【課題】低容量でオン抵抗が低いＭＯＳトランジスタを実現する。
【解決手段】ＭＯＳトランジスタに、半導体基板に対して外部から任意の電位を印加するためのバックゲート端子を設け、ＭＯＳトランジスタの動作状態やそのときのドレイン電位やソース電位に応じた電位をバックゲート端子から半導体基板に対して任意の電位を印加する。 （もっと読む）

【課題】 複数の受光素子からそれぞれ得られる光電流の一つ以上を選択的に増幅し、かつ小規模に実現可能な光電流増幅回路を提供する。
【解決手段】 複数の受光素子３５１、３５２と、入力及び出力の間がゲイン抵抗３６０で接続されている増幅回路３６４と、受光素子ごとに設けられ、対応する受光素子と前記増幅回路の入力との間に接続される素子選択スイッチ３５３、３５４とを備え、前記ゲイン抵抗３６０はオンされる素子選択スイッチを介して対応する受光素子の光電流を供給し、前記増幅回路３６４は前記ゲイン抵抗３６０に流れる光電流を電圧信号に増幅する。 （もっと読む）

【課題】 外部から受ける入力電位に基づいて行なう処理に影響を与えることなく静電耐圧を向上させる半導体装置、そのような半導体装置を複数備えるモジュール、およびそのようなモジュールを備える電子機器を提供する。
【解決手段】 スイッチＳＷ２に含まれるＭＯＳトランジスタのゲート幅を大きくすることにより端子Ｔ２の電位と接地電位（あるいは電源電位）との間の耐圧が向上する。これにより端子Ｔ２にサージが印加された場合にもスイッチＳＷ１等が保護される。また、スイッチＳＷ２に含まれるＭＯＳトランジスタのゲート幅を大きくすることにより、スイッチＳＷ１のサイズを大きくしなくてもよいので、スイッチＳＷ１が導通状態から非導通状態に変化したときのノードＮ３での電位の変動を抑えることができる。 （もっと読む）

スイッチモード電力増幅器及びスイッチモード電力増幅器で使用するのに特に適した電界効果トランジスタが開示される。トランジスタは、ソース端子とドレイン端子とを有し、ゲート端子がそれらの端子の間の誘電体材料の上に位置付けされている化合物高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であることが好ましい。フィールドプレートは、少なくとも２つの層の誘電体材料上でゲート端子からドレインの方に延びている。誘電体層は、好ましくは、シリコン酸化物及びシリコン窒化物を含んでいる。シリコン酸化物の第３の層が設けられ、シリコン窒化物の層がシリコン酸化物の層の間に位置付けされてもよい。ゲート端子の凹部をエッチングする際に、エッチング選択性が使用される。
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【課題】広い周波数範囲に亘って狭帯域システムの利点を有する受信増幅器を提示する。
【解決手段】受信増幅器が、接続接点６と接続接点７とを有する半導体基板２、および、増幅回路１を含んでいる。増幅回路１は、少なくとも１つの電界効果トランジスタと、第１入力部１２と、第２入力部１３とを備えている。増幅回路１の入力部同士の間には、容量素子Ｃｉｎが配置されている。増幅回路の上流には、共振周波数が調整可能な同調回路が設けられている。この同調回路は、半導体基板２に集積された、可変容量素子Ｃ_Tを含み、増幅回路１の容量素子Ｃｉｎに対して並列に接続されている。さらに、２つの誘導素子Ｌ₁´、Ｌ₁が設けられている。第１誘導素子Ｌ₁´は、接続接点６に接続されており、第２誘導素子Ｌ₁は、接続接点７に接続されている。これにより、共振周波数での電圧が高い直列同調回路が形成され、受信増幅器の入力信号の信号対雑音比が改善される。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉ−ＣＭＯＳプロセスを必要とせず、バイポーラトランジスタのみで実現できるのでプロセスコストを比較的安くできる増幅装置を提供する。
【解決手段】増幅装置内のバッファの入力部（トランジスタＱ５のベース）に、直列接続した抵抗とコンデンサからなる位相補償回路を複数パターン設ける。そして、位相補償回路の容量を形成するコンデンサＣ２と正の電源ラインの間にバイポーラトランジスタＱ６を挿入し、スイッチ信号となるベース電流（Ｉｓｗ）が増幅装置に影響を及ぼさないようにする。 （もっと読む）

