本発明は、増幅の必要がないくらい十分に大きな値のΔＶ_ｂｅを供給するように適合された、したがって、オフセット成分が生じないバンドギャップ電圧基準回路を抵抗する。本発明では、トランジスタの３つのペアの積層された配列を使用することで、回路内の複数の抵抗器に対する要件を低減するので、抵抗器の整合および値による誤差を最小にすることができる。電圧曲率（curvature）を低減するための内蔵回路は、低いオフセット感度を有する回路と、曲率（curvature）補正が提供されるという効果を備えて提供される。
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レプリカバイアス電圧調整回路（１００）が局部的な正のフィードバックを介して高周波数応答を与え、かつ負のフィードバックループを介して低周波数応答を与える。電圧調整回路（１００）の電流コンベアー器（１０６）は出力電圧（Ｖｌｏａｄ）をしてレプリカ電圧（Ｖｒｅｐ）に実質的に従わせる。演算増幅器（１０２）が基準電圧（Ｖｒｅｐ）とレプリカ電圧（Ｖｒｅｐ）との比較に基づいて電流コンベアー器（１０４）に供給される電流を制御することにより負のフィードバックが与えられる。
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第１電流がエミッタに流れるようにされた第１トランジスタと、上記第１トランジスタよりも大きな電流密度となるような第２電流がエミッタに流れるようにされた第２トランジスタとのベース，エミッタ間の電圧差を第１抵抗に流して定電流を形成し、それと直列にして第２抵抗を回路の接地電位側に設け、上記第１トランジスタと第２トランジスタのコレクタと電源電圧との間に第３抵抗と第４抵抗とを設け、上記第１と第２トランジスタの両コレクタ電圧とＣＭＯＳ構成の差動増幅回路に供給して、出力出力電圧を形成するとともに、かかる出力電圧を上記第１トランジスタと第２トランジスタのベースに共通に供給する。 （もっと読む）

光受信用前置増幅器は、反転増幅器１と、反転増幅器１の入出力端子間に接続された電流電圧変換素子２とを備えている。反転増幅器１は、反転増幅器１の入力端子Ｉｎにゲートが接続された第１のトランジスタ３と、第１のトランジスタ３のドレインにソースが接続され且つゲートに所定の電圧Ｖｂが与えられた第２のトランジスタ４と、第２のトランジスタ４のドレインに接続された負荷５とを有する。反転増幅器１の入力端子Ｉｎと第２のトランジスタ４のソースとの間に第３のトランジスタ６が接続されている。 （もっと読む）

電気回路が形成されているウェハ上にアクティブ・バイアス（１０）が形成され、電気回路に追加的に印加される入力信号に印加されるバイアス電圧（Ｖｏｕｔ）を生成する。具体的には、アクティブ・バイアス（１０）は、少なくとも１つのトランジスタを備え、電気回路に影響を及ぼすウェハ・ロット変動がアクティブ・バイアスの特性に対し相応して影響を及ぼすように、電気回路を形成するトランジスタ（１０）と同型であることが好ましい。アクティブ・バイアス（１０）は、ドレインが電気回路の出力に電気的に接続された１つの電界効果トランジスタ（１０）を備える。加えて、ドレインはトランジスタのゲートに電気的に接続される。この点において、トランジスタ（１０）を流れる電流は、トランジスタ（１０）のドレインおよびトランジスタのゲートにそれぞれ電圧（Ｖｏｕｔ）を生成する。この電圧（Ｖｏｕｔ）は次いで、電気回路にバイアス電圧として印加される。この回路で、トランジスタ（１０）を流れる電流はウェハ・ロット変動のため変動し、その結果、電気回路に印加されるバイアス電圧（Ｖｏｕｔ）が相応して変化する。アクティブ・バイアス（１０）はさらに追加トランジスタを備えることができ、各トランジスタ（１０）のチャネルは他のトランジスタのゲートに電気的に接続される。この点において、トランジスタを流れる電流は、トランジスタが流れる電流を過度に増減させるのを防止するために相互に調整される。
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基準入力（ｖ_i）に基づいてパルス変調信号を生成するためのパルス変調器とパルス変調信号を増幅するよう構成されたスイッチング電力段と電源電圧変化を補償するよう構成された制御システムとを含む少なくとも１つのパルス変調増幅器（１）と、各増幅器に駆動電圧（Ｖ_s）を供給する電圧源（２）とから構成される電力変換システムであって、前記電圧源（２）は、前記入力基準（ｖ_i）が供給され、入力基準（ｖ_i）の増幅された絶対値に追従する第１駆動電圧成分（Ｖ_s）を供給するよう構成されている。本発明によるパルスエリア変調は、ＰＡＭ信号の平均振幅が小さくなる場合に、結果として効率の改善が得られ、同時にＥＭＩのレベルが確実に低減されることになる。 （もっと読む）

本発明は低消費電力型の電圧増幅器に関する。本増幅器は、トランジスタ（Ｍ１）、トランジスタ（Ｍ１）のドレインに電力を供給する第一の電流源（Ｉ１）、トランジスタ（Ｍ１）のソースを充電する第二の電流源（Ｉ０）を備え、第一の電流源（Ｉ１）の出力電流と第二の電流源（Ｉ０）の出力電流の値はほぼ同じである。更に、本増幅器は、トランジスタ（Ｍ１）のドレインに接続する第一のキャパシタ（Ｃ１）、及びトランジスタ（Ｍ１）のソースに接続する第二のキャパシタ（Ｃ０）を備える。電流源（Ｉ１）と第一の電界効果トランジスタ（Ｍ１）の間に、第一の電界効果トランジスタの形式と逆形式の追加的電界効果トランジスタ（Ｍ３）が挿入される。本発明は、Ｘ線又はγ線検出器の電圧増幅に特に適している。 （もっと読む）

