【課題】熱劣化によるループ電流発生に起因する線形性の劣化を抑制することを可能にする。
【解決手段】入力端子１と、それぞれの一端が入力端子に共通接続される第１および第２のスイッチ３，４と、半導体基板上に形成され第１のスイッチまたは第２のスイッチの他端に接続されたゲートを有するマルチフィンガー型の第１のＦＥＴ５および第２のＦＥＴ６と、第１および第２のＦＥＴのそれぞれのドレインが共通接続される出力端子２と、第１、第２のＦＥＴのチャネルの温度および半導体基板の温度を検出する第１、第２、第３の温度検出器９、１０、１２と、第１、第３の温度検出器の出力差および第２、第３の温度検出器の出力差を熱起電力によって検出する第１および第２の検出回路１３、１４と、第１および第２の検出回路の出力を比較して、第１および第２のスイッチのうちの一方をＯＮにし、他方をＯＦＦにする比較器１５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】動作時の出力低下が少なく、熱雑音の影響が少なく、高周波動作が安定で、かつ信頼性に優れた高周波電力増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板上に形成されたゲート電極、半導体基板の表面部分に形成されたソース領域及びドレイン領域が、それぞれ共通接続された複数のトランジスタと、半導体基板の表面部分であって、かつ隣り合うトランジスタ間に設けられた複数の音響反射層とを備え、音響反射層は、ゲート電極が配置された方向に対して斜め方向に位置するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】動作時の出力低下が少なく、熱雑音の影響が少なく、高周波動作が安定で、かつ信頼性に優れた高周波電力増幅器および携帯型無線端末を提供することを可能にする。
【解決手段】半導体基板上に並列に配置され、それぞれがソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極を有する複数のＭＯＳトランジスタと、前記複数のＭＯＳトランジスタのうち隣接するＭＯＳトランジスタ間に設けられた短絡した導体からなる閉ループと、を備え、前記複数のＭＯＳトランジスタのソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極はそれぞれ並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ノイズ信号を軽減し、入力信号を安定に増幅動作させることができる反転増幅回路対を提供する。
【解決手段】抵抗１，２と演算増幅回路３からなる反転増幅回路９，１０を２段直列に接続し、反転増幅回路９のマスクレイアウト、反転増幅回路１０のマスクレイアウトを半導体回路チップ８上に隣接配置することにより、反転増幅回路９の出力ノイズ信号ＶＮ１は反転増幅回路１０では極性が、反転増幅回路１０に進入するノイズ信号ＶＮ２と逆極性となって、また反転増幅回路９と反転増幅回路１０に進入するノイズは、反転増幅回路９と反転増幅回路１０が、隣接配置されることで相関を持ち、ノイズの大きさ、時間的位置がほぼ同等となるので、打ち消す作用が生じ、信号に含まれるノイズレベルを軽減することができる反転増幅回路対を得る。 （もっと読む）

【課題】 バックオフ領域で動作しているときの利得を抑制することができ、ピーク増幅器に好ましく適用され得る化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】 化合物半導体材料からなる下側電子走行層(3)の上に、ｎ型にドーピングされ、下側電子走行層よりも電子親和力の小さな化合物半導体材料からなる下側電子供給層(4)が配置されている。下側電子供給層の上に、該下側電子供給層よりもドーピング濃度が低いか、またはノンドープの化合物半導体材料からなる上側電子走行層(5)が配置されている。上側電子走行層の上に、該上側電子走行層よりも電子親和力の小さなｎ型化合物半導体材料からなる上側電子供給層(7)が配置されている。上側電子供給層の上に、相互に離隔して配置され、下側電子走行層及び上側電子走行層にオーミックに接続されるソース電極及びドレイン電極が配置されている。ソース電極とドレイン電極との間の、上側電子供給層の上に、ゲート電極が配置されている。 （もっと読む）

