【課題】反対の極性の可動櫛駆動型電極が同じ基板上に同時に製作されており、これらが独立に作動するマイクロエレクトロメカニカル系可変（ＭＥＭＳ）コンデンサを提供すること。
【解決手段】静電容量を最大化するために、これらの電極はインターディジタル構造として形成されている。導電要素から誘電材料を分離させる可能性がある応力の結果としてバラクタが故障しないことを保証するために、このＭＥＭＳ可変コンデンサは、応力が最も大きい領域で選択的に使用されるエラストマー材料と組み合わせたＣＭＯＳ製造ステップを含む。このＣＭＯＳプロセスとビア間の導電性エラストマー材料の組合せによって全体的な側壁領域が増大し、これによって静電容量密度が増大する。 （もっと読む）

【課題】 サイドエッチングによる損傷部分の発生を抑制することによって、微細な三次元構造体を容易に作成する。
【解決手段】 第１の基板１１の第１の主表面から第１の基板１１を選択的に除去して、深さが異なる複数の溝部を形成するパターニング工程と、第１の主表面を第２の基板１２の主表面に接合する基板接合工程と、第１の主表面に対向する第２の主表面１１ｂから第１の基板１１を一様に除去して、溝部間の凸部１４のみを残す裏面エッチング工程とを有し、裏面エッチング工程の前に、溝部の深さが他の溝部よりも深い箇所に対向した第２の主表面１１ｂにマスク２２ａ，２２ｂ，２２ｃを形成するマスク形成工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 非感光性樹脂等からなる厚膜であっても、高精度のパターニングが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板３上に第一のパターン１を形成し、その第一のパターン１の開口部４に被パターン材料からなる層２を形成し、その後、第一のパターン１を除去して被パターン材料からなる第二のパターンを形成する。この方法において、第一のパターン１が金属又は感光性樹脂からなるパターンであることが好ましく、被パターン材料が有機材料又は無機材料であることが好ましい。 （もっと読む）

基板から微細構造物を形成する方法が提供される。その方法は、（１００）配向を有する単結晶基板を設ける段階、及びイオン注入を所望貫通深さまで行うように基板の第１部分をイオン衝撃に曝す段階を含む。基板の第２部分が、所望貫通深さと少なくとも同じ大きさの深さまで腐食される。次いで、基板が熱処理されて、基板の表面に微細構造物を形成し且つ微細構造物と基板との間の少なくとも部分的分離を行う。
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【課題】可視域の波長より微細な周期で、断面が波型をなすレジストパターンを用いても、下層の被エッチング膜に同じ周期をも持たせ、しかも、アスペクト比が高くてエッチング形状が矩形を成す微細構造を有する光学素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】可視域の波長より微細な周期で、断面が波型を成すレジストパターンの下層に金属膜或は金属化合膜を少なくとも１層形成した構成において、金属膜或は金属化合膜をスパッッタリングし、波型を成すレジストパターンの側壁面に該金属膜或は金属化合膜を形成し、これをマスクとして下層の被エッチング膜をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 いくつかの基板除去技法を組み合わせて、各基板除去工程の特徴を利用できるようにする。
【解決手段】 基板３００の厚みの大部分の中を通ってブラインド形状４１２を形成するステップであって、ブラインド形状４１２は少なくとも１つの側壁表面４１６および底面４１８によって画定されるものである、ブラインド形状を形成するステップと、ブラインド形状４１２にウエットエッチレジスト材料を被着するステップと、底面４１８の少なくとも一部から前記ウエットエッチレジスト材料を除去するステップと、基板３００の前記厚みを通して貫通形状３０５を形成するほど十分に、少なくとも底面４１８を通して基板３００をウエットエッチングするステップとを含んでなる方法を提供する。 （もっと読む）

マイクロデバイスは、デバイスマイクロ構造体（２２）と、基板（２４）と、そしてシリコンキャップ（３０，１３０）とを備える。デバイスマイクロ構造体（２２）は基板（２４）に取り付けられる。シリコンキャップ（３０，１３０）は、ベース部分（３２，１３２）及びキャップ（３０，１３０）内に中空部（３６，１３６）を画定する側壁（３４，１３４）を有する。シリコンキャップ（３０，１３０）は、キャップ（３０，１３０）内の中空部（３６，１３６）がデバイスマイクロ構造体（２２）を収容し、かつ、デバイスマイクロ構造体（２２）に隣接して気密封止キャビティ（３８）を形成するように基板（２４）に取り付けられる。シリコンキャップ（３０，１３０）はさらに、その中空部（３６，１３６）に沿って埋め込まれ、キャビティ（３８）内の真空を維持する単結晶シリコンゲッター層（４０，１４０）を有する。単結晶シリコンゲッター層（４０，１４０）を含むマイクロデバイスの形成方法も提供する。
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【課題】 簡便な工程で、より確実にウェハの微細構造体形成領域を保護しつつ、選択的エッチング処理が可能な方法の提供。
【解決手段】 半導体基板１０の一方面を選択的にエッチングする半導体基板１０のエッチング方法であって、耐エッチング性を有するエッチング保護膜１８を、半導体基板１０のエッチング処理面２２と反対側面２０にエッチング保護膜１８と当該半導体基板１０の外周域が接合領域となるように張り合わせる工程と、半導体基板１０のエッチング処理面２２をエッチングする工程と、エッチング保護膜１８と半導体基板１０との接合領域の内周域をレーザで切断し、エッチング保護膜１８を除去する工程と、を含む、半導体基板１０のエッチング方法により、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハを材料とし、半導体加工技術を用いて作製した、小型の圧力調整用のマイクロバルブおよびそれを搭載した燃料電池を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハを用いて製造された圧力調整用のマイクロバルブであって、気体の導入口０３１と導出口０３２を結ぶ流路０３３と、流路０３３中に設けられた弁体０２５と、弁体０２５とバルブ軸０２３を介して連結して設けられたダイアフラム０２４を有し、前記ダイアフラム２４は流路０３３の内部０３４と外部０３５とを隔てて配置され、流路０３３の内部０３４の圧力と外部０３５の圧力の差圧によって変形することにより弁体０２５が変位して開閉するマイクロバルブおよびそれを搭載した燃料電池。 （もっと読む）

【課題】相異する極性が印可されるウエーハ基板と可動部同士が不可避に接触する際に電気的なショート事故を予防し、収率を高められ、製造原価が低いＭＥＭＳ構造体を提供する。
【解決手段】下部シリコン層間に酸化膜が介在されたウェーハ基板、上記ウェーハ基板に一体に連結される固定部及び上記固定部に対して遊動可能に浮遊する可動部から成るＭＥＭＳ構造体において、上記上部シリコン層（１１１）に１次ドライエッチングで形成され２次ドライエッチングにより底面の酸化膜が除去されたエッチングホールから供給されるエッチングガスにより、上記可動部（１００ｂ）を浮遊させるよう一定の深さで上記下部シリコン層（１１３）にドライエッチングされる浮遊空間（Ｒ）と、上記浮遊空間（Ｒ）を挟んで上記下部シリコン層（１１３）と対応するよう上記可動部（１００ｂ）の下部面に残留するショート防止用酸化膜（１１２ａ）とを含んで成る。 （もっと読む）