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国際特許分類[B23K26/04]の内容

国際特許分類[B23K26/04]に分類される特許

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トポグラフィー測定を効率的に実行する方法およびシステム(90)は、レーザ加工のスループットの増大を容易にする。対象試料上の複数点のトポグラフィー測定または前記対象試料表面のトポグラフィー(66)と試料の厚さ(70)との連続的なリアルタイム測定および観察をレーザ加工の間に実行することができる。レーザ加工を受ける対象試料の厚さ測定は、放射されたレーザエネルギー(28)の微調整によって、より高精度での対象試料材料の除去を結果として生じる。 (もっと読む)


【課題】所望の加工が得られるレーザ出力や焦点位置に容易に設定可能とする。
【解決手段】レーザ光の焦点距離を所定の範囲で指定可能な加工条件設定手段と、加工条件設定手段により範囲で指定された加工パラメータを、指定された範囲内で変化させた複数の加工条件の組を生成する複数加工条件生成手段と、複数加工条件生成手段で生成された複数の加工条件に基づいて、各加工条件でレーザ光を加工対象物に照射して所定のパターンに加工させると共に、加工条件毎に異なる位置に加工することで、焦点距離を加工位置に応じて変化させたテスト加工パターンを生成するテスト加工パターン生成手段と、テスト加工パターン生成手段で生成されたテスト加工パターンから、所望の加工位置を選択することで、該加工位置において採用された加工条件を抽出し、これを加工条件として再設定可能な加工条件選択手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】宝石の一部の上に位置ぎめの高い精度をもってマークを形成させるためにQスイッチのパルス形レーザを用いるシステムを提供する。
【解決手段】被加工物のためのレーザエネルギ微小印刻システムは、レーザエネルギ源と、取付けられた被加工物に対して光学的アクセスを可能にする被加工物取付け装置と、レーザエネルギ源からのレーザエネルギを被加工物上に集束する光学装置と、集束されたレーザエネルギを被加工物の所望の部分上に指向させる相対的位置決め装置であって制御入力端子を有する相対的位置決め装置、および光学装置の焦点面と被加工物の表面との間の関係を自動的に決定するための電子的撮像装置であって、複数の角度から被加工物を観測可能である電子的撮像装置を備え、被加工物取付け装置と光学装置は操作中の外部振動による整列のずれに抵抗するために剛性フレームによって固定された関係を維持する。 (もっと読む)


【課題】 レーザ加工と機械加工との切換えを迅速に行える複合加工機を提供する。
【解決手段】 主軸7とレーザビームLの光軸とがほぼ平行となるように機械加工ヘッド3とレーザ加工ヘッド5とを主軸台1に固定する。主軸台1に対してX、Y、Z軸方向に相対移動するテーブル19にワーク17を取付ける。主軸7への工具9の着脱及びレーザビームLのON、OFFによりレーザ加工と機械加工とを切換える。レーザビームLはファイバレーザ11から発振され、集光機構13を通って集光レンズ15からワーク17に向かって照射される。レーザビームLと同じ経路を通るように投光された計測用光線のワーク表面からの反射光をCCDカメラ37でとらえ、レーザビームLの焦点位置合わせを行う。 (もっと読む)


【課題】 種々の積層構造を有する加工対象物を高精度に切断し得るレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 本レーザ加工方法は、基板15と基板15の表面に設けられた積層部17a,17bとを有する加工対象物1の基板15の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、基板15の内部に改質領域7を形成し、この改質領域7によって、加工対象物1の切断予定ラインに沿って加工対象物1のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と、切断起点領域を形成した後に、加工対象物1に対して積層部17a,17b側から応力を印加することにより、切断予定ラインに沿って加工対象物1を切断する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 レーザビームにより被加工物の切断加工を行うレーザ加工方法において、ピアシング穴径を縮小し、飛散する溶融金属量を低減し、かつ短時間で貫通穴を形成するレーザ加工方法を得る。
【解決手段】 第1のピアシング条件にてビームを照射する第1の工程と、一旦ビーム照射を停止する第2の工程と、第2のピアシング条件にて再度ビームを照射する第3の工程からピアシング加工を行うことにより、ピアシング中における酸化燃焼反応を抑制し、飛散する溶融金属量を低減させる。 (もっと読む)


【課題】 容易にレーザスクライブの効率を高めることができるレーザ照射装置、レーザスクライブ方法を提供する。
【解決手段】 レーザ照射装置は、レーザ光を出射するレーザ光源101と、レーザ光を分岐する分岐手段130と、分岐されたレーザ光をそれぞれ集光し、集光されたそれぞれの集光点P1〜P3が、切断予定ラインL上に位置し、かつ、マザー基板Wの厚み方向の異なる位置となるように配置された複数の集光レンズ103a〜103cと、集光点P1〜P3の位置を調整可能とするZ軸スライド機構104a〜104cと、集光レンズ103a〜103cとマザー基板Wとを相対的に移動可能とするX軸,Y軸スライド部110,108と、Z軸スライド機構104a〜104cとX軸,Y軸スライド部110,108を制御するメインコンピュータ120とを有する。 (もっと読む)


【課題】 ウォータジェット流Wの軸心とレーザ光Lの光軸とを容易に一致させることが可能なハイブリッド加工装置1を提供する。
【解決手段】 ハイブリッド加工装置1は、上記ウォータジェット流(液体流)Wの軸心とレーザ光Lの光軸とを相対移動させる軸移動手段と、ノズル6から噴射される液体流W内にレーザ光Lを透過させながら該レーザ光の強度を測定する測定手段32とを備えている。上記軸移動手段によって上記強度が最大となるように液体流Wの軸心とレーザ光Lの光軸とを相対移動させることにより、上記液体流の軸心とレーザ光の光軸とを容易に一致させることができる。 (もっと読む)


【課題】単一の高さのサブ波長構造と同様の透過光の位相変調をアスペクトの低い構造により実現し、光利用効率の高い位相変調型の光学素子を提供する。
【解決手段】本発明の光学素子は、少なくとも一部の構造体2の高さを空間的に変調させることにより透過光の位相を変化せしめるものであり、使用する光の波長よりも微細な構造を有するので、高さの異なる入射波長よりも周期の狭い微細構造により、透過光の位相変調を実現することができる。また、使用する光の波長をλ、入射角をθ、入射媒体の屈折率をn1、構造体2の屈折率をn2とした場合、構造体の周期がλ/(n1sinθ+n2)以下であることにより、高次の回折による透過光の発生がなくなり、光利用効率の高い光学素子を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】 シリコンウェハを切断して得られるチップの切断面からパーティクルが発生するのを防止するためのレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 改質領域7〜712を形成する際のレーザ光Lの照射条件は、シリコンウェハ11の表面3からの深さが335μm〜525μmの領域でのレーザ光Lの球面収差が補正されるように、改質領域713〜719を形成する際のレーザ光Lの照射条件に対して変化させられる。そのため、改質領域7〜719を切断の起点としてシリコンウェハ11及び機能素子層16を半導体チップに切断しても、深さが335μm〜525μmの領域ではツイストハックルが顕著に現れず、パーティクルが発生し難くなる。 (もっと読む)


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