【課題】 高融点金属を上部電極として用いた場合に特有の抵抗上昇、残留応力の増加を回避し、上部電極の直列抵抗が小さく、且つ電気機械結合係数ｋ_t²の大きな薄膜圧電共振器を提供する。
【解決手段】 基板１１と、 この基板１１に対して一部が中空状態で機械的に保持された下部電極１４と、この下部電極１４上に配置された圧電体膜１５と、この圧電体膜１５上の上部電極１６とを備え、上部電極１６が圧電体膜１５の厚み方向に配向した結晶軸を有し、この結晶軸に関する配向半値幅が６°以下であり、厚み方向の圧電体膜１５中のバルク振動を利用する。 （もっと読む）

【課題】 所望の電気的特性を有する薄膜圧電共振子を得る。
【解決手段】 薄膜圧電共振子１の製造工程において、基体２の上に形成した下部電極３を覆うようにして基体２の上に圧電膜４を形成した後に、上部電極６を形成するための電極材料層６ｂを圧電膜４よりも上側に形成し、電極材料層６ｂの上に所定形状のマスクを形成した後に電極材料層６ｂをエッチングすることによって上部電極６を形成する。電極材料層６ｂを形成する工程に先立ち、電極材料層６ｂのエッチング時に圧電膜４を保護するための保護層５を圧電膜４における少なくとも上部電極６の非形成部位を覆うようにして形成し、その後に保護層５を覆うようにして電極材料層６ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜圧電フィルタを構成する並列共振子の周波数調整を精度良く行うための材料選択方法と共振器構造およびそれを用いた薄膜圧電フィルタを提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜圧電共振器は、圧電薄膜と、該圧電薄膜を挟むように形成された下部電極および上部電極と、該下部電極または該上部電極に接して設けられた周波数調整膜とを有し、前記周波数調整膜の音響インピーダンスが、前記周波数調整膜の接している下部電極または上部電極の音響インピーダンスより小さい。 （もっと読む）

【課題】 水晶振動片と保持器とをシリコーン系の導電接着剤を用いて接続する場合においても、通電性を阻害することのない接続電極を、工程数を増やすことなく形成することにより、安価な圧電振動子を提供する。
【解決手段】 圧電振動子である水晶振動子１は、水晶振動片２の接続電極３４が保持器３０にシリコーン系の導電接着剤３５によって接続されている。水晶振動片２の表面には、前述した接続電極３４、接続電極３４と接続する励振電極３３、及び腕部２２、２３の先端近傍に設けられた周波数調整用電極３８が形成されている。接続電極３４は、水晶振動片２の表面に設けられた第一金属層であるクロム層３８ａの１層構造であり、周波数調整用電極３８は、クロム層３８ａと、クロム層３８ａの表面に設けられた第二金属層である金層３８ｂと、金層３８ｂに重ねて設けられた金又は銀で形成される錘金属層３８ｃの３層構造である。 （もっと読む）

【課題】 パッケージ化してもサイズの小さな薄膜圧電共振装置を得ることを可能にする。
【解決手段】 第１基板２上に形成され下部電極６、圧電体膜８、および上部電極１２を有する薄膜圧電共振素子ＦＲ１〜ＦＲ９と、薄膜圧電共振素子直下の第１基板に第１基板を貫通するように設けられ薄膜圧電共振素子の下部空洞２２となる第１貫通孔と、薄膜圧電共振素子を覆い、薄膜圧電共振素子に対向する面と薄膜圧電共振素子の上面とによって薄膜圧電共振素子の上部空洞３５が形成されるように設けられた凸状の金属膜３０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】エネルギー損失を抑制する音響共振器を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、基板、第１電極、圧電材料のレイヤ、第２電極、及び引っ込み領域を含む音響共振器が提供される。基板は、第１表面を備えている。第１電極は、基板の第１表面に隣接している。圧電材料のレイヤは、第１電極に隣接している。第２電極は、圧電材料のレイヤに隣接している。第２電極は、多角形として成形された第２電極外辺部を備えている。引っ込み領域は、第２電極に隣接している。引っ込み領域は、引っ込み領域外辺部を定義する形状を備えている。引っ込み領域外辺部は、第２電極外辺部よりも引っ込んでいる。 （もっと読む）

