【課題】信頼性の高い電気部品を提供する。
【解決手段】電気部品は、基板１００と、前記基板上に形成された機能素子１２０と、前記基板上において前記機能素子を収納するキャビティ１３０を形成し、複数の貫通孔１０９ｃを有する第１層１０９と、前記第１層上に形成され、複数の前記貫通孔を塞ぐ第２層１１０と、を具備し、前記第１層は、下部側に形成された第１膜１０９ａと、前記第１膜上に形成され、前記第１膜より熱膨張係数が小さい第２膜１０９ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡便・安価な装置と機材により、めっきの雌型やマイクロ流路・容器に使用できる均一膜厚で急峻な断面側壁を有する感光性物質のパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】基材上に感光性物質を厚く均一膜厚で付し、その上に遮光液を用いてディスペンサまたはインクジェットプリンタまたはスクリーン印刷によって基になる遮光パターンを作り、該遮光パターンをマスキング材として前記感光性物質を露光する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングを用いてシリコン基板における凹部の底部に垂直な開口を設けることができるシリコン基板の加工方法を提供する。
【解決手段】第１の開口４の底部に、パターン開口１０を有するパターニングマスク１４’を用いて、プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより第２の開口５を形成するシリコン基板の加工方法であって、前記プラズマに対する前記第１の開口内の露出を妨げる遮蔽構造１１’を前記シリコン基板内又は上に形成した状態で前記反応性イオンエッチングを行うシリコン基板の加工方法である。これにより、第２の開口の傾きの原因である、プラズマモールディング効果と呼ばれるシースの歪みを緩和することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳトランスデューサの製造工程において、アニール処理によって生じる絶縁層の内部応力による基板の反りや破損を、新たに工程を増やすことなく防止する。
【解決手段】第一絶縁層と第一導電層と第二絶縁層と第二導電層とが形成された後に、第一導電層に到達するコンタクトホールを形成するとともに溝部Ｈ３を形成するために、第一絶縁層と第二絶縁層とをエッチングした後、第一導電層または第二導電層の応力を緩和するためのアニール処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 金属基板に形成した圧電膜の特性を向上させることが可能で、かつ、ミラーの反射性能を低下させない光走査素子及びその製造方法を提供すること。
【解決方法】 金属基板に形成された、ミラー２と、ミラー２を保持するヒンジ部１と、ヒンジ部１を保持する金属フレーム３と、ヒンジ部１に捩れ振動を生じさせる振動部とを有し、振動部はヒンジ部１から離れた金属フレーム３上に形成された圧電膜１０と上部電極４とからなり、圧電膜１０が金属基板に形成された窪み５の中に形成されている。圧電膜を形成した後、熱処理を施し、その後、圧電膜が形成された側の面に鏡面研磨が施されている。 （もっと読む）

【課題】 電極を保護しながら、可動部の形状精度を向上することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 本願の半導体装置の製造方法は、まず、第３層１６の一部を除去して可動部１６ｂを形成し、次いで、可動部１６ｂを形成するために除去された部位の下方に位置する第２層と、形成された可動部１６ｂの下方に位置する第２層１４を除去する。次いで、可動部１６ｂを形成する際に除去された部位に充填材２４を埋め込む。次いで、充填材２４を埋め込んだ状態で、半導体装置の表面に電極１８を形成する。電極１８を形成した後、埋め込んだ充填材２４を除去する。 （もっと読む）

【課題】拡散のプロセスやウェットエッチング液の性質、状態によらずに振動子を作製するための製造方法を提供する。
【解決手段】基板表面に高濃度不純物層を形成する工程と、高濃度不純物層上にマスクを形成する工程と、マスクを振動子の形状にパターニングする工程と、ドライエッチングによりパターニングした振動子の下方を残して少なくとも基板に達するまで高濃度不純物層を除去する工程と、ウエットエッチングにより高濃度不純物層の下方を除去して梁状の振動子を形成する工程と、高濃度不純物層上に形成したマスクを除去する工程と、
を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微小機械デバイスの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の微小機械デバイスの製造方法は、基板を提供し、該基板に第一材料層を形成する第一ステップと、前記第一材料層に犠牲層を形成する第二ステップと、前記犠牲層に第二材料層を形成する第三ステップと、犠牲層の一部をドライエッチング方法でエッチングする第四ステップと、残した前記犠牲層をウェットエッチング方法でエッチングし、前記第一材料層と前記第二材料層との間に隙間を形成するとともに、前記第二材料層の前記第一材料層に相対する表面に凸部を形成する第五ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】突起を形成するための追加の工程を必要としない容量型ＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】可動部を構成するダイアフラム膜１３上に、犠牲層１４と固定電極１５を積層形成する。固定電極には貫通孔１７を形成し、この貫通孔から等方性のエッチングを行う。その結果、貫通孔から最も遠い位置のダイアフラム膜上に、犠牲層の一部を残すことができる。この犠牲層の一部を突起２１として利用し、可動部と固定電極とが貼り付くことを防止する。 （もっと読む）

【課題】スイッチにおける損失を低減することができるＭＥＭＳスイッチの構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】接点金属薄膜２１は、第２の配線３と対向する部分のみに設けられている。これにより、高い周波数の信号がその接点金属薄膜２１を通過する距離が短くなるので、ＭＥＭＳスイッチにおける損失を低減させることができる。すなわち、いわゆる表皮効果により、高周波信号の周波数が高いほど信号が導体の表面を流れるようになり、その表面が抵抗率の高い材料で覆われている場合には覆われていない場合に比べてスイッチの損失が増大する。しかしながら、上述したように第２の配線３と対向する部分のみに接点金属薄膜２１を設けたので、高い周波数の信号がその接点金属薄膜２１を通過する距離が短くなるので、スイッチの損失が増大するのを防ぐことができる。 （もっと読む）