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国際特許分類[B81C1/00]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | マイクロ構造技術 (6,196) | マイクロ構造装置またはシステムの製造または処理に,特に適合した方法または装置 (1,969) | 基層中または基層上での装置またはシステムの製造または処理 (1,249)

国際特許分類[B81C1/00]に分類される特許

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【課題】 本発明は、耐久性が高い微小構造体、および歩留まりよく微小構造体を製造できる方法を提供する。
【解決手段】 基板11と、基板11上に配置された多層膜14を含む積層部20と、多層膜14を湾曲部Aにおいて湾曲させることによって形成された起立部30とを含む。多層膜14は、格子定数が異なる複数の半導体層14aおよび14bを含み、多層膜14は、複数の半導体層14aおよび14bにおける格子定数の差によって生じた力によって湾曲させられている。湾曲部Aにおける多層膜14には、湾曲部Aの湾曲方向と平行な方向に伸びる溝14hが複数個形成されている。 (もっと読む)


【課題】 狭ギャップ構造を備えた電気機械素子を低コストで製造可能とする製造技術を
提供する。
【解決手段】 本発明の電気機械素子の製造方法は、基板11上に犠牲層12が形成され
る犠牲層形成工程と、前記犠牲層上に第1導電層13,14,15が形成される第1導電
層形成工程と、前記第1導電層の表面にスペーサ層16が形成されるスペーサ層形成工程
と、前記犠牲層上に前記スペーサ層に接する第2導電層17,18が形成される第2導電
層形成工程と、前記犠牲層の一部及び前記スペーサ層が除去されて前記第1導電層又は前
記第2導電層の少なくとも一部13,14が前記基板から離間されるリリース工程と、を
具備することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】構造体のリリース工程で配線への損傷を与えることがなく、耐湿性が良好で信頼
性の向上した、MEMS素子およびMEMS素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板10に可動電極15および固定電極16a,16bから構成され
る構造体18が形成され、構造体18の周辺部に配線21が層間絶縁膜20,22を介し
て積層されたMEMS素子1において、構造体18に対向する層間絶縁膜20,22の側
壁24,25および層間絶縁膜22の表面にシリコンナイトライド膜30が形成されてい
る。 (もっと読む)


【課題】 一対の櫛歯電極を高いアライメント精度で形成するのに適した方法を提供する。
【解決手段】 本発明の櫛歯電極対形成方法は、材料基板70において一対の櫛歯電極(第1および第2櫛歯電極)を形成するための方法である。本方法は、シリコン層70a上に形成されたプリマスクパターン71’上の第1櫛歯電極用のマスク部72a及びシリコン層70a上の第2櫛歯電極用のマスク部72bを含むマスクパターン72を形成する工程、マスクパターン72を用いたエッチング処理により、マスク部72aに対応する第1櫛歯電極用のマスク部71aを含むマスクパターン71をプリ第1マスクパターン71’から形成する工程、マスクパターン71,72を介してシリコン層70aに対してエッチング処理を施し、重なり合うマスク部71a,72aにマスクされた第1櫛歯電極の導体部E1aとマスク部72bにマスクされた残存マスク部70a’とを形成する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】Alの融点温度以上の熱処理が必要な材料を用いて形成したMEMSデバイスを有するMEMSシステムを提供すること。
【解決手段】複層電極20や配線電極28等を形成した半導体デバイスと、その半導体デバイス上に一体的に形成されたMEMSデバイスと、からなるMEMSシステムにおいて、上記半導体デバイスの複層電極20や配線電極28等を、上記半導体デバイス上への上記MEMSデバイスの形成時に加えられる高温熱処理に耐える材料で形成する。 (もっと読む)


本発明は、MEMS製造工程時のウェットプロセスによるビームの基板への吸着を抑え、また、動作時に所要の振動モード以外の不要な振動モードが混在しないMEMS型共振器とその製造方法を提供する。また、本発明は、このようなMEMS型共振器によるフィルタを備えた通信装置を提供する。本発明のMEMS型共振器は、下部電極が形成された基板と基板上に形成されたビームとを備え、基板とビームの間に少なくとも1つの支柱を有して成る。本発明の通信装置は、フィルタとして上記MEMS型共振器フィルタを用いて成る。
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【課題】被加工基板に微細な立体構造を形成する際、フォトリソグラフィー工程等を必要とせず、FIBの照射によるスパッタリング手法よりも高能率であり、基板材料の再付着による形状精度の劣化が無く、任意の形状、高さの微細構造物を製作可能な方法を得る。
【解決手段】S1では形成すべき凹部の深さに応じてFIBのドーズ量、加速電圧を調整しながら単結晶シリコン(100)面にFIBを照射する。S2ではアセトン、純水を用いた超音波洗浄を行う。S3では単結晶シリコン基板を23℃程度のHF水溶液に浸漬して超音波振動を加えてエッチングし、確認のためにS4でAFMにより形成された構造を観測すると、FIB照射を行った基板表面に高さ数nm程度の凸状の隆起が生じている。この基板をエッチングすると非照射部はエッチングされないのに対して、照射部はエッチングされ、照射条件によって高さの異なる段差が形成される。 (もっと読む)


【課題】 ビーム型振動子において共振周波数の変更や調整を可能とすることにより、振動子の種々の用途への柔軟な対応が可能な振動子構造体を提供する。
【解決手段】 本発明の振動子構造体100は、基板と、基板上に形成された固定電極110と、固定電極上に間隙を介して対向し、固定電極に対向する部分の周囲の複数箇所で基板上の支持固定部115に固定されてなる可動電極120とを有する振動子構造体において、固定電極と支持固定部との間に可動電極に対向する補助電極101Aを形成し、電位制御により補助電極と可動電極との間に生ずる静電力を変化可能に構成する補助制御手段SW,Vp,Vqを設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 不要な振動モードによる機能的影響を低減できる振動子構造体を提供する。
【解決手段】 本発明の振動子構造体100は、基板101と、該基板上に形成された固定電極110と、該固定電極上に間隙を介して対向配置される可動電極120と、該可動電極の外縁に接続され、前記可動電極を前記基板に対して支持する支持梁125とを有する振動子構造体において、前記可動電極には、前記可動電極の厚さを局部的に厚くする補強リブ122,123,124を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 容易に可動部を封止することが可能で、スイッチとして良好な特性を有し、信頼性の高いエレクトロメカニカルスイッチを提供する。
【解決手段】 基板10上に凹部13が形成されており、凹部13の底面に下部電極11と駆動電極12とが配設され、基板10上に凹部13を封止するように封止基板20が配設されており、封止基板20の下面の凹部13と対向する部位に薄板部21が周囲に張り出して一体に形成された可動腕24を介して取着され、薄板部21の駆動電極12と対向する部位に上部駆動電極23が、下部電極11と対向する部位に上部電極22がそれぞれ配設されており、薄板部21は可動腕24の変形とともに底面側に移動して上部電極22が下部電極11に電気的に接続するように変形可能であるエレクトロメカニカルスイッチである。基板10上に封止基板20を配設することで、駆動部となる薄板部21および可動腕24の設置と駆動部の封止とを同時に行なうことができる。 (もっと読む)


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