【課題】気密性の高い封止構造で密閉空隙を封止して信頼性を向上させた電気機械変換装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は、犠牲層を除去後に封止を行って形成された密閉空隙１３を挟んで対向して設けられた電極などの第１の電磁要素１２と第２の電磁要素１５を有する。封止部は、常温で流動性を持たない第１の封止材１６の上に、硬化された常温で流動性を持つ第２の封止材１７を重ねることで形成される。 （もっと読む）

【課題】マイクロ電子チップに電力を供給するための２本の導電ワイヤを固定する溝を、溝間の距離を高精度に、かつ再現性良く形成する方法を提供する。
【解決手段】ウエハ２０上に形成された複数のデバイス２２から、溝１４を有する複数のチップ要素を製造するチップ要素製造方法において、製造ステップが、前記ウエハ２０上に犠牲膜２６を前記溝が形成されるような高さで堆積し、前記各デバイス２２の中央部を露出させたまま、かつ前記デバイスの端部を覆うように堆積する堆積ステップと、前記犠牲膜上にモールド２８を塗布する塗布ステップと、前記モールドに硬化性材料３０を注入する注入ステップと、前記硬化性材料を硬化させる硬化ステップと、前記ウエハを前記デバイスの間においてダイシングするダイシングステップと、前記犠牲膜を除去する除去ステップとからなる。 （もっと読む）

【課題】可動部の反りが大きく、かつ検知感度の低下が抑制された半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成された基板１０と、凹部１００内に配置された可動電極２１を有し、可動電極２１から離間した位置において基板１０に固定された梁型の可動部２０と、可動電極２１に対向して凹部１００内に配置され、可動電極２１と電気的に分離されて基板１０に固定された梁型の固定電極３０とを備え、可動電極２１と基板１０との間に、線膨張熱係数が互いに異なる半導体層２２１とキャップ層２２２とが積層された反り部２２を有する。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向、並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及び力学量センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、基板と、前記基板上に配置された複数の固定部と、前記複数の固定部にそれぞれ一端部が支持されて前記基板から離隔して各々が所定の間隙を空けて配置された複数の可動電極と、前記複数の可動電極の他端部に各々隣接して力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記複数の固定部に各々電気的に接続された複数の第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】層がその上に作製される基板に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板（２）の表面（２’）に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法において、基板（２）上にＡｌＮ成長層（４，４’）を形成する段階と、少なくとも前記成長層上にＡｌＮ層（３１）を堆積する段階と、その少なくとも１つの縁部が、前記基板（２）の表面（２’）または前記成長層（４）の表面（４’）に実質的に垂直な平面において少なくとも１つの縁部（１０，１２，１４）または前記成長層（４，４’）の側面（１０ａ，１０ｂ）と整列されるように、ＡｌＮ層を覆ってマスク層（４０，４０’）を形成する段階と、を有する方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】設計自由度が高く曲げ強度が高く極めてアスペクト比が高いニードルを提供する。
【解決手段】最小幅１μｍ以上の連続領域を保護する膜であるリード保護膜Ｒ１をシリコン基板１００の主面１０１の一カ所以上に形成する工程と、シリコン基板１００の主面１０１のリード保護膜Ｒ１から露出している領域を垂直方向にエッチングすることによって直柱体１０２を形成する工程と、直柱体１０２の内部に酸化されずに残る直柱体領域１０４の横断面最大幅が１μｍ未満になるまでシリコン基板１００を熱酸化する工程と、シリコン基板１００に形成された酸化膜１０３を除去することによって、直柱体領域１０４からなるリードと、底に向かって広がるフレア面を側面とし頂からリード１０４が突出するマウント１０５とを有しシリコンからなるニードル１０を形成する工程と、を含むシリコンナノニードルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】梁部の強度やダイアフラムの支持強度を低下させることなく、梁部のアンカーで固定されていない部分の長さを長くすることのできる音響センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板３２の上面において、ポリシリコンからなる第１犠牲層４８の延出部４８ａの上に、シリコン酸化膜からなる第２犠牲層４７を介してポリシリコンからなるダイアフラム３３の梁部３６ａを形成する。延出部４８ａは、梁部３６ａの先端部を除く領域の下に形成されている。シリコン基板３２に設けたバックチャンバ３５から延出部４８ａをエッチング除去して梁部３６ａの下面の先端部を除く領域に空洞部５０を形成した後、さらに第２犠牲層４７をエッチングにより除去する。このとき、梁部３６ａの先端部下面に第２犠牲層４７を残してアンカー３７とする。 （もっと読む）

【課題】構造的制限を設けることなく、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸の検出感度の差を小さくし、且つ、ドリフトが小さく、３軸間の信号出力の変動を低減する半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】本発明によると、半導体基板に、枠部と、錘部と、前記枠部と前記錘部との間に配置される可撓部と、前記可撓部に第１の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記第１の方向と直交する第２の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記複数のピエゾ抵抗素子をそれぞれ含む複数のブリッジ回路とを有し、前記ブリッジ回路に電圧を印加する高電位端及び低電位端のうちの何れか一方と、前記ブリッジ回路との間に第１の抵抗体を有する少なくとも１つの前記ブリッジ回路を備えることを特徴とする半導体加速度センサが提供される。 （もっと読む）

【課題】微小な傾斜構造体を製造することを課題とする。
【解決手段】傾斜構造体の製造方法は、基板部１３ａの上に軸部１３ｂを形成し、軸部の上面が露出し、且つ軸部の上面と接続する上面を有する犠牲膜を基板部１３ａの上に形成し、軸部の上面及び犠牲膜の上面に傾斜構造体膜７を形成し、軸部の上面と軸部の側面によって構成される角部の上に位置する傾斜構造体膜７の膜厚を薄く加工することにより、傾斜構造体膜に前記角部の上に位置する薄膜部１１を形成し、傾斜構造体膜７と基板部１３ａとの間の犠牲膜を除去し、傾斜構造体膜と基板部との間に液体１８を供給し、液体１８を除去することにより、ステッキングを発生させ、傾斜構造体膜を薄膜部１１で曲げ、傾斜構造体膜の端部を基板部に接合することで、基板部と傾斜構造体膜によって鋭角を構成する。 （もっと読む）

【課題】引出電極間の短絡による圧電アクチュエーターの駆動不良の減少した圧電アクチュエーターの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子７３の形成工程後、エッチング工程において、後に形成される引出電極９０間の振動板５３の少なくとも一部を、エッチング残り上電極膜８３が除去され、振動板５３が除去されない条件でエッチングする。圧電素子形成工程の際に、エッチング残り上電極膜８３が引出電極９０間に生じても、エッチング残り上電極膜８３がエッチングによって分断され、エッチング残り上電極膜８３に形成される引出電極９０間の絶縁を保つことができる。したがって、引出電極９０間の短絡によって生じる圧電アクチュエーターの駆動不良が減少した圧電アクチュエーターの製造方法を得ることができる。 （もっと読む）