【課題】 多段構造体の各底面に電極を有する電鋳型とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 電鋳法で用いられ、二層以上の多段構造を有する電鋳型において、導電性を有する導電体を有し、導電体上に階段状に形成された樹脂と、樹脂の各層の上に形成された電極とを有し、導電体および電極の少なくとも一部が露出され、電極が樹脂よりも突出した形状を有していることを特徴とする電鋳型とした。 （もっと読む）

【課題】インク流路壁となる被覆樹脂層を形成する際に、溶解力の強い溶媒を用いてもインク流路パターンの形崩れのおそれがない、高品位のインクジェットヘッドの製造方法、該製造方法で製造されたインクジェットヘッドを提供する。
【解決手段】エネルギー発生素子が設けられた基板面上に、第一の波長域の電離放射線の照射により分子間架橋反応が進行し、第一の波長域と異なる第二の波長域の電離放射線の照射により主鎖分解型の分子崩壊反応を生じる感光性樹脂組成物層を形成し、第一の波長域の電離放射線の照射及び現像処理によりインク流路パターンを形成する。そして、その上にインク流路壁となる被覆樹脂層を形成し、インク吐出口を形成後、第二の波長域の電離放射線を照射してインク流路パターンを形成している感光性樹脂組成物層を溶解除去する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に液体の通流路となる単数または複数のマイクロチャネルを形成するに当たり、深さの製作精度を向上させたマイクロチャネルを提供する。
【解決手段】 本発明のマイクロチャネルは、形成すべきマイクロチャネルの深さに相当する厚みのＰ型シリコン層３を上部に有するＮ型シリコン層２を用い、Ｐ型シリコン層３を選択的に陽極酸化した後、ガスまたは薬液を用いてポーラスシリコン領域１１を選択的に除去することによって製造する。 （もっと読む）

【課題】 ポリシリコン構造体が、ＭＥＭＳレゾネ−タの製造工程中における電荷の蓄積による破壊されることを防止する。
【解決手段】 ＭＥＭＳレゾネ−タは、ポリシリコン構造体５０と、ｐ型のＳｉ基板２０と、がアンカー部５１で直接接続されるＭＥＭＳレゾネ−タ１０であって、前記アンカー部５１において、前記Ｓｉ基板２０の前記ポリシリコン構造体５０との接続面に熱拡散工程によって形成されるｎ⁺層から成る拡散層２５と、拡散層２５とＳｉ基板２０との界面に形成されるダイオード６０と、を備える。 （もっと読む）

本発明は集積回路及び保護カバーのような重ねられた微細構造の集合的製作に関する。
各々が重ねられた第一と第二の要素を備えた個々の構造は集合的に製作される。第一の要素（例えば集積回路チップ）は第一の板（１０）上に用意され、第二の要素（例えば透明カバー）は第二の板（４０）の上に用意される。板はそれらの対向面の主要部分にわたって互いに接着されているが、付着のない限られた区域（ＺＤ_n）では接着されない。個々の構造は次に一方で上端部を経由し、他方で底部を経由して、付着のない区域を通る異なった平行な切断線（ＬＨ１_n、ＬＨ２_n、ＬＤ_n）に沿って切り取られ、切り取り後に第一の要素が第二の要素によって覆われない表面部分（平行な切断線の間にある部分）を保有するようにする。接続端子（ＰＬ_n）は従ってこの場所においてアクセス可能なまま残り得る。
ガラス板で覆われたイメージセンサ又はディスプレイの製作へだけでなく、一般にあらゆる種類の微細加工された構造（ＭＥＭＳ、ＭＯＥＭＳ）にも適用される。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳ製造プロセス工程で高精度な上部電極と下部電極の電極間距離を形成し、安定した振動モードと振動周波数を得られるＭＥＭＳレゾネ−タ及び工程を短縮できる製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＭＥＭＳレゾネ−タ１０は、半導体基板２０の表面に半導体製造プロセスによって形成される上部電極部３１を有する振動体３０と、振動体３０と半導体基板２０との間にゲート酸化により形成される犠牲層２５によって設けられる第１の空隙３５，第２の空隙３６と、上部電極部３１に対向して半導体基板２０に拡散層を設けることによって形成される下部電極５０と、が備えられている。 （もっと読む）

【課題】対象物に対しエッチングを施して微細な構造体を製造する場合であっても、エッチングの終了を正確かつ確実に検出することができるエッチングの終了検出方法、エッチング終了検出用構造体、および、エッチング方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング終了検出用構造体は、マスク１１’を介して被エッチング層１０３’に対し加工対象物へのエッチングと同一または等価な条件のもとでエッチングを行うとき、開口部１１３に対応する被エッチング層１０３’の部分がエッチング停止材１０２’に達するまで除去され、エッチング停止材１０２’に沿ってサイドエッチングが生じることにより、検出用部分１１４に対応する被エッチング層１０３’の部分がエッチング停止材１０２’から離脱し、これにより、エッチングの終了を検出する。 （もっと読む）

光変調デバイス（２００、３００、３００−１、３００−２、３００−３、３００−４、３０５、１１００）は、下側電荷プレート（２１０、３１０、３１０−３、３１０−４）と、少なくとも１つの可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）によって支持される、反射性の上側表面を含むピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）であって、可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）は当該ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）の概ね下に配置される、ピクセルプレートと、上側電荷プレート（５４０、６３５、６４０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体あるいはマイクロマシン製造工程中において、下地基板からデバイスを容易に分離できるインターフェースを形成する方法を提供する。
【解決手段】プロセス基板１０とデバイス２０の間において、接合性が弱い材質、あるいは製造工程中にエッチングによって容易に除去できる材質で、外力で破壊することで分離できるインターフェース３０を構成し、デバイス製造の後工程内において、前記分離できるインターフェース３０を破壊して、デバイス２０をプロセス基板１０から分離する。特に、前記分離できるインターフェース３０で形成したマイクロマシン薄膜を介することで、構造上プロセス基板を必要としないだけでなく、可撓性を具え、かつ上下両面にも回路接点や微構造、あるいはマイクロマシンデバイスを具備するように製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 単一の波長のレーザ光により、異種材料からなる積層体を切断する。
【解決手段】 レーザを透過するガラス１２及び１４は、レーザを吸収するシリコン基板１４と積層体を形成する。ガラス１２及び１４のシリコン基板１４に接する面には、デバイスチップを切断する切断線に合致した溝１３及び１７が形成されている。レーザビーム２３を、Ｎ_２ガス２７を吹き付けながら、積層体１０に照射する。ビーム２３は、シリコン基板で吸収され、溶融したシリコンが溝１３内で飛散し、溝内に付着したシリコンがレーザで加熱されることにより、ガラス１２が切断される。溶融したシリコンはまた、シリコン基板１４に生じた貫通孔を通ってガラス１４の溝１７に充填される。溝１７に充填されたシリコンがレーザで加熱されることにより、ガラス１４が切断される。 （もっと読む）