【課題】小型で且つ広い温度範囲に亘って安定した周波数信号が得られる発振器及びこの発振器用の弾性表面波素子を提供すること。
【解決手段】共通の圧電基板１上に第１の共振子２及び第２の共振子３を配置すると共に、第２の共振子３から出力される信号を温度補償用の信号として用いるために、これら第１の共振子２及び第２の共振子３の夫々の共振周波数ｆ１、ｆ２を互いに異なる値に設定する。具体的には、第１の共振子２におけるＩＤＴ電極１２の周期長λ１と、第２の共振子３におけるＩＤＴ電極１２の周期長λ２とを互いに異なる値に設定すると共に、これらＩＤＴ電極１２の膜厚ｔ１、ｔ２を互いに異なる寸法に設定する。 （もっと読む）

【課題】高い電気機械結合と、低いスプリアス応答と、望ましい周波数-温度特性とを同時に示すＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０は、ニオブ酸リチウムを含むとともに弾性波の伝搬を行なうように構成される基板１２と、基板１２の表面２２上の第１及び第２の電極パターン１８、２０により第１及び第２の共振器１４、１６が形成され、その上にプラスのＴＣＦを有する誘電保護膜２４が形成される。そして、第１及び第２の電極パターン１８、２０が個々の電極幅ａ１、ａ２を有するとともに異なる電極周期ｐ１、ｐ２をもって配置され、異なる電極周期ｐ１、ｐ２のそれぞれが電極周期ｐ１、ｐ２に対する電極幅ａ１、ａ２のそれぞれの比率と関連付けられる。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜の分離面の欠陥層を選択的にエッチングして平坦化し、均一な膜厚の圧電薄膜を得る圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】まず、圧電単結晶基板１の表面１２側から水素イオンを注入することで、圧電単結晶基板１にイオン注入部分１００を形成する。次に、支持基板５０を圧電単結晶基板１に接合する。そして、圧電単結晶基板１と支持基板５０との接合体を加熱し、イオン注入部分１００を分離面とした分離を行う。ここで、支持基板５０に形成された圧電薄膜１０をアニールする。そして、圧電薄膜１０の分離面における欠陥層１３を選択的にエッチングして結晶層１１を露出させることで、圧電薄膜１０の分離面を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に、高い精度で、形成不良なく電極を形成し得る電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品の製造方法は、平板状の基板１を準備する基板準備工程と、基板１の主面上にレジストパターン２ａを形成するレジストパターン形成工程と、基板１の主面上のレジストパターン２ａが形成されていない部分にＩＤＴ電極４を薄膜技術により形成する電極形成工程と、レジストパターン２ａを除去するレジストパターン除去工程とを含み、電極形成工程は、基板１を、電極が形成される側の主面が凹むように反らせておこなうようにした。 （もっと読む）

【課題】線形性能の高い分波器を提供すること。
【解決手段】受信端子Ｔｒｘとアンテナ端子Ｔａｎｔとの間に接続され、弾性波共振器である１または複数の直列共振器を含む、受信帯域を有する受信用フィルタ１０と、送信端子Ｔｔｘと前記アンテナ端子との間に接続され、弾性波共振器を含む、送信帯域を有する送信用フィルタ２０と、を具備し、前記受信用フィルタの前記１または複数の直列共振器のうち前記アンテナ端子に最も近い直列共振器Ｓ１１の共振周波数は、前記受信帯域の上端周波数より高い分波器。 （もっと読む）

【課題】小型でありつつ、ＩＭＤの発生が抑制された弾性波分波器を提供する。
【解決手段】弾性波分波器１は、アンテナ端子１０と送信側信号端子１１との間に接続されている送信フィルタ部２０と、アンテナ端子１０と受信側信号端子１２ａ、１２ｂとの間に接続されている受信フィルタ部１３とを備えている。送信フィルタ２０は、アンテナ端子１０と送信側信号端子１１とを接続している直列腕２１と、直列腕２１において直列に接続されている複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４と、直列腕２１とグラウンド電位とを接続している複数の並列腕２２ａ〜２２ｃと、複数の並列腕２２ａ〜２２ｃのそれぞれに設けられている並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３とを有する。複数の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３のうち、アンテナ端子１０に最も近い第１の並列腕共振子Ｐ１の共振周波数が、他の並列腕共振子Ｐ２，Ｐ３の共振周波数よりも高い。 （もっと読む）

