集積空間光変調器を製造する方法。該方法は、ボンディング表面を含む第１の基板を提供するステップと、デバイス基板を処理して少なくとも１つの電極層を形成するステップであって、該電極層が複数の電極を含むステップと、該電極層上にスタンドオフ層を堆積するステップとを含んでいる。該方法はさらに、該スタンドオフ層からスタンドオフ構造を形成するステップと、該第１の基板の該ボンディング表面を該デバイス基板の該スタンドオフ構造に接合するステップとを含んでいる。具体的な実施形態では、該方法はさらに、スタンドオフ層を堆積する該ステップの後に、該スタンドオフ層の化学的機械的研磨を実行して該スタンドオフ層の上部表面を平坦化するステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高性能の微小電気機械要素と集積回路とが集積化された微小電気機械デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】微小電気機械要素であるジャイロセンサＳと集積回路３とが集積化された微小電気機械デバイスの製造にあたって、半導体基板であるシリコン基板１Ａの一表面側にシリコン基板１Ａよりも抵抗率の高い半導体層であるシリコン層１Ｂを成膜してから、シリコン層１Ｂに集積回路３を形成し、その後、シリコン層１Ｂのうちシリコン基板１ＡにおけるジャイロセンサＳの形成予定領域に重複している部分を除去してから、シリコン基板１Ａを加工することによりジャイロセンサＳの大部分を構成する３次元構造体を形成する。 （もっと読む）

本発明は、流体注入用の開口部（４０）を備えた第一基板（４２）と、多数の電極を備えた第二基板（４６）とを含む液体分配装置に関する。多数の電極は、前記開口部（４０）に少なくとも部分的に対向して配置された移送用電極と称される少なくとも一つの電極（４４）と、少なくとも二つの小滴形成用電極（５０、５２）と、前記移送用電極（４４）及び前記小滴形成用電極（５０、５２）に対応していて、前記小滴形成用電極のそれぞれの面積の少なくとも三倍に等しい面積を有する、リザーバ電極と称される少なくとも一つの電極（４８）とを含む。
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【課題】 マイクロ構造体の製造工程において、エッチングレートの大きなシリコン酸化膜の犠牲層を実現する。
【解決手段】 一対の電極にて略常圧のプラズマ空間を形成する。ＴＭＯＳと窒素の混合ガスを、前記プラズマ空間を経ることなくマイクロ構造体用の基板に吹き付けるとともに、酸素を、前記プラズマ空間を経て前記基板に吹き付け基板上で前記混合ガスと接触させる。各ガス流量は、ＴＭＯＳ０．２６ｇ／ｍｉｎ、窒素１０ｓｌｍ、酸素１０ｓｌｍとし、水分は含ませない。 （もっと読む）

【課題】 多段構造体の各底面に電極を有する電鋳型とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 電鋳法で用いられ、二層以上の多段構造を有する電鋳型において、導電性を有する導電体を有し、導電体上に階段状に形成された樹脂と、樹脂の各層の上に形成された電極とを有し、導電体および電極の少なくとも一部が露出され、電極が樹脂よりも突出した形状を有していることを特徴とする電鋳型とした。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳＦＥＴ構造を用いた、小型で、検出感度が高いＭＥＭＳ素子と、ＣＭＯＳ製造プロセスによる安価なＭＥＭＳ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＭＥＭＳ素子１０は、Ｓｉ基板２０にＭＯＳＦＥＴを形成する工程を用いて製造されるＭＥＭＳ素子であって、ＭＯＳＦＥＴを構成するソース領域３２とドレイン領域３１とゲート酸化膜６５とゲート酸化膜６５の表面に形成されるゲート電極５０と、を備え、ゲート酸化膜６５をエッチング工程により除去し、ゲート電極５０とＳｉ基板２０との間に第１の空隙を開設し、ゲート電極５０が外力によって変形し、第１の空隙７０の大きさが変化することで発生するゲート容量の変化をドレイン電流の変化として検出する。また、このＭＥＭＳ素子１０は、ＣＭＯＳ製造プロセスによって製造される。 （もっと読む）

本発明は、モノリシックに集積された構造形式で形成され、物理的な値を容量式に検出する、マイクロマシニングによるセンサエレメントを製造するための方法に関する。また本発明は、前記製造方法と共に、例えば圧力センサ又は加速度センサのようなセンサエレメントを有するマイクロマシニングによる装置に関するものである。
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ウェハにおける反りをドープ層を利用して制御する方法を提供する。かかる方法は、基板（１４）上にシリコン−ゲルマニウム層を堆積させ、該シリコン−ゲルマニウム層上にアンドープバッファ層（５６）を堆積させ、該アンドープ層上にシリコン−ボロン層を堆積させることを含む。
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【課題】スイッチング接点部のスイッチング動作性を向上させて、挿入損失の発生を減らし、貼り付き現象を効果的に解消することと共に低電圧でも駆動を可能にすること。
【解決手段】基板１０１、基板上の両側に形成されスイッチング接点部を有する複数の信号ライン１５１，１５３、基板上に形成され複数の信号ラインの間に形成される複数の固定電極１３１，１３３、基板の中央を中心にしてシーソー運動する内側作動部材１７１、内側作動部材のシーソー運動に連動されシーソー運動する外側作動部材１７３、内側作動部材の上面両端に形成され、その端部が外側作動部材の上部と重なるよう突設される加圧棒１７７ａ，ｂ、及び加圧棒が加圧される位置に向かって外側作動部材の下面に形成され、信号ラインのスイッチング接点部と接触する接触部材１７９ａ，ｂを含む。
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【課題】 犠牲層を有するシリコン基板に対して犠牲層をドライエッチングすることにより、構造体を形成するとともにＨ₂Ｏを含む反応生成物が生成されるマイクロ構造体の製造方法において、複雑な構造を必要とすることなく、反応生成物であるＨ₂Ｏによるエッチングへの影響を低減する。
【解決手段】 犠牲層１３を有するシリコン基板１０に対して犠牲層１３をドライエッチングすることにより、構造体１６、１７を形成するとともに、犠牲層１３とエッチングガスとの反応によりＨ₂Ｏが生成されるマイクロ構造体の製造方法において、犠牲層１３をエッチングする工程では、無水ＨＦガスとメタノールガスとの混合ガスを用いて犠牲層１３をエッチングするステップと、真空引きや不活性ガスのパージなどにより犠牲層１３のエッチングにより生成された反応生成物としてのＨ₂Ｏを除去するステップとを、繰り返し行う。 （もっと読む）