【課題】ＭＥＭＳ構造体が内在する空洞部を覆う被覆部の外にエッチング液が流出し難い構造の電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の空洞部３３内に位置し電気駆動される振動素子５と、空洞部３３の周囲を取り巻く絶縁層２９と空洞部３３とを画成する電気伝導性の包囲壁２５と、振動素子５と接続し包囲壁２５を貫通する第１配線８及び第２配線９と、を有し、第１配線８及び第２配線９が包囲壁２５を貫通する場所には絶縁層２９を溶解するエッチング液が空洞部３３から絶縁層２９に流動することを防止し包囲壁２５と第１配線８及び第２配線９とを絶縁する第１耐食絶縁膜１９及び第２耐食絶縁膜２０を備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、迷光が被投影面に照射されるのを防止することのできる光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー１は、光反射性を有する光反射部を備える可動板と、支持部と、可動板を支持部に対して回動可能に連結する１対の連結部とを有し、各連結部は、１対の梁部材で構成され、１対の梁部材間の距離は、可動板の回動中心軸（軸線ａ）に平行な方向からみたときに、可動板の一方の面側から他方の面側に向けて幅が漸増しており、１対の梁部材の前記一方の面側の端同士の間の距離をＷ_１とし、１対の梁部材の可動板の厚さ方向での厚さをｔとしたとき、下記式（１）を満たす。
【数１】
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【課題】デバイス上の少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントの複数の面の間のギャップをチューニングする方法を提供する。
【解決手段】デバイスの上部層における少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントの輪郭をエッチングし、該輪郭が、少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントの複数の面のうちの少なくとも２つの向き合った面を規定しており、エピタキシャルリアクタにおいて複数の面のうちの少なくとも２つの向き合った面にギャップ狭め層を堆積させ、複数の面のうちの少なくとも２つの向き合った面の間のギャップが、ギャップ狭め層によって狭められるようになっている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイス作製において犠牲層を処理するためのシステムおよび方法を提供すること。
【解決手段】一実施形態では、方法は、基板上にエアロゲル犠牲層を形成するようにエアロゲル材料のパターン層を塗布するステップと、エアロゲル犠牲層の上に、エアロゲル材料のパターン層に設けられた１つまたは複数の間隙を通って基板に結合される、少なくとも１つの非犠牲シリコン層を塗布するステップと、エアロゲル犠牲層を除去液に露出することによって、エアロゲル犠牲層を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスを構成する絶縁構造体において応力による強度低下を回避する技術を提供する。
【解決手段】母材１００（ａ）に設けた絶縁部形成領域に平行配列する複数の溝を形成する（ｂ）。この溝は、絶縁部形成領域の上端側では溝２００が溝２０１よりも上端側に突出し、下端側では溝２０１が溝２００よりも下端側に突出する。溝を形成した絶縁部形成領域を熱酸化処理する。熱酸化処理で母材表面に成長した酸化膜により溝が完全に埋められた場合（ｃ）、酸化領域３００は、接続する導電性領域１０１，１０２に対して十分な幅を持つ板状の支持構造になり、構造体にかかる応力に対して高い強度をもつ。熱酸化処理で溝が完全に埋められなかった場合（ｄ）、酸化領域３０１の両側に接続する導電性領域１０１，１０２は、つづら折れ形状の梁からなるばねにより支持される状態となる。ばね形状の構造による緩衝作用により構造体にかかる応力を緩和する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成されたＭＥＭＳ構造体２０と、ＭＥＭＳ構造体２０が配置された空洞部１を画成する被覆構造体３０と、を含み、被覆構造体３０は、空洞部１を上方から覆い、空洞部１に連通する貫通孔３７を有する第１被覆層３６と、第１被覆層３６の上方に形成され、貫通孔３７を閉鎖する第２被覆層３８と、を有し、第１被覆層３６は、少なくともＭＥＭＳ構造体２０の上方に位置する第１領域１３６と、第１領域１３６の周囲に位置する第２領域２３６と、を有し、第１領域１３６の第１被覆層３６は、第２領域２３６の第１被覆層３６より薄く、第１領域１３６の第１被覆層３６と基板１０との間の距離Ｌ１は、第２領域２３６の第１被覆層３６と基板１０との間の距離Ｌ２より長い。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスを形成する方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイス（１０）を形成する方法は、基板（１２）上に犠牲層（３４）を形成するステップを含む。方法は、犠牲層（３４）上に金属層（４２）を形成するステップ、および金属層（４２）を覆う保護層（４４）を形成するステップをさらに含む。方法は、保護層（４４）および金属層（４２）をエッチングして、金属層の残り部分上に形成された保護層の残り部分を有する構造（５６）を形成するステップをさらに含む。方法は、犠牲層（３４）をエッチングしてＭＥＭＳデバイスの可動部分を形成するステップをさらに含み、犠牲層をエッチングしてＭＥＭＳデバイス（１０）の可動部分を形成するステップの間、保護層の残り部分が金属層の残り部分を保護する。 （もっと読む）

【課題】歩留りの向上が可能で、内部の平坦性の良好なキャビティを得ることが可能な電気機械変換装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置の製造において、支持基板２０１上に、熱酸化による絶縁層２０５を介して表面が平坦化処理された活性層２１０を備えたSOI基板２０９を用意し、活性層をキャビティ形状にパターニングする。パターニングされた活性層上に絶縁膜２０６、２０７を形成し、絶縁膜を貫通して活性層に連通するエッチング孔２０３を形成する。エッチング孔を利用して活性層をエッチング除去してキャビティ２０２を形成する。 （もっと読む）

【課題】静電容量型トランスデューサーの製造コストを抑制しつつ感度を高める。
【解決手段】基板層（１０１）と、基板層に積層された絶縁層（１０２）と、絶縁層に積層されたシリコン層（１０３）とを含むダイを備え、支持部１１ａと、支持部に少なくとも一辺が結合し基板層の主面と垂直である厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極１１ｂと、基板層の主面と平行な方向において可撓電極と対向し基板層の主面と垂直な側面を有する固定電極１０ａ、１０ｂとがシリコン層によって形成され、支持部と固定電極とが絶縁層によって前記基板層に結合され、可撓電極と基板層との間には絶縁層に対応する空隙（Ｇ）が形成されている、ナノシートトランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】可動電極構造体に安定した状態で接点電極が形成できるようにする。
【解決手段】第２電極１０３の上部の後述する接点部が形成される接点部形成領域において、第２開口部１０５ａを有する密着膜１０５を犠牲膜１０４の上に形成し、次に、第２開口部１０５ａを覆って密着膜１０５の上に接点電極膜１０６を形成する。密着膜１０５は、例えば、チタン、クロム、ジルコニウム、タンタルなどの遷移金属、およびこれらの酸化物から構成することができる。接点電極膜１０６は、例えば、ルテニウム，ロジウム，パラジウム，オスミウム，イリジウム，および白金などの白金属の金属および金などから構成することができる。 （もっと読む）