【課題】消費電力の低減と、製造コストの低減とを両立する発振回路を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置によれば、直列に接続されて、かつ、それぞれがダイオード接続された複数のＭＯＳトランジスタを用いて、発振回路部を駆動させる電圧を生成する。このとき、複数のＭＯＳトランジスタで生成される電圧の値は、電源電圧と、各ＭＯＳトランジスタのスレッショルド電圧の比率とに基づいて得られる。したがって、各ＭＯＳトランジスタのスレッショルド電圧を小さく抑えることが出来て、各ＭＯＳトランジスタの面積を節約することが出来て、発振回路部の消費電力を削減することが出来る。 （もっと読む）

【課題】電子機器の基板に搭載しても、内部の回路に異常が発生するのを防止した圧電デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】圧電デバイスは、外部からデータを入力可能になっている記憶部１６をパッケージ３０内に備えたものである。この圧電デバイスは、パッケージ３０の基板実装面３６に複数のユーザ端子３８を設けるともに、記憶部１６に接続している第１調整端子４０ａおよび第２調整端子４０ｂを設けている。第１調整端子４０ａは、複数のユーザ端子３８のうちグランド接続端子（ＧＮＤ端子）に近接して配設してある。そして第２調整端子４０ｂと記憶部１６との間にスイッチ部１７を設けるとともに、このスイッチ部１７に第１調整端子４０ａを接続して、第１調整端子４０ａに入力する信号によってスイッチ部１７の開閉制御を行うようにしている。 （もっと読む）

【課題】低減した周波数ドリフトを達成することができる、実質的に安定した周波数で出力信号を発生するためのＭＥＭＳにシステムを提供する。
【解決手段】所定周波数は、温度依存性及び少なくとも一つの所定の特性に基づく。さらに、所定周波数で発振するためにＭＥＭＳ発振器を励振するよう構成された励振機構、及び、抵抗感知を用いてＭＥＭＳ発振器の温度を検出し、周波数ドリフトを最小限にするために温度依存性及び少なくとも一つの特性に基づいて、ＭＥＭＳ発振器の温度が所定温度の所定範囲内にあるか否かを決定し、ＭＥＭＳ発振器の温度を所定範囲内に留めるように適合させるように構成された温度制御ループを含む。さらに、ＭＥＭＳ発振器の所定周波数を出力するように構成された周波数出力を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ピアース型圧電発振器で高い周波数出力を可能にする。
【解決手段】圧電振動子１０の一方の端子と接地電位線ＧＮＤとの間に接続された第１の容量素子Ｃ１と、圧電振動子１０の他方の端子と接地電位線ＧＮＤとの間に接続された第２の容量素子Ｃ２と、コレクタ端子が圧電振動子１０の一方の端子に接続されベース端子が圧電振動子１０の他方の端子と電流源２０とに接続されエミッタ端子が接地電位線ＧＮＤに接続された発振用トランジスタＱ１と、ベース端子が発振用トランジスタＱ１のコレクタ端子に第１の抵抗Ｒｂを介して接続されコレクタ端子が発振用トランジスタＱ１のコレクタ端子に第２の抵抗Ｒｃを介して接続されエミッタ端子が発振用トランジスタＱ１のベース端子に接続された発振補助用トランジスタＱ２と、を含んで構成される発振回路１０１と、発振用トランジスタＱ１のコレクタ端子に接続されたバッファ回路ＢＵＦと、を含む圧電発振器１。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、集積回路素子と素子搭載部材の基板部との間に充填部材が十分に設けられており、信頼性の向上された圧電デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明の圧電デバイスは、基板部の主面および集積回路素子の間に設けられた充填部材とを備えており、素子搭載部材は、壁部から集積回路素子の方向へ突出した凸部を有しており、凸部の基板部の主面からの高さが、集積回路素子の基板部の主面からの高さよりも高く形成されている。 （もっと読む）

【課題】無駄な電力消費やノイズの悪影響等を抑制できる回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】回路装置は発振回路１０とバッファー回路２０を含む。バッファー回路２０は、プリバッファーＰＢＦと第１、第２の出力バッファーＱＢＦ１、ＱＢＦ２を含む。第１のモードでは、第１の出力バッファーＱＢＦ１が動作イネーブル状態に設定され、第２の出力バッファーＱＢＦ２が動作ディスエーブル状態に設定される。第２のモードでは、第１の出力バッファーＱＢＦ１及び第２の出力バッファーＱＢＦ２が動作イネーブル状態に設定される。第１のモードでは、プリバッファーＰＢＦの駆動能力が、第２のモードに比べて低い駆動能力に設定される。 （もっと読む）