【課題】 回路規模を増大させることなく、低消費電力で、安定して出力電圧の範囲を拡大させる演算増幅器、駆動回路及び電気光学装置を提供する。
【解決手段】 演算増幅器１００は、入力電圧及び出力電圧がゲートに供給される差動トランジスタ対と、差動トランジスタ対のドレイン電流の和を生成する電流源トランジスタとを有し、入力電圧及び出力電圧の差分を増幅する差動増幅器１１０と、差動増幅器の出力ノードの電圧に基づいてゲート制御され出力電圧として生成する駆動トランジスタとを含む。電流源トランジスタのチャネル領域が形成される不純物層の電位が、他のトランジスタのチャネル領域が形成される不純物層の電位とは独立に設定される。電流源トランジスタのゲート電圧が固定され、不純物層の電位及びそのソース領域の電位の少なくとも１つが変更されることで、演算増幅器１００の電流駆動能力が制御される。 （もっと読む）

【課題】 従来のドハティ型増幅器においては、高効率特性と低歪み特性との両立が困難であった。
【解決手段】 ドハティ型増幅器１は、入力端子７２と出力端子７４との間の経路Ｐ１（第１の経路）中に設けられ、第１の級にバイアスされるメインアンプ１０（第１の増幅器）と、経路Ｐ１と並列する経路Ｐ２（第２の経路）中に設けられ、第１の級とは異なる第２の級にバイアスされるピークアンプ２０（第２の増幅器）と、経路Ｐ１におけるメインアンプ１０の出力側に設けられた波長線路３２と、を備えている。ここで、ＡＢ級バイアス時のＦＥＴ１２（第１のトランジスタ）のアイソレーションは、Ｃ級バイアス時のＦＥＴ２２（第２のトランジスタ）のアイソレーションよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 回路規模を増大させることなく、低消費電力で、出力電圧範囲を拡大させる演算増幅器、駆動回路及び電気光学装置を提供する。
【解決手段】 演算増幅器１００は、入力電圧Ｖｉｎ及び出力電圧Ｖｏｕｔがゲートに供給されるＮ型の差動トランジスタ対ＤＩＦ１と、差動トランジスタ対ＤＩＦ１のトランジスタＱＮ１、ＱＮ２のドレイン電流の和を生成するＮ型の電流源トランジスタＣＳ１とを有し、入力電圧及び出力電圧の差分を増幅する差動増幅器１１０と、高電位電源側に設けられ、差動増幅器１１０の出力ノードの電圧に基づいてゲート制御されドレイン電圧を出力電圧Ｖｏｕｔとして生成するＰ型の駆動トランジスタＤＱＰ１とを含む。電流源トランジスタＣＳ１は、そのチャネル領域が形成される不純物層の電位が、他のトランジスタのチャネル領域が形成される不純物層の電位とは独立に設定されるトランジスタである。 （もっと読む）

【課題】増幅特性の劣化なしにインダクタで発生する逆起電力による破壊を防止することが可能な電力増幅器及び電力増幅器用バイアス回路を実現することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】バイポーラトランジスタ２のコレクタ端子と電源端子６とを接続しているバイアス線路５に、アノードがコレクタ端子側になるように並列にダイオード９ａを接続することにより、あるセルで暴走が始まったときは、ダイオード９ａによりその逆起電圧をクリップして下げるため、バイポーラトランジスタ２に大きな電圧がかかるのを抑制するとともに、暴走の起こっていない段階では、ベース端子に供給される経路で抵抗成分等によるロスを無くし、結果的に従来のような高出力時の出力電力の低下を抑制する。 （もっと読む）