【課題】広いダイナミックレンジを有する光受信回路および光結合装置を提供する。
【解決手段】入力光１１に応じて電流Ｉｐを出力する受光素子１２と、入力端子１３ａに受光素子１２が接続された反転増幅器１３と、トランスインピーダンスが低周波数側で小さくなり、且つ高周波数側で大きくなる周波数特性を有し、反転増幅器１３の出力電圧Ｖｏを入力端子１３ａに帰還する帰還回路１４とを具備する。帰還回路１４が、反転増幅器１３の入力端子１３ａと出力端子１３ｂとの間に直列接続された第１抵抗Ｒ１および第２抵抗Ｒ２と、第１抵抗Ｒ１と第２抵抗Ｒ２との接続点１４ａと接地電位線ＧＮＤとの間に直列接続された第３抵抗Ｒ３およびキャパシタＣとを具備する。 （もっと読む）

【課題】セルフカスコード方式において常に最適な出力抵抗を得ること。
【解決手段】半導体基板上にソース又はドレインが互いに直列に接続された同一極性の２個のｎＭＩＳＦＥＴ（ＭＮ１、ＭＮ２）を有する。ＭＮ１及びＭＮ２のゲートは、同一のゲート端子ＶＧに接続される。ゲート端子ＶＧには、直流ゲートバイアス電圧と交流信号電圧が印加される。ＭＮ２のドレインは、ＭＮ１のドレインよりも高い電位が印加されている。ＭＮ２の基板に印加される直流基板バイアス電圧ＶＳＵＢは、ＭＮ１の基板に印加されるグラウンド電圧よりも高い。ＭＮ２の直流基板バイアス電圧ＶＳＵＢは、回路状態に応じて、変化するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】一定のペア性を確保しながら、一対のＭＯＳＦＥＴの素子面積を縮小させる。
【解決手段】同一形状のアクティブ領域１４とゲート電極１１を有する一対のＭＯＳＦＥＴ５０を含むパワーアンプにおいて、対をなすＭＯＳＦＥＴ１０ａ、１０ｂのそれぞれのゲート電極１１は、一方向に延在する第１部分１１ａと、一方向と交差する他方向に延在する第２部分１１ｂとから構成されるものとする。第１部分１１ａと第２部分１１ｂをそれぞれ複数設けることによって、ゲート電極１１が網状に配置される。 （もっと読む）

【課題】出力効率が高く広い周波数帯域において良好な歪み特性を有する高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】マルチフィンガー形のトランジスタで形成され、信号が入力されるゲートパッド３０ａと接地されるソースパッド３０ｂと信号が出力されるドレインパッド３０ｃとを有する単位ＦＥＴ３０を複数有するＦＥＴ素子１２と、単位ＦＥＴ３０のゲートパッド３０ａと接地端との間にシャント接続された直列共振回路３２が複数個配設された高周波処理回路１４とを備え、直列共振回路３２の二つがＦＥＴ素子１２の動作周波数帯域に含まれる周波数の２次及びそれ以上の高調波であって互いに異なる共振周波数を有するものである。 （もっと読む）

【課題】共通ゲート増幅器を差動構造で具現した共通ゲート差動増幅器の両側ボディーをそれぞれ反対位相側のソースに交差カップリングし、ボディー効果によるトランスコンダクタンスを増加させて利得を向上できるとともに、降伏電圧が低くなるという短所を緩和できるボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器を提供する。
【解決手段】共通ゲート増幅器を差動構造で具現した共通ゲート差動増幅器において、前記差動増幅器の両側ボディーをそれぞれ反対位相側のソースと交差カップリングすることを特徴とするボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器を構成する。 （もっと読む）

