【課題】所定のＳ／Ｎを維持しながら消費電流の増加を抑制することのできる演算増幅器を提供する。
【解決手段】実施形態の演算増幅器は、正相信号Ｖｐと逆相信号Ｖｍが入力される差動増幅回路１００と、差動増幅回路１００へ動作電流を供給するカレントミラー回路２００とを有する。この演算増幅器は、入力信号電圧検出回路１が、正相信号Ｖｐと逆相信号Ｖｍとの間の電圧差を検出し、動作電流制御回路２が、その電圧差の大きさに応じた制御信号を出力する。この制御信号の制御により、可変定電流回路３が、カレントミラー回路２００へ入力する定電流の大きさを変化させる。 （もっと読む）

【課題】消費電流を削減する。
【解決手段】第１及び第２の入力端子に現れる電位差を第１及び第２の電源に基づいて増幅する差動アンプ（図２のＭＮ１、ＭＮ２が相当）と、差動アンプを動作させるバイアス電流を制御するバイアストランジスタ（図２のＭＮ３が相当）と、差動アンプの負荷となるカレントミラー回路（図２のＭＰ１、ＭＰ２が相当）と、カレントミラー回路のダイオード接続側と其々の制御端が接続されると共に第１及び第２の電源間に直列に接続される、バイアストランジスタと逆導電型の第１及び第２のトランジスタ（図２のＭＰ４、ＭＰ６が相当）を有し、第１及び第２のトランジスタの間の接続ノードをバイアストランジスタの制御端に接続するバイアス制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】差動増幅回路における入力オフセット電圧の上昇を抑制しつつ、同相入力電圧範囲を拡張する。
【解決手段】本発明による差動増幅回路は、ソース及びバックゲートが第１電流源２０５に共通接続された差動対トランジスタ２０１、２０２を備える差動入力段回路１１１と、差動入力段回路１１１の出力端子に接続される出力段回路１２１と、第１電流源２０５と出力段回路１２１の第２電流源２０６のそれぞれの電流Ｉ１、Ｉ２を、差動入力段回路１１１への入力電圧ＶＩＮ１、ＶＩＮ２に応じた大きさに調整する電流制御回路１０１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】バイアス信号を切りかえに伴う動作特性の悪化を低減した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路１０は、入力電流Ｉｉｎを受け、それに応じた出力電流Ｉｏｕｔ１を別の回路に供給する。第１可変抵抗Ｒ１の第１端子は、入力端子Ｐ１と接続される。第１トランジスタＭ１および第２トランジスタＭ２は、電源端子と第１可変抵抗Ｒ１の第２端子の間に順に直列に設けられる。第３トランジスタＭ３および第４トランジスタＭ４は、電源端子と出力端子Ｐ２との間に順に直列に設けられる。第１トランジスタＭ１および第３トランジスタＭ３それぞれのゲートは第１可変抵抗Ｒ１の第２端子に接続される。第２トランジスタＭ２および第４トランジスタＭ４それぞれのゲートは入力端子Ｐ１に接続されている。第１可変抵抗Ｒ１は、その抵抗値が入力電流Ｉｉｎに応じて切りかえ可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】小振幅信号を高速に増幅して出力し、かつ、消費電力の少ないアンプを備える半導体装置を提供する。
【解決手段】クロックに同期してデータが更新される小振幅信号を受信するアンプ部と、アンプ部の出力に接続された出力部と、を備え、アンプ部はクロックに同期して小振幅信号の論理レベルが遷移しうるタイミングで電流源の電流を増加し、遷移しないタイミングで電流を減少する。出力部はクロックに同期してアンプ部の出力データの論理レベルが遷移しうるタイミングで出力インピーダンスを低下させて高速に負荷を駆動すると共に、論理レベルが遷移しないタイミングで出力インピーダンスを増加させて貫通電流が流れることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】差動対が線形領域で高精度に動作する差動増幅回路、増幅回路及びこの差動増幅回路を用いた液晶ディスプレイドライバを提供する。
【解決手段】差動増幅回路は、入力電圧Ｖ１がゲート端子に与えられるトランジスタＭ１及びＭ２と、トランジスタＭ１、Ｍ２のソース端子に出力端が接続される差動対Ｄ１、Ｄ２と、差動対Ｄ１内のトランジスタＭ３、Ｍ４の共通ソース端子に電流を供給する可変電流源Ｉ１と、差動対Ｄ２内のトランジスタＭ５、Ｍ６の共通ソース端子に電流を供給する可変電流源Ｉ２と、を備え、トランジスタＭ３のゲート端子には入力電圧Ｖ２、トランジスタＭ５のゲート端子には入力電圧Ｖ１、トランジスタＭ４及びＭ６のゲート端子には入力電圧Ｖ３が与えられる。 （もっと読む）