【課題】高周波増幅器に用いる増幅トランジスタの異常発振と熱暴走とを防止して高性能動作を安定に維持できると共に小型化を図れるようにする。
【解決手段】高周波信号を増幅する増幅トランジスタ１と、一方の端子（アノード）が増幅トランジスタ１のベース端子と接続され、他方の端子（カソード）が高周波信号を受けるダイオード２Ａとを有している。ダイオード２Ａの抵抗成分を利用して増幅トランジスタ１の安定化が図られ、且つダイオード２ＡのＰＮ接合容量により、所望の高周波信号を通過させることができる。また、ダイオード２ＡのＰＮ接合容量は、ＭＩＭキャパシタと同一の面積であっても、ＭＩＭキャパシタと比べて約１０倍の容量を確保できるため、高周波増幅器の小型が可能となる。 （もっと読む）

【課題】高周波増幅回路に悪影響を与えること無く、バイポーラトランジスタの熱暴走を防止することが可能なバイポーラトランジスタおよび高周波増幅回路の提供を目的とする。
【解決手段】直流バイアスが供給される直流バイアス（ＤＣ）端子３と、ＤＣ端子３に接続されたＤＣ用ベース電極６と、高周波信号が供給される高周波電力（ＲＦ）端子４と、ＲＦ端子４に接続されたＲＦ用ベース電極７と、ＤＣ用ベース電極６とＲＦ用ベース電極７とに接続されているベース層８とを有する。 （もっと読む）

【課題】 新たな回路を追加することなく、製造価格の増大を抑え、電力損失を発生させることなく、かつ、大振幅動作における印加電圧の歪みを抑制することができる信号歪み抑制装置を提供すること。
【解決手段】 パワーアンプ１０８に含まれる本発明の信号歪み抑制装置は、ｐ-型半導体基板（ｐ型半導体）２０５とｎ+型サブコレクタ領域（ｎ型半導体）２０４から形成されるｐｎ接合間に逆方向のバイアス電圧及び交流信号を重畳して動作させる信号歪み抑制装置であって、前記バイアス電圧のみの印加時における前記ｐｎ接合の前記ｐ-型半導体基板（ｐ型半導体）２０５及び前記ｎ+型サブコレクタ領域（ｎ型半導体）２０４の空乏層端の少なくとも一方の近傍に不純物濃度が当該近傍の周辺部と比較して同一伝導型でかつ高濃度である高不純物濃度領域を具備する。
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【課題】半導体基板上に形成した高周波増幅器のベース端子およびエミッタ端子から基板方向への信号漏洩による雑音指数の劣化を防止する。
【解決手段】インピーダンス素子６０とインピーダンス素子６１はアルミニウムや銅などの低抵抗率の金属配線を使用して配線長と配線幅と配線形状を変化させ、拡散容量５０は面積を変化させることにより高周波信号に対する交流的インピーダンスを可変できる。インピーダンス素子６０と拡散容量５０とインピーダンス素子６１により高周波信号に対する交流的インピーダンスを低減し、第１のトランジスタ１５のベース端子からエミッタ端子を介し外部の接地端子への信号経路を作ることでベース端子用パッド２０に外部より入力した高周波信号のうち、半導体基板の絶縁膜における絶縁膜容量を介し基板裏面方向に通過しようとする信号成分を低減あるいは遮断し、基板裏面方向への信号漏洩をなくし雑音指数の劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】 可変インダクタを利用して外部から利得を高精度で調節でき、かつ入力信号の変動に関わらず入力インピーダンスを安定に維持できる増幅器、を提供する。
【解決手段】 ＬＮＡ(1)は主回路(1A)と補助回路(1B)とを含む。主回路(1A)と補助回路(1B)とは絶縁されている。主回路(1A)は、アンテナにより受信された無線周波信号(Vin)を増幅して出力する(Vout)。主インダクタ(Lm)と補助インダクタ(La)とは同軸の薄膜インダクタであり、磁気的に結合する。利得制御信号(GC)はＲＳＳＩ装置により生成され、そのレベルが増幅された無線周波信号(Vout)の強度を示す。可変電流源(11)は利得制御信号(GC)に従い、補助インダクタ(La)の電流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】高周波特性の良好な差動増幅回路を提供する。
【解決手段】半導体チップ上に再配線層が形成されるチップサイズパッケージを備える半導体基板上に形成する差動増幅回路において、差動対をトランジスタＱ１とトランジスタＱ２により構成し、ペアのトランジスタＱ１，Ｑ２のエミッタを夫々別のボンディングパッド２０１，２０２及びＣＳＰ出力端子２０５，２０６に接続して接地することにより、エミッタ部での共通インピーダンスを無くすようにする。 （もっと読む）