【課題】高い利得を得ることができるＦＥＴ帯域増幅器を提供すること。
【解決手段】ＡＭ受信機に含まれるＦＥＴ帯域増幅器５は、例えば５段の増幅器１１〜１５と、その中間に挿入されたＢＰＦ１６を備えている。増幅器１１〜１５のそれぞれは、ｐチャネルＦＥＴを増幅素子として用いた差動増幅器として動作する。ＢＰＦ１６は、ＦＥＴ帯域増幅器全体の増幅帯域よりも広い帯域成分を通過させる。ＣＭＯＳプロセスあるいはＭＯＳプロセスを用いて、半導体基板上に構成部品が一体形成されている。３段の増幅器１１〜１３によって増幅された信号の低域成分を除去することにより１／ｆノイズを低減することができ、高域成分を除去することにより熱雑音を低減することができる。これにより、ＢＰＦ１６の後段に接続された増幅器１４、１５のそれぞれが、ノイズ成分によって飽和することがない。 （もっと読む）

【課題】入力されるバイアス電圧と電圧信号とのうち、電圧信号を増幅することが可能な増幅器、増幅方法、およびフィルタを提供する。
【解決手段】静電容量が可変する第１可変静電容量素子と、第１可変静電容量素子と電気的に接続され、第１可変静電容量素子と逆導電型であり、静電容量が可変する第２可変静電容量素子と、第１可変静電容量素子と第２可変静電容量素子とに対してバイアス電圧と電圧信号とを選択的に入力する第１入力部とを備え、第１可変静電容量素子と第２可変静電容量素子とにバイアス電圧と電圧信号とが入力される場合は、第１可変静電容量素子と第２可変静電容量素子との静電容量を第１の値とし、第１可変静電容量素子と第２の可変静電容量素子の静電容量を、第１の値よりも小さな第２の値として電圧信号を増幅する増幅器が提供される。 （もっと読む）

【課題】通信端末用の送信電力増幅回路において、複数種類の周波数帯域の信号の電力増幅を、簡易な構成で実現する。
【解決手段】信号を増幅する能動素子を有し、複数種類の周波数帯域の信号の供給が可能に構成され、入力された各周波数帯域ＦＢ１，ＦＢ２の信号を共通の能動素子で増幅して出力する増幅回路４を備えたものとする。つまり、複数種類の周波数帯域の信号に対して、電力増幅用の能動素子を共通化する。入力側および出力側には、接続回路との間でインピーダンス整合をとる整合回路Ｍｉ，Ｍｏを配する。増幅用ＦＥＴ４２，６２の２段構成にし、２段目の増幅用ＦＥＴ６２のソースは、ワイヤーボンディングなどで接地と接続し、段間整合回路Ｍｍは、複数種類の周波数帯域の信号に対して共通化する。 （もっと読む）

【課題】ミュート−オン状態／ミュート−オフ状態に切り換え時に発生するＤＣ段差によるショットノイズを抑えることが可能なミューティング回路を提供するものである。
【解決手段】アンプ１０で増幅される音声信号を、一時的にミュートさせることが可能なミューティング回路であって、ミュート動作のオンまたはオフを切り換え可能なコントロール信号が入力される入力端子２と、入力端子２とアンプ１０の出力端子とに接続されているミューティングトランジスタ６とを備え、ミューティングトランジスタ６は、ＭＯＳトランジスタで構成され、ゲートは入力端子２に接続され、ドレインは２つの抵抗７及び１６を介してアンプ１０の出力端子に接続され、ソースは接地され、抵抗７及び１６のノードと接地ラインとの間にダイオード１７が接続されている。 （もっと読む）

【課題】 与えられる電源電圧の変動によって半導体受光装置が誤検出することを抑制することは困難であった。
【解決手段】 第１及び第２電源端子に接続されるバイアス回路と、第１及び第２電源端子に接続されるトランスインピーダンス回路と、バイアス回路にカソードが接続され、トランスインピーダンス回路にアノードが接続されることで逆バイアス状態となるフォトダイオードと、フォトダイオードとトランスインピーダンス回路との間の節点に一端が接続され、第２電源端子に他端が接続される緩衝容量部と、を備え、緩衝容量部の容量の大きさは、フォトダイオードの空乏層から規定される寄生容量の大きさと実質的に等しく設定される。第１及び第２電源端子から与えられる電源電圧が変動したとしても、充電又は放電電流がトランスインピーダンス回路に流れ込むことを抑制できる。 （もっと読む）

