【課題】脆性材料基板を分断するに際し、脆性材料基板の板厚が薄い場合でも精度の高いスクライブラインを安定して形成できるカッターホイールおよびこれを用いた脆性材料基板のスクライブ方法を提供する。
【解決手段】カッターホイールは、ディスク状ホイールの円周部に沿ってＶ字形の稜線部が刃先として形成され、前記稜線部に略等間隔で所定形状の突起が複数個形成された脆性材料基板スクライブ用のカッターホイールであって、ホイールの外径が１．０〜２．５ｍｍであり、前記突起が前記稜線部の全周に８〜３５μｍのピッチで形成され、前記突起の高さが０．５〜６．０μｍであり、刃先の角度が８５〜１４０°である。 （もっと読む）

【課題】 基板の反転を含む基板搬送における基板の損傷を防止し、これらの基板搬送機構を有する基板加工装置の小型化によって設置面積を減少させることができる基板加工方法および基板加工装置が提供される。
【解決手段】 マザー基板を単位基板に割断する基板加工装置は、マザー基板にスクライブラインを形成するスクライブ部３と、形成されたスクライブラインに沿ってマザー基板をブレークするブレーク部４と、少なくとも前記各部の間でマザー基板または単位基板を搬送する基板搬送部２とを具備し、基板搬送部２が、基板をそれぞれの基板の主面で吸着して保持する吸着面を備えた複数の回転台座５１，７３を有し、回転台座５１，７３のそれぞれは、回転軸５２，７２を有し、基板を吸着保持した状態で少なくとも基板の両主面が上下方向に反転するよう各基板をそれぞれの回転軸５２，７２周りにほぼ同時に回動させる基板吸着回動手段を有する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】硬いウェハ基板に形成された高アスペクト比のダイは、テープを必要とせずにソーイングされ、高いダイ収率を得ることができる。半導体ダイ３をサファイアウェハ２からソーイングする準備として、単一体のサンドイッチ状組立体を形成する熱可塑性層４によりウェハをシリコンキャリア基板６に接続する２０。その後、ダイをウェハからソーイングする。熱可塑性材は除去され、ダイは、シリコンキャリア基板から個別に除去することができる５０。熱可塑性材は、ソーにより及び冷却剤の流れ３０により加えられたせん断力に抗してダイを所要位置に保持する接合部を生じさせる。
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システム全体をコンパクトなものとし、また、各種基板を効率よく分断することを可能とする基板分断システムを提供すること。 本発明の基板分断システムは、互いに対向して配置された一対のスクライブライン形成手段と、前記一対のスクライブライン形成手段の一方が基板の第１面上でＸ軸方向に移動し、前記一対のスクライブライン形成手段の他方が前記基板の第２面上でＸ軸方向に移動するように、前記一対のスクライブライン形成手段を支持する一対のスクライブ装置と、前記一対のスクライブ装置がＹ軸方向に移動可能なように、前記一対のスクライブ装置を支持するスクライブ装置ガイド体と、前記一対のスクライブライン形成手段が前記基板の前記第１面および前記基板の前記第２面をスクライブするために、前記基板をＸ−Ｙ平面上に支持する基板支持手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】多数の等間隔をおかれた電子素子が固定された受動電子素子基板が独立した回路素子にきれいに分離される方法を提供すること。
【解決手段】鋭い折り線(44)を有するスクライブライン(36)を形成する方法は、基板(10)の厚さ(24)の一部が除去されるようにセラミック又はセラミックに似た基板(10)に沿って紫外線レーザビームを向けることを必要とする。紫外線レーザビームは、相当量の基板溶融なくして基板にスクライブラインを形成し、これによりきれいに規定された折り線が基板の厚さ内に伸びる高応力集中領域を形成する。その結果、独立した回路素子になるように基板の破断を生じさせるスクライブラインの側部に付与される破断力に応答して高応力集中領域において多数の深さ方向亀裂が基板の厚さ内に伝播する。この領域の形成は非常に正確な基板の破断を容易にし、他方、破断力の付与の間及び後に各素子の内部構造の一体性を維持する。 （もっと読む）

本発明は、所望の分割線に沿ったレーザによる熱の一時的かつ局所的な適用の結果と、これに続いて、冷却剤による熱の一時的かつ局所的な除去の結果として生じる応力に起因する分離亀裂の誘発によって平坦なセラミック加工物を分割するための方法に関し、ビームスポット長が以下の公式ｌ＝８×ｄ×２４／ＷＬＦから計算され、式中、ｌはビームスポットの長さであり、ＷＬＦは分割されるセラミックの熱伝導率であり、ｄは分割されるセラミックの厚さであり、その結果、レーザによって加工物上に形成されるビームスポットの長さが、セラミックの熱伝導率および加工物の厚さに応じて選択される。特に、高い内部応力を有する加工物に関して、レーザ出力または前送り速度などの工程変数は、誘発される熱応力の大きさに影響を及ぼすために、工程を通じて変更される。 （もっと読む）

【課題】 アニール処理を不要としたカットロッドの加工方法を提供する。
【解決手段】 多結晶シリコンロッドの外周部分または外周部分の一部を取り除き、残した中央部分に加工を施すことを特徴とする加工方法であって、好ましくは、直径の１０〜６０％に相当する外周部分を研削して取り除いた後に溝加工などを施す加工方法およびこの加工を施した多結晶シリコンロッド。 （もっと読む）

【課題】砥石の目詰まりをなくし、ブレードの切れ味を維持できるスライシング加工用粘着シートを提供する。
【解決手段】テーブル２上に表面に粘着層１ｂを有する粘着シート１を保持し、粘着層１ｂに被加工物Ｗを粘着保持した状態で、外周刃砥石を持つブレード３で被加工物Ｗと粘着シート１とを切り込んでスライシングする。粘着シート１の基材１ａとして、スライシング加工温度以上の耐熱性を持ち、かつブレード３による切削性の良好なポリイミドを用いる。 （もっと読む）

【目的】本発明は、半導体インゴット等の被加工物を切断してウエーハを形成するワイヤソー及びその切断方法に関し、ウエーハのうねりを低減することを目的とする。
【構成】ワイヤに対し被加工物を押し当てる方向へ被加工物を直線移動させる速度（切断速度）を、周期的に変化させる。 （もっと読む）