端子２１とを接続し、第２端子と出力端子２２とを接続することによって、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路（反転増幅回路２０）とを接続する接続回路３０と、を含む。 （もっと読む）