【課題】従来の領域分割基板と較べて部分領域を引き出し導電領域として利用した場合の抵抗値が小さく、導電性、半導電性または絶縁性の任意の基板材料を用いることができ、適用制限の少ない領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅに分割され、トレンチ３１ａによって形成された部分領域Ｃｅの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、導電層３５を介して、トレンチ３１ａ内に絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ１０とする。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器の特性を長期間にわたって安定させる。
【解決手段】基板と、基板に対して揺動する反射鏡とを備えた空間光変調器であって、反射鏡は、反射面と、反射面に交差する面を含み反射面の裏面に配されて反射面に対する曲げ応力に対抗する構造材とを有する。上記空間光変調器において、構造材は、面に更に交差する底面を有してもよい。また、上記空間光変調器において、構造材は、反射面と共に包囲した空間と、当該空間の外部との間を連通させる貫通孔を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】最適駆動式圧電メンブレンの製造方法を提供する。
【解決手段】上部電極フィルムＥtoｐと下部電極フィルムＥｂｏｔの間に置かれた圧電材料フィルム３０と、該圧電フィルムを担持する弾性フィルム２０とを含む薄膜多層を基板１０の上に構成するメンブレンの製造方法であって、少なくとも１つの変曲点が画定されるような形でフィルムの平面に対し平行な軸に沿って前記メンブレンの少なくとも１つの凹面／凸面曲率を決定することで、凹状部分と凸状部分またはその逆に対応する第１の領域と第２の領域を画定するステップと、圧電材料フィルムと、下部電極フィルムと上部電極フィルムとを含む薄膜多層を基板表面上に被着させるステップと、フィルム面に対して垂直な電場を内部に印加する第１のメンブレン領域と、フィルムの平面に対して平行な電場を印加する第２の領域とを画定するように電極フィルムのうちの少なくとも一方を構造化するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】製品として求められる目標精度に比べて梁の膜厚ばらつきに起因する共振周波数のばらつきが大きくても、目標精度内の共振周波数を有するＭＥＭＳ振動子が高い歩留りで得られるＭＥＭＳ構造体を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、基板上に複数のＭＥＭＳ振動子３０ａ〜３０ｄを配置したＭＥＭＳ構造体であって、前記複数のＭＥＭＳ振動子それぞれは、梁構造を有しており、前記複数のＭＥＭＳ振動子は、それぞれの梁構造が異なることによって共振周波数が異なるＭＥＭＳ構造体である。 （もっと読む）

本発明は、無機エレクトレットベースの電気機械デバイスおよびその作成方法に関する。前記デバイスは、少なくとも1つのエレクトレット層2Eを含む誘電性積層、および誘電性積層の2つの反対面18、22上の2つの電極16、20を含む。エレクトレットは、無機エレクトレットであり、また、電気機械結合を形成する恒久的な電荷を含む。エレクトレット層の厚さは、数ナノメートルから数十マイクロメートルまで選択することができるが、略1μm未満または略1μmに等しいことが好ましい。本デバイスは、特に遠隔通信の分野に使用される。
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【課題】確実なスイッチオンオフ動作を保証するとともに、高周波応答性に優れ、信頼性の高いＭＥＭＳスイッチを提供する。
【解決手段】本発明による圧電ＭＥＭＳスイッチ(10)は、ベース基板(12)に対して空隙(24)を介して対向して配置される振動板(20)と、振動板(20)の第１面（20A）に第１下部電極(32)、第１圧電体(34)、第２上部電極(36)が積層形成されて成る第１圧電駆動部(30)と、振動板(20)の第２面(20B)に第２下部電極(42)、第２圧電体(44)、第２上部電極(46)が積層形成されて成る第２圧電駆動部(40)と、ベース基板(12)の空隙(24)側に設けられた固定電極(14)と、固定電極(14)に対向して振動板(20)に固設され、当該振動板(20)の変位に伴い固定電極(14)に接離する可動電極(18)と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ミラーを揺動させ、光ビームを偏向させる光偏向装置において、ミラー密着力とフィルファクターとを同時に高めることが可能なミラーを提供すること。
【解決手段】光偏向装置は、基板と可動部とコア部と表面部材を備えている。可動部は、基板に対して揺動可能に支持されている。コア部は、可動部の一部から反基板側に伸びている。表面部材は、コア部の頂面を覆う部分と、可動部から立設しているとともにコア部を一巡するループに沿って伸びている側面部分と、その側面部分の上端から外側に向けて可動部の上面と平行に伸びている展開部を備えている。その表面部材は、コア部を形成するコア部形成材料と異なるとともに光を反射する材料で形成されている。その表面部材の少なくとも一部が、可動部を垂直方向から見たときに、可動部の輪郭の外側に至っている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ、ＮＥＭＳなどの半導体素子を封入する方法、および空隙を形成する方法、および関連した素子を提供する。
【解決手段】半導体素子を製造する方法は、非平坦な立体形状を有し、実質的な地形変動を含む主面を備えた基板を用意することと、上面および下面を有する第１キャップ層を主面の上に形成することとを含む。第１キャップ層の形成の際、第１キャップ層に局所欠陥が導入され、局所欠陥は、実質的な地形変動に対応した場所に位置決めされており、局所欠陥は、所定の流体が通過できるのに適している。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクスデバイス本体と封止層との静電容量結合が少なく、かつ短絡によるデバイスの故障がないマイクロエレクトロニクスデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロエレクトロニクスデバイスに含まれる封止されたキャビティ１５を作製する方法であって、少なくともキャビティが形成される位置に犠牲層を形成する工程と、犠牲層の上に膜層１２を堆積させる工程と、膜層１２を少なくとも２つの分離された膜層ブロック１２１，１２２にパターニングする工程と、膜層１２に設けた孔１４を通して犠牲層を除去する工程と、膜層を酸化シリコン１６，アルミニウム層１７，ボンドパッド層１９で封止することによりキャビティ１５を封止する工程とを含み、膜層をパターニングする工程は、犠牲層の除去後に行われる。 （もっと読む）

【課題】
ＭＥＭＳ分野に適したＳＯＩ基板を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板と、前記Ｓｉ基板の一主面上に配置されたＳｉＯ_２層と、前記ＳｉＯ_２層上に配置され、前記Ｓｉ基板と前記ＳｉＯ_２層との密着強度に比べ、前記ＳｉＯ_２層との密着強度が小さいと共に、前記Ｓｉ基板に比べて厚みの小さいＳｉ層と、を含むＳＯＩ基板である。これにより、ＭＥＭＳ分野に適応したときに生産性を高めることができる。 （もっと読む）