【課題】ＭＯＳＦＥＴを含むスイッチング回路においてサージ電圧を抑制する。
【解決手段】ゲート端子に入力される制御電圧によってドレイン電流を制御するＭＯＳＦＥＴ３０を含むスイッチング回路１００であって、コンデンサ４２を介してＭＯＳＦＥＴ３０のドレイン端子をダイオード４０のアノード端子に接続し、ＭＯＳＦＥＴ３０のゲート端子をダイオード４０のカソード端子に接続する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ基板上に製造される差動構成のスイッチトキャパシタ回路において、一端がＶssとＶdd間の中間電位であるアナロググランドに接続されるスイッチに用いるトランジスタとして、スイッチオフ時のリーク電流を少なくする。
【解決手段】 ＳＯＩ基板上に製造されたトランジスタであり、活性領域中に形成されたチャネル領域、ソースおよびドレインと、チャネル領域上に形成されたゲート電極と、チャネル領域に接し、かつソースおよびドレインに接しない活性領域中に形成され、チャネル領域と同一伝導型の第１の領域と、チャネル領域に接し、かつソースおよびドレインに接しない活性領域中に形成され、ソースおよびドレインと同一伝導型の第２の領域とを有し、第１の領域と第２の領域とは金属コンタクトにより電気的に相互に接続されてチャネル領域に対する電位固定作用を有するソースタイトランジスタを用いる。 （もっと読む）

【課題】電力負荷効率の周波数依存性を小さくすることが可能な電力増幅器を提供する。
【解決手段】入力信号を増幅するバイポーラトランジスタ１０５と、バイポーラトランジスタ１０５の出力である増幅信号に含まれる３次高調波を抑圧する３次高調波抑圧回路１０６と、バイポーラトランジスタ１０５の出力である増幅信号に含まれる２次高調波を抑圧する２次高調波抑圧回路１０７とを備え、３次高調波抑圧回路１０６は、バイポーラトランジスタ１０５を構成するベース層３０５とエミッタ層３０４から構成されるＰＮダイオード３０９を有し、ＰＮダイオード３０９には、可変な逆方向電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】広い周波数帯域において、高効率かつ低歪な高周波送信部を作製するための手段を提供する。
【解決手段】高周波電力トランジスタと、負荷整合回路１０５と、位相回路１１と、アイソレータ１４１と、を具備し、任意の周波数ｆにおいて、前記負荷整合回路の出力端１１６から前記位相回路側を見たインピーダンスをＲ［ｆ］＋ｊＸ［ｆ］、動作周波数の下限値をＬ、上限値をＨとするとき、Ｘ［Ｌ］＜Ｘ［Ｈ］の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器に内蔵される増幅用トランジスタのコレクタ電流の温度依存性を改善する。
【解決手段】増幅用トランジスタ１と、増幅用トランジスタにバイアス電流を供給するバイアス供給用トランジスタ２と、バイアス供給用トランジスタ２のベース電圧の温度特性を補償する温度補償用トランジスタ５，６を備え、バイアス電圧供給端子９から温度特性を有する抵抗１３を介してバイアス供給用トランジスタ２のベースに接続し、バイアス供給用トランジスタ２のエミッタ電流を一定に保つように設定する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化と動作の安定化を実現した半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】基準電流源で形成された定電流に対応した電流で動作する複数の機能ブロックを有する。上記複数の機能ブロックのうちの１つは、上記定電流に対応した電流を流す第１トランジスタ、上記第１トランジスタと直列形態にされ、ダイオード接続された第２トランジスタ、及び上記第２トランジスタと電流ミラー接続にされた第１電流源トランジスタの定電流で動作する第１回路を含む。 （もっと読む）

【課題】電源電圧付近でのオフセットを低減させる差動増幅器の提供。
【解決手段】ディプレッション型の第１、第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタ（ＭＮ１、ＭＮ２）よりなる差動対と、前記差動対の電流を供給する第１の電流源（Ｉ１）と、前記差動対の出力対をフォールデッド接続するための、トランジスタ対（ＭＰ１、ＭＰ２）、（ＭＰ３、ＭＰ４）を２段カスコード接続してなるカレントミラー回路と、前記カレントミラー回路の入力端と出力端にそれぞれ接続された第２、第３の電流源（Ｉ２、Ｉ３）と、前記カレントミラー回路の出力端に入力端が接続され、差動増幅器の出力端子ＯＵＴに出力端が接続されたバッファアンプ（Ａ１）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】定電流回路を構成するチップの面積縮小を図ることができる回路構成を提供する。
【解決手段】トランジスタ６のベース電流を流すための起動素子をツェナーダイオード７で構成する。そして、このツェナーダイオード７を構成する各拡散層２０〜２２をリーク電流が発生するような不純物濃度に設定する。このため、ツェナーダイオード７は、リーク電流分の電流を流し、かつ、ツェナーダイオード７の両端間に電位差（Ｖｚ×ツェナーダイオード７の個数）を発生させるため、抵抗と等価の役割を果たすことができる。このように、起動素子をツェナーダイオード７で構成することにより、起動素子を抵抗で構成する場合と比べて必要な面積を低減することが可能となる。したがって、定電流回路を構成するチップの面積縮小を図ることができる回路構成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】出力偏差の改善された出力バッファ及びこれを備えた平板表示装置用のソースドライバを提供する。
【解決手段】出力バッファは、第１入力信号が提供される第１入力端子と、第２入力信号が提供される第２入力端子と、第２入力信号に基づいて第１入力信号として出力信号を発生させる出力端子と、第１電源が提供される第１電源端子と、第２電源が提供される第２電源端子と、第１入力信号と第２入力信号とを差動増幅して、出力信号を第１電源にプルアップまたは第２電源にプルダウンさせ、互いに異なる複数のトランジスタを備える増幅部とを備える出力バッファである。 （もっと読む）

