【課題】圧電基板と支持基板とが接合されていても、クラックや割れなどが発生せず、しかも周波数温度特性が良好な弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】 ＬｉＴａＯ_３製の圧電基板２にＳｉ製の支持基板３が、接着剤４を介して接合された弾性表面波素子１であって、圧電基板２の厚さが、４０〜５０μｍに設定され、接着剤４の厚さが、２０μｍ以上に設定されている。 （もっと読む）

【課題】弾性波の伝搬損失を低減できる弾性波素子を提供する。
【解決手段】圧電基板３と、圧電基板３の上面に位置した少なくとも１つのＩＤＴ電極５とを有する弾性波素子である。ＩＤＴ電極５は、圧電基板３を伝搬する弾性波の伝搬方向に延びて互いに対向して配置された一対の第１バスバー２１および第２バスバー２２と、第１バスバー２１から第２バスバー２２に向かって延び、第２バスバー２２に対して第１ギャップＧ１を有する位置に先端が位置している複数の第１電極指８と、第１電極指８に隣接して第２バスバー２２から第１バスバー２１に向かって延び、第１バスバー２１に対して第２ギャップＧ２を有する位置に先端が位置している複数の第２電極指８とを有し、第１電極指７は、第１交差領域Ｒ１のみに位置する、伝搬方向に突出した第１凸部３１を有している。 （もっと読む）

【課題】フィルタの振幅特性における通過帯域幅を広くすることができる弾性波素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の弾性波素子１０は、圧電基板１１の主表面１２、及び裏面１３は鏡面研磨が施されており、主表面１２に入力インターディジタル電極１４、出力インターディジタル電極１５が設けられている。入力インターディジタル電極１４から放射されたバルク波１６は裏面１３で反射されて出力インターディジタル電極１５で受信される。さらに、入力インターディジタル電極１４、もしくは出力インターディジタル電極１５の少なくとも一方には交差幅重み付けが施されている。 （もっと読む）

【課題】複数の導体層を積層した電極指を有するＩＤＴ電極において、導体層の破断や剥離等の発生を抑制し、耐久性を高めた弾性表面波素子及びそれを搭載した弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１は、圧電基板１０上に電極指１１ａを有するＩＤＴ電極１１を備えている。電極指１１ａは、中間層１２と、中間層１２に比べて大きな熱膨張係数を有する電極層１３が積層されてなる。電極指１１ａは、圧電基板１０に近づく方向に広がる台形形状となる断面形状を有している。中間層１２の側面１の成す角度α_１は、電極層１３の側面との成す角度β_１と異なっている。 （もっと読む）

【課題】複合圧電基板において異種の材料の熱膨張率の違いに起因する熱応力による反りを抑制し、クラックやハガレの発生を抑制することができる複合圧電基板、及び該複合圧電基板から作製される弾性表面波素子の提供。
【解決手段】圧電基板２と剛体板３が、直接又は接着層４を介して接合された複合圧電基板１であって、前記圧電基板２の外周部の厚さは中央部よりも薄く、前記剛体板３の外周部の厚さは中央部よりも厚いものである複合圧電基板１。 （もっと読む）

【課題】送信側フィルタチップと受信側フィルタチップとを有する弾性波分波器において、アイソレーション特性の改善を図る。
【解決手段】弾性波分波器１は、送信側フィルタチップ３０及び受信側フィルタチップ２０を備えている。受信側フィルタチップ２０は、受信側圧電基板２１と、受信側圧電基板２１上に形成されている受信側弾性波フィルタ部２３とを有する。送信側フィルタチップ３０は、送信側圧電基板３１と、送信側圧電基板３１上に形成されている送信側弾性波フィルタ部３３とを有する。送信側圧電基板３１の厚みＴ_Ｔｘが、受信側圧電基板２１の厚みＴ_Ｒｘよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】送信側フィルタチップと受信側フィルタチップとを有する弾性波分波器において、アイソレーション特性の改善を図る。
【解決手段】弾性波分波器１は、送信側フィルタチップ３０及び受信側フィルタチップ２０を備えている。受信側フィルタチップ２０は、受信側圧電基板２１と、受信側圧電基板２１上に形成されている受信側弾性波フィルタ部２３とを有する。送信側フィルタチップ３０は、送信側圧電基板３１と、送信側圧電基板３１上に形成されている送信側弾性波フィルタ部３３とを有する。受信側圧電基板２１の厚みＴ_Ｒｘが、送信側圧電基板３１の厚みＴ_Ｔｘよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３で表される範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６９１．６６６７（Ｈ／λ）³＋１．３９２９（Ｈ／λ）²＋１．５３３１（Ｈ／λ）＋０．２０８１ （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器と、を備えるラム波型共振子であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３であらわされる範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。
η０＝−７０．００００（Ｈ／λ）²＋４．６０００（Ｈ／λ）＋０．３２５４ （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３であらわされる範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６０４１６．６６６７（Ｈ／λ）⁴＋８２０８．３３３３（Ｈ／λ）³−４１３．９５８３（Ｈ／λ）²＋９．７２９２（Ｈ／λ）＋０．４９００ （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有する。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数、高い音速を有する弾性表面波デバイス１を実現する。 （もっと読む）

