【課題】 本明細書中には多くの発明が記載してあり且つ例示してある。一つの特徴では、本発明は薄膜又はウェーハで封入したＭＥＭＳ、及び薄膜又はウェーハで封入したＭＥＭＳを本発明のアンチ・スティクション技術を使用して製造する技術に関する。
【解決手段】 一実施例では、ＭＥＭＳの封入後、アンチ・スティクション・チャンネルを形成することにより、ＭＥＭＳの機械構造の作用部材即ち電極の幾つか又は全てを含むチャンバへの「アクセス」を提供する。その後、アンチ・スティクション・チャンネルを介してアンチ・スティクション流体（例えばガス又はガス蒸気）をチャンバに導入する。アンチ・スティクション流体は、機械構造の作用部材即ち電極の一つ、幾つか、又は全てに付着し、これによってアンチ・スティクション層（例えば、単層コーティング又は自己組み立て単層）及び／又はアウトガッシング分子をこのような部材又は電極上に形成する。アンチ・スティクション流体の導入及び／又は適用後、アンチ・スティクション・チャンネルをシール、キャップ、プラグ、及び／又は閉鎖し、チャンバ内の機械的減衰環境を画成し制御する。これに関し、チャンバをシール、キャップ、及び／又は閉鎖することにより、機械構造を収容したチャンバ内にこの環境を画成する。この環境は、機械構造の所定の、所望の、及び／又は選択された機械的減衰並びに適当な気密性を提供する。機械構造が作動する最終的に封入された流体（例えばガス又はガス蒸気）のパラメータ（例えば圧力）は、所望の及び／又は所定の作動環境を提供するように選択され及び／又は設計されていてもよい。 （もっと読む）

基板上に基層及び機械層を設けることと、基層と機械層との間に犠牲層を設けることと、犠牲層と基板との間にエッチストップ層を設けることと、ドライ化学エッチングを用いて犠牲層を除去することとを含み、ドライ化学エッチングはフッ素含有プラズマを用いて行われ、エッチストップ層は、ＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３及びＴｉＯ_２のような実質的に非導電性のフッ素の化学作用を起こさない材料を有するマイクロマシン技術（ＭＥＭＳ）デバイスの製造方法である。
（もっと読む）

ＲＦ−ＭＥＭＳデバイスは、操作又は刺激に応じて動くように構成された１つ又はそれ以上の自立性薄膜を有し、上記１つ又はそれ以上の薄膜はアルミニウムとマグネシウムとの合金及び自由選択の１つ又はそれ以上の他の物質を有する。得られる薄膜は、従来の薄膜と比較して改善された硬度及び低減されたクリープを有する。
（もっと読む）

深い溝の付いた基板を対象としたフォトレジストのスプレーコーティング方法である。本発明の１つの実施形によれば、基板表面は４０〜５０度の水接触角を有した下塗り剤で下塗りされる。スプレーノズルは、基板を直径方向に横切る形で、速度を変化させながら移動することで、全体が実質的に同じ厚みのコーティングを実現する。フォトレジストを基板表面にスプレーコーティングする際の角度は、深くエッチングされた窪みや穴の被覆を実現できるような角度とする。フォトレジストを特定の希釈率で溶剤に溶かすことにより、引っ込みを避けつつ、深くエッチングされた窪みや穴の中にもフォトレジストを均一に吹き付けられる、という粘性範囲を実現する。
（もっと読む）

【課題】懸架要素と支持部の間のピラーの取り付け強度を増加したマイクロメカニカル装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】キャビティが基板の中にエッチングされ、懸架要素（１）に対面する基板表面に開口する。キャビティは、前記表面でのキャビティ断面よりも大きい断面を有する少なくとも１つの広い領域を有する。キャビティに対して相補的形状を有するピラー（２）の基部（４）は、キャビティの中に埋め込まれる。ピラー（２）の基部（４）は、基板のキャビティと一緒にダブテール・アセンブリを形成することができる。このアセンブリは、基板の表面に犠牲層を堆積し、犠牲層を通過して基板の表面に達する孔を犠牲層の中にエッチングすることによって得られる。次に、孔の延長として基板のキャビティを形成するように基板がエッチングされる。次に、ピラー（２）を形成するように設計された材料が、キャビティの中および孔の壁の上に堆積される。
（もっと読む）

