【課題】高い垂直段差を有する垂直段差構造物を簡単に製造する。
【解決手段】 基板；基板上に形成される固定電極固定部；基板上部から所定距離だけ離隔され形成される固定電極移動部；固定電極固定部と固定電極移動部とを連結して、固定電極移動部が基板の面方向と垂直方向に移動できるようにするスプリング部；基板上部から所定距離だけ離隔され、固定電極移動部と水平方向に所定間隔を有するよう形成される移動電極；固定電極移動部または移動電極の所定領域と結合して、固定電極移動部または移動電極が基板の面方向と垂直方向に移動するように、固定電極移動部と移動電極とが垂直段差を有するようにする覆い部；を備える。
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この発明は、微小電気機械装置（１０）を製造するための方法であって、第一の電極（２Ａ）が内部に形成される第一の導電層（２）と、第一の材料の第一の電気絶縁層（３）と、第一の材料とは異なる第二の材料の第二の電気絶縁層（４）と、第二の電極（５Ａ）が内部において第一の電極（２Ａ）と対向して横たわるように形成され、第一の電極（２Ａ）と第一の絶縁層（３）と共に装置（１０）を形成する第二の導電層（５）とが基板（１）上に連続して堆積され、第二の導電層（５）が堆積された後に第二の導電層（５）の材料に対して選択的なエッチング剤により第二の絶縁層（４）が除去される方法に関する。この発明によれば、第一の材料及び第二の材料のために、互いに対してのみ選択的にエッチングされるような材料が選ばれ、そして、第二の絶縁層（４）を堆積する前に、第一の材料に対して選択的にエッチングされるさらなる材料のさらなる層（６）が第一の絶縁層（３）の上面に堆積される。このようにして、窒化シリコン及び酸化シリコンが絶縁層（３，４）に適用でき、従って、この発明の方法は現行ＩＣプロセスに良く適合する。第二の絶縁層（４）はエッチングにより部分的に除去されると好ましく、さらなる層（６）がエッチングにより完全に除去され、そして、最後に、第二の絶縁層（４）がエッチングにより完全に除去される。
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【課題】 ＳＯＩウエハをチップに分割する際の、メンブレン破損が容易に防止できるメンブレンチップ製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のメンブレンチップ製造方法は、露光・現像工程でチップ分割ライン５０を作製し（Ｓ１０４）、エッチング工程においてメンブレンと一緒にチップ分割ライン５０を加工し（Ｓ１１０）、当該チップ分割ライン５０を用いてメンブレンチップ５２に分割する（Ｓ１１２）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は共振現象を用いてスイッチをＯＮ／ＯＦＦすることにより、低電圧であっても安定的なスイッチング動作を行うことができる振動形ＭＥＭＳスイッチを提供することである。
【解決手段】 本発明は、交流電圧が印加されれば所定の方向に振動する振動体及び振動体の振動方向に沿って所定距離だけ離隔された位置に形成される固定接点を含む。これにより、固定接点に所定値の直流電圧が印加されれば、振動体の振動幅が増加し固定接点と接触することにより、スイッチがＯＮされる。一方、振動体を挟んで所定の第１基板及び第２基板を相互接合させ、振動体を真空状態の密閉された空間に孤立させることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、析出処理とエッチング処理とを交互に行うことで半導体基板にプラズマ・エッチングにより深いトレンチを形成する場合に観察されるアスペクト比依存エッチングを低減するための方法および装置を提供する。基板上の異なる寸法の複数形状特徴が、交互の析出・エッチング処理中にリアルタイムでモニタされる。次いで、モニタからの情報に基づき、少なくとも１処理パラメータが、交互の析出・エッチング処理中に調節されることで、基板上の、寸法の異なる少なくとも２形状特徴のエッチング深さが等しくされる。
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【課題】 犠牲層を除去することなく形成可能で、赤外光よりも短波長の光を分離可能な波長可変フィルタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 波長可変フィルタ１は、少なくとも可視光に対して光透過性を有する固定基板２と、シリコンからなる可動基板３とを備えている。可動基板３は、可動部３１と、可動部３１をＺ方向に変位可能に支持する支持部と、可動部３１に通電を行う通電部３３とを有しており、可動部３１の略中央には、円柱形状の光透過部３６が形成されている。光透過部３６は、少なくとも可視光に対して光透過性を有する材料からなっている。 （もっと読む）

【課題】開口を封止して中空構造部分を形成する場合であっても、当該開口の確実な封止を可能とし、その中空構造部分による機能実現の確実化を図ることのできる機能素子を提供する。
【解決手段】開口４を封止することで形成される中空構造部分２を有した機能素子１において、前記開口４を物理蒸着によって成膜される封止膜６で封止する。そして、前記封止膜６は、前記物理蒸着の際の成膜温度または成膜後のアニール温度が、当該封止膜６の成膜材料のリフロー温度以上に昇温することにより形成する。これにより、前記封止膜６の成膜材料が溶融して表面張力による流動を起こすようにして、前記開口４内への封止膜６の成膜材料の充填を容易にする。 （もっと読む）

ある実施形態においては、多層構造は、少なくとも１つの構造原料（例えばニッケル）、少なくとも１つの犠牲材料（例えば銅）及び少なくとも１つのシール材（例えばはんだ）から電気化学的に成型加工される。ある実施形態においては、積層構造は、望みの形状を有するように形成され、上記犠牲材料によって少なくとも部分的にかつ直接的に取り囲まれる。上記犠牲材料のほぼ全体は、上記構造原料によって取り囲まれる。上記構造原料は、その表面に複数の開口部を有する。エッチング剤がこの表面を侵蝕し、中に閉じ込められた犠牲材料を除去する。上記シール材は、上記開口部の近くに配置される。上記犠牲材料の除去後、ケースは真空排気されるかまたはケース内に好ましいガス又は液体が充填される。その後、上記シール材は、流され、上記開口部を封止し、再凝固する。他の実施形態では、層形成後に蓋またはエンクロージャを完成させる物が構造物上に載置される。
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【課題】製造工程を増やさずミラー面の荒れ、ミラー面のテーパー化を防止できる光スイッチの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、基部と、ミラー部が設けられた可動部と、該可動部を前記基部に対して支持する梁部とを有する光スイッチの製造方法において、
ミラー部前部にダミー構造物を形成し、該ダミー構造物を、露出領域の前記シリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程で一定量除去するか前記中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程で除去する光スイッチの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 非感光性樹脂等からなる厚膜であっても、高精度のパターニングが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板３上に第一のパターン１を形成し、その第一のパターン１の開口部４に被パターン材料からなる層２を形成し、その後、第一のパターン１を除去して被パターン材料からなる第二のパターンを形成する。この方法において、第一のパターン１が金属又は感光性樹脂からなるパターンであることが好ましく、被パターン材料が有機材料又は無機材料であることが好ましい。 （もっと読む）