マイクロフォンが、シリコンウェハまたはＳＯＩウェハから形成される。マイクロフォン用の固定感知電極が、ウェハの上面シリコン層から形成される。様々なポリシリコンのマイクロフォン構造が、少なくとも１つの酸化物層を堆積させ、構造を形成して、上面シリコン層を介して形成されたトレンチを介して、上面シリコン層の裏側から構造の下にある酸化物の一部を除去することによって、上面シリコン層の表側上に形成される。トレンチは、音波が、上面シリコン層の裏側からダイヤフラムに到達することを可能にする。ＳＯＩウェハにおいて、空洞が、底面シリコン層および中間酸化物層を介して形成されて、酸化物の除去および音波のダイヤフラムへの到達を可能にすることの両方のためにトレンチを露出させる。慣性センサが、同一のウェハ上に形成され得、様々な慣性センサが、実質的に同時に、対応するマイクロフォン構造と実質的に同一の工程を用いて形成される。
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本発明は、重合体を含む犠牲材料を使用した製造方法を提供する。ある実施形態における重合体は、製造プロセスで使用される、少なくとも１つの溶媒（例えば、水溶液）に対する溶解度を変更するために処理され得る。犠牲材料の調製は、迅速かつ簡易であり、犠牲材料の溶解は、穏やかな環境で実行され得る。本発明の犠牲材料は、選択された対応する物理的構造のために犠牲層が使用される、表面マイクロ加工、バルクマイクロ加工および他のマイクロ加工プロセスに役立つ。
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【課題】 例えば酸化ケイ素を主成分とするガラス基板の微細加工に好適で、ガラス基板のエッチングマスクとして、Ｃｒ／Ａｕやシリコンの代わりにゲルマニウム薄膜を用い、ガラス基板に対する密着性と、フッ化水素酸を含有するエッチング液に対する耐性を向上し、その成膜時間を短縮して生産性を向上するとともに、種々の用途や条件に応じてエッチング面の粗度を調整し得る、基板のエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 酸化ケイ素を主成分とする基板１上に薄膜２を形成する。そして前記薄膜２にフォトリソグラフィ−およびエッチングを介して所望のパタ−ンを形成する。この後前記パタ−ニングされた薄膜２をエッチンングマスクとして、フッ化水素酸を含有するエッチング液により、前記基板１を等方的にエッチングする。この時前記基板１上にエッチングマスクとして、ゲルマニウム薄膜２を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ部品の性能の向上と製造コストの低下とを実現する。
【解決手段】本発明の例に関わるＭＥＭＳ技術を使用した半導体装置は、空洞と、空洞の下部に位置する下部電極１３と、空洞の上部に位置するアクチュエータ１７，１８，１９と、アクチュエータ１７，１８，１９に結合される上部電極２２と、空洞の外部で、底面が空洞内の下部電極１３の上面よりも上に位置するコンタクトホールを介して、下部電極１３に接触する導電層２４とを備える。 （もっと読む）

半導体構造の製造方法が提供される。この方法によって、犠牲層（１０３）が堆積され、その犠牲層（１０３）の上方に薄い単結晶半導体層（１０５）が堆積されている、半導体基板（１０１）が設けられる。続いて、単結晶半導体層（１０５）を通じて犠牲層（１０３）の中へ延びる開口部（１０７）が製造される。続いて、適切なデバイス厚まで単結晶半導体層（１０５）をエピタキシャル成長させることによって、デバイス層を生じる。得られるデバイス層が開口部（１０７）の上方に延びるように、かつ開口部の上方に延びるデバイス層の表面部分は単結晶シリコンであるように、単結晶半導体層を成長させる。
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【課題】従来と同等の復帰力を確保しつつ、接触力の向上、印加電圧の低減、および／または、電極の寸法の縮小を実現する。
【解決手段】静電マイクロリレー１０は、ベース１１に設けた固定電極１２と、アクチュエータ２１の可動電極２４との間に電圧を印加して生じる静電引力で可動電極２４を駆動し、ベース１１に設けた固定接点１３ａ・１４ａにアクチュエータ２１に設けた可動接点２６を接離させて電気回路を開閉する。アクチュエータ２１は、ベース１１に立設する支持部２２と、支持部２２から側方に延在し、可動電極２４および可動接点２６を弾性支持する梁部２３とを備える。梁部２３は、支持部２２の側から可動電極２４および可動接点２６の順番で弾性支持している。梁部２３と可動電極２４とを接続する接続部２８は、支持部２２の側からスリット２７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、可動素子を備えたマイクロデバイスに適用されるマイクロデバイス製造用基板及びマイクロデバイスの製造方法に関し、可動素子の破損を防止して、マイクロデバイスの歩留まりを向上させることを課題とする。
【解決手段】 マイクロデバイス形成領域Ｇの境界部分Ｋに対応する第２のＳｉバルク層２９に絶縁層２８を露出する溝部５１を設け、第２構造体１２を形成後に、第２のＳｉバルク層２９側から力Ｆ１と第１のＳｉバルク層２８側から力Ｆ２とを加えて、第２構造体１２を溝部５１に沿って個片化する。 （もっと読む）

膜層およびこの膜層の一面上の第一層およびこの膜層の反対面上の第二層を備えるミクロ機械加工された層状デバイスを作製するための方法であって、この方法は、以下：ｄ）膜層が、基板に塗布される工程；ｅ）基板上の窓が、この膜層が、この基板が加工の間にこの膜層を支持するフレームに作製される間に、この膜層の両側から層を添加することを自由に可能にするために、開放される工程；ｆ）少なくとも一つの層が、この膜の各面に、同時に添加されるか、または、一面に一度に添加される工程；ｄ）このデバイスが、切り出され、基板フレームから取り外される工程；を包含する、方法。
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【課題】 可動部底面がシリコン支持基板表面に張り付くスティクションの発生を抑制した光スイッチ、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 可動部１が、シリコン支持基板３ｃ上に一定の間隙を介した中空状態で保持されており、前記可動部１の先端には、幅広に拡張されたミラー台座１０が設けられ、その上部には角柱状のミラー部６が一体的に形成されている。前記ミラー台座１０底面には、前記シリコン基板３ｃ側へ向かい階段状に突出した凸型段部１０ａが形成され、前記シリコン基板３ａの前記台座部底面と対向する領域には、前記台座部底面側へ向かい階段状に突出した凸型段部３ｄが形成され、互いの凸型段部の先端部が対向配置された構成とする。 （もっと読む）

電気応答デバイス及び電気応答デバイスを製造する方法であって、電気応答材料（例えば、圧電材料）（１３２）を基板材料（１０４）の表面の少なくとも一部の上に適用するステップと、前記電気応答材料の表面の少なくとも一部の上に電極材料（１４０）を適用するステップとを含む。電極材料（１４０）の少なくとも１つの領域が選択的に除去されて、前記電気応答材料が露出される（２４４）。前記電気応答材料の少なくとも一部が、前記電極材料の前記少なくとも１つの領域に対応する領域において選択的に除去される。
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