【課題】その丈が均一なスプリングデバイス並びにその製造及び使用方法を提供する。
【解決手段】基板１６０、基板１６０上に設けられた自動リリース層１７０並びに自動リリース層１７０上に設けられた応力固有金属層１８０によりスプリングデバイス１５０を構成する。応力固有金属層１８０内の応力によって自動リリース層１７０対応力固有金属層１８０間接着力より強い剥離力を発生させる。また、このスプリングデバイス１５０は、準備した基板１６０上に自動リリース層１７０を設け更にその上に応力固有金属層１８０を設けるという方法で、応力固有金属層１８０内の応力によって自動リリース層１７０対応力固有金属層１８０間接着力より強い剥離力が発生するよう、製造する。 （もっと読む）

マイクロマシニング型の装置を製造する方法及びマイクロマシニング型の装置が提案されており、この装置は基板材料（１０）、ダイアフラム（２０）、及びダイアフラム領域（２１）に基板材料（１０）とダイアフラム（２０）との間に位置する中空室（３０）とを有しており、第１のエッチングステップでまず孔（４０）がダイアフラム（２０）内に形成され、次いで中空室（３０）が、第２のエッチングステップにより形成される。
（もっと読む）

【課題】ポリマーを、１次エッチングしたシリコン基板の傾斜面上にクラッド層として形成した精密なミラー面を持つマイクロミラーマイクロミラーを提供する。
【解決手段】第１傾斜面４１及び第２傾斜面４２が対向するように形成されたシリコン基板４０と、第１傾斜面４１及び第２傾斜面上４２にそれぞれ形成された第１ミラー面５１及び第２ミラー面５２を備えたクラッド層５０と、を備え、クラッド層５０が光反射面となるマイクロミラーである。 （もっと読む）

【課題】 高分子膜上に構造の選択性の自由度が高く、規則性が高い２次元周期構造部を形成できる感光性高分子膜表面上への規則的な２次元周期構造部の形成方法を提供する。
【解決手段】 感光性高分子膜表面上への規則的な２次元周期構造部の形成方法は、下記の第１工程〜第２工程を具備することを特徴とする。第１工程：感光性機能を有する高分子膜の表面に、該高分子膜に感光性機能を発揮させる波長領域のパルスレーザー光を、マスクを介さずに干渉露光させることにより、表面レリーフグレーティング構造部または表面レリーフグレーティング構造を経由して形成された釣鐘型凸状構造部を作製する工程；第２工程：高分子膜の位置またはパルスレーザー光による干渉露光の方向を、第１工程の場合に対して直交方向に回転させた後、前記第１工程と同様にして、高分子膜の表面にパルスレーザー光を、マスクを介さずに干渉露光させることにより、高分子膜の表面に規則的な２次元周期構造部を作製する工程 （もっと読む）

【課題】通常のエッチングよりも浅い凹部を等方性エッチングにより容易に形成する。
【解決手段】まず、基板の主面上に第１レジスト膜および第２レジスト膜が形成される（ステップＳ１１）。続いて、露光および現像が行われ、第１レジスト膜上の第１エッチング開始領域において網点状に離散的に配列された複数の第１開口が形成され、第２エッチング開始領域において完全な開口である第２開口が形成される（ステップＳ１２，Ｓ１３）。次に、基板に対して等方性エッチングが行われ、第１開口および第２開口の下方に第１凹部および第２凹部が形成される（ステップＳ１４）。その後、基板から第１レジスト膜および第２レジスト膜が除去される（ステップＳ１５）。第１凹部予定領域では、第２凹部予定領域に比べて、新しいエッチング液が凹部に流入しにくく、また、凹部内のエッチング液が流出しにくい。その結果、第２凹部よりも浅い第１凹部が形成される。 （もっと読む）

【課題】シリコン・ガス放出が低下しまたは無くなるシリコン含有レジスト配合物を提供すること。
【解決手段】特に１９３ｎｍ以下の波長の画像形成放射線を使用する２層または多層リソグラフィ適用例において、シリコン・ガス放出量が低くかつ高分解能リソグラフィ性能を有するシリコン含有レジスト組成物は、シリコンを含有した酸に不安定ではないペンダント基を有する画像形成ポリマーの存在によって可能になる。本発明のレジスト組成物は、さらに、シリコンを含有して酸に不安定な部分が実質的に存在しないことを特徴とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一つの干渉変調器素子を形成する方法を提供する。
【解決手段】干渉変調器素子を形成する方法は、スピンオングラスで形成されたポスト等の少なくとも２つのポストを基板上に形成することを含む。代替の実施形態において、前記ポストは、前記変調装置体のある層が前記基板上に堆積された後に形成してもよい。干渉変調器体は、前記基板上に配設された少なくとも２つのスピンオングラス支持ポストを含む。代替の実施形態において、前記支持ポストは、前記基板上ではなく、前記変調装置体のある層を覆って配設してもよい。干渉変調器体を形成する方法は、支持ポストを覆って硬いキャップを形成することを含む。干渉変調器体は、硬いキャップ部材を有する支持ポストを含む。 （もっと読む）

カソードからのとるに足らないスパッタリングと、その後のキャビティ内の不活性ガスを葬ることを最小にすることにより、検出器の長い寿命を生じさせ、高圧キャビティ（２６）を可能にし、カソード（１８）とアノード（１５）との間の小さなギャップを備えた光検出器（１０）を有するセンサ。検出器は、ＭＥＭＳ技術で作られる。センサは、光センサ（１０）のアレイを包含しうる。検出器のいくつかは、ＵＶ検出器であって良い。
（もっと読む）

【課題】干渉変調器の支柱構造から逆反射する光の量を減らし、バックライトニングを増加させ、よりコントラストの高い、より豊富で鮮やかな色特性を持つ干渉変調器の支柱構造を提供する。
【解決手段】干渉変調器は、光学要素を備えた支柱構造を含む。好適な実施例では、支柱構造内の光学要素は、例えばミラーのような反射要素である。別の実施例では、支柱構造内の光学要素は、例えばダークエタロンのようなエタロンである。支柱構造内の光学要素は、支柱構造から逆反射する光の量を減少させる。種々の実施例において、支柱構造内の光学要素は、光を干渉キャビティにリダイレクトすることによって干渉変調器の明るさを増大させる。例えば、ある実施例では、支柱構造内の光学要素は、干渉変調器のバックライトニングを増加させる。 （もっと読む）

【課題】 複雑な工程管理を必要とせず、容易に固着防止の突起を可動部に形成できるＭＥＭＳ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１にｎ型領域３を形成する工程と、半導体基板１にｎ型領域３に隣接してｐ型領域５を形成する工程と、ｎ型領域３およびｐ型領域５上に熱酸化によりＳｉＯ_２からなる犠牲層６を形成する工程と、犠牲層６の上に薄膜よりなる可動部形成膜８を形成する工程と、可動部形成膜８の下の犠牲層６の一部を除去して支持部９および可動部１０をリリースする工程を備える。 （もっと読む）