【解決手段】 ここには多くの発明が説明され、図示されている。これらの発明は、パッケージングの前及び／又は後の何れかに関わらず、出力周波数が調整され、整調され、設定され、画定され、及び／又は選択されるマイクロ電気機械共振器を製作する方法に着目している。或る態様では、本発明の方法は、機械的構造の１つ又は複数の要素及び／又は梁（例えば、移動可能又は拡張可能な電極及び／又は周波数調整構造）を（選択又は非選択的方法で）抵抗加熱することによって、共振器の機械的構造の材料を変化させ、及び／又は共振器の機械的構造から材料を除去することにより、マイクロ電気機械共振器の周波数を調整し、整調し、設定し、画定し、及び／又は選択する。 （もっと読む）

【課題】共振周波数を高めるために、メガヘルツ及びギガヘルツ帯の基本固有振動数を有するマイクロ及びナノメータサイズの共振器における機械素子操作の計測性を向上させること。また相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）回路との集積化を容易に行うこと。
【解決手段】下部電極１、１ａ、１ｂ、上部電極層２、下部電極１、１ａ、１ｂと上部電極層２との間に配置された誘電体層３を有するマイクロフリップ型ナノ・マイクロ機械素子であって、この誘電体層３と上部電極層２とは層状体４を形成し、この層状体４は誘電体層３の側部に水平陥凹部５を、また、ギャップ５ａを形成する陥凹部５の上方に薄肉の張出部６をそれぞれ有し、この張出部６はギャップ５ａの上方に延在するマイクロフラップ６ａを形成する。 （もっと読む）

基板（１１）の上面に特定化学物質でエッチングされる絶縁層（１２）を形成する工程と、絶縁層上の一部の領域に特定化学物質によるエッチング速度が絶縁層よりも大きい物質からなる犠牲層（１３）を形成する工程と、犠牲層を含む領域に下部電極（１５）を形成する工程と、下部電極の一部を含む領域に圧電体薄膜（１６）を形成する工程と、圧電体薄膜の一部を含む領域に上部電極（１７）を形成する工程と、犠牲層の一部が露出するように圧電体薄膜及び下部電極を貫通するビアホール（１８）を設ける工程と、ビアホールから特定化学物質を導入することによって犠牲層及び絶縁層を同一の特定化学物質でエッチングすることにより振動用空間（２０）を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

特にフィルムバルク音響波共振子（ＦＢＡＲ）又は固定実装バルク音響波共振子（ＳＢＡＲ）のようなバルク音響波（ＢＡＲ）共振子になる共振子構造体（１００）であって、少なくとも一つの基板（１０）と、前記基板（１０）上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つの反射体層（２０）と、前記反射体層（２０）上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つのボトム電極層（３０）、特にボトム電極と、前記ボトム電極層（３０）上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つの圧電層（４０）、特にＣ軸垂直圧電層と、前記圧電層（４０）が前記ボトム電極層（３０）と前記トップ電極層（５０）との間にもたらされるように前記ボトム電極層（３０）上及び／又は前記圧電層（４０）上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つのトップ電極層（５０）、特にトップ電極とを有する共振子構造体をもたらすため、前記ボトム電極層（３０）と前記トップ電極層（５０）との間の非オーバラップ部の少なくとも一つの領域における少なくとも一つの空間上及び／又は少なくとも一つの空間内にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つの誘電層（６３、６５）が提案されている。本発明はこのような共振子構造体を製造する方法及びその用途にも関する。

（もっと読む）

この発明は、単結晶シリコン基板（１）に積層され、温度安定性に優れたタイムベースを作製することのできる１組の共振器であって、異なるタイプのモードで、かつ、それらの周波数差における少なくとも一次熱係数αがゼロ又はゼロに近くなるような寸法で、振動するように設計された第１の共振器（２）と第２の共振器（３）とを少なくとも含むことを特徴とする１組の共振器に関する。二次熱係数βは大きく減少されてもよい。 （もっと読む）