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国際特許分類[B81C1/00]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | マイクロ構造技術 (6,196) | マイクロ構造装置またはシステムの製造または処理に,特に適合した方法または装置 (1,969) | 基層中または基層上での装置またはシステムの製造または処理 (1,249)

国際特許分類[B81C1/00]に分類される特許

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マイクロ構造及びマイクロ構造の製造方法が開示される。1つの例示的なマイクロ構造は特に、基板と、基板上に配置されたオーバーコート層と、オーバーコート層の少なくとも一部分内にある空気領域と、内側で空気領域の少なくとも一部分と係合し、外側でオーバーコート層と係合するフレーミング材料層とを含む。 (もっと読む)


マイクロメカニカル共鳴器装置と、当該マイクロメカニカル共鳴器装置を製造する方法、同様に、前記共鳴器装置の一またはそれ以上のサイド節点でアンカリングすることによってアンカーロスを最小限にしたその他の外延的モード装置を提供する。この共鳴器は空気中動作するときの制動力がより低くなる。
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垂直型電気的接触体及びその製造方法を提供する。本発明は犠牲基板上に第1保護膜パターンを形成する第1段階と、エッチング工程を実行することによって前記犠牲基板上にトレンチを形成する第2段階と、前記第1保護膜パターンを除去し、前記犠牲基板の上部に第2保護膜パターンを形成して空間部を形成する第3段階と、前記トレンチと前記空間部に導電性物質を埋め込ませてチップ及び支持ビームを形成する第4段階と、前記チップ及び支持ビームが形成された犠牲基板の上部に第3保護膜パターンを形成して空間部を形成する第5段階と、前記空間部に導電性物質を埋め込ませて中孔型容器本体を形成する第6段階と、前記中孔型容器本体をMPH上に形成されたバンプにボンディングする第7段階と、前記犠牲基板を除去させることによって電気的接触体のチップを開放する第8段階とを含んで構成されることを特徴とする。
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【課題】主にMEMSデバイス、半導体集積回路を製造する際に使用されるプラズマドライエッチング方法に関し、その固有のプラズマ指向性によりウエハの面内で加工断面形状のバラツキが発生し、デバイスの性能がばらつくという課題を解決し、加工断面形状の対称性を被処理物の面内において均一に調整し、信頼性の高いデバイスを製造することができるプラズマドライエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】2種類、または複数のプラズマ指向性の異なるプラズマ源を用い、2段階以上で交互に処理することにより、夫々固有の指向性をキャンセルして加工断面形状の対称性を面内均一に調整するようにしたことにより、信頼性の高いデバイスを製造することができるようになる。 (もっと読む)


【課題】 マスクと基板との相対的な移動を不要とし、3次元の微細構造体を容易に形成することが可能な微細構造体の形成方法を提供する。
【解決手段】 それぞれ露光感度波長の異なるレジスト層12,13を2層形成し、その後、パターンの異なる2枚の露光マスク110,120を用いて、2層のレジスト層12,13の露光を順次行なうことにより、最終的に鋳型となるレジスト層の平面と平行な平面内における露光光の露光量(光エネルギ)分布が連続的に変化するように制御でき、レジスト層12,13の各部での露光光の露光量(光エネルギ)分布に応じた深さの露光を可能とする。 (もっと読む)


半導体デバイスの空洞内に所定の内圧を形成する方法であって、その方法は、半導体デバイスを提供する工程(S1)であって、半導体デバイスは半導体デバイスの空洞と半導体デバイスの外部表面との間に連続的に配置される半導体酸化物区域を含む工程と、半導体デバイスを、第1の温度で所定の時間の間、希ガスを有する周囲雰囲気に曝露する工程(S3)と、その所定の時間が経過した後、第1の温度と異なる第2の温度を設定する工程(S5)とを含み、半導体酸化物区域は、第2の温度に比べて第1の温度で希ガスに対してより高い透過率を示す、方法。 (もっと読む)


本発明は、金属層および無機酸化物層を少なくとも2層以上有する積層構造に対して、反応性イオンエッチングを用いることにより、酸化物あるいは酸化物と金属の積層にて構成され膜の表面状態を活性化させて化学的に反応を起こすことにより、反応生成物の堆積を活用して基板上に中空部を有する微細な構造体を形成する。
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薄肉部(T1〜T3)を有するマイクロ構造体を製造するための方法は、第1導体層(11)、および、薄肉部(T1〜T3)の厚さに相当する厚さを有する第2導体層(12)、よりなる積層構造を含む材料基板に対し、第1導体層(11)の側から第1エッチング処理を行うことにより、第2導体層(12)において、当該第2導体層(12)の面内方向に離隔する一対の側面を有して第1導体層(11)に接するプレ薄肉部(T1’〜T3’)を形成するための工程と、第1導体層(11)の側からの第2エッチング処理により、第1導体層(11)においてプレ薄肉部(T1’〜T3’)に接する箇所を除去して薄肉部を形成するための工程と、を含む。
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光エレクトロニクスパッケージ(104)は、ベース層(202)、スペーサ層(204)、及びMEMS微小ステージを含む光学MEMS層(206)を有する。ベース層(202)はパッケージ(104)全体を支持し、パッケージ内の光素子及びその他の素子に電気信号と電力とを送達する経路を備えている。加えて、ベース層(202)はパッケージ(104)内で発生した熱を逃がす熱伝達路を備えている。ベース層(202)はその上に配置又は形成された様々な光素子及び電子素子を含んでいる。スペーサ層は光素子を囲んでおり、パッケージを密閉している。光エレクトロニクスパッケージ(104)の最後の要素は、スペーサ層(204)及びベース層(202)の上方の光学MEMS層(206)である。
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【課題】細線の長さおよび厚さを安定して再現性よく提供することのできる細線の製造方法を提供する。また、安定で寸法精度の高い細線で接続された電気機械フィルタをも提供する。
【解決手段】表面が(110)面を有する単結晶シリコン基板に、異方性エッチングでエッチングされる深溝を形成することにより、(110)面に対して垂直に形成される深溝で囲まれた幅w3、深さd2の細線を形成する方法において、深溝の(311)面が現れる深さd1よりも細線の深さd2が浅くなるように、マスクレイアウトを設計するようにする。 (もっと読む)


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