【課題】密着膜を備え、配向の揃った圧電体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）Ｓｉ基板１１上方に、酸化シリコンの絶縁膜１２、Ｔｉ層１４、その上にＰｔ層１６を堆積し、（ｂ）Ｔｉ層１４、Ｐｔ層１６を堆積した基板１１をプラズマ気相堆積装置に搬入し、（ｃ）プラズマ気相堆積装置内において、基板１１を不活性ガス雰囲気中で、圧電体膜堆積温度まで加熱し、（ｄ）プラズマ気相堆積装置内において、加熱した基板１１上に、プラズマ気相堆積により、酸化物圧電体膜１８を堆積する。さらに圧電体膜１８上にＰｔ等の上部電極２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】犠牲層を形成したときの可動部の反りをできるだけ少なくし、電極間ギャップなどの精度の向上を図ること。
【解決手段】キャビティ２１が形成された第１の基板１１ａと、第１の基板におけるキャビティが形成された面側に接合され、キャビティに対応する位置に可動部ＫＢを画定するスリット１６が形成された第２の基板１１ｃと、を備え、第２の基板における第１の基板に対向する表面には、可動部に対応する位置に選択的に熱酸化膜２２が形成された、基板１１を準備する工程と、可動部における熱酸化膜が形成された表面とは逆側の表面に第１の電極層１２ａを形成する工程と、第１の電極層および第２の基板上に犠牲層３１を形成する工程と、犠牲層上に第２の電極層を形成する工程と、第２の電極層を形成した後に、犠牲層３１および熱酸化膜２２を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 短時間で確実にデポ膜を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 錘部と、錘部を開口部を挟んで囲むように配置された外枠支持部と、錘部と支持部とを連結する梁部とを備える半導体装置の製造方法であって、支持基板をエッチングして錘部と支持部とを形成する基板加工工程と、基板加工工程のエッチングで生じたデポ膜に接する錘部及び支持部各々の開口部側の側壁を変質させる変質工程と、変質工程後、側壁の変質箇所をデポ膜と共に錘部及び支持部各々から除去するデポ膜除去工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】分光可能な波長域が広く、かつ、分光された光の透過率および分解能が大きい波長可変干渉フィルター、測色センサー、および測色モジュールを提供する。
【解決手段】エタロンは、互いに対向する一対のミラー５６，５７と、これらのミラー間の間隔であるミラー間ギャップを可変する静電アクチュエーターと、を備える。そして、一対のミラー５６，５７は、それぞれ、複数の誘電体膜５５１と、これらの誘電体膜５５１の間に設けられ、互いに対向する誘電体膜５５１間の距離を所定の寸法に保持するとともに、互いに対向する誘電体膜５５１間に空気層５５３を形成するポスト部材５５２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マイクロエレクトロメカニカルシステムにおける可動機械部分の浮遊を伴う製造方法を提供するものである。
【解決手段】本方法は、多孔質ゾーンが半導体材料の第１ウェハの前面上で形成されていることに特徴づけられている。マイクロエレクトロメカニカルシステムの可動機械部を構成するのに適した材料のパターンは、犠牲層内で覆われ、多孔質ゾーンのレベルに位置する第１ウェハの前面上に形成される。さらに犠牲層用の溶液によるアタックに耐える材料である層が形成される。可動機械部の浮遊は、犠牲層用の溶液の助けで多孔質ゾーンを通って第１ウェハの裏面より行われる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉを材料として用いた場合でも犠牲層の表面をできるだけ平坦とすることができ、犠牲層の上に形成される可動梁のような第２の電極を適正に形成することのできる方法を提供すること。
【解決手段】基板１１の上方に、少なくとも一方の端部にテーパ側壁ＴＳ１を有した基部電極１４ａを形成する工程と、基部電極１４ａが形成されていない領域から延びてテーパ側壁ＴＳ１の上方に重なるようにかつ端部に当該テーパ側壁ＴＳ１と逆の方に傾斜するテーパ端面ＴＳ２を有する犠牲層ＢＧＰ０を形成する工程と、基部電極１４ａの上に、犠牲層ＢＧＰ０のテーパ端面ＴＳ２に当接するスペーサ１４ｂを形成する工程と、犠牲層ＢＧＰ０およびスペーサ１４ｂの上に可動電極１５を形成する工程と、可動電極１５を形成した後で犠牲層ＢＧＰ０を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】圧電素子のヒステリシス特性のばらつきの少ない圧電アクチュエーターの製造方法を提供する。
【解決手段】上電極８０とリード電極との密着性を高めるスパッタエッチングにおいて、上電極８０の表面を、Ａｒガス流量を６０ｓｃｃｍ以上で導入しながらスパッタエッチングすることにより、Ａｒガスの導入によるＡｒガスの流れによって、Ａｒイオンの上電極８０表面での滞留時間を短くできる。したがって、イオン化したＡｒガスが表面に滞留することによる上電極８０のチャージアップを抑えることができ、チャージアップによる圧電素子３００への影響を少なくでき、圧電素子３００の圧電体層７０のヒステリシス特性のばらつきおよび変位特性のばらつきの少ない圧電アクチュエーターの製造方法を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基準圧室としての空洞を基板の内部に設けることにより、低コスト化かつ小型化を実現可能な圧力センサを提供すること。
【解決手段】この圧力センサ１は、シリコン基板２を備えている。シリコン基板２の内部には、シリコン基板２の主面に平行な方向に平たい扁平空間４が形成されており、この扁平空間４とシリコン基板２の表面２１との間には貫通孔６が形成されている。貫通孔６にアルミニウム充填体８が充填されて埋め込まれることにより、扁平空間４は、基準圧室として密閉されている。そして、扁平空間４に対してシリコン基板２の表面２１側には、シリコン基板２におけるその表面２１と扁平空間４との間の部分（ダイヤフラム５）の歪み変形により電気抵抗が変化するピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い高分子材料からなる微細構造体を得る。
【解決手段】まず、ＰＬＬＡの薄膜層を形成する（薄膜形成工程）。その後、このＰＬＬＡ薄膜層に対してＦＩＢ加工を行う（加工工程）。薄膜形成工程においては、まず、ＰＬＬＡを溶剤中に溶解して希釈した塗布液を製造する（塗布液準備：Ｓ１）。次に、この塗布液を基板上に回転塗布する（回転塗布：Ｓ２）。
次に、ＦＩＢ装置を用いて、基板上のＰＬＬＡ薄膜に対して、集束されたイオンビームを照射する（ＦＩＢ加工：Ｓ３）。ここでは、ＰＬＬＡ薄膜層１２の厚さを１μｍ以下となるように設定し、イオンビームの電流を１ｎＡ以下となるように設定する。 （もっと読む）