例えば、通信受信機中で使用するための非常に差動なシングルエンド／差動変換器を設計するための技術。例示的な実施形態では、ｃａｓｃｏｍｐトランジスタを含む補助電流経路が、入力トランジスタ及びカスコードトランジスタを含む主電流経路に結合される。トランジスタは、補助電流経路によって生成された混近変調ひずみ結果物が主電流経路によって生成された混近変調ひずみ結果物を打ち消すように、バイアスされる。別の例示的な実施形態では、主電流経路の電流源トランジスタは、受信した入力信号のレベルに応じて適応的にバイアスされる。例示的な実施形態では、上記技術は、シングルエンド低雑音増幅器（ＬＮＡ）出力電圧を、通信受信機の差動混合器入力にインタフェースするための変換器を設計するために適用されることができる。
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【課題】非直線性誤差が少なく広帯域であって、自在にゲインの切り替えを行うことができる差動増幅器を提供する。
【解決手段】差動増幅器１は一対の入力信号が入力されて、その差分に応じた差分を有する一対の信号を出力する入力回路（Ｑ１，Ｑ２、Ｑ５，Ｑ６、ＲＥ１，ＲＥ２）と、入力回路から出力される一対の信号を用いて入力回路で生ずる歪みを補償する補償回路（Ｑ３，Ｑ４）とを含む入力部１１と、入力回路に対して行われる補償回路の歪み補償によって歪みが補償されるとともに入力回路から出力される一対の信号を増幅する複数の増幅回路１２ａ，１２ｂを含む出力部１２と、複数の増幅回路１２ａ，１２ｂのうち、動作状態にする増幅回路と非動作状態にする増幅回路との切り替え制御を行う制御回路２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】電源ノイズ耐性の優れた低消費電流の増幅器を提供する。
【解決手段】トランジスタ対（ＭＮ１，ＭＮ２）を用いて電流／電圧変換容量素子（ＣＬ１，ＣＬ２）を第１の電源（ＶＳＳ）レベルにプリチャージする。このプリチャージ完了後、第２の電源から、差動トランジスタ対（ＭＰ１，ＭＰ２）を介して定電流を入力信号（ＶＩＰ，ＶＩＮ）に応じて振り分けて容量素子に供給する。 （もっと読む）

