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国際特許分類[B24B37/04]の内容

国際特許分類[B24B37/04]に分類される特許

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【課題】両面研磨後の半導体ウェーハの表面に発生するスクラッチの発生率を従来より低減することができる両面研磨装置用のインサート材と、それを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれたウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリア母材の前記保持孔の内周部に沿って配置され、前記保持されるウェーハの周縁部に接するリング状の樹脂インサート材であって、該インサート材は、灰分が0.05wt%以下の樹脂からなるものであることを特徴とするインサート材。 (もっと読む)


【課題】研磨液のトップリングへの浸入を防止することができ、トップリングを正常に動作させることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨装置10は、基板を押圧するトップリング本体200と、トップリング本体200の外周部に設けられ、研磨面を押圧するリテーナリング302とを備える。リテーナリング302は、内部に形成される室に供給される流体により上下方向に伸縮するローリングダイヤフラム404と、ローリングダイヤフラム404の動きに伴って上下動し、研磨面に接触するリング部材408と、ローリングダイヤフラム404を収容するシリンダ400と、シリンダ400とリング部材408との間を接続する伸縮自在な接続シート420とを備える。接続シート420は、シリンダ400とリング部材408との間の隙間を覆うように配置されている。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェーハの両面研磨の際に、ウェーハ外周ダレが低減された高い平坦度を有する高品質のウェーハを、従来に比べて安定かつ長期間に渡って効率よく低コストで生産することを可能とする両面研磨装置用キャリア、及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法を提供する。
【解決手段】両面研磨装置において、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれた半導体ウェーハを保持するための保持孔が形成された両面研磨装置用キャリアであって、該キャリアは、材質がチタンからなるキャリア本体と、該キャリア本体の表面に形成されたDLC膜に覆われたものであり、かつ該DLC膜表面の表面粗さがRaで0.11μm以上であることを特徴とする両面研磨装置用キャリア。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ガラス基板の研削加工に適した研削面を維持しながらガラス基板を研削加工する、生産性に優れたガラス基板の研削方法及び該研削方法を用いたガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】板形状を有するガラス基板の形状付与工程と、前記ガラス基板を回転しながら主平面を研削する研削工程と、前記主平面の研磨工程と、前記ガラス基板の洗浄工程と、を有するガラス基板の製造方法において、前記研削工程はガラス基板の両主平面を同時に研削するものであり、両面研削装置の上定盤とキャリアとの相対回転方向と、下定盤とキャリアとの相対回転方向を所定の基準に従って決定することにより、生産性に優れたガラス基板の研削方法及びガラス基板の製造方法と板厚特性に優れたガラス基板を提供できる。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板裏面を高スループットで研削、研磨加工し、基板を薄肉化・平坦化することができる異物の付着が少ない半導体基板を製造する平坦化加工装置の提供。
【解決手段】 半導体基板のローディング/アンローディングステージ室11a、裏面研磨ステージ室11c、裏面研削加工ステージ室11bに各々の機械要素を収納した平坦化装置1であって、同時に2枚の基板を研磨加工する裏面研磨ステージ70のスループット時間を1枚の基板を研削加工する裏面研削加工ステージ20のスループット時間の約2倍に設計した平坦化加工装置1。 (もっと読む)


【解決手段】(1)合成石英ガラス基板を、コロイド粒子、該コロイド粒子と同符号の電荷を帯びたイオン性有機化合物及び水を含む研磨液により研磨する工程と、(2)研磨した基板を、酸性溶液又は塩基性溶液に浸漬し、該基板表面を0.001〜1nmエッチングする工程とを含む合成石英ガラス基板の製造方法。
【効果】本発明によれば、IC等の製造に重要な光リソグラフィー法において使用されるフォトマスク基板用合成石英ガラス基板や、ナノインプリント用途向け等の合成石英ガラス基板の製造において、合成石英ガラス基板表面の高感度欠陥検査装置で検出される欠陥の生成が抑制され、良好な面粗度が得られることにより、半導体デバイス製造等において歩留まりの向上が期待され、かつ半導体工業の更なる高精細化につなげることができる。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの研磨時に発生する熱の影響によるセンサーホルダーの変形を確実に抑制することによって、ウェーハの狙い厚さに対する誤差を低減してウェーハを研磨できる両面研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、研磨布が貼付された上下の定盤と、該上下の定盤間でウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリアと、前記上定盤の回転軸方向に設けられた貫通孔に配置され、研磨中の前記ウェーハの厚さを検出するセンサーと、該センサーを保持するセンサーホルダーとを有する両面研磨装置であって、前記センサーホルダーの材質が石英であることを特徴とする両面研磨装置。 (もっと読む)


【課題】流体軸受けの流体軸受皿の底部や内外周方向にも潤滑油などの流体が確実に流れるようにして、流体軸受皿の底や内外周方向での流体の滞留をなくすとともに流体軸受皿の底に沈降する不純物を除去して清浄な流体とし、長期間にわたり流体軸受けとしての機能を確保して円滑な回転を可能とする平面ラップ/ポリッシュ盤を提供する。
【解決手段】流体軸受皿5の溝部内の下側軸受面51に隣接する内周側底面部52に内周側回収孔27を、また、外周側底面部53に外周側回収孔28を設け、これら内周側回収孔27と外周側回収孔28との間をバイパス回路29により内外で連通させて外周側への偏在をなくし、また、流体軸受皿5内に沈降する不純物を含む流体を回収するような平面ラップ/ポリッシュ盤とした。 (もっと読む)


【課題】上定盤の一部が下定盤の外側にはみ出して上定盤がその自重により傾いてしまう構成でも、上定盤の研磨パッドを基板の全面に均一に当接させることが可能な基板研磨装置を提供すること。
【解決手段】載置される基板600を吸着保持可能な基板保持面3cを有して回転可能な下定盤3と、下定盤3の基板保持面3cと並行な平面内で揺動可能であると共に下面に研磨パッド4を有して回転可能な上定盤2を備え、下定盤3上の基板600に上定盤2の研磨パッド4を押し付けて該基板600の上面を研磨する基板研磨装置1において、下定盤3の基板保持面3cの外縁部には基板600の外縁部600bを該基板600の中央部600aよりも高くなるように支持する凸部6が設けられている。 (もっと読む)


【課題】ガラス物品の表面に所期のパターンを正確に形成することができ、且つ、当該パターンを構成する凹部の面性状を幅広い範囲で調整可能なガラス物品の表面加工方法を提供する。
【解決手段】ガラス物品である板ガラス1の表面に凹設するパターンに対応したマスキングを保護膜2で施した後、保護膜2が形成された状態の板ガラス1の表面を機械研磨する。そして、この機械研磨により、板ガラス1の表面のうち、保護膜2の非形成領域を部分的に研磨し、板ガラス1の表面にパターンを構成する凹部1aを形成する。 (もっと読む)


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