【課題】周期構造に対応する周期的パターンを有するレジストを形成する必要がなく、周期的パターン及び周期構造を基板表面に直接形成できる、マイクロ流体チップの製造方法、マイクロ流体チップ、及び表面プラズモン共鳴光の発生装置の提供。
【解決手段】基板表面の凹部を設ける領域に、ピコ秒オーダー以下のパルス時間幅を有するレーザー光Ｌを照射して、該レーザー光Ｌの集光域Ｆに、自己組織的に形成される周期的パターン１４を有する改質部１１を形成する工程Ａと、エッチング処理を行い、該改質部１１の少なくとも一部を除去して前記凹部を設けると共に、周期的パターン１４に基づく表面プロファイルを有する、一方向に沿った複数の溝部を含む周期構造を、該凹部の底面に、形成する工程Ｂと、前記底面の周期構造を覆う金属層を形成する工程Ｃと、を含むことを特徴とするマイクロ流体チップの製造方法。 （もっと読む）

【課題】スイッチにおける損失を低減することができるＭＥＭＳスイッチの構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】接点金属薄膜２１は、第２の配線３と対向する部分のみに設けられている。これにより、高い周波数の信号がその接点金属薄膜２１を通過する距離が短くなるので、ＭＥＭＳスイッチにおける損失を低減させることができる。すなわち、いわゆる表皮効果により、高周波信号の周波数が高いほど信号が導体の表面を流れるようになり、その表面が抵抗率の高い材料で覆われている場合には覆われていない場合に比べてスイッチの損失が増大する。しかしながら、上述したように第２の配線３と対向する部分のみに接点金属薄膜２１を設けたので、高い周波数の信号がその接点金属薄膜２１を通過する距離が短くなるので、スイッチの損失が増大するのを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】比較的安価なマイクロ流体デバイスおよびマイクロアレイを加工する方法として、非極性固体相変化インク、これらのインクを製造する方法、バイオメディカル用途でこれらのインクを使用する方法を提供する。
【解決手段】マイクロ流体デバイスは、第１の基板５と、この第１の基板表面に堆積した相変化インクのパターン４とを含む。この相変化インクは、非極性ポリマー材料と、場合により、着色剤とを含み、相変化インクは、室温で固体であるが、約６０〜約１５０℃の吐出温度では液体であり、前記堆積した相変化インクに対する水接触角が、約９０°〜約１７５°である。 （もっと読む）

【課題】支持構造を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの実施形態は、導電性の移動可能層を含み、該移動可能層は、ギャップによって導電性の固定層から隔てられ、導電性の移動可能層内のくぼみの上にある剛性の支持構造もしくはリベットによって、または導電性の移動可能層内のくぼみの下にある柱によって支持される。特定の実施形態では、リベット構造の部分は、移動可能層を通って下の層に接触する。他の実施形態では、剛性の支持構造の形成に使用される材料を、ＭＥＭＳデバイスと電気的に接続する不動態化を経ないと曝されるであろうリードを不動態化して、これらのリードを損傷またはその他の干渉から保護するためにも用いることができる。 （もっと読む）

【課題】可動部を正確に揺動させることが可能な光偏向装置および光偏向装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】光偏向装置は、基板と、可動部と、可動部を基板から離反した位置で揺動軸の周りに揺動可能に支持している可撓梁と、可動部の下面に対向する位置において基板に設けられている固定電極と、可動部に設けられている可動電極と、を備えている。可動部の下面には、基板側へ突出している突起部が形成されている。突起部は、可動部の揺動軸を含み可動部に垂直な面の面内に頂点を有している。可動部を揺動させている期間において、突起部が基板に接触している。 （もっと読む）

【課題】マイクロ光学素子のキャビティを形成する方法を提供する。
【解決手段】ａ）支持基板（１０）の平面上に犠牲材料層（１２）を形成する段階と、ｂ）キャビティ（４）の底部が前記犠牲材料層によって形成された、前記キャビティの壁（６）を形成する段階と、ｃ）吸収層（３０）を、前記壁の頂上（６０）、前記壁の側面（６１，６２）及び前記キャビティの前記底部（４’）に等角的に堆積する段階と、ｄ）前記犠牲層（１２）をエッチングし、この層の前記材料及び前記キャビティ（４）の前記底部に存在する前記吸収材料の層（３０）の前記材料を除去する段階と、を含むマイクロ光学素子のキャビティ（４）を形成する方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳコンポーネントを収納する密封空洞を備えたＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイス１は、ＭＥＭＳコンポーネント６を収納した密封空洞５を備え、空洞５は、ある厚さｔ_ｄを有する絶縁体層スタック３の中に形成され、これにより空洞５および絶縁体層６のスタック３は、基板２と、厚さｔ_Ｓを有する封止絶縁体層４との間に挟まれており、ＭＥＭＳコンポーネント６は、絶縁体層スタック３の厚さｔ_ｄおよび封止絶縁体の厚さｔ_Ｓに渡って延びた少なくとも１つの溝８によって取り囲まれている。 （もっと読む）

【解決手段】(i)基板上への犠牲膜パターン形成段階、(ii)犠牲膜パターン上への無機材料膜形成段階、(iii)犠牲膜パターンの形状を持つ空間を形成する段階を含むマイクロ構造体の製造方法において、(i)段階は、(A)クレゾールノボラック系樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物のいずれかと、架橋剤を含む光パターン形成性犠牲膜形成用組成物で犠牲膜を成膜する工程、(B)該犠牲膜に第1の高エネルギー線照射を行う工程(C)現像でポジ型犠牲膜パターン形成工程(D)該犠牲膜パターンに第2の高エネルギー線照射を行う操作及び加熱操作を含み、クレゾールノボラック樹脂間に架橋を形成する工程、を含む。
【効果】高精度な平面形状及び適切な側壁形状を有し、熱耐性に優れる犠牲膜パターンが得られる。 （もっと読む）

【課題】可動部と支持基板の間に空隙を有するマイクロデバイスの製造ないし修復において、歩留り、２次元アレイ化した素子の特性バラツキ等を改善することが出来る技術を提供する。
【解決手段】可動部１０３と支持基板１０１の間に空隙を有するマイクロデバイスの製造方法及び修復方法おいて、スティッキング解消工程を実行する。スティッキング解消工程では、可動部１０２が支持基板１０１に張り付いてしまったマイクロデバイスを修復する為に、マイクロデバイスに熱及び衝撃の少なくとも一方を与えて可動部１０２の支持基板１０１への張り付き力を低下させる。 （もっと読む）

【課題】エッチングパターンの形状または大きさによらずに、正確に制御された深さの凹部を形成することができる半導体基板のエッチング方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。これにより、半導体基板３の表面部に、深さがほぼ等しく揃った凹部８９が多数形成される。次いで、多数の凹部８９を区画する半導体基板３の側壁９０を、半導体基板３の表面に平行な横方向にエッチングして除去する。 （もっと読む）