【課題】ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑制するラム波型共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型共振子１は、複数の電極指片２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂの一方の端部を接続するバスバー電極２１ｄ，２２ｃを有し、これら複数の電極指片の先端部を互いに間挿してなるＩＤＴ電極２０と、ＩＤＴ電極２０のラム波の伝搬方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、が水晶基板１０の一方の主面に設けられ、上記電極指片の交差領域（交差幅Ｗｉ）の水晶基板１０の厚さをｔｉ、交差領域の外端とバスバー電極２１ｄ，２２ｃとの間の領域の水晶基板の厚さをｔｇ、ラム波の波長をλとしたときに、ｔｉが０＜ｔｉ／λ≦３で表される範囲にあり、且つ、ｔｇ＜ｔｉの関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度変化による基板の反りを抑制することにより、製造歩留まりがよく、かつ信頼性の高い弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】第１の圧電基板１１と第２の圧電基板１３とを熱膨張係数に異方性を有する同種の圧電物質により構成し、第１の圧電基板１１は一方の主面に弾性表面波を励振する櫛形電極１５を有し、かつ他方の主面を支持基板１２の一方の主面に接合し、支持基板１２の他方の主面は第２の圧電基板１３の一方の主面に接合し、弾性表面波の伝搬方向において支持基板１２の熱膨張係数を第１の圧電基板１１の熱膨張係数よりも小さくし、第１の圧電基板１１の平面方向における熱膨張係数が大きい方向と、第２の圧電基板１３の平面方向における熱膨張係数が大きい方向とを同方向とし、さらに支持基板１２の厚みを第１の圧電基板１１の厚みと第２の圧電基板１３の厚みの合計よりも大きくしたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、エージング特性およびリフロー特性の優れる弾性表面波素子およびそれを備える圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】弾性表面波素子２は、圧電性を有する圧電体材料で構成された圧電体基板２１と、圧電体基板２１の一方の面上に設けられ、圧電体基板２１に弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ２２とを有している。圧電体基板２１の厚さは、６０μｍ〜２００μｍである。また、圧電体基板２１は、ＩＤＴ２２の構成材料の収縮力により生じる応力により、ＩＤＴ２２が設けられた面側に凹むように反っている。 （もっと読む）

【課題】高周波化が可能であり、しかも耐候性及び電気特性に優れる弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子は、ダイヤモンド層と、ダイヤモンド層上に設けられた窒化アルミニウム層と、窒化アルミニウム層上に設けられた酸化シリコン層と、前記窒化アルミニウム層と前記酸化シリコン層との間に設けられ窒化アルミニウム層に電圧を印加する一対の電極と、を有している。窒化アルミニウム層の厚みＨ_１、酸化シリコン層の厚みＨ_２、及び弾性表面波の波長λを用いて定義される（ｘ、ｙ）が、以下の式、ｙ≦０．７５０×ｘ＋０．３２５、ｙ≦−０．３００×ｘ＋１．６９０、ｙ≧−０．５００×ｘ＋０．９５０、ｙ≧０．７００×ｘ−０．６１０（ただし、ｘ＝２πＨ_１／λ、ｙ＝２πＨ_２／λ）をともに満たす範囲Ａ１内である。 （もっと読む）

【課題】基板にＬＢＯを用いたＳＡＷデバイスの通過域高域側に生じるスプリアスを抑圧すると共に、熱衝撃試験、落下試験に耐えるＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】表面上にＩＤＴ電極が形成され、裏面に深さｄの溝３が形成されたＬＢＯ基板２を紫外線硬化型接着剤によりパッケージに実装したＳＡＷデバイスであって、ＬＢＯ基板２の裏面に溝３を形成する。このとき、ＬＢＯ基板２の厚さをｔ（μｍ）、ＩＤＴ電極により励振される弾性表面波の波長をλ（μｍ）、溝３の深さをｄ（μｍ）としたときに、溝３の深さｄが、８λ≦ｄ≦（ｔ−１５０）の範囲内とした。 （もっと読む）

【課題】温度特性に優れた弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１２と、圧電基板１２の表面に設けられた弾性波を励振する櫛型電極１４と、圧電基板１２の表面上に設けられた絶縁膜２６とを具備し、絶縁膜２６の厚さは圧電基板１２の厚さより大きく、絶縁膜２６の線膨張係数は弾性波の伝搬方向における圧電基板１２の線膨張係数より小さい弾性表面波デバイス及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、弾性波フィルタのフィルタ特性を向上させることを目的とするものである。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、入力側の第１の端子１と、出力側の第２の端子２と、第１、第２の端子１、２間に電気的に接続される複数個の共振器３と、第１、第２の端子１、２と複数個の共振器３との上面に設けられた圧電基板５とを備え、圧電基板５の厚さは０．２ｍｍ未満とする弾性波フィルタとしたものである。 （もっと読む）

【課題】素子分離後の取り扱いが容易で欠陥の少ない弾性表面波素子およびその製造方法、ならびにそれを用いた弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】圧電性材料からなる第１の基板１０１と第１の基板１０１とは異なる材料からなる第２の基板１０２とが積層された積層基板１０３と、第１の基板１０１上に形成された櫛形電極１０４とを備える。積層基板１０３の第１の基板１０１側の周縁部には、段差部１０６が形成されている。段差部は、第１の基板から第２の基板にわたって形成されている。 （もっと読む）

【課題】
移動無線端末を使用する環境の温度変化に対し、周波数特性が安定で安価な弾性表面波装置を、性能を確保しかつ効率良く提供する。
【解決手段】
弾性表面波励振用櫛型電極が形成されるニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムの単結晶圧電基板と熱膨張係数が小さい支持基板とを接合した弾性表面波装置の分割工程において、分割後の圧電基板の幅が支持基板の幅より小さくなるように切断する。これにより、圧電基板に欠けなどの欠陥を与えることなく、良質な弾性表面波装置を得ることが出来る。 （もっと読む）