【課題】回路規模を増大することなく、複数の発振周波数を自由に選択することができる発振器を提供する。
【解決手段】複数の発振回路の出力を１つの出力ノードＮ１に束ね、圧電素子Ｘ１，Ｘ２の一端を、それぞれ各圧電素子に対応する増幅器の入力端に接続すると共に、圧電素子Ｘ１，Ｘ２の他端を出力ノードＮ１に共通して接続する。そして、選択信号ＳＥＬによって、選択用トランジスタＳＭ１，ＳＭ２及びスイッチＳＷ１，Ｓｗ２を制御することで、圧電素子Ｘ１，Ｘ２の何れか一方を選択し駆動させることで、多入力１出力の発振器を実現する。また、複数の圧電素子のうち少なくとも一つは外部環境に影響を受けるよう実装する。 （もっと読む）

【課題】 反射素子の反射特性を用いて高周波化、周波数安定化を図ることができる圧電発振器を提供する。
【解決手段】 電界効果型のトランジスタ１のゲートに共振回路３が接続され、ドレインに出力端子７が接続されると共に、電源電圧Ｖが印加され、ソースに反射素子として圧電共振器６が接続され、共振回路３の共振周波数と反射素子の圧電共振器６の発振周波数とを略同じにした圧電発振器であり、共振回路３とゲートとの間に第１のマッチング回路２と、ドレインと出力端子８との間に第２のマッチング回路７と、ソースと反射素子との間に第３のマッチング回路５を設けるようにしてもよいものである。 （もっと読む）

【課題】 発振周波数の調整を容易に安価に行うことができると共に電源電圧変動による周波数変化を抑制できる圧電発振器を提供する。
【解決手段】 周波数調整回路と発振回路１とを備え、発振回路１の入力側に、可変容量ダイオードＤ３のカソードを接続し、更に当該カソードを第３の抵抗Ｒ３を介してポテンショメータＲｖの制御電圧電極に接続し、ポテンショメータＲｖには電源電圧Ｖｃｃがレギュレータ２を介して印加されるようになっているので、電源電圧の変動に対しても可変容量ダイオードＤ３のカソードに一定の電圧を印加して周波数変化を抑制でき、ポテンショメータＲｖから可変容量ダイオードＤ３のカソードに印加する電圧を変更することで周波数の調整を行う圧電発振器である。 （もっと読む）

【課題】 昇圧電源回路を要することなく電源電圧の２倍以上の振幅を持った発振信号を得ることができ、かつ、コストをより低減することが可能な発振回路を提供する。
【解決手段】 発振回路１は、入力される信号を増幅する増幅部１０と、増幅された信号を昇圧する昇圧部２０と、該昇圧部２０から出力される信号を増幅部１０の入力に帰還させる帰還部３０とを備える。増幅部１０は、トランジスタＱ１を用いたエミッタ接地型増幅回路である。昇圧部２０は、一端が電源Ｖｃｃに接続される第１コイルＬ１、及び、一端が該第１コイルＬ１の他端に接続され、他端がトランジスタＱ１のエミッタに接続される第２コイルＬ２を有する。帰還部３０は、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との接続部に一端が接続されるとともに、他端が圧電振動子４０を介してトランジスタＱ１のベースに接続され、信号の位相を９０°遅らせて帰還させる。 （もっと読む）

【課題】第１のパッドと第２のパッドとの間に振動子が接続されて発振動作を行う半導体集積回路装置において、寄生容量を低減して調整可能な発振周波数の範囲を広くすると共に、外部から供給される電源電圧の値によって発振周波数が変化することを防止する。
【解決手段】この装置は、第３／第４のパッドから第１／第２の電源電位が供給されて安定化電源電位を出力する電圧レギュレータと、安定化電源電位が供給されて動作する反転増幅回路と、第１／第２のパッドに接続されたアノードと電圧レギュレータの出力端子に抵抗を介して接続されたカソードとを有する２つのダイオードと、第１／第２のパッドに接続されたカソードと第４のパッドに接続されたアノードとを有する２つのダイオードと、第３のパッドと第４のパッドとの間に接続されたトランジスタと、上記抵抗と第４のパッドとの間に接続されたトランジスタとを含む。 （もっと読む）

【課題】外部からの制御信号に基づいて消費電力の低減と周波数精度の向上のいずれかを択一的に実現可能な圧電発振器、これを用いて低消費電力化を実現するＧＳＰ受信装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】温度補償回路１０は、取得した温度情報とＰＲＯＭ７０（記憶部）に記憶された温度補償データとに基づいて、圧電振動子４０の周波数温度特性を補償するための温度補償電圧を発生させ、電圧制御発振回路３０は、圧電振動子４０を発振させるとともに、発振制御電圧に基づいて圧電振動子４０の発振周波数を制御し、スイッチ回路６０（電源制御部）は、外部からの制御信号に基づいて、温度補償回路１０に電源電圧を供給するか又は温度補償回路１０の少なくとも一部に電源電圧を供給しないように制御し、温度補償回路１０に電源電圧が供給される期間と同期して、電圧制御発振回路３０に発振制御電圧として温度補償電圧が供給される。 （もっと読む）

