説明

Fターム[5J097EE10]の内容

弾性表面波素子とその回路網 (15,777) | 基板構造 (522) | 基板厚み限定 (83) | 薄膜厚み限定 (36)

Fターム[5J097EE10]に分類される特許

1 - 20 / 36


【課題】圧電基板と支持基板とが接合されていても、クラックや割れなどが発生せず、しかも周波数温度特性が良好な弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】 LiTaO製の圧電基板2にSi製の支持基板3が、接着剤4を介して接合された弾性表面波素子1であって、圧電基板2の厚さが、40〜50μmに設定され、接着剤4の厚さが、20μm以上に設定されている。 (もっと読む)


【課題】第1、第2伝搬路が形成された領域の両方に対して、同時に、周波数特性の調整手法を実施して、所望の第1、第2伝搬路の周波数特性差を得ることが可能なSAWデバイスを提供する。
【解決手段】基板11の上面11aの一部に形成された結晶配向調整膜13と、基板11の上面11aにおける結晶配向調整膜13の形成領域上および非形成領域上に同じ材料で形成された圧電薄膜12と、圧電薄膜12の上下面の一方の面における異なる位置に形成された第1、第2伝搬路とを備え、圧電薄膜12のうち、結晶配向調整膜13の形成領域上に位置する第1領域12cと、結晶配向調整膜13の非形成領域上に位置する第2領域12dとは、結晶配向が異なっており、第1、第2伝搬路は、それぞれを占める第1、第2領域12c、12dの面積比が異なる構成とする。 (もっと読む)


【課題】数μm以下の厚みの非常に薄い水晶薄膜を安定して製造できる水晶デバイスの製造方法、及びこの製造方法で製造した水晶デバイスを提供する。
【解決手段】水晶単結晶基板1に水素イオンを注入して、表面1Aから一定深さの部分をアモルファス化させて、水晶単結晶基板1内にアモルファス層13A〜13Cを形成する。アモルファス層を形成する深さは、イオンや原子の注入条件(注入エネルギーやドーズ量)により決まり、注入条件に応じて1μm〜数μmの深さにばらつきのない平坦な層が形成される。アモルファス層の側面が露出するように、表面1Aから複数の溝14A〜14Dを形成し、これらの溝にエッチング液を導入してエッチングを行う。水晶のアモルファスは、水晶結晶よりもエッチング速度が速いので、エッチングによりアモルファス層13A〜13Cを除去することで、水晶単結晶基板1から水晶薄膜15A〜15Cが分離される。 (もっと読む)


【課題】弾性境界波装置において、スプリアス応答となる高次モードを抑圧する。
【解決手段】弾性境界波装置1は、圧電基板20と、第1の媒質21と、第2の媒質22と、IDT電極13とを備えている。第1の媒質21は、圧電基板20の上に形成されている。第2の媒質22は、第1の媒質21の上に形成されている。IDT電極13は、圧電基板20と第1の媒質21との間の境界に形成されている。第1の媒質21の音速は、圧電基板20及び第2の媒質22の音速よりも低い。第2の媒質22の厚さは、IDT電極13において生じる弾性境界波の波長をλとしたときに、0.56λ以上である。 (もっと読む)


【課題】良好な温度特性を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス1は、C面を主面とするサファイア基板10と、サファイア基板10の主面11に形成される窒化アルミニウム膜30と、窒化アルミニウム膜30の表面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極21,22と、櫛歯電極21,22及び窒化アルミニウム膜30の表面を覆う二酸化シリコン膜40と、を有し、前記弾性表面波としてレイリー波の基本モードを用いている。窒化アルミニウム膜30の規格化膜厚KH−AlNと、二酸化シリコン膜40の規格化膜厚KH−SiO2と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、高い音速を有する弾性表面波デバイス1が実現できる。 (もっと読む)


【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス1は、C面を主面とするサファイア基板10と、サファイア基板10の主面11に形成される窒化アルミニウム膜30と、窒化アルミニウム膜30の表面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極21,22と、櫛歯電極21,22及び窒化アルミニウム膜30の表面を覆う二酸化シリコン膜40と、を有し、前記弾性表面波がセザワ波の2次モードを用いている。窒化アルミニウム膜30の規格化膜厚KH−AlNと、二酸化シリコン膜40の規格化膜厚KH−SiO2と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数K2、高い音速を有する弾性表面波デバイス1が実現できる。 (もっと読む)


