マイクロキャビティ（６）は、少なくとも１つのホール（５）が形成される第１の層（４）を構成するカバーによって輪郭が描かれている。第２の層がマイクロキャビティを密封する。第１の層（４）と第２の層との間には第３の層（９）が配置されている。第１の層（４）と第３の層（９）との間には、ホール（５）に連通する更なるマイクロキャビティ（１１）が配置されている。更なるマイクロキャビティ（１１）に隣接するとともに第３の層（９）に形成され且つホール（５）に対してオフセットする少なくとも１つの更なるホールは、更なるホールを通じて犠牲層が除去された後に、第２の層によって密閉される。マイクロ部品は、第１の層（４）の上側に配置され且つ機械的に引張応力が加えられた少なくとも１つの層を備えている。
（もっと読む）

放射源と、位相シフト・プレート及びステップ高さの差の少なくとも一方を使用して位相差を誘発するように適合された少なくとも１つの反射傾斜面とを含む、加工物にパターン形成するための装置。加工物にパターン形成するための装置に対応する方法。加工物にパターン形成するための装置、及びその中に含まれる場合がある空間光変調器を製造する方法。
（もっと読む）

シリコン含有犠牲層を、かかる犠牲層を有するマイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）や他の半導体基板から除去するための方法および組成物について記載する。エッチング組成物には、超臨界流体（ＳＣＦ）と、エッチング液種と、共溶媒と、場合により界面活性剤とが含まれる。かかるエッチング組成物は、ＳＣＦの洗浄試薬としての固有の欠陥、すなわちＳＣＦの非極性や、それらに関連した、半導体基板から除去されなければならない極性種に対する溶解不能を克服する。これによって得られるエッチングされた基板が被るスティクションの頻度は、従来の湿式エッチング技術を用いてエッチングされた基板と比べてより低い。 （もっと読む）

本発明は、基板を備える半導体装置内に共振器を製作する方法であって、前記基板に孔をエッチングするステップと、第１電極を規定する第１ドーピング領域を製作するステップと、前記第１電極を２つの電極に分割化するステップと、前記孔の内部及び周辺に区切り酸化膜沈着を適用するステップと、前記孔を完全に覆う第２ドーピング領域を規定するステップと、前記２つの電極間で振動することが可能な前記共振器を形成する要素を規定するために前記酸化膜沈着を除去するステップと、を有する方法に関する。
（もっと読む）

真空パッケージされた電気力学的マイクロミラー配列素子は、第１のパッケージ基板、第２のパッケージ基板、第１の表面層および第２の表面層を有する素子基板、で構成され、前記第１の表面層上には制御回路、及び前記第２の表面層上にはマイクロミラーが形成される。第１のパッケージ基板上に搭載された素子基板は、それら間を電気接続する。電気力学的マイクロミラー配列素子は、パッケージ基板によって形成された真空パッケージに封入される。真空パッケージされたマイクロミラー配列素子が、空間光変調器（ＳＬＭ）として使われることができる。真空パッケージされた配列素子を製造する方法も、開示される。この製造方法は、一般に、素子基板の第１の表面層上に制御回路を形成し、素子基板の第２の表面層上のマイクロミラーを形成し、この素子基板を、第１のパッケージ基板上にフリップチップ組み立て法でマウントし、第２のパッケージ基板を形成し、これらのパッケージ基板をガラスフリットを用いて封止する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】リリースされていない薄膜部分を有するＭＥＭＳ装置。
【解決手段】一実施例において、本発明はＭＥＭＳ装置を提供する。ＭＥＭＳ装置は、1以上の可動部分と、マイクロエレクトロメカニカルシステム装置の運送中に少なくとも可動部分の動きを低減する犠牲的部分とを含む、複数の機能的部分を備える。 （もっと読む）

１次元または、２次元のマイクロミラー配列素子は第１層と第２層を有する素子基板から成り、前記第１層上に配置された制御回路と、前記第２層上に配置された複数のマイクロミラーからなっている。各々のマイクロミラーは、実質的に光学的フラットな平面で、凹凸のない平面反射面から成る。このようなマイクロミラー素子の1次元または２次元の配列素子が、空間光変調器（ＳＬＭ）として使われる。マイクロミラー配列素子を製造する方法も開示される。この製造方法は、第１層上の制御回路を製作し、第2層上のマイクロミラーを製作することを含み、第１層および第２層からなる素子基板を提供する。ここで、第２層のマイクロミラーの表面は、凹凸のない、実質的に光学的フラットな平面である。 （もっと読む）

本発明は、蒸着／エッチング交互処理によりプラズマエッチングする場合、基体上にＳＯＩ構造体を形成する際に観察されるノッチングを、カソードへ印加されるＲＦバイアスを変調することにより減少するか又は無くすための方法及び装置を与える。カソードへのバイアス電圧への変調は、蒸着／エッチング交互処理の間に、少なくとも二つの周波数の間で別々に行うか、又は連続的に行われる。
（もっと読む）

【課題】 本明細書中には多くの発明が記載してあり且つ例示してある。一つの特徴では、本発明は薄膜又はウェーハで封入したＭＥＭＳ、及び薄膜又はウェーハで封入したＭＥＭＳを本発明のアンチ・スティクション技術を使用して製造する技術に関する。
【解決手段】 一実施例では、ＭＥＭＳの封入後、アンチ・スティクション・チャンネルを形成することにより、ＭＥＭＳの機械構造の作用部材即ち電極の幾つか又は全てを含むチャンバへの「アクセス」を提供する。その後、アンチ・スティクション・チャンネルを介してアンチ・スティクション流体（例えばガス又はガス蒸気）をチャンバに導入する。アンチ・スティクション流体は、機械構造の作用部材即ち電極の一つ、幾つか、又は全てに付着し、これによってアンチ・スティクション層（例えば、単層コーティング又は自己組み立て単層）及び／又はアウトガッシング分子をこのような部材又は電極上に形成する。アンチ・スティクション流体の導入及び／又は適用後、アンチ・スティクション・チャンネルをシール、キャップ、プラグ、及び／又は閉鎖し、チャンバ内の機械的減衰環境を画成し制御する。これに関し、チャンバをシール、キャップ、及び／又は閉鎖することにより、機械構造を収容したチャンバ内にこの環境を画成する。この環境は、機械構造の所定の、所望の、及び／又は選択された機械的減衰並びに適当な気密性を提供する。機械構造が作動する最終的に封入された流体（例えばガス又はガス蒸気）のパラメータ（例えば圧力）は、所望の及び／又は所定の作動環境を提供するように選択され及び／又は設計されていてもよい。 （もっと読む）

電気力学的マイクロミラー配列素子は第１層と第２層を有する素子基板から成り、前期第１層上に配置された制御回路と、前記第２層上に配置された複数のマイクロミラーからなっている。そのようなマイクロミラー素子からなる配列素子が開示され、また、空間光変調器（ＳＬＭ）として使われる。配列素子は１次元と２次元の素子がある。マイクロミラー素子およびその素子からなる配列素子を製造する方法も開示される。この製造方法は、第１層上の制御回路を製作し、第２層上のマイクロミラーを製作することを含み、第１層および第２層からなる素子基板を提供する。 （もっと読む）