【課題】電気的抵抗損失が少なく、電極膜厚を厚くしても大きな電気機械結合係数ｋ^２を得ることを可能とするＳＨ波を利用した弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】上面と下面とを有し、上面に溝が形成されている水晶基板２と、前記溝内に充填されている金属層３ａを有し、該金属層３ａがアルミニウムよりも密度の重い金属からなるＩＤＴ電極４とを備え、ＳＨ波を利用している弾性表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】本発明は、圧電基板上における弾性表面波の伝搬特性に基づいて所望の媒質にかかわる計測や監視を実現する弾性表面波センサに関し、コストが大幅に増加することなく、性能が向上し、かつ特性のバラツキが安定かつ確実に回避されることを目的とする。
【解決手段】圧電基板上に形成されて電気信号を弾性波に変換し、圧電基板を伝搬した弾性波を電気信号に変換する弾性表面波センサであって、圧電基板上に配置され、電気信号を弾性波に変換する２つの送波電極と、圧電基板上で２つの送波電極に個別に対向して形成され、圧電基板を介して到来した個々の弾性波を電気信号にそれぞれ変換する２つの受波電極と、２つの送波電極の一方と一方の送波電極に対向して形成された一方の受波電極とで挟まれた圧電基板上の領域に形成され、弾性波の内、弾性表面波を２つの受波電極以外の方向に反射する反射電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】フィルタの振幅特性における通過帯域幅を広くすることができる弾性波素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の弾性波素子１０は、圧電基板１１の主表面１２、及び裏面１３は鏡面研磨が施されており、主表面１２に入力インターディジタル電極１４、出力インターディジタル電極１５が設けられている。入力インターディジタル電極１４から放射されたバルク波１６は裏面１３で反射されて出力インターディジタル電極１５で受信される。さらに、入力インターディジタル電極１４、もしくは出力インターディジタル電極１５の少なくとも一方には交差幅重み付けが施されている。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性と高いＱ値とを同時に実現するＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板１２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１３と、その両側に配置した一対の反射器１４と、ＩＤＴの電極指１５ａ，１５ｂ間に凹設した電極指間溝１７と、反射器の導体ストリップ１４ａ間に凹設した導体ストリップ間溝１８とを有し、ＳＡＷの波長λと電極指間溝の深さＧとが０．０１λ≦Ｇを満足し、ＩＤＴのライン占有率ηと電極指間溝の深さＧとが所定の関係式を満足し、ＩＤＴのライン占有率ηと反射器のライン占有率ηrとがη＜ηrの関係にある。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲に極大値と極小値とそれらの間に変曲点とを有する曲線の周波数温度特性を有するＳＡＷデバイスにおいて、製造ばらつきにより個体間に生じ得る周波数温度特性のばらつき及び劣化を抑制する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのレイリー波（波長：λ）を励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指間に凹設した電極指間溝８とを有し、電極指間溝の深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λであり、電極指膜厚ＨとＩＤＴライン占有率ηとが所定の関係を満足することにより、周波数温度特性が常に動作温度範囲内で極大値と極小値との間に変曲点を有し、かつＩＤＴライン占有率ηの製造ばらつきによる変曲点温度の変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる二端子対弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】二端子対ＳＡＷ共振子は、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２Ａ，１２Ｂと、ＩＤＴ１２Ａ，１２Ｂを構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有する二端子対ＳＡＷ共振子１０Ａであって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、


を満たし、かつ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】周波数特性のばらつき、及び水晶基板との熱歪みや経年変化による周波数変動を抑制するとともに、電気機械結合係数を改善した弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器を提供する。
【解決手段】オイラー角を（φ＝０°、１１０°≦θ≦１５０°、８８°≦ψ≦９２°）とした水晶基板３０と、前記水晶基板３０上に配置された複数の電極指１８を有し、励振波を弾性表面波としたＩＤＴ１２と、を有した弾性表面波共振子であって、前記水晶基板３０上には、前記弾性表面波の伝播方向にストライプ状に並んだ複数の溝３２が配置され、前記電極指１８が、前記溝３２の間、または前記溝の内部に配置される。 （もっと読む）