【課題】差動増幅回路が形成されてなる半導体回路装置であって、回路の動作スピードと安定性を両立させることができると共に、適用回路に制限がなく、安価に製造することのできる半導体回路装置を提供する。
【解決手段】差動増幅回路１００ａにおける２つの入力トランジスタＱ１，Ｑ２にバイアス電流Ｉｂを供給する電流供給トランジスタＱ３ｐが、マルチコレクタのバイポーラトランジスタからなり、電流供給トランジスタＱ３ｐの第１コレクタｃ_１が、２つの入力トランジスタＱ１，Ｑ２の各エミッタに共通接続され、第１コレクタｃ_１と電流供給トランジスタＱ３ｐの第２コレクタｃ_２との間で、寄生抵抗Ｒｐが形成され、第２コレクタｃ_２が、２つの入力トランジスタＱ１，Ｑ２に入力が無い状態で、第１コレクタｃ_１と同電位に設定されてなる半導体回路装置１００とする。 （もっと読む）

本発明のＭＯＳトランジスタ（１）は、ゲート電極（１０）、チャネル領域（４）、ドレインコンタクト領域（６）、および、前記チャネル領域（４）と前記ドレインコンタクト領域（６）とを相互に接続するドレイン拡張領域（７）を具える。前記ＭＯＳトランジスタ（１）は、前記ドレイン拡張領域（７）の上方に延在するシールド層（１１）をさらに具える。このシールド層（１１）と前記ドレイン拡張領域（７）との間の距離は、前記ゲート電極（１０）から前記ドレインコンタクト領域（６）へ向かう方向に増加する。このような方法で、前記ＭＯＳトランジスタ（１）の横方向破壊電圧は、ＭＯＳトランジスタが基地局アプリケーションにおいて用いられるものよりも高い供給電圧のためのブロードキャストアプリケーションの耐久性要求を満足することができるレベルまで増加する。
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【課題】歪補償を容易に行うことができるとともに、小型化および低消費電力化が可能な光受信装置および光伝送システムを提供することである。
【解決手段】固定高電圧発生回路１６により、ＡＰＤ１１の両端に一定電圧が印加される。ＡＰＤ１１の負荷としてＰＩＮダイオード１２が接続されている。ＡＰＤ１１が光信号を受けると、抵抗１３およびＡＰＤ１１に電流が流れる。電流検出回路１７は、抵抗１３に流れる電流を検出し、検出された電流に基づく電流をＰＩＮダイオード１２に供給する。それにより、受光電力にかかわらず出力端子ＮＯの高周波信号のレベル（出力電力）が一定に保たれる。光信号はＡＰＤ１１により一定の増倍率Ｍで増倍されているので、歪の非直線性も一定に保たれる。歪補償回路２２の可変抵抗２３を調整することにより歪補償ダイオード２４に流れる電流を調整する。 （もっと読む）

【課題】静電気放電保護回路を具えた差動入力／出力装置を提供する。
【解決手段】差動入力／出力装置は、Ｐ型トランジスタ差動対５００、第１のＥＳＤ保護ユニットおよび第２のＥＳＤ保護ユニットを含む。第１のＥＳＤ保護ユニットおよび第２のＥＳＤ保護ユニットはそれぞれＮ型トランジスタ５０６および５０８を含む。従来技術に比べて、本発明の保護装置は、ＣＤＭ ＥＳＤが入力装置に発生したとき、より低いインピーダンスの電流経路を与える。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積の増大を抑えつつトランジスタのベース電位を固定する。
【解決手段】電源線２とベースとの間に、逆方向となるようにツェナーダイオードＤ１を接続する。スイッチ５がオンした状態でツェナーダイオードＤ１に流れるリーク電流は、定電流回路３の電流Ｉａよりも十分に小さくなるので、ミラー比の誤差が小さくなる。スイッチ５がオフした状態でトランジスタＱ１〜Ｑ４のベースラインの電位が下がると、ツェナーダイオードＤ１のリーク電流が増大するので、ツェナーダイオードＤ１はベース電位の低下を抑えるように作用する。ツェナーダイオードＤ１の素子サイズは、その逆方向の抵抗値と同程度の高い抵抗値を持つ抵抗素子と比較して格段に小さい。 （もっと読む）