低雑音トランスコンダクタンス増幅を提供するためのデバイスが提示される。前記デバイスは、差動ＲＦ入力信号を受信するように構成されたＰＭＯＳトランスコンダクタンス部と、前記ＰＭＯＳトランスコンダクタンス部に結合されたＰＭＯＳカスコード部と、前記ＲＦ差動入力信号を受信するように構成されたＮＭＯＳトランスコンダクタンス部と、前記ＮＭＯＳトランスコンダクタンス部に結合されたＮＭＯＳカスコード部と、を含み、前記ＰＭＯＳカスコード部及びＮＭＯＳカスコード部は、差動直交出力信号及び差動同相出力信号を提供する。ＲＦ信号を増幅するための方法も提示される。前記方法は、差動ＲＦ入力信号を受信することと、前記差動ＲＦ入力信号を電流信号に変換することと、前記電流信号をバッファリングして差動直交出力信号及び差動同相出力信号を提供すること、とを含む。
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【課題】集積回路において、トランジスタのしきい値電圧などの特性変動あるいはばらつきが与える回路動作への影響を受けにくい集積回路およびＴＥＧ回路を提供する。
【解決手段】１対の抵抗デバイスＭＰ１，ＭＰ２と、１対のＮ型差動トランジスタＭＮ１，ＭＮ２と、該１対のＮ型差動トランジスタに動作電流を供給する電流源トランジスタＭＬとを備えた電流モード動作回路において、その電流源トランジスタに流れる電流の制御電圧ＶＬを、Ｎ型差動トランジスタのしきい値電圧などの特性変動に対して、集積回路の電圧利得が少なくとも１以上となるよう決定する。 （もっと読む）

【課題】マッチング状態設定時の困難性を排除し、出力信号の振幅調整を容易に行うことができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】スイッチング動作により出力信号を形成する信号出力回路１と、信号出力回路１に制御信号を供給して出力信号振幅を制御する制御回路２からなり、制御回路２は信号出力回路１を模した疑似回路部３を有し、疑似回路部３は抵抗Ｒ２が接続される一対の接続端子Ｔ２１、Ｔ２２を有し、高電位電圧が得られる接続端子Ｔ２１の電圧レベルと信号出力回路１の高信号レベルを比較し、それらのレベルが同じになるように制御回路２を制御する第１信号レベル制御回路４と、低電位電圧が得られる接続端子Ｔ２２の電圧レベルと信号出力回路１の低信号レベルを比較し、それらのレベルが同じになるように制御回路２を制御する第２信号レベル制御回路５を有する。 （もっと読む）

【課題】差動増幅器の電源変動除去特性及び同相除去特性を向上させること。
【解決手段】正側電源＋Ｖｃｃと負側電源−Ｖｃｃ間において差動接続されたトランジスタＱ１及びトランジスタＱ２を有し、正側電源＋ＶｃｃとトランジスタＱ１とトランジスタＱ２のエミッタ共通接続点との間にバイアス回路１４が接続された差動増幅回路１において、トランジスタＱ１を流れるエミッタ電流Ｉ１、トランジスタＱ２を流れるエミッタ電流Ｉ２及びバイアス回路１４を流れるバイアス電流Ｉ３の合成電流Ｉを検出するトランジスタＱ１２及び抵抗Ｒ１０と、トランジスタＱ１２及び抵抗Ｒ１０の検出結果に応じて合成電流Ｉを一定に保持するトランジスタＱ１１と、を含む定電流回路１６を備える。 （もっと読む）

【課題】周波数変換回路や同期検波回路などの掛算回路として構成する場合に、掛算後の出力信号に歪みを生じることがなく、変換利得や検波効率が高くなって、所期の出力信号が確実に得られるようにする。
【解決手段】電圧電流変換器７０は、２個のＭＯＳ差動対を有し、入力信号電圧＋Ｖｉｎを出力電流ｉｏ１に変換する。電圧電流変換器８０は、２個のＭＯＳ差動対を有し、入力信号電圧−Ｖｉｎを出力電流ｉｏ２に変換する。負荷抵抗４５によって、電流ｉｏ１と電流ｉｏ２とを加算し、かつ加算後の電流ｉｏ（＝ｉｏ１＋ｉｏ２）を出力信号電圧＋Ｖｏｕｔに変換する。電圧電流変換器７０の互いに異なるチャネル型のＭＯＳトランジスタ５７および５９を局発信号＋Ｌｏによってオンオフ制御し、電圧電流変換器８０の互いに異なるチャネル型のＭＯＳトランジスタ６７および６９を局発信号−Ｌｏによってオンオフ制御する。 （もっと読む）