入力信号を受信するための第１の差動入力を有するＮＭＯＳトランジスタ・ダブレットと入力信号を受信するための第２の差動入力を有するＰＭＯＳトランジスタ・ダブレットとを有する入力ステージ（６１）を備える装置（８０）。この装置（８０）は、さらに、アナログ入力信号を受信し、アナログ入力信号を第１の差動入力または第２の差動入力に選択的に向けるための切換え手段を備える。この手段は、ＮＭＯＳトランジスタ・ダブレットの相互コンダクタンスとＰＭＯＳトランジスタ・ダブレットの相互コンダクタンスとの比が一定に保たれるように、切換え信号（φ，φバー）によって制御される。
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従来の電力増幅技術は、かなりのチップ面積を使用し、より高い製造費用および大きなパッケージ面積を伴う多重集積回路技術を用いている。新しい構造が提示され、そこではいくつかの検知信号および制御信号が用いられて、集積半導体電源増幅に伴う基本的な性能指数についての精密で著しい制御を提供する。これらの検知信号および制御信号がどこにかつどのように用いられるかは、最も製造し易くかつ最も経済的な集積増幅器を達成するために決定的である。本発明の第１の実施の形態によると、３段階電力増幅用集積回路に係る二重のフィードバック低電力調整回路が提供されている。本発明の第２の実施の形態によると、３段階電力増幅集積回路に係る低ＲＦ出力信号電力調整を行う電流源フィードバック回路が提供されている。本発明の第３の実施の形態によれば、３段階電力増幅集積回路に係る集積対数電流検出回路の形態の検出回路が提供されている。本発明の３つの実施の形態では先行技術の限界を乗り越えて利益がある。 （もっと読む）

本明細書の開示はＲＦ出力半導体デバイスに関する。本明細書に開示の一実施形態において、ＲＦ出力プラスチック半導体デバイス（１０）は、半導体（ＲＦ）デバイス（１２）、ＲＦデバイスに電気的に接続されている低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）インピーダンスマッチング構造体（１４）、並びにＲＦデバイス及びインピーダンスマッチング構造体の上方に形成されているプラスチックパッケージ本体（２２）を備える。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体は、インピーダンスマッチング構造体の主要本体部分の上方に位置する金属化層（２８，３６）と、金属化層上のパッシベーション層（４４）からなる。パッシベーション層により、金属化層に対するプラスチックパッケージ本体の金型成形コンパウンドの結合強度が増大する。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体とＲＦデバイスとの間に電気的な相互接続部が形成されるように、金属化層のうちの一部はパッシベーション層を通じて露出される。好適には、本明細書に開示の実施形態によるＲＦ出力プラスチックパッケージは、従来のＲＦ出力プラスチックパッケージの終端インピーダンスの約２倍以上の終端インピーダンスを示す。
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ジャイレータ・フィルタなどのトランスコンダクタ回路は、平衡型ＡＢ級トランスコンダクタ、コンデンサ、およびそのトライオード領域で動作するＭＯＳトランジスタによって形成された浮遊ＭＯＳ抵抗の構成を備える。フィルタの同調は、共通供給レール電圧（Ｖ_ｄｄａ）を変化させることによってもたらされる。ＭＯＳ抵抗の抵抗値がトランスコンダクタのトランスコンダクタンス値（−Ｇ）の変化を追従することを可能にするために、回路は条件Ｒ＝１／Ｇを提供する。回路は、ＡＢ級トランスコンダクタの同相電圧（Ｖ_ｃｍ）からオフセットされた電圧（Ｖ_ｃｍ−ΔＶ）を発生させる手段（１０２）を含む。オフセット電圧は、トランスコンダクタンス（−Ｇ）を有するＡＢ級トランスコンダクタ（１０８）とＭＯＳ抵抗をエミュレートするＭＯＳトランジスタ（１１０）のソース−ドレイン経路との並列構成に供給される。この並列構成の電流出力Ｉ＝ΔＶ（Ｇ−１／Ｒ）は積分され、ＭＯＳトランジスタ（１１０）のゲート電極へ制御電圧（ｃｎｔｒｌ）として出力される。ループ作用によって制御電圧が調整され、その結果、Ｒ＝１／Ｇのときに生じるＩ＝０でループは安定し、この制御電圧は浮遊ＭＯＳ抵抗にも供給される。
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【課題】 固体撮像装置を用いたシステムにおける小型軽量化及び低消費電力化を図ることが可能な信号処理回路を提供する。
【解決手段】 固体撮像装置１２から出力されたアナログ映像信号のフィードスルーレベルＶｆとデータレベルＶｄとの差分を取ってノイズ成分を除去した差分信号を生成し、可変容量素子２２の容量値及び可変容量素子２４の容量値の容量比に応じた利得でその差分信号を可変に増幅するので、極めて簡単な回路構成で従来例と同様の機能を具備し、小型軽量化及び低消費電力化を図ることができる。 （もっと読む）