【課題】 可動部底面がシリコン支持基板表面に張り付くスティクションの発生を抑制した光スイッチ、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 可動部１が、シリコン支持基板３ｃ上に一定の間隙を介した中空状態で保持されており、前記可動部１の先端には、幅広に拡張されたミラー台座１０が設けられ、その上部には角柱状のミラー部６が一体的に形成されている。前記ミラー台座１０底面には、前記シリコン基板３ｃ側へ向かい階段状に突出した凸型段部１０ａが形成され、前記シリコン基板３ａの前記台座部底面と対向する領域には、前記台座部底面側へ向かい階段状に突出した凸型段部３ｄが形成され、互いの凸型段部の先端部が対向配置された構成とする。 （もっと読む）

電気応答デバイス及び電気応答デバイスを製造する方法であって、電気応答材料（例えば、圧電材料）（１３２）を基板材料（１０４）の表面の少なくとも一部の上に適用するステップと、前記電気応答材料の表面の少なくとも一部の上に電極材料（１４０）を適用するステップとを含む。電極材料（１４０）の少なくとも１つの領域が選択的に除去されて、前記電気応答材料が露出される（２４４）。前記電気応答材料の少なくとも一部が、前記電極材料の前記少なくとも１つの領域に対応する領域において選択的に除去される。
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本発明に係るマイクロスイッチング素子（Ｘ１）は、フレーム（１１）と、櫛歯電極部（１２）と、相互に離隔する一対の固定コンタクト電極（１３）と、可動部（２０）と、可動部（２０）およびフレーム（１１）を連結するための一組の支持梁（３０Ａ）および一組の支持梁（３０Ｂ）と、を備える。可動部（２０）は、櫛歯電極部（１２）と協働して静電気力を発生させるための櫛歯電極部（２３）、および、固定コンタクト電極（１３）に対向する可動コンタクト電極（２１）を有し、固定コンタクト電極（１３）および可動コンタクト電極（２１）が当接する位置と離隔する位置との間で変位することが可能である。一組の支持梁（３０Ａ）および一組の支持梁（３０Ｂ）は、可動部（２０）の変位の方向に離隔している。
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【課題】 同じ電圧をかけたときの発生圧力が高く、絶縁耐性に優れた絶縁膜を備えた静電アクチュエータ、この静電アクチュエータを適用した液滴吐出ヘッド及びその製造方法、この液滴吐出ヘッドを適用した印字性能等の高い液滴吐出装置並びに上記の静電アクチュエータを適用した駆動性能の高いデバイスを提供する。
【解決手段】 振動板１２と、該振動板１２にギャップを隔てて対向する対向電極１７と、振動板１２の対向電極１７側の表面に形成された絶縁膜１６とを備え、該絶縁膜１６は、少なくとも酸化シリコンよりも比誘電率が高い物質からなる高誘電率膜１６ａを有するものである。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路装置（ＣＭＯＳ等）と微小機械とを半導体基板上にモノリシックに集積化した集積化ＭＥＭＳの製造技術において、半導体集積回路装置の通常の製造技術とは異なる特別な工程を使用することなく集積化ＭＥＭＳを製造できる技術を提供する。
【解決手段】 ＣＭＯＳ集積回路プロセスを使用して、集積回路とともにＭＥＭＳ構造体を形成する。例えば、加速度センサを形成する場合には、可動錘１０９、弾性梁１１０および固定梁１１１よりなる構造体をＣＭＯＳの配線形成技術を使って形成する。その後、ＣＭＯＳプロセスで層間絶縁膜１１２などをエッチングして空洞部１１５を形成する。そして、エッチングに使用した微細孔１１３を絶縁膜で封止する。 （もっと読む）

【課題】製造するのが容易で、かつ高い変形率を有するマイクロエレクトロメカニカルシステムを提案する。
【解決手段】マイクロエレクトロメカニカルシステムは梁１と、静電相互作用によって梁に結合された電極１０とを有する。梁は、弾性曲げ変形を受けるように構成され、概ね一定の断面を有している。梁１は、梁の全長Ｌにわたり延び、各々が断面の外側寸法ｗ、ｔよりも小さい厚さを有する４つの平坦な面Ｐ₁〜Ｐ₄からなっている。これによって、梁１の曲げ振動周波数が、同じ外側寸法のソリッドな梁と比較して大きくなる。このようなマイクロエレクトロメカニカルシステムは、非常に短い遷移時間を必要とする用途、すなわち高周波発振器および共振器を製造するのに適している。 （もっと読む）

【課題】基板から遊離して空中に浮き上がった状態で配置される遊離部を有するカンチレバー等の機能層を備えたデバイスを精密にかつ容易に製造することができるデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】光透過性を有するダミー基板１上に光分解性樹脂層２を形成する光分解性樹脂層形成工程と、前記光分解性樹脂層上に前記機能層５を形成する機能層形成工程と、前記機能層５および本基板７の少なくともいずれか一方に前記接着層６を形成する接着層形成工程と、前記機能層５と本基板７とを前記接着層６を介して接着する本基板接着工程と、本基板接着後、前記光分解性樹脂層２に対して光分解性樹脂層２を分解可能な光線８をダミー基板１越しに照射して光分解性樹脂を分解し、前記ダミー基板１を剥離するダミー基板除去工程とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】構造体のリリース工程で配線への損傷を与えることがなく、耐湿性が良好で信頼
性の向上した、ＭＥＭＳ素子およびＭＥＭＳ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０に可動電極１５および固定電極１６ａ，１６ｂから構成され
る構造体１８が形成され、構造体１８の周辺部に配線２１が層間絶縁膜２０，２２を介し
て積層されたＭＥＭＳ素子１において、構造体１８に対向する層間絶縁膜２０，２２の側
壁２４，２５および層間絶縁膜２２の表面にシリコンナイトライド膜３０が形成されてい
る。 （もっと読む）

【課題】 狭ギャップ構造を備えた電気機械素子の素子構造や素材選択の自由度を高める
ことのできる製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電気機械素子の製造方法は、基板１１上に犠牲層１２を形成する
犠牲層形成工程と、犠牲層１２上に開口部１３ａを備えた電極層１３を形成する電極層形
成工程と、開口部１３ａ内に一部が配置されたアンカー層１５を形成するアンカー層形成
工程と、犠牲層１２の少なくとも一部を除去して電極層１３を１１基板から離間させ、ア
ンカー層１５により支持された状態とする電極リリース工程と、を具備することを特徴と
する。 （もっと読む）

【課題】 長期的に安定な構造を有するマイクロ流路デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 マイクロ流路デバイス１０の製造方法は、溝１が形成された基板１２上に、プラズマプロセスを用いて、溝１に沿って延びる空洞５が溝１内に形成されるようにケイ素酸化物膜３を形成する成膜工程を含む。特に、誘導結合プラズマＣＶＤ法を用いてケイ素酸化物膜３を形成することが好ましい。 （もっと読む）