【課題】使用環境によらず、発振安定性に優れた弾性表面波共振子、およびかかる共振子を備えた弾性表面波発振器および電子機器を提供すること。
【解決手段】オイラー角（−1.5°≦φ≦1.5°，117°≦θ≦142°，42.79°≦｜ψ｜≦49.57°）の水晶基板３０を用い、ＳＡＷを励振するＩＤＴ１２およびこれを挟む一対の反射器２０と、電極指１８間の水晶基板３０を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、0.01λ≦Ｇを満たし、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧとライン占有率ηとが−2×Ｇ／λ＋0.72≦η≦−2.5×Ｇ／λ＋0.7775（ただし0.01λ≦Ｇ≦0.05λ）、および、−3.5898×Ｇ／λ＋0.7995≦η≦−2.5×Ｇ／λ＋0.7775（ただし0.05λ＜Ｇ≦0.0695λ）の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】 高周波を直接発振させることができると共に、ＡＴカット振動子並みの周波数精度が得られ、発振器を構成した場合において位相雑音やジッタ特性が良好な弾性波素子を提供することである。
【解決手段】 基板内部を板波が伝搬するようにオイラー角（０±２°、３５〜４０°、０±２°）によってカット形成された水晶基板１２と、この水晶基板１２の表面に板波を励振させる少なくとも１つの櫛形励振電極１３と、裏面に周波数の調整を行う周波数調整膜１４とを備え、位相速度が４５００〜６０００ｍ／ｓの範囲にある板波の温度特性が２５℃付近に変曲点を持つ略３次温度特性になるように櫛形励振電極１３と周波数調整膜１４の膜厚を調整した。 （もっと読む）

【課題】携帯電話や無線ＬＡＮ端末等に用いられる弾性波共振器において、横モードに起因するスプリアスを抑制する弾性波共振器の提供。
【解決手段】弾性波共振器８は、圧電基板９と、バスバー１０と、バスバー１０と平行となるように設けられたバスバー１１と、一端がバスバー１０と非直交となるように接続されるとともに、バスバー１１に向かって延伸した複数の電極指１２と、一端がバスバー１１と非直交となるように接続されるとともに、バスバー１０に向かって延伸し、複数の電極指１２と交差する複数の電極指１３と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３で表される範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６９１．６６６７（Ｈ／λ）³＋１．３９２９（Ｈ／λ）²＋１．５３３１（Ｈ／λ）＋０．２０８１ （もっと読む）

【課題】球状弾性表面波素子の動作精度をより向上させ、ひいては球状弾性表面波素子を利用した種々の装置の動作精度をより向上させる。
【解決手段】電気音響変換素子２２の中心Ｃが、表面領域１６において＋Ｙ結晶軸との交点から最大径の外周線１４の延出方向に１５度以内の範囲内にあり、さらに、水晶またはランガサイトが、右旋性である場合は、前記音響変換素子２２の中心Ｃが、前記表面領域１６において前記＋Ｙ結晶軸との交点から前記最大径の外周線１４に対し＋Ｚ方向に１度以上３度以内の角度で回転した位置にあり、一方、前記水晶またはランガサイトが、左旋性である場合は、前記音響変換素子２２の中心Ｃが、前記表面領域１６において前記＋Ｙ結晶軸との交点から前記最大径の外周線１４に対し−Ｚ方向に１度以上３度以内の角度で回転した位置にある球状弾性表面波素子１０である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、櫛型電極の本数が多く容量を大きくした場合においても、スプリアスが抑制された広帯域の弾性表面波共振器を提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波共振器は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１１を有する第１の弾性表面波共振器２０と、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１２を有する第２の弾性表面波共振器３０とを備え、第１の弾性表面波共振器２０および第２の弾性表面波共振器３０は、アポダイズが施された構成であって、かつ、並列に接続されており、また、第１の弾性表面波共振器におけるアポダイズの重み付けと第２の弾性表面波共振器におけるアポダイズの重み付けとは異なる。 （もっと読む）

【課題】化学的ウエットエッチング方式が適用可能なオイラー角の水晶基板を用いた高周波共振器の提供。
【解決手段】水晶基板１上に少なくとも一つのラム波型弾性波を発生させるすだれ状電極２又は該電極２と反射器３が配置され、該水晶基板１のカット面及びラム波型弾性波の伝搬方向がオイラー角表示（λ，μ，θ）で所定の関係を満たす様に構成されるラム波型弾性波素子。 （もっと読む）