【課題】振動子の特性検査用に用いるプローブの当接確実性を向上させ、かつ切断用パターンを配置した場合には、短絡等の虞の無い発振器用パッケージベースを提供する。
【解決手段】上記課題を解決するための発振器用パッケージベースは、ＩＣ実装端子２６，３２と一対の振動片実装端子とを電気的に接続する導通ラインと、ＩＣ実装端子３０，２８と外部実装端子のうちの少なくとも２つの外部実装端子とを一対一の関係で電気的に接続する導通ラインと、ＩＣ実装端子２６，３２とＩＣ実装端子３０，２８とをそれぞれ電気的に接続する２つの切断用パターン５４，５６とを有し、切断用パターン５４，５６を複数のＩＣ実装端子２６〜４０を結んで構成されるＩＣ実装端子配置領域の内側に配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子を励振するドライブレベルの周囲温度変化に対する変動を抑圧したコルピッツ型発振回路を提供する。
【解決手段】発振用トランジスタＴＲ１のベースと接地間に負荷容量の一部となるコンデンサＣ１とコンデンサＣ２との直列回路を接続し、この直列回路の接続中点と発振用トランジスタＴＲ１のエミッタとを接続し、更に、エミッタと接地との間にエミッタ抵抗Ｒ１を接続する。そして、エミッタ抵抗Ｒ１に並列に抵抗Ｒ２とサーミスタＴＨ１の直列回路を接続している。発振用トランジスタＴＲ１のベースに抵抗Ｒ３及び抵抗Ｒ４とからなるベースバイアス回路を接続すると共に、発振用トランジスタＴＲ１のベース−接地間に圧電振動子Ｘ１を接続するようにした。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を少なくできる可変容量回路及びこれを備える発振回路を提供する。
【解決手段】オフ時のＮＭＯＳトランジスタ１２において、ソース電圧がＰＭＯＳトランジスタ１１によって電源電圧ＶＤＤになるので、基板バイアス効果によってＮＭＯＳトランジスタ１２の閾値電圧が高くなる。よって、オフ時のＮＭＯＳトランジスタ１２のリーク電流が流れにくくなり、可変容量回路３０のリーク電流が少なくなる。ＮＭＯＳトランジスタ２２も同様である。 （もっと読む）

【課題】電子機器に搭載する場合に搭載面積を抑えることができ、搭載されている部品素子が外部から電磁波の影響を抑えることができるモジュールを提供する。
【解決手段】一方の主面に凹部空間が設けられ他方の主面に部品素子搭載パッドが設けられているカバーと、前記凹部空間の底面及び側面に一体的に設けられている金属からなるシールド膜と、前記部品素子搭載パッドに搭載されている部品素子と、から構成されていることを特徴とするモジュールと 配線基板と、前記配線基板に搭載されている配線基板用部品素子と、から主に構成されており、前記配線基板に搭載されている前記配線基板用部品素子が前記凹部空間内に収納され、前記シールド膜が所定の一つの配線基板接続端子と電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クリーニング工程後の実装工程で、圧電振動片の実装強度を確保できる圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】実装工程Ｓ５０の前に、接合ヘッド７０の汚れを落とすクリーニング工程Ｓ４０と、クリーニング工程Ｓ４０の後に、擬似バンプＢ２が形成された擬似基板７４に接合ヘッド７０を用いて擬似圧電振動片７６を実装する擬似実装工程Ｓ４５と、を有しており、擬似実装工程Ｓ４５は、擬似圧電振動片７６の擬似バンプＢ２に対する潜り込み量Ｙ３が所定値以上になるまで繰り返し行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧電発振器の製造方法、及び圧電発振器を提供する。
【解決手段】圧電振動子１２の発振周波数の温度特性を示す周波数温度特性情報５４と、圧電振動子１２の温度に対応する情報（検出電圧５２）を用いて温度補償量５６を算出可能な温度補償回路３２に、発振信号５０と周波数温度特性情報５４を出力する圧電発振器１０において、周波数温度特性情報５４は、圧電振動子１２の温度と発振周波数との関係を離散的に示した離散周波数温度特性情報に基づいて生成するもので、周波数成分が許容範囲外にある第１の周波数温度情報を有するときは、離散周波数温度特性情報のうち周波数成分が許容範囲内にある第２の周波数温度情報に基づいて近似曲線情報を算出し、近似曲線情報から第１の周波数温度情報と同一温度の第３の周波数温度情報を抽出し、第２の周波数温度情報に第３の周波数温度情報を加えた情報に基づいて生成する。 （もっと読む）