【課題】 出力電力を検出してフィードバック制御を行なう無線通信システムにおいて、製造ばらつきにより増幅素子の特性がばらついても安定した高周波電力増幅特性を得ることができる高周波電力増幅回路を提供する。
【解決手段】 少なくとも最終段の電力増幅用素子（２１１）を直列形態の２つの電界効果トランジスタにより構成し、該２つの電界効果トランジスタの一方の制御端子に増幅されるべき高周波信号を入力して共通ソース・ドレイン端子から出力信号を取り出すとともに、該出力信号を抵抗素子（Ｒｉ）を介して前記出力電力検出回路（２２０）の検波用トランジスタの制御端子に入力させるように構成した。 （もっと読む）

【課題】 ＧＳＭシステム（非線形動作）とＥＤＧＥシステム（線形動作）を同一回路内で共存できる高周波電力増幅モジュール及び無線通信装置の提供。
【解決手段】 多段増幅構成の高周波電力増幅モジュールであって、外部端子は入力端子，出力端子，コントロール端子，第１基準電位Ｖdd，第２基準電位Ｖss（グランド）及びモード切替端子とし、１段目半導体増幅素子をデュアルゲートＦＥＴで構成し、ドレイン寄りの第１ゲートＧ_１には抵抗を介してコントロール端子からの信号を印加し、第２ゲートＧ_２には入力端子から供給される高周波信号を印加するとともにコントロール端子からの信号電圧をバイアス回路で分圧した電位を印加し、モード切替端子からの信号によってモード切替え用トランジスタをＯＮ，ＯＦＦする。ＯＮ時ＧＳＭ用増幅系（非線形動作：最大出力３６ｄＢｍ）とし、ＯＦＦ時ＥＤＧＥ用（線形動作：最大出力２９ｄＢｍ）とする。 （もっと読む）

【課題】 線型の電力増幅器において、高周波特性に影響を及ぼす帰還容量のドレイン電圧依存性を抑えて歪み特性の劣化を防ぐことができる技術を提供する。
【解決手段】 半導体基板４０上にゲート絶縁膜４４を介してゲート電極４５を形成する。このゲート電極４５のドレイン領域側の側壁を覆うようにフィールドプレート電極５９ａを形成する。そして、このフィールドプレート電極５９ａの電位をフローティング状態にする。フィールドプレート電極５９ａは、例えばポリシリコン膜より形成される。 （もっと読む）

【課題】 Ｄ級アンプのＳ／Ｎ比や歪率を改善する。
【解決手段】 電源ラインＶｄｄ１と接地ラインＧＮＤ１間に直列に接続されるＰチャンネルＭＯＳトランジスタおよびＮチャンネルＭＯＳトランジスタを含むＰ型半導体基板のシリコン基板３００上に形成されたＤ級アンプにおいて、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタが形成される領域にＮ型ウェル３０２を形成し、かつ当該Ｎ型ウェル３０２を、固定電位が供給される電源ラインＶｄｄ１に接続した。Ｎ型ウェル３０２は、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタの単位ユニットごとに形成される。 （もっと読む）