接続部（１１，１２）に結合された電極を有する素子（５）を備え、一つ以上の接続部（１１，１２）がインピーダンス送信ネットワークの一部を形成する装置（１）において、接続部（１１，１２）の最大部分が非平行面に配されることにより、接続部（１１，１２）の間の電磁結合が低減される。これにより、さらに、不要なフィードバック及び素子（５）の送信特性の悪化が低減され、さらに、各素子（５）の別個の電極が互いにより近接して配置されてサイズが小さくなる。接続部（１１，１２）の最大部分は、それぞれの他の平面の一部を形成せず、同一平面の一部を形成しない。これら平面は４５度と１３５度との間の角度をなす。一つの接続部（１１，１２）がループ等の形状を有し、さらに電磁結合を低減する。インピーダンス送信ネットワークの一部を形成する一つ以上の接続部（１１，１２）がインダクタンスを備え、一つ以上の接続部（１１，１２）が素子内部容量（１３，１４）に結合される。
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【課題】複数の受光素子からそれぞれ得られる光電流の一つ以上を出力段の増幅回路において選択的に増幅し、かつ小規模に実現可能な光電流増幅回路を提供する。
【解決手段】複数の受光回路６０４、６０８と、受光回路に対応する増幅素子６１２、６１６と、対応する増幅素子に、増幅素子を遮断状態にする入力電圧を印加する素子選択スイッチ６１１、６１３と、増幅素子６１２、６１６を並列に接続してなる反転入力部６３２を持つ差動増幅回路６３１とを備え、増幅素子６１２、６１６の入力と差動増幅回路６３１の出力との間は、ゲイン抵抗６１９、６２０で接続され、差動増幅回路６３１は、ゲイン抵抗６１９、６２０にそれぞれ対応する受光回路６０８、６０４から流れる電流信号を電圧信号に増幅する。 （もっと読む）

【課題】複数の受光素子からそれぞれ得られる光電流の一つ以上を選択的に増幅し、かつ非選択の受光素子からのノイズ電流を効果的に遮断できる受光増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明の受光増幅回路は、差動増幅回路１１８を共通とし、反転入力部である差動入力段のＮＰＮトランジスタ１０９とＰＤ１０１、１０２との間に光電流に対して順方向に配置されたダイオード１０５、１０６がそれぞれ直列に接続され、電流供給スイッチ用ＮＰＮトランジスタ１０３、１０４は差動入力ＮＰＮトランジスタ１０９とＰＤ１０１、１０２との間にそれぞれ並列に接続されている。ＰＤ１０１に光を入射させるとき、ＮＰＮトランジスタ１０３、１０４がそれぞれオフ、オンしており、ダイオード１０６は逆方向バイアスされて、ＰＤ１０２に入射した光によって発生する電流が差動増幅回路１１８に流入するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】 複数の受光素子からそれぞれ得られる光電流の一つ以上を選択的に増幅し、かつ小規模に実現可能な光電流増幅回路を提供する。
【解決手段】 複数の受光素子１０２、１０１と、受光素子に対応する増幅素子１０５、１０８と、対応する増幅素子に、増幅素子を遮断状態にする入力電圧を印加する素子選択スイッチ１０３、１０４と、増幅素子１０５、１０８を並列に接続してなる反転入力部１２２を持つ差動増幅回路１２１とを備え、増幅素子１０５、１０８の入力と差動増幅回路１２１の出力との間は、ゲイン抵抗１１１、１１２で接続され、差動増幅回路１２１は、ゲイン抵抗１１１、１１２にそれぞれ対応する受光素子１０２、１０１から流れる光電流を電圧信号に増幅する。 （もっと読む）

直接取り付け型光受信モジュール、および直接取り付け型光受信モジュールを試験するためのシステムおよび方法を提供する。光受信モジュールは、光検出器と、集積増幅回路を備えた集積回路と、少なくとも１つの集積コンデンサとを含むことが可能である。一実施例では、光検出器を集積回路に物理的に取り付けることが可能であり、光検出器の出力ポートを集積回路の入力ポートに電気的に結合することが可能である。別の実施例では、同調インダクタを含む再分配層を光検出器と集積回路との間に物理的に取り付けることが可能である。
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【課題】 静電気対策としてオペアンプ１０１の出力端子１０４と外部出力端子１１４との間に５０Ω程度の静電気保護用の拡散抵抗１０５を入れる必要があるが、オペアンプ１０１から電流を取り出した場合、たとえば２ｍＡの電流を取り出すと０．１Ｖ程度の大きな電圧降下が発生する。そこで、静電気保護用の拡散抵抗を挿入した場合でも電圧降下を抑え、且つ静電気耐性に優れたオペアンプ回路を提供する。
【解決手段】 オペアンプ１０１の出力端子１０４から負帰還を掛けずに、５０Ω程度の静電気保護用の拡散抵抗１０５を介した外部出力端子１１４からオペアンプ１０１の反転入力端子１０２との間で負帰還を掛ける。負帰還量は通常４０ｄＢ以上掛けられるので、５０Ω程度の静電気保護用の拡散抵抗１０５の影響は１／１００以下に圧縮され、０．００１Ｖ以下の誤差となり、電圧降下の影響を小さく抑えることができる。 （もっと読む）