【課題】反射面を備える可動板の有効面積を確保しつつ、可動板の慣性モーメントを低減させた光偏向器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】反射面と側面を備える可動板と、所定の軸の周りに可動板を回動可能に支持する支持部とを有し、可動板の側面が軸に向かって窪んでいる。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さくすることが出来る。また、ハードマスク層に段差を形成するにあたり、ハードマスク層を基板表面を覆うように残存させることにより、複数段のパターン形成において、基板の帯電（チャージアップ）を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】所望する光反射面を有するマイクロミラーアレイを製造すること。
【解決手段】基板３に支持部４を介して傾動可能に支持される可動板５の上面側に、光反射面２が設けられる金属柱２０を形成する際、可動板５の上面側を露出させる開口４０ａを有する保護膜４０を形成し、その開口４０ａ内に銀メッキを施して銀製の金属柱２０を形成した後、その金属柱２０の上端面２０ａに鏡面加工を施して光反射面２を形成することとした。 （もっと読む）

【課題】 圧電素子の形成位置の精度を高め、モーションセンサの歩留まりを向上させる。
【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板の上面に絶縁層を形成し、前記絶縁層の上面に前記下電極層を形成し、前記下電極層の上面に前記圧電層を形成し、前記圧電層の上面に前記上電極層を形成し、平面視において前記可撓部の対向する二辺と重なる二辺を有し前記二つの縁領域を覆い前記二つの縁領域の間の領域を露出させた第一保護膜を前記上電極層の上面に形成し、前記第一保護膜を用いて前記上電極層と前記圧電層と前記下電極層とをエッチングし、前記第一保護膜を除去し、平面視において前記可撓部の前記二つの縁領域の間の領域を覆う第二保護膜を形成し、前記第二保護膜と前記上電極層とを用いて前記絶縁層をエッチングし、前記第二保護膜を除去し、前記絶縁層と前記上電極層とを用いて前記基板を異方性エッチングする。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有するアクチュエータ、液滴噴射ヘッド、並びにそれらの製造方法と液滴噴射装置を提供する。
【解決手段】アクチュエータ２００は、第１の面を有する基板と、第１の方向に延びる複数の第１の導電層４０と、第１の導電層４０の少なくとも一部を、それぞれ覆うように形成された第１の部分５１と、第１の部分５１以外の第２の部分５２ａと、を有する、圧電体層５０と、第１の面と直交する方向から見て、第１の導電層４０の少なくとも一部とオーバーラップし、かつ、第１の部分５１の少なくとも一部を覆う第２の導電層６０と、第２の導電層６０の上に形成され、第１の方向に延びる第１リード配線７１と、第１リード配線７１の一部を覆うように形成された保護膜８０と、を含み、圧電体層５０は複数の第１の開口部５６を有し、圧電体層５０の第１の部分５１は、第１の開口部５６に挟まれた部分である。 （もっと読む）

【課題】より容易にマイクロミラーアレイ基板を製造すること。
【解決手段】基板３上に配列させた金属柱２２を封止膜２３で被覆し、封止膜２３と金属柱２２の表面が略面一となるように研削して、封止膜２３の表面から金属柱２２の上端面２２ａを露出させる際、その上端面２２ａを研磨して鏡面加工を施し、光反射面２として形成することにより、マイクロミラーアレイ基板１Ａのミラー面に複数の光反射面２を一括して形成することを可能にした。 （もっと読む）

隙間閉止アクチュエータ（GCA）装置（200）が提供される。GCA装置は、少なくとも一つの装置駆動櫛状構造（202a、202b）、GCA装置の出力を定める少なくとも一つの入力／出力（I／O）櫛構造（216a、216b）、ならびに装置駆動櫛状構造およびI／O櫛状構造と相互嵌合する少なくとも一つの装置トラス櫛状構造（204）を有し、トラス櫛状構造は、トラス櫛状構造と装置駆動櫛状構造の間に印加される第1のバイアス電圧（V_BIAS）に基づいて、第1の移動軸（205）に沿って、複数の相互嵌合位置の間を移動するように構成される。また、GCA装置は、ブレーキ部（203）を有し、これは、装置トラス櫛状構造と選択的物理的に嵌合するように構成され、第1の移動軸に沿った装置トラス櫛状構造の位置が固定される。

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【課題】 高アスペクト比な金属微細構造体を高精度で容易に得ることができる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 微細構造体の製造方法は、Ｓｉ基板に第１の絶縁膜を形成する第１工程と、第１の絶縁膜の一部を除去してＳｉ表面を露出する第２工程と、露出されたＳｉ表面からＳｉ基板をエッチングして凹部を形成する第３工程と、凹部の側壁及び底部に第２の絶縁膜を形成する第４工程と、凹部の底部に形成された第２の絶縁膜の少なくとも一部を除去してＳｉの露出面を形成する第５工程と、Ｓｉの露出面より凹部に金属を電解めっきにより充填する第６工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 熱コンダクタンスを低減させる連結構造または支持構造の加工に最適なＭＥＭＳの製造方法等を低起用すること。
【解決手段】 固定部６０上に形成された、第１空洞部３０を有する被エッチング層２２を加工するＭＥＭＳの製造方法は、被エッチング層２２の露出面のうち、被エッチング層２２が第１空洞部３０に臨む少なくとも側壁２２Ａに、マスク層２４を形成する第１工程と、マスク層２４の表面２４Ａ側の第１空洞部３０内に供給されたエッチャントを、マスク層２４の裏面２４Ｂ側に導いて被エッチング層２２を等方性エッチングして、第１空洞部３０に連通する第２空洞部３２をマスク層２４の裏面２４Ｂ側に形成して被エッチング層２２を加工する第２工程とを有する。被エッチング層２２はアンダーカット形状またはアーチ形状に加工される。 （もっと読む）

【課題】ダイシングやアセンブリ中の処理環境等から壊れやすいＭＥＭＳデバイスを保護することが可能な封止構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスを含むチャンバを覆う膜と、膜を支持し膜を基板に接続するアンカーからなる封止構造において、アンカーと膜を形成する構造材料を多結晶ＳｉＧｅで形成し、犠牲層を用いたウエハレベルパッケージプロセスにより製造する。また、チャンバ内をＳｉ酸化物で充填した構造とする。 （もっと読む）