マイクロ構造（２６）を収容する気密封止キャビティ（２２）を有するマイクロデバイス（２０）である。マイクロデバイス（２０）は基板（３０）と、キャップ（４０）と、絶縁層（７０）と、少なくとも一つの導電アイランド（６０）と、そして分離トレンチ（５０）と、を備える。基板（３０）は上面（３２）を有し、この上面の上には複数の導電配線（３６）が形成される。これらの導電配線（３６）がマイクロ構造（２６）への電気的接続手段となる。キャップ（４０）は基台部分（４２）及び側壁（４４）を有する。側壁（４４）は基台部分（４２）から外に向かって延びてキャップ（４０）内のリセス（４６）を画定する。絶縁層（７０）は、キャップ（４０）の側壁（４４）と複数の導電配線（３６）との間に取り付けられる。導電アイランド（６０）は複数の導電配線（３６）の内の少なくとも一つの導電配線に取り付けられる。分離トレンチ（５０）はキャップ（４０）と導電アイランド（６０）配線との間に位置し、かつ分離トレンチには何も充填されない、または分離トレンチの少なくとも一部には電気絶縁材料が充填される。上の構成と同じマイクロデバイスを形成する方法も提供される。
（もっと読む）

本発明は、有用な層（１）が最初に犠牲層（２）によって基板を構成する層（３）に接続される方法に関するものである。犠牲層（２）をエッチングする前に、犠牲層（２）に接触する層の少なくとも一方の層の表面（４、５）の少なくとも一部をドープする。犠牲層（２）をエッチングした後で、表面（４、５）を表面エッチングして、そのドープした部分の粗さを増大させる。ドープする前に、有用な層（１）の一部にマスク（９）を被着させて、表面（４、５）のドープする領域およびドープしない領域の輪郭を設定する。これらの領域の一方により、表面エッチング段階の後でストッパが構成される。
（もっと読む）

本発明は基板に付着される半導体材料に少なくとも１つのナノチャンネルを製造する方法に関し、半導体材料にエッチング処理を行なうとともに、カバリング層を基板に取り付けるように前記基板に結合処理を行なう方法であり、この結合処理において半導体材料を結合剤として適用し、エッチングに先立ち、電極形成のため半導体材料に局部的にドーピングを行なう。 （もっと読む）

ミラープレートとヒンジと延長プレートとを備えるマイクロミラー装置が、そのようなマイクロミラー装置を作製する方法とともに開示される。延長プレートは、ミラープレートを回転させるため、ミラープレート上で且つミラープレートとミラープレートに対応する電極との間に形成される。延長プレートは金属性または誘電性であり得る。マイクロミラー装置を作製する方法も開示される。特に、延長プレートがミラープレートを形成した後に形成される。さらに、そのようなマイクロミラーのアレイを有する空間光変調器および光源と、集光光学系と、マイクロミラーのアレイから選択的に反射された光をターゲット上に投射するための投射光学系と、アレイのマイクロミラーを選択的に作動するための制御器とを備えた投射装置で、光源からの光がマイクロミラーのアレイ上で集光される。 （もっと読む）

マイクロミラー装置のアレイを備えた空間光変調器が、そのような空間光変調器を作製する方法とともに開示される。隣接するマイクロミラー装置の中心間の距離と隙間とが、光学効率と性能の質を最適化するために用いられる光源と対応して決定される。マイクロミラー装置は基板上で形成されたヒンジ支持体とヒンジ支持体によって保持されるヒンジとを備える。ミラープレートはコンタクトを介してヒンジと接続され、ミラープレートとヒンジとの間の距離はミラープレートの所望の最大回転角度と隣接するマイクロミラー間の最適な隙間とピッチとによって決定される。このような空間光変調器を製造する方法では、１つの犠牲層が基板上に堆積され、次いでミラープレートを形成し、別の犠牲層がミラープレート上に堆積され、次いでヒンジ支持体を形成する。２つの犠牲層は、自発的な気相化学エッチャントを用いて、隣接するミラー装置間の小さい隙間を介して除去される。このような空間光変調器および光源と、光源からの光をマイクロミラーのアレイ上で集光する集光光学系と、マイクロミラーのアレイから選択的に反射された光をターゲット上に投射する投射光学系と、マイクロミラーをアレイで選択的に作動するための制御器とを備えた投射システムも開示される。 （もっと読む）