【課題】被研磨物の端部形状を改善し平坦性を向上させることができる保持材を提供する。
【解決手段】保持材１０は、湿式凝固法により作製されたウレタンシート２を有している。ウレタンシート２は、一面側に被研磨物を保持するための保持面Ｓを有している。保持面Ｓ側には枠材６が固着されている。枠材６は、被研磨物を挿入するための保持穴が形成された円環状に形成されており、保持穴を画定する内壁面６ａを有している。ウレタンシート２の裏面側には接着剤層７ａを介して基材８の一面側が貼り合わされている。基材８は、可塑性を有するシート状の主材部８ａと、主材部８ａより小さなショア硬度を有する副材部８ｂとを有している。副材部８ｂは、枠材６の内壁面６ａの位置に対応するように配置されている。応力集中が緩和される。 （もっと読む）

【課題】研磨の進捗を正確に監視し、さらには正確な研磨終点を検出することができる方法を提供する。
【解決手段】本方法は、基板の研磨中に基板に光を照射し、基板からの反射光を受光し、反射光の強度を波長ごとに測定し、強度の測定値から、強度と波長との関係を示すスペクトルを生成し、所定の時間当たりのスペクトルの変化量を算出し、スペクトルの変化量を研磨時間に沿って積算してスペクトル累積変化量を算出し、スペクトル累積変化量に基づいて基板の研磨の進捗を監視する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの周縁部における研磨量の過不足を防止し、より平坦度の高い研磨を行うことができ、また半導体ウエハの周縁部の研磨量を意図的に増減することができるポリッシング装置及び方法を提供する。
【解決手段】ポリッシング対象物を保持するトップリング１を回転させる際の軸中心となるトップリングシャフト８の周囲に別個に設けられ、ポリッシング対象物を研磨する際、トップリングシャフト８とは一緒に回転しないよう構成された部材２１を備え、トップリング１の周囲に上下動自在に配置されたガイドリング３に押圧力を与えるための流体圧を調節する第２のレギュレータＲ２からガイドリング押え２０を介してガイドリング３へ行われる押圧力の伝達が、トップリングシャフト８の周囲に別個に設けられた部材２１を介して行われる。 （もっと読む）

【課題】対象物の被研磨面をより平坦に研磨することができる研磨用治具を提供する。
【解決手段】研磨用治具１ａは、対象物を研磨する研磨用表面４を備えた本体２を有し、該研磨用表面４は、第１の表面領域Ｓ１および第２の表面領域Ｓ２を有し、第２の表面領域Ｓ２は第１の表面領域Ｓ１の外周部に位置し、第２の表面領域Ｓ２は第１の表面領域Ｓ１よりも硬度が大きい。 （もっと読む）

【課題】 研削後に膜が残存することがないウエーハの研削方法を提供することである。
【解決手段】 所定厚みの膜が表面に被覆されたウエーハを研削して該膜を研削除去するウエーハの研削方法であって、チャックテーブルでウエーハの裏面を保持して、保持したウエーハの厚みを表面から複数点で検出する複数厚み検出ステップと、検出したウエーハ厚みのうち最小値を検出する最小値検出ステップと、検出した該最小値から少なくとも該膜の該所定厚みを減じた値を目標仕上げ厚み値として算出する目標仕上げ厚み算出ステップと、該チャックテーブルで保持したウエーハの厚みを検出しつつ、ウエーハの表面に研削砥石を当接してウエーハとの間で摺動させて、該目標仕上げ厚み値までウエーハを研削することで該膜を研削除去する膜除去ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型構造でもスパークアウト加工を可能とする上定盤の支持構造および下定盤の支持構造を採用し、ワークの研磨精度を向上させた両面研磨装置およびこの両面研磨装置を用いる加工方法を提供する。
【解決手段】上定盤９と下定盤１５との間に挟み込んだワーク２００をラッピングまたはポリッシングする両面研磨装置１００において、上定盤９を上下方向に昇降させる上定盤昇降シリンダ３と、上定盤９を上下方向の所定位置に固定するための固定動作を行う上定盤位置固定装置６と、流体軸受皿１７と下定盤支持部１６とにより構成され、垂直軸周りに回転駆動される下定盤１５の垂直荷重を支持する流体軸受けと、を備えた両面研磨装置１００とした。また、この両面研磨装置１００を用いる加工方法とした。 （もっと読む）

【課題】研磨効率を維持したまま、均一な表面粗さと光学的な斑のない基板を得る
【解決手段】水平に走行する基板を連続して鏡面研磨するための研磨装置であって、円盤状の研磨ヘッドを前記基板上に配設し、前記研磨ヘッドの研磨面を前記基板に圧接し、前記研磨ヘッドを前記基板面に垂直な回転軸で回転させる手段、及び前記研磨ヘッドを基板の走行方向と直交する水平方向に往復運動させる手段を具備し、前記基板の研磨面と反対の面に、２本以上の受けロールを以下の式（１）および（２）を満たすように配置する研磨装置。
（１） （研磨ヘッドの研磨面の回転半径）＜（各受けロールの軸中心の間の距離の合計） ≦ （研磨ヘッドの研磨面の回転直径）
（２） （研磨ヘッドの回転軸の位置から各受けロールの軸中心までの距離） ≦ （研磨ヘッドの研磨面の回転半径） （もっと読む）

【課題】本発明は、平行度に優れる磁気記録媒体用ガラス基板の提供と、平行度に優れる磁気記録媒体用ガラス基板を生産性高く研磨するガラス基板の研磨方法、及び磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】ガラス基板を研磨する前の両面研磨装置の上定盤の研磨面と下定盤の研磨面の形状を、内周端における上定盤の研磨面と下定盤の研磨面との距離をＤｉｎとし、外周端における上定盤の研磨面と下定盤の研磨面との距離をＤｏｕｔとしたとき、ＤｏｕｔからＤｉｎを引いたΔＤ（＝Ｄｏｕｔ−Ｄｉｎ）を−３０μｍ〜＋３０μｍとしてガラス基板を研磨する工程を有する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法により、平行度が３．２μｍ以下である磁気記録媒体用ガラス基板を提供できる。 （もっと読む）

【課題】多ステップ研磨における前の工程が後の工程に負荷をかけることを防止することができる研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨対象物上に形成された第１膜の大部分を研磨して除去する第１の研磨工程と、第１膜の残留部分を、配線部分を残して第２膜が表面に露出するまで研磨して除去する第２の研磨工程と、第１の研磨工程から第２の研磨工程に移行するときの第１膜の膜厚分布を予め設定する工程と、第１の研磨工程中に第１膜の厚さをうず電流センサにより測定して第１膜の膜厚分布を取得する工程と、取得された第１膜の膜厚分布が予め設定された第１膜の膜厚分布に一致するように第１の研磨工程における研磨条件を調整する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ毎に異なる物理現象を共通化して、少ない統計モデルで多品種の半導体ウェハの研磨レートを精度良く推定すること。
【解決手段】半導体ウェハを研磨する研磨機構の特性を表す複数の物理量を式の要素とする統計モデルに基づいて研磨レートを推定する推定装置であって、複数の物理量のそれぞれについて、半導体ウェハの回路パターンの配線長と、半導体ウェハに占める回路パターンの面積比と、に対応する補正値を算出する補正値算出部と、補正値と、複数の物理量を説明変数とする統計モデルと、を用いて研磨レートを推定する推定部と、を備える。 （もっと読む）