【課題】単結晶シリコン基板を用いた半導体装置を製造する際に、エッチング速度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶シリコン基板１１０に対してレーザー光Ｌを照射して、そのレーザー光Ｌの焦点を移動させることによって、少なくとも一部が単結晶シリコン基板１１０の表面に露出するように単結晶シリコン基板１１０の内部を部分的に多結晶化して改質部１５０を形成する改質工程と、改質工程にて単結晶シリコン基板１１０を多結晶化した部位をエッチャントにて連続的にエッチングするエッチング工程とを備える半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】静電駆動式でミラーを揺動させ、光ビームを偏向させる光学装置において、可動部に設置されたミラーの傾斜角を精度よく調整する。
【解決手段】基板と可動部のうちのいずれか一方の部材に固定されているとともに他方の部材に向かって突出している第１突起部および第２突起部を備えている。第１突起部が第２突起部よりも、基板に垂直な方向の高さが高く、第１突起部が第２突起部よりも、可動部の揺動軸に近い位置に設置されている。基板に対して可動部が最大傾斜角で傾斜した場合に、第１突起部および第２突起部が、前記した他方の部材に当接する。これによって、可動部の傾斜角が精度よく調整される。 （もっと読む）

【課題】超小型電子デバイスのための微小空胴構造およびカプセル封じ構造を提供する。
【解決手段】微小空胴構造であって、−基板と、−カバーであって、カバーと基板の間に形成される空間が微小空胴を形成するように基板に取り付けられたカバーと、−カバーを貫通する少なくとも１つの孔と、−微小空胴内に配置された、孔のための少なくとも１つの密閉フラップであって、熱膨張係数が異なる材料の少なくとも２つの部分を備え、これらの少なくとも２つの部分が互いに貼り合わせて配置され、前記２つの部分の１つの第１の末端がカバーに機械的にリンクされ、前記２つの部分の第２の末端が自由であり、密閉フラップの少なくとも一部が孔と向かい合って配置され、前記２つの部分が、温度変化の効果の下で孔を密閉し、あるいは開放するのに適している少なくとも１つの密閉フラップとを備えた微小空胴構造。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ技術により形成される１つの共振子で、複数の周波数帯域や広い周波数帯域にわたった所望の共振周波数が得られるようにする。
【解決手段】層間絶縁層１０３（基板１０１）の上に離間して配置された共振子可動電極１０５と、一端が共振子可動電極１０５の一方の対向する側面に各々連結して同一直線上に配置される一対の導電性を有する直線状の共振子ばね梁１０８と、各々の共振子ばね梁１０８を層間絶縁層１０３の上に離間して支持する共振子ばね梁１０８の他端に連結する一対の電極端子１０９と、共振子可動電極１０５の他方の両側面の側の層間絶縁層１０３に固定された一対の共振子固定電極１１０とを備える。また、共振子ばね梁１０８の側部に接触する状態に、基板１０１の平面に平行な平面内で移動可能とされたロッド１１３を備える。 （もっと読む）

【課題】像内の不所望な強度最大値および／または強度最小値（スペックル）の発生を回避することができるマイクロメカニカル素子を提供する。
【解決手段】マイクロメカニカル素子が、第１の外面上に反射面を備えたミラー素子と、対向電極と、電圧制御装置とを有し、ミラー素子は、第１の外面とは反対方向に向けられているミラー素子の第２の外面上の第１の電極面に第１の電位が印加されるように構成されており、対向電極はミラー素子の第２の外面の近傍に配置されており、該対向電極の第２の電極面に第２の電位が印加されるように構成されており、電圧制御装置は第１のコンタクト素子を介してミラー素子の第１の電極面と接続されており、第２のコンタクト素子を介して対向電極の第２の電極面に接続されており、且つ、時間的に変化する電圧信号を第１の電極面と第２の電極面との間に印加するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】マイクロメカニカル構造体の近設される可動部間の電気干渉を抑制するための電界遮蔽構造が、容易に製造できるようにする。
【解決手段】マイクロメカニカル構造体１００は、一端が固定された複数の可動部１３１ａと、隣り合う可動部１３１ａの間に可動部１３１ａとは離間して配置される電界遮蔽構造１１１ａとを備える。マイクロメカニカル構造体１００は、ＳＯＩ基板より構成されている。ＳＯＩ基板を構成するシリコン基部１０１の層に電界遮蔽構造１１１ａが形成され、埋め込み絶縁層１０２の上のシリコン層１０３に、可動部１３１ａが形成されている。また、電界遮蔽構造１１１ａおよび可動部１３１ａは、埋め込み絶縁層１０２に形成された開口領域に配置されるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】素子を大型化させることなく発生電力を向上させ、低コストで製造することができ、生産性を向上させることができる振動発電素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されエレクトレット膜を有する第１の電極と、前記第１の電極とエアギャップを隔てて対向し、複数の開口部が形成されている第２の電極と、前記第１の電極の周辺部に形成され、かつ、バネ部を介して前記第２の電極と接続する支持部を有し、前記支持部における前記エアギャップよりも高い位置における部分は、前記第２の電極と同一の材料を有することにより、ＭＥＭＳ技術を応用した一貫形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも開口率を増加させることができる光制御装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光通過部（８）を有する基板（２）と、基板に固定された櫛歯状の第１電極（３）と、第１電極と対向して移動可能に設けられた櫛歯状の第２電極（４）と、第２電極と共に移動し光通過部を遮蔽及び露出可能に設けられた遮蔽部材（５）と、第２電極及び遮蔽部材を移動可能に支持する梁部材（６，７）と、を備え、第１電極及び第２電極と、梁部材とが、基板上の異なる層（Ｌ１，Ｌ２）に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧電層をＡｌＮ薄膜により構成する場合に比べて圧電定数ｅ_３１を大きくでき且つ圧電層をＰＺＴ薄膜により構成する場合に比べて、比誘電率を小さくできるとともに、より圧電定数ｅ_３１を大きくすることが可能な発電デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】素子形成用基板２０ａを用いて形成した振動子形成基板２０と、振動子形成基板２０の撓み部２２に形成され下部電極２４ａ、圧電層２４ｂ、上部電極２４ｃを有する発電部２４とを備え、圧電層２４ｂを、ＰＺＴとリラクサーペロブスカイトとからなる多成分ペロブスカイト構造を有する圧電薄膜（ＰＭＮ−ＰＺＴ薄膜）により構成してある。製造時、圧電層２４ｂをスパッタ法により形成する際は、素子形成用基板２０ａの温度を５００℃以上の規定温度として素子形成用基板２０ａの一表面側に圧電薄膜をヘテロエピタキシャル成長させた後、素子形成用基板２０ａを規定温度から急速冷却する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも分光帯域の広いファブリペロー干渉計及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１ミラー構造体と第２ミラー構造体とがギャップを介して対向配置されたファブリペロー干渉計であって、第１ミラー構造体を構成する第１ミラーと第１電極、及び、第２ミラー構造体を構成する第２ミラーと第２電極、の少なくとも一方が電気的に絶縁分離されている。また、電圧が印加されない初期状態で、第１電極を含む電気的に結合された部分と、第２電極を含む電気的に結合された部分との対向距離ｄｅｉが、第１ミラーと第２ミラーとの対向距離ｄｍｉよりも長くされている。 （もっと読む）