パワーアンプモジュールが、熱ビア及び端子、並びに半導体材料の相互接続基板を有するプラットフォームデバイスを備えた積層基板を備えている。この基板は、その第１面に電気相互接続が設けられ、反対側の第２面は積層基板上に装着されている。導電接続部が、第１面から基板を通って第２面に延びる。パワーアンプデバイスが基板の第２面に取り付けられている。相互接続基板を通る導電接続部の１つはパワーアンプ用の接地経路であり、熱経路は半導体材料によって設ける。相互接続基板には最適な厚さが存在し、この厚さにおいて、適切な接地及び許容可能な熱放散が共に行われる。
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【課題】振幅のみが相違する分割信号を用いて歪みを低減する。
【解決手段】入力信号を第１の重みｋ_i（ｉ＝１〜４）で重み付けして分割信号を得て、この分割信号に対して同一の信号処理ｆ（ｘ）を行ない、信号処理された分割信号を第２の重みｌ₁（ｉ＝１〜４）で重み付けし、第２の重みで重み付けられた分割信号ｖout1〜ｖout4を加算する。前記第１の重みは、ｋ₁＝ｔ、ｋ₂＝−ｔ、ｋ₃＝１、ｋ₄＝−１とし、前記第２の重みは、ｌ₁＝−１、ｌ₂＝１、ｌ₃＝ｔ³、ｌ₄＝−ｔ³とする。ここで、ｔ＝ｂ／ａ（ａ、ｂは異なる正の整数）である。 （もっと読む）

【課題】負荷変動を抑制し、低歪み特性が実現でき、低消費電力であり、低損失で小型の通信装置を提供すること。
【解決手段】バイアス電圧の印加に応じて誘電率が変化する誘電体層を用いた可変容量コンデンサを整合回路２２に用いた、高周波信号を増幅する電力増幅器と、前記電力増幅器の利得を検出する利得検出手段と、前記電力増幅器の消費電流を検出する消費電流検出手段と、前記電力増幅器の出力側の負荷状態を変化させたときの、初期バイアス電圧及び各負荷状態における前記電力増幅器の利得，消費電流及び前記高周波信号の歪みに対する最適なバイアス電圧の値と、を予め記憶したメモリ２４と、前記利得検出手段により検出した利得と、前記消費電流検出手段により検出した消費電流とから、前記メモリに基づき決定される最適なバイアス電圧の値を前記可変容量コンデンサに印加するバイアス電圧制御手段と、を含む通信装置である。 （もっと読む）

【課題】移動機のマルチバンド化への対応により２系統以上の高周波電力増幅器を搭載する必要がある場合においても、薄型で高周波特性に優れた高周波電力増幅器を低コストで提供する。
【解決手段】インピーダンス変換回路３６は、モノリシックマイクロ波集積回路５９及び６０として構成された５系統の高周波電力増幅器の出力端子７３Ａ〜７３Ｅから出力された高周波信号を、当該各出力端子７３Ａ〜７３Ｅに相対するように配置された複数の入力端子７７Ａ〜７７Ｅから入力してインピーダンス変換を行う。 （もっと読む）

ノイズを最小にする構成を有する単一シリコン基板ダイ上の集積化ノイズ遮断回路であって、この回路は、入力段を含むノイズの影響を受けやすい回路、出力段を含むノイズ発生回路、信号を入力段から出力段へ伝達するためにノイズ発生回路とノイズの影響を受けやすい回路を結合する少なくとも１つの高電圧レベルシフト回路、およびノイズの影響を遮断する少なくとも１つの浮遊体を備えている。 （もっと読む）