本発明はチャック・システム４０及び第１、第２の対向する面２６ｂ及び２６ａを有する基板２６の形状を変える方法を対象とする。これは第１の対向する表面の種々の領域間に圧力差を生成して、基板が受ける外力から生じる第２の対向する表面の構造的変形を抑えることによって達成される。その目的のために、チャック・システムは第１、第２の対向する側部を有するチャック・ボディを含む。側面がその間に延在している。第１の側部は第１、第２の離間した支持領域５８及び６０を含む。第１の支持領域は第２の支持領域ならびに第１、第２の凹部５２、５４を取り囲んでいる。第２の支持領域は第２の凹部を取り囲み、第２の凹部と重なり合ったボディの一部は所定の波長を有する放射線に対して透過性を有する。第２の側部及び側面が外面を定める。
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二重クランプビームが、近くにゲートを有するビーム内に、ゲートとビームのダイポールに対しサブミクロンの距離以内に非対称のピエゾ抵抗層を有している。懸架ビームが、プラズマチャンバー中にそれぞれ1:9の流量比で供給されるCl₂/Heで行うプラズマエッチング法を利用して製造される。パラメトリック増幅器が、共振で駆動されるNEMS信号ビーム及び2倍の共振で駆動される一対のポンプビームを備え、ポンプビームに変調されたローレンツ力を生成して前記信号ビームのばね定数を摂動させる。ブリッジ回路が、第一と第二のアーム内の第一と第二のNEMSビームに励起信号の二つの位相の合っていない成分を提供する。DC電流が、共振周波数のチューニングを行なうためAC駆動NEMS装置に供給される。分析器が、異なる共振周波数と複数の駆動/検出エレメントを有する複数のピエゾ抵抗NEMSカンチレバー、又は光学的回折格子を形成する相互に作用する複数のビーム、又は各々異なる被検体に応答する複数の歪検出NEMSカンチレバー、又は異なるIR吸収体を有する複数のピエゾ抵抗NEMSカンチレバーを備えている。
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本発明は、少なくとも第１と第２のガスを含むプラズマを基板（202）に導くことを含む技術に関する。基板（202）は、少なくとも第１の層（206）と第２の層（204）によって少なくとも部分的に覆われている。第１のガスのイオンは、基板（202）に向かって静電的に引きつけられる。第２のガスは、第１の層（206）を第２の層（204）に対して選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】製造コストおよび複雑度の増大を避けながら、スパッタリングされた応力加工バネ構造の先端高が比較的高いバネ構造を製造する、高信頼性かつ反復可能なバネ構造の製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明に係るバネ構造の製造方法は、基板１０１に搭載されたバネフィンガ１２０を含むバネ構造１００の製造方法であって、前記基板１０１に接続されたアンカー部１２２および前記アンカー部１２２から伸びるカンチレバー部１２５を含む前記バネフィンガ１２０を形成するステップにおいて、前記バネフィンガ１２０が、金属および少なくとも１種の他の成分を含む固溶体から成る金属層を含むようにするステップと、前記金属層が前記固溶体から金属間化合物に転換するように前記バネフィンガ１２０を選択された温度でアニーリングするステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 犠牲層エッチングの際に所望の部位のみを残して他を除去することにより支持基板の上に幅狭なる固定部を作ることができる半導体力学量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン層４における空洞となる部位にシリコン酸化膜４７を埋め込んだ積層基板１を用意し、基板１におけるシリコン層４の上面からトレンチエッチングを行い、縦方向に延びシリコン酸化膜４７に達する溝４９を形成する。溝４９の底面からシリコン酸化膜４７のみを選択的にエッチングして横方向に延びる空洞を形成して可動部を区画形成する。 （もっと読む）

【課題】 粒子衝突による損傷から保護し、かつ低応力な保護膜を形成した保護膜付きマイクロシステム構造体を提供する。
【解決手段】 粉塵の大きさをｄ［ｍ］、粉塵の密度をρ［ｋｇ／ｍ³］、粉塵の衝突速度をｖ［ｍ／ｓ］としたときに、保護膜（６）の少なくとも一部を構成する第１膜（７）は、ナノインデンテーション法にて、Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ ｔｉｐ、荷重０．５ｇｆの条件で測定したときの硬さをＨａ［ｋｇｆ／ｍ²］としたときに、保護膜（６）の膜厚：ｔ［ｍ］、保護膜（６）を構成する材料の降伏歪εＢ［−］に対して、
【数１】


を満たす硬さの物性値となるようにする。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングに対する保護膜の形成不良の発生を防止可能とした半導体装置の製造方法及びＭＥＭＳ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ炉によって全面にウエットエッチングに対する保護膜を形成した半導体基板の表面に半導体素子を形成した半導体装置の製造方法において、保護膜は、半導体基板の裏面を上方に向けてＣＶＤ炉に収容して形成する。また、保護膜は所定厚みより厚く形成し、その後、半導体基板の少なくとも裏面を研磨して保護膜を所定厚みとする。 （もっと読む）

【課題】ＶＣ方式のＭＥＭＳ素子において、簡単なプロセスで信頼性が高く面内への貼り付けの少ないＭＥＭＳ素子を実現すること。
【解決手段】支持基板１１と絶縁層１２、上部層１３の基本構造のＭＥＭＳ素子とする。上部層１３にはミラー部２１、ヒンジ部２２，２３、一対のアンカー部２４，２５と櫛歯部２６，２７，２８，２９を形成する。アンカー部２４，２５、櫛歯部２６，２７と対向する櫛歯部２８，２９は絶縁層１２を介して支持基板１１に形成する。ミラー部に接続されるスティクションパッド３０，３１は絶縁層１２を介することなく直接支持基板１１に接着する。こうすればスティクションパッド３０，３１の変位をミラー部２１の変位に変換することができる。 （もっと読む）

【課題】２層構造の微細構造を２種のポジ型レジストで生成する場合に、少なくとも下層における熱架橋処理が不要な微細構造の形成方法、およびこの微細構造の形成方法を利用した液体吐出ヘッドとその製造方法を提供する。
【解決手段】ヒータを形成した基板上に下層としての第１のポジ型レジスト層（ＰＭＩＰＫ）を形成し、その上に上層としての第２のポジ型レジスト層（ＰＭＭＡ系共重合体）を形成し、第２のポジ型レジスト層が分解反応する波長域の電離放射線にて上層のポジ型レジスト層１３を露光、現像して所定のパターンを形成し、更に、第１のポジ型レジスト層が分解反応する波長域の電離放射線にて下層のポジ型レジスト層１２を露光、現像して所定のパターンとして微細構造を得る。この方法を用いた液体吐出ヘッドの製造方法と、その方法で製造された液体吐出ヘッド。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスを用いて密閉構造を容易に形成できるようにした微小構造体、微小電気機械素子を提供する。
【解決手段】 基板４２上に微小電気機械素子本体４６を囲うように外囲壁部４８が形成され、外囲壁部４８の上面に膜特性により下げられた上部膜４９が密着され、微小電気機械素子本体４６が密閉されて成る。 （もっと読む）