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国際特許分類[B81C1/00]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | マイクロ構造技術 (6,196) | マイクロ構造装置またはシステムの製造または処理に,特に適合した方法または装置 (1,969) | 基層中または基層上での装置またはシステムの製造または処理 (1,249)

国際特許分類[B81C1/00]に分類される特許

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【課題】 非対称薄膜容量性微小機械加工超音波変換器(cMUT)及びcMUT撮像アレイの製作に関する技術を提供する。
【解決手段】 非対称薄膜容量性微細機械加工超音波変換器(cMUT)素子及び製作方法。好ましい実施形態では、本発明によるcMUT素子は、一般的に非対称特性を有する薄膜を含む。薄膜は、その端部が異なる幅を有するようにその長さにわたって変動する幅を有することができる。非対称薄膜は、その様々な幅寸法のために様々な撓み特性を有することができる。別の好ましい実施形態では、本発明によるcMUT素子は、一般的に非対称特性を有する電極要素を含む。電極要素は、その端部が異なる幅を有するようにその長さにわたって変動する幅を有することができる。非対称電極要素は、その様々な幅寸法のために異なる受信及び送信特性を有することができる。別の好ましい実施形態では、薄膜に沿って位置決めされた質量負荷が、薄膜の質量分布を変更することができる。また、他の実施形態も特許請求して説明する。 (もっと読む)


永久フォトレジスト組成物であって、(A)式Iによる1種又は複数のビスフェノールA−ノボラックエポキシ樹脂(ただし、式I中の各基Rはグリシジル又は水素から個別に選択され、式I中のkは0〜約30の範囲にある実数である)と、(B)式BIIa及びBIIbにより表される群から選択される1種又は複数のエポキシ樹脂(式中、式BIIaにおける各R、R、及びRは、水素、又は炭素原子1〜4個を有するアルキル基からなる群より独立に選択され、式BIIa中のpの値は1〜30の範囲にある実数であり;式BIIb中のn及びmの値は独立に1〜30の範囲にある実数であり、式BIIb中の各R4、及びR5は、水素、炭素原子1〜4個を有するアルキル基、又はトリフルオロメチルからなる群より独立に選択される)と、(C)1種又は複数のカチオン性光開始剤(光酸発生剤又はPAGとしても知られる)と、(D)1種又は複数の溶媒とを含む組成物。 (もっと読む)


【課題】容量型マイクロマシンド超音波トランスデューサ(cMUT)製造方法及びcMUTイメージアレイシステムを提供すること。
【解決手段】例示的な実施形態において、プロセス温度は、概ね摂氏300度より低い。cMUT製造方法は、一般に、基板(400)上の付着及びパターン形成材料からなる。例示的な実施形態において、複数の金属層(405、410、415)が基板(400)上に付着及びパターン形成され得る。いくつかの薄膜層(420、435、445)は、複数の金属層(420、435、445)上に付着形成され、追加の金属層(425、430)が、このいくつかの薄膜層(420、435、445)内に付着形成される。第2金属層(410)は、空胴(447)形成時、第3金属層(415)をエッチングするために使用されるエッチング液に対して耐性を持つ。 (もっと読む)


デバイスは、互いに噛み合わされた関係で半導体ウェハ上に形成され、深掘反応性イオンエッチングによって解放される。MEMSスキャナは周囲を取り囲むフレームを有さずに形成される。取付パッドは、ねじりアームから外向きに延びる。隣接するMEMSスキャナは、その互いに噛み合わされた取付パッドを備えて形成されるので、デバイスの周りに正多角形が形成されれば必ず1以上の隣接するデバイスの一部分とも交差する。MEMSスキャナは、金属層、小さな半導体ブリッジ、または組み合わせによって、その輪郭内に保持されてもよい。
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本発明は重合した液晶層を有するシャッター素子を有する機械的シャッター(601)に関する。重合した液晶は異方的に配向している。一の主要面で配向は異方的である。反対側の主要面に向かって変動するとき、配向は熱膨張係数が変化するように変化する。熱のような非機械的手段を受けるとき、シャッター素子は変動する。たとえばスプレイ配向又はツイステッド・ネマティック配向が使用されるとき、素子は非機械的手段に応じて曲がる及びまっすぐになる。電極(604,605,606)は任意で素子上及び支持基板上に形成可能であり、素子が電極間に印加された電場により生じる静電力によって制御可能となる。本発明はさらにそのような機械的シャッターをその場重合を使用して製造する方法をも提供する。
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本発明は、
部品の第1の面をエッチングして、それの上にパッドを形成する段階と、
部品の第2の面をエッチングして、前記パッドと同じ材料から作られた膜を露出する段階と、
前記パッドと前記膜の作動手段を製造する段階と、
を有する、光学部品のための作動システムを製造する方法に関する。
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本発明は、静電式駆動デバイスに関するものであり、本発明によるデバイスは、第1端部と第2端部とを有したフレキシブル電極(30)であるとともに、少なくとも一部が基板に対して可動とされているような、フレキシブル電極(30)と、基板(22)に対して固定された2つの電極(32,34)と、フレキシブル電極に対する2つのピボットを形成する手段(18,28)であるとともに、フレキシブル電極の第1端部と第2端部との間に配置された、ピボット形成手段(18,28)と、を具備している。
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本発明のいくつかの実施形態は、複数層構造体(例えば、メソスケールまたはマイクロスケール構造)の電気化学的成型加工のための方法および装置において、当該電気化学的成型加工の際に平坦化される材料(例えば、層)の端点検出および平行性維持の性能を改善する。いくつかの方法は、平坦化の際に、平坦化された材料の平面が、定められた許容誤差内で、他の堆積された平面に対して平行であることを確認するための器具を、使用する。また、いくつかの方法は、基板の所期表面、第1の堆積層、または加工工程で形成された他の堆積層に対する、堆積された材料の詳細な高さを確認するための、端点検出器具を使用する。また、いつくかの実施形態では、平坦化がラッピングによって行われてもよいし、また、他の実施形態では、ダイヤモンドフライカッティングによって行われてもよい。

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マイクロキャビティ(6)は、犠牲層上に形成され且つ犠牲層を除去するために少なくとも1つのホール(5)が形成されるカバー(4)によって輪郭が描かれている。ホール(5)およびホール(5)の周囲に沿うカバー(4)の一部をプラグ(8)が覆っている。プラグ(8)は、クリープ変形を受けることができる材料によって形成されており、特にフォトレジストおよびポリイミドから選択される重合材料、または、特にリンシリケートガラスから選択されるガラスであっても良い。プラグ(8)およびカバー(4)上には、マイクロキャビティ(6)を密封するようにシール層(9)が堆積される。ホール(5)は、例えば、5マクロメータ未満の寸法を有しており、マイクロキャビティ(6)の最も高い部分に設けられることが好ましい。プラグ(8)は、2〜6マクロメータの厚さを有することができる。
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基層と一つ以上の金属化層との間に形成したマイクロメカニカル素子を収容する方法。この方法は、マイクロメカニカル素子上に一つ以上の封入層を設けること及び基層と一つ以上の封入層との間に伸張する素子を包囲する封入壁を設けることを含む。基層とマイクロメカニカル素子上に形成した一つ以上の金属化層との間に電気的接続部が設けられる。
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