【課題】 増幅率の可変範囲が広い差動増幅回路を提供する。
【解決手段】 このＧｍアンプ１では、ＭＯＳトランジスタ２〜６は相互コンダクタンスｇｍ１を有する第１の副Ｇｍアンプを構成し、ＭＯＳトランジスタ２，３，７〜９は相互コンダクタンスｇｍ２を有する第２の副Ｇｍアンプを構成する。Ｇｍアンプ１の相互コンダクタンスはｇｍｔ＝ｇｍ１−ｇｍ２となり、その最小値は０になり、最大値はｇｍ１となる。したがって、従来のＧｍアンプ７１のように抵抗素子７８などの抵抗値Ｒによってｇｍ１が制限されないので、ｇｍｔの可変範囲が従来よりも広くなる。 （もっと読む）

【課題】電圧増幅器においてクリップ電圧値のばらつきを抑える。
【解決手段】電圧増幅器１０において、ドレイン電流Ｉｄの電流値は、リファレンス抵抗Ｒｂに流れるリファレンス電流に等しくなるように設定されている。リファレンス電流の電流値は、リファレンス抵抗に印加される電圧（Ｖｄｄ−Ｖｒｅｆ）とリファレンス抵抗Ｒｂの抵抗値（Ｒｂ）によって（Ｖｄｄ−Ｖｒｅｆ）／Ｒｂとなる。このため、出力電圧のクリップ電圧値は、リファレンス電流の電流値と第二抵抗Ｒ２の抵抗値との積｛（Ｖｄｄ−Ｖｒｅｆ）×Ｒ２｝／Ｒｂ＝（Ｖｄｄ−Ｖｒｅｆ）×（Ｒ２／Ｒｂ）となる。同一プロセスで形成された二つの抵抗の抵抗比を考えた場合、一方の抵抗のばらつきによる変動を他方の抵抗のばらつきが抑えることになる。つまり、抵抗単独のばらつきに対して、二つの抵抗の抵抗比のばらつきは小さく抑えられ、クリップ電圧値のばらつきが小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 ピーク値包絡線に正確に対応した出力が得られるＡＭ変調信号検波回路を提供する。
【解決手段】 大振幅状態と小振幅状態の２状態のＡＭ変調信号Ｖｉを受信しこの２状態を識別する際に、ＡＧＣ回路の出力信号Ｖｏから、キャリア周波数成分を抽出し、信号Ｖｏの振幅のピーク位置にタイミングを合わせたクロックパルスＣＬを出力するタイミング抽出部と、クロックパルスＣＬのピーク位置にタイミングを合わせたサンプリングクロックパルスＳＣＬを出力するクロック生成部と、比較基準電圧ＶＲ２を出力する基準電圧設定部とを備え、クロックパルスＳＣＬの入力時に信号Ｖｏと比較基準電圧ＶＲ２とをサンプリング比較して比較結果信号ＴＣＯを出力し保持するサンプリング比較保持部を備えている。 （もっと読む）

三次相互変調を相殺するＣＭＯＳトランスコンダクタを提供する。トランスコンダクタは、トランスコンダクタンス回路及び可変ひずみ回路を含む。トランスコンダクタンス回路は入力電圧を受けて、トランスコンダクタンス成分とＩＭ３成分を有する出力電流を生成する。ひずみ回路は同一の入力電圧を受けて、トランスコンダクタンス回路のＩＭ３成分と同振幅かつ逆位相のＩＭ３成分を有する電流を生成する。制御回路はトランスコンダクタンス回路のＩＭ３の振幅とほぼ等しくなるようにそのＩＭ３成分を調節するようにひずみ回路を調整する。ひずみ回路及びトランスコンダクタンス回路はその出力電流を総和するように構成され、それによりトランスコンダクタンスを比較的変化させずに、ＩＭ３成分を効果的に相殺する。 （もっと読む）