【課題】不要波が抑圧されており、高性能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波装置1は、圧電体からなる第1の媒質11と、第1の媒質11の上に形成されており、窒化ケイ素からなる第2の媒質12と、第1の媒質11と第2の媒質12との間に形成されており、酸化ケイ素からなる第3の媒質13と、第2の媒質12の上に形成されている吸音層と、第1の媒質11と第3の媒質13との間に形成されているIDT電極16とを備えている。第2の媒質12の波長規格化厚みh2/λは0.60×(h3/λ)−1.24×(h3/λ)+0.94よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】少ない工程で簡単に弾性波デバイスの周波数特性を調整する。
【解決手段】圧電基板2上に、くし型電極3を形成する電極形成工程と、くし型電極3を覆おうようにバリア膜4を形成する工程と、バリア膜4の上に媒質5を形成する工程と、くし型電極3により励起される弾性波の周波数特性を測定する測定工程と、バリア層4をパターニングするかまたは、調整膜をさらに設けることで、励起領域において厚みが他の部分とは異なる調整領域を形成する調整工程とを含み、調整工程では、調整領域の面積Tが、測定された周波数特性に応じて調整される。 (もっと読む)


【課題】入力変換ユニットおよび出力変換ユニットの線幅を変更することなしに中心周波数を調整することができる高周波表面音波装置の提供。
【解決手段】高周波表面音波装置が開示されている。開示の高周波表面音波装置は、そのナノ結晶ダイヤモンド層の厚さを変更することによってその中心周波数を容易に調整することができる。開示の高周波表面音波装置は、シリコン基板、シリコン基板の上に位置するナノ結晶ダイヤモンド層、ナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成した圧電層、入力変換ユニット、および出力変換ユニットを備え、そこでは入力変換ユニットおよび出力変換ユニットは圧電層の表面上か、または下に対で形成される。また、ナノ結晶ダイヤモンド層の厚さは0.5μm〜20μmであることができる。圧電層はZnO、AlN、またはLiNbO3から作られることができる。圧電層の厚さは0.5μm〜5μmであることができる。 (もっと読む)


【課題】低周波表面音響波デバイスを製造するために必要とされるのと同一の製造機器により且つ同一の材料を以て製造され得る高周波表面音響波デバイスを実現する。
【解決手段】圧電基板10と、圧電基板10の表面上に形成され、その表面音響波の音響波速度は5,000m/秒より大きいという高音響波速度層11と、入力変換部12と、出力変換部13とを備え、入力変換部12および出力変換部13は高音響波速度層11の表面上または該表面下に対として形成される。更に、高音響波速度層11は、好適には酸化アルミニウムで作成されると共に、電子ビーム蒸着プロセスにより圧電基板10の表面上に形成される。その厚みは好適には、2μm〜20μmである。 (もっと読む)


【課題】境界弾性波装置は、小型で温度安定性に優れている。しかし、Q値を高く出来ない、また高コストな薄膜技術を必要とする。本発明の目的は、Q値が優れ、低コストな境界弾性波装置を提供することにある。
【解決手段】θYX−LN単結晶圧電基板の表面に、アルミニウムを主成分とする膜厚hm、電極指周期λの櫛形電極と短絡型反射器(厚さhr)をパターニングし、その櫛形電極と反射器上に、膜厚がh1の酸化珪素膜と膜厚がh2の窒化アルミニウム膜6を形成した境界弾性波装置において、
2.5≦hr/λ≦8.5%、
とする。 (もっと読む)


【課題】広帯域な弾性波素子の提供。
【解決手段】弾性波素子は、擬似弾性波が伝播するよう構成された表面を有する圧電基板と、圧電基板の表面の一部に設けられた櫛歯電極と、櫛歯電極を覆いかつ圧電基板の表面に設けられた誘電体層とを備える。圧電基板はニオブ酸リチウムからなる。誘電体層は五酸化タンタルからなる。圧電基板における回転Y板のカット角が2.5度以上22.5度以下である。誘電体層の膜厚Hの、圧電基板を伝播する擬似弾性波の中心周波数の波長λに対する比H/λが0.034〜0.126である。この弾性波素子は広帯域である。 (もっと読む)


【課題】ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑圧するラム波型共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型共振子1は、複数の電極指片それぞれを接続するバスバー電極の幅をWb、前記電極指片と前記バスバー電極との間の距離をWgと表したとき、Wgをx軸、幅Wbをy軸とする直交座標において、WgとWbとが共に、円の方程式(x−10)2+(y+12.7)2=192で表される円弧とWg≧1λ、Wb≧1λで囲まれる範囲と、座標(Wg,Wb)で表した場合に、J21、J22、J23、J24、J25、J26、J27、J28、J29、J30、J31、J32、J33、J34、J35、J36、J37、J38、J21で表される各座標を記載順序に直線で結び、前記直線で囲まれる範囲と、のいずれかにある。このことにより、水晶基板10の横方向外端部で発生する変位を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、弾性境界波デバイスを小型化することを目的とする。
【解決手段】本発明は、圧電基板4と、圧電基板4上に設けられた第1の絶縁層7と、第1の絶縁層7上に設けられた第2の絶縁層8と、圧電基板4と第1の絶縁層7の境界面に設けられた複数の櫛形電極5、6を備えた弾性境界波デバイスにおいて、第1の絶縁層7と第2の絶縁層8との間に複数の櫛形電極5、6の内で所定の櫛形電極6と対峙する部分に対向電極11を設けたのである。 (もっと読む)


