【課題】 ドライエッチングを短期間で精確かつ安価に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１０１上にシリコン酸化膜１０２（図１（ａ））、ポリシリコン層１０３（図１（ｂ））、レジスト１０４を順に形成する（図１（ｃ））。ポリシリコン層１０３を整形する（図１（ｄ））。次に、シリコン酸化膜１０２及びポリシリコン層１０３上にシリコン酸化膜を積層し、平坦化し（図１（ｅ））。シリコン窒化膜１０５を成膜する（図１（ｅ））。更に、シリコン窒化膜１０５上に赤外線検出層を形成する（図示省略）。次に、フォトリソマスク１０６を用いてメンブレンのアーム構造をパターニングする（図１（ｇ））。フッ酸を用いて犠牲層１０３表面のシリコン酸化膜を除去したのち、エッチング温度が２００℃以下の条件でフッ化塩素を用いてポリシリコン層１０３をエッチングする（図１（ｈ））。
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【課題】 束化アクチンの基板上でのin vitro motility assay系とマイクロアクチュエータを提供する。
【解決手段】 表面にミオシンを担持させ、その上に束化アクチンを積載してタンパク質構成体を形成し、この表面を3次元加工して束化アクチンを作動部とするマイクロアクチュエータとする。 （もっと読む）

【課題】 耐湿性が良好で信頼性の向上したＭＥＭＳ素子およびＭＥＭＳ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０に構造体１８が形成され、構造体１８の周辺部に構造体１８を囲むように配線２１と層間絶縁膜２０，２２とが積層された配線部４０を備えるＭＥＭＳ素子１であって、配線部４０を構成する各膜の間に、平面視において構造体１８を囲む形状のガードリング３１，３３，３５が形成され、かつ、各膜を貫通し上下に位置するガードリング３１，３３，３５に全周を接する貫通ガードリング３０，３２，３４が形成され、配線部４０に配置される配線２１は各ガードリング３１，３３，３５および各貫通ガードリング３０，３２，３４の外側に配置される。 （もっと読む）

【課題】 同一基板に機械的駆動系及び電気的駆動系を混在しつつ、電気的駆動系上に機械的駆動系を積層する構造を無くした簡易な構造を有するＭＥＭＳを備えた混在型半導体集積回路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 混在型半導体集積回路１は、基板１０上の第１の領域Ａに配設された第１の半導体活性層３１と、第１の半導体活性層３１の側面周囲を取り囲む絶縁分離領域４０と、基板１０上の第１の領域Ａに隣接する第３の領域Ｃに配設され、絶縁分離領域４０の一部及びトレンチ４５により側面周囲が取り囲まれたメカニカル電極３３１と、メカニカル電極３３１に一端が接続され、他端が絶縁分離領域４０の一部上を通過して第１の半導体活性層３１上に延在する第２の薄膜配線９０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ミラーアレイ内のそれぞれのミラーに位相ステップを形成するＳＬＭミラーアレイのプロセス加工のための方法及び装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハ２０６の第１の主面に複数のキャビティを形成し、前記ウェーハ２０６の第２の主面を耐エッチング層でパターン形成し、耐エッチング層でパターン形成されていないウェーハの部分をエッチングして、ウェーハの第１の主面と第２の主面との間に開口部５１０を作る。 （もっと読む）

気密密封されたキャビティ内に電気伝導経路を提供するための方法を記載する。密封されたキャビティは、シリコン−ガラス微小電子機械ストラクチャ（ＭＥＭＳ）プロセスを利用して形成され、該方法は、電気伝導経路がキャビティ内に通る場所に凹部（８２）をガラス基板（８０）上に形成し、凹部およびその周りに伝導リード（８６）を形成する。ガラス層（９２）は、基板上、凹部の中、及び、伝導リードの上にわたって堆積され、次いで、伝導リードの一部（８８）を露出させるために平坦化される。次いで、シリコンは平坦化されたガラス層の密封表面にボンディングされ（１５４）、ウェハ(120)は、各リードの一部が密封されたキャビティ内にあり、各リードの他の一部が密封されたキャビティの外側にあるように構成される。
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【課題】 可動機能部の揺動動作について制御性に優れたマイクロ揺動素子を提供する。
【解決手段】 本発明のマイクロ揺動素子Ｘ１は、フレーム１２と、可動機能部１１，１１ａと、フレーム１２および可動機能部１１，１１ａを連結して可動機能部１１，１１ａの揺動動作の揺動軸心Ａ１を規定する捩れ連結部１３と、揺動動作の駆動力を発生させるための櫛歯電極１４および櫛歯電極１６とを備える。櫛歯電極１４は、電気的に接続された第１導体部および第２導体部ならびに当該第１および第２導体部の間の絶縁部が揺動動作の方向に連なる積層構造を各々が有する複数の電極歯１４Ａを有する。櫛歯電極１６は、非駆動時には電極歯１４Ａの第２導体部に対向せずに第１導体部に対向する複数の電極歯１６Ａを有する。電極歯１６Ａは、揺動動作の方向において電極歯１４Ａの第１導体部よりも長い。 （もっと読む）

【課題】 構造体のリリース工程で配線への損傷を与えることがなく、また、ＭＥＭＳ素子の集積度が向上したＭＥＭＳ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０上に構造体１７を備えたＭＥＭＳ素子１の製造方法であって、構造体１７の下方の絶縁膜１１をエッチングして構造体１７をリリースする工程と、絶縁膜１１をエッチングした空間にＳＯＧ膜２０を形成する工程と、構造体１７の上方に配線２２と層間絶縁膜２１，２３とを積層する工程と、構造体１７の上方の層間絶縁膜２１，２３をＳＯＧ膜２０表面までエッチングし開口部２６を形成する工程と、構造体１７の下の前記ＳＯＧ膜２０をエッチングし構造体１７をリリースする工程と、を少なくとも備える。 （もっと読む）

電子デバイス、特に加速度センサを製造する方法であって、埋込酸化物層（１４）を間に備える第１および第２の半導体層（１２，１６）を有するウェハ（１０）を提供すること、および第１の半導体層（１６）内でウェハ（１０）の一方の面に半導体デバイス（検出回路など）を形成し、かつ第２の半導体層（１２）内でウェハ（１０）の反対の面にマイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）を形成することを含む方法。
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【課題】基盤上に設けられた反射防止膜上に感光性樹脂層が形成されており、前記感光性樹脂層が波型断面を有する膜構成において、前記感光性樹脂の波型断面をマスクの原型としてドライエッチングすることで、それより下層の感光性樹脂又は前記反射防止膜を矩形形状にする孤立した微細構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】基盤上に設けられた反射防止膜上に感光性樹脂層が形成されており、前記感光性樹脂層が波型断面を有する膜構成において、前記感光性樹脂の波型断面をマスクの原型としてそれより下層の感光性樹脂又は前記反射防止膜をドライエッチングする工程において、エッチングガスにｃｌ₂とＯ₂の混合ガスを用い、Ｏ₂の混合比を７５％以上とする。 （もっと読む）