【課題】表面にマンガン及びマンガン合金を含むバリア層と絶縁層から成る基板上の銅配線に代表される導電性金属配線（特に界面に生成する酸化銅）に対する研磨速度を低下させ、導電性金属配線と絶縁層との間の段差が小さい研磨液、及び、これを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】表面にマンガン及びマンガン合金を含むバリア層と、導電性金属配線と、絶縁層とを有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程において、主としてマンガン及びマンガン合金を含むバリア層と絶縁層とを研磨するための研磨液であって、表面が正のζ電位を示すコロイダルシリカ粒子と、腐食抑制剤と、酸化剤とを含有する研磨液である。 （もっと読む）

【課題】研磨時に繊維層の端面がほつれて研磨に支障を来たすようなことがない、簡便かつ形状精度の高くバリが生じていない研磨パッド、およびその形状加工方法を提供する。
【解決手段】基本的に高分子材料からなり、実質的に繊維のみからなる繊維層、および樹脂層を有する積層研磨パッドであって、該繊維層の繊維端面が局所的に加熱され、高温の状態にされることにより溶融裁断あるいは溶融処理されていることを特徴とする積層研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】高研磨速度を達成しつつ、研磨時のスクラッチの発生を抑えられる研磨液を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体集積回路の平坦化工程における主としてバリア層の化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、（１）四級アンモニウムカチオン、（２）有機重合粒子の表面に酸素原子を介して、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、およびＳｉからなる群より選択される少なくとも一種の無機原子が結合してなる表面修飾有機重合粒子、（３）有機酸、（４）アゾール化合物、及び（５）酸化剤を含み、かつ、ｐＨが１〜７である研磨液。 （もっと読む）

【課題】研磨、洗浄後の基板表面の研磨砥粒の残留を確実に防止し、高平滑な基板表面が安定的に得られるマスクブランク用基板、この基板を用いた反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。
【解決手段】ガラス基板の表面に研磨パッドを接触させ、ガラス基板の表面に研磨砥粒を含む研磨液を供給し、ガラス基板と研磨パッドとを相対的に移動させてガラス基板の表面を研磨する研磨工程と、ガラス基板の表面を洗浄する洗浄工程とを有し、研磨砥粒はコロイダルシリカであって、研磨液のゼータ電位の極性と洗浄液のゼータ電位の極性とを一致させる。得られるマスクブランク用基板１上に多層反射膜２及び吸収体膜４を形成して反射型マスクブランク１０とし、この反射型マスクブランク１０における吸収体膜４をパターニングして吸収体パターンを形成して反射型マスク２０とする。 （もっと読む）

【課題】正確にかつ簡便に半導体基板の表面処理工程をモニターできる方法を提供する。
【解決手段】本半導体基板の表面処理のモニター方法は、半導体基板の表面にマーカ１０を形成する工程と、マーカ１０が形成された表面を処理する工程とを備え、表面を処理する工程における表面のマーカ１０の形態の変化により表面を処理する工程をモニターする。 （もっと読む）

【課題】チューブを回転させなくても、チューブの寿命を延長させることができるチューブポンプを提供する。
【解決手段】このチューブポンプは、可撓性のチューブ３１０と、チューブ３１０を加圧しつつ、チューブ３１０の延伸方向に沿って移動する複数のローラ３４０，３５０，３６０とを備える。ローラ３４０，３５０，３６０は、チューブ３１０の周方向で見たときに、互いに異なる角度からチューブ３１０を加圧する。このため、チューブ３１０のうち加圧時に折り曲げ負荷が加わる部分は、ローラ３４０，３５０，３６０それぞれで異なる。従って、チューブ３１０を回転させなくても、チューブ３１０の寿命を延長させることができる。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの表面を基準にドレッシングするための適度な弾性を有しつつ、長期に亘って交換することなく使用することができるパッドドレッサーを提供する。
【解決手段】支持部３２の下端には、束線バンド３５で束ねられた弾性部材３１が取り付けられている。弾性部材３１は、線径が０．１５ｍｍで長さ２５ｍｍのタングステン線が３０本ずつ１束に束ねられて構成されている。また、弾性部材３１の各素線の先端部は丸切りのまま研磨パッド２０に接触して研磨パッド２０のドレッシングを行うようになっている。弾性部材３１の各素線の先端部の線径を細くして研磨パッド２０の切削幅を小さくすると共に、弾性部材３１の各素線を束線バンド３５で束ねることによって弾性部材３１の剛性を高め、各素線の細い先端部に大きな圧力がかかるようにしている。従って、弾性部材３１の先端部は研磨パッド２０に有効な切り込み深さを与えることができる。 （もっと読む）

【課題】 酸化ケイ素膜に対する高い研磨速度が得られるとともに、窒化ケイ素膜に対する酸化ケイ素膜の研磨速度の高い選択比が得られる研磨液を提供すること。
【解決手段】 酸化ケイ素を含む被研磨面の研磨に用いられる研磨液であって、（Ａ）炭素数が１〜６である飽和モノカルボン酸と、（Ｂ）酸化セリウム粒子と、（Ｃ）水とを含み、且つ、ｐＨが２．０〜５．５である研磨液。 （もっと読む）

【課題】研磨粒子の凝集を抑制し、被研磨物の平坦性を向上させることができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１はポリウレタン樹脂で形成されたフィルムを有している。フィルムは、乾式成形により製造されており、イソシアネート基含有化合物と、硬化剤のポリアミン化合物と、発泡因子として熱膨張性を有する微粒子とを混合した混合液を型枠に注型し、加圧しながら硬化させた発泡体をスライスして製造される。フィルムの内部には、微粒子が硬化反応熱などにより膨張して生じた多数の発泡が形成されている。発泡は、硬化時の加圧処理により、いずれも同じ方向に楕円体状を呈している。発泡体がスライスされたフィルムの研磨面には多数の開孔４が形成されている。開孔４は、同じ方向に楕円状に形成されている。開孔４でのスラリの滞留が抑制される。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハを高い速度で研磨でき、しかもウエハの表面粗さを低減できる研磨液組成物、および当該研磨液組成物を用いた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】平均一次粒子径が１０〜５０ｎｍのシリカ粒子Ａと、シリカ粒子Ｂと、水溶性高分子と、塩基性化合物とを含み、前記シリカ粒子Ａの会合度が１．８〜２．５、前記シリカ粒子Ｂの会合度が１．０〜２．５であり、前記シリカ粒子Ａと前記シリカ粒子Ｂの粒径比（前記シリカ粒子Ａの平均一次粒径/前記シリカ粒子Ｂの平均一次粒径）が１．２〜４．５である、シリコンウエハ用研磨液組成物。 （もっと読む）