【課題】不要波による不要応答を抑制した弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】本発明の弾性境界波装置は、圧電材料層と、前記圧電材料層の上に配置された電極と、前記電極を覆うように前記圧電材料層の上に形成された第1誘電体層と、前記第1誘電体層の上に形成された第2誘電体層とを備え、前記第2誘電体層の音速は、前記第1誘電体層の音速よりも速く、前記第1誘電体層は、アルミナ、ダイヤモンドライクカーボン、炭化珪素及びダイヤモンドからなる群から選ばれるいずれか1種を主成分として含む材料から形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】耐電力特性を向上させつつ、動作周波数の高周波数化を図ることができる弾性表面波素子、および、この弾性表面波素子を備える信頼性に優れた電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子1は、ダイヤモンドで構成された硬質層3上に、ZnOで構成された圧電体層4と、Alで構成された櫛歯状電極5、6を備える電極層10と、SiOで構成された保護層9とがこの順に積層され、電極層10の平均層厚をT、圧電体層4の平均層厚をT、保護層9の平均層厚をT、圧電体層4の3次モードの弾性表面波の波長をλ、(2π/λ)をkとしたときに、下記(1)〜(3)のそれぞれの関係式を満たすことを特徴とする弾性表面波素子。
0.001≦kT≦0.02・・・・・・・(1)
1.3≦kT≦2.0・・・・・・・・・・(2)
0.5≦kT≦1.2・・・・・・・・・・(3) (もっと読む)


【課題】 高周波化を図った場合であっても、導体抵抗の増大を抑制でき、十分大きな電気機械結合係数K2を可能とする弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】 第1の媒質11と、第2の媒質12との間にIDT13が配置されており、IDT13を厚み方向に2等分した面を境界面とし、該境界面から第1の媒質11側の弾性境界波のエネルギーをE1、該境界面から第2の媒質12側のエネルギーをE2とし、IDT13を構成したときの弾性境界波の音速と、IDT13を構成する最も密度の大きな導体層のみを用いてIDT13を構成したときの弾性境界波の音速とが同一となるように、密度が最も大きい導体層単独でIDT13を構成した条件において、前記境界面から第1の媒質11側の弾性境界波のエネルギーをE1′、前記境界面から第2の媒質12側のエネルギーをE2′としたときに、E1/E2>E1′/E2′とされている、弾性境界波装置10。 (もっと読む)


【課題】 周波数温度特性に優れた薄膜構造の高結合擬似弾性表面波基板および高周波帯の挿入損失を低下させる弾性表面波機能素子を提供する。
【解決手段】 LiNbO3基板上にSiO2膜の薄膜層を形成するとともに、前記LiNbO3基板の回転Y板のカット角度を−10度から+30度とし、前記薄膜層の膜厚寸法をH、前記弾性表面波の動作中心周波数の波長をλとしたときに、H/λの値を0.115から0.31とした。その結果、レーレー型の弾性表面波よりも早い速度の擬似弾性表面波に対する電気機械結合係数kを0.20以上にでき、かつ周波数温度特性を−30から+30ppm/℃の各範囲とすることができ、電気機械結合係数kが大きく、周波数温度特性の優れた機能素子を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】電極指からバスバー方向への弾性波の漏れを抑制すること。
【解決手段】本発明は、弾性波を反射する弾性波反射領域(20)を有する圧電基板(10)と、圧電基板(10)上に設けられ、弾性波を励振する複数の電極指(12)と、圧電基板(10)上に設けられ、複数の電極指(12)を互いに接続するバスバー(13)と、バスバー(13)の少なくとも一部上に接して設けられた第1媒質層(16a)と、を有する。弾性波反射領域(20)は、複数の電極指(12)のバスバー(13)方向にバスバー(13)に接するように設けられている。 (もっと読む)


【課題】温度変化による伸縮が十分に抑えられる圧電基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板1は、基材11と、基材11の一方の主面上に形成された膜12とから主に構成されている。基材11において、膜12を形成する主面は、粗面化された主面11aである。この圧電基板1は、基材11の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成された膜12を、粗面化された主面11a上に溶射法により形成することにより得られる。 (もっと読む)


1 - 20 / 36