ワイヤ挿入溝を有するチップ要素の製造方法
【課題】マイクロ電子チップに電力を供給するための２本の導電ワイヤを固定する溝を、溝間の距離を高精度に、かつ再現性良く形成する方法を提供する。
【解決手段】ウエハ２０上に形成された複数のデバイス２２から、溝１４を有する複数のチップ要素を製造するチップ要素製造方法において、製造ステップが、前記ウエハ２０上に犠牲膜２６を前記溝が形成されるような高さで堆積し、前記各デバイス２２の中央部を露出させたまま、かつ前記デバイスの端部を覆うように堆積する堆積ステップと、前記犠牲膜上にモールド２８を塗布する塗布ステップと、前記モールドに硬化性材料３０を注入する注入ステップと、前記硬化性材料を硬化させる硬化ステップと、前記ウエハを前記デバイスの間においてダイシングするダイシングステップと、前記犠牲膜を除去する除去ステップとからなる。
【解決手段】ウエハ２０上に形成された複数のデバイス２２から、溝１４を有する複数のチップ要素を製造するチップ要素製造方法において、製造ステップが、前記ウエハ２０上に犠牲膜２６を前記溝が形成されるような高さで堆積し、前記各デバイス２２の中央部を露出させたまま、かつ前記デバイスの端部を覆うように堆積する堆積ステップと、前記犠牲膜上にモールド２８を塗布する塗布ステップと、前記モールドに硬化性材料３０を注入する注入ステップと、前記硬化性材料を硬化させる硬化ステップと、前記ウエハを前記デバイスの間においてダイシングするダイシングステップと、前記犠牲膜を除去する除去ステップとからなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ電子チップ要素（microelectronic chip elements）に関するものであり、その最大ディメンジョンはミリメートルよりも小さいものとすることができ、例えばチップに電力を供給する目的を果たす導電ワイヤを固定する（secure）ものである。
【背景技術】
【０００２】
図１は、国際特許出願２００９／１１２６４４に記載された、２つの平行なワイヤ１２ａ及び１２ｂを固定するチップ要素１０の透視図を示す。要素１０は、通常、平行四辺形の面を有する６面体（parallelepipedic）形状であり、２つの対向する側面は、それぞれ平行な溝１４ａ及び１４ｂを有し、溝は要素１０の長さ全体に及ぶものである。これらの溝のそれぞれは、ワイヤ１２ａ及び１２ｂのうちの１つを受けている。
【０００３】
ワイヤ１２ａ及び１２ｂは通常電気接続の役割を持ち、例えば、要素１０のチップに形成された発光ダイオードに電流を供給するものである。従って、ワイヤ１２ａ及び１２ｂは接続され、各溝の側壁に形成された伝導バンプ１６を用いてチップと電気的に接続される。溝の幅とバンプ１６の高さとはワイヤ１２の直径に従って選択され、各ワイヤがバンプと溝１４の対向する側壁との間に差し込まれる。
【０００４】
図１のタイプの要素は通常２つの部分で形成される。第１の部分１８ａは、要素の下の１／３部分（the bottom third）であり、チップにより形成される。第２の部分１８ｂは、要素の残りの上部分であり、保護カバーを形成する。チップのアクティブ表面は、カバー１８ｂと向かい合っており、バンプ１６を備え、溝１４の第１の側壁を形成する。カバー１８ｂは、Ｔ型の断面を有しており、溝の第２の側壁と底面とを形成することができる。
【０００５】
チップ要素１０の小ささのために、チップ１８ａ上にカバー１８ｂをアセンブルすることはいくつかの問題を生じさせることとなる。特に、再現性を持って（in reproducible manner）、溝１４の側壁を離す（separating）距離を確保（respect）することは難しい。上記の国際特許出願２００９／１１２６４４に記載されているように、一方の側にあるバンプ１６と他方の側にあるバンプと対向する溝の側壁との間の溝に挟まれたゴム（elastic）により、ワイヤ１２を固定することが必要とされる。離す距離が大きい場合には、ワイヤ１２を挟むことができない。離す距離が小さい場合には、要素１０を破壊することなく、溝の中にワイヤ１２を挿入することはできない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、再現性と正確性と持った溝の側壁の間の距離を得ることができる手段を提供することが求められている。
【０００７】
従って、この要求に合わせるようにするために、製造方法は、ウエハ（２０）上に形成された複数のデバイス（２２）から、溝（１４）を有する複数のチップ要素（１０）を製造することを提供する。この方法は、ウエハ（２０）上に犠牲膜（２６）を溝が形成されるような高さ（level）で堆積し、各デバイス（２２）の中央部を露出させたまま、且つ、デバイスの端部を覆うようにする堆積ステップと、犠牲膜上にモールド（２８）を塗布する（applying）塗布ステップと、モールドに硬化性材料（３０）を注入する注入ステップと、硬化性材料を硬化させる硬化ステップと、ウエハをデバイスの間においてダイシングするダイシングステップと、犠牲膜を除去する除去ステップと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、前述の、２つのワイヤを固定するチップ要素の透視図である。
【図２】図２Ａから図２Ｆは、方法の各ステップを示すものであり、これにより、正確且つ再現性がある幅の溝を有するチップ要素を製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
他の利点及び特徴は、本発明の特定の実施形態についての下記の説明により、さらに明らかにされる。本発明の特定の実施形態は、単なる例示であって、本発明を限定するものではない。本発明の特定の実施形態は、添付の図面により示される。
【００１０】
図２Ａはウエハ２０の断面の部分を示し、ウエハ上には、集積されたデバイス２２のセットが、所望のチップ要素のチップ１８ａに対応するように形成されている。これらのデバイス２２のそれぞれは、それらの２つの端部に、後にワイヤ１２との接続を確立する目的のための伝導バンプ１６を有する。
【００１１】
ウエハ２０は、例えばシリコンから形成され、この例においては、ウエハ２０の厚さは最終的なチップ要素の所望のディメンジョンと両立できるように（compatible）、薄いものとなっている。好ましくは、ウエハ２０は薄く、剛性（regidity）が減少していることから、ウエハ２０は、その裏面を介して支持プレート、又は“ハンドル”２４に固定され、製造方法の各ステップにおいて所望の剛性を持ったアセンブリを与える。支持プレート２４上のウエハ２０のアセンブリは、通常、デバイス２２の様々な製造オペレーションの間において高い温度にさらされることに耐える役割を持っていなくてはならない。
【００１２】
図２Ｂにおいては、犠牲膜２６が薄膜状にウエハ２０の上面の上に堆積され、例えば１００μｍである。この膜２６は、半導体分野の通常の技術により、パターニング、平坦化、及び、除去が可能であるような材料から形成される。材料は、例えば、樹脂、ポリイミド、又は金属である。
【００１３】
以下からわかるように、この膜２６の厚さは、将来の溝１４の幅を決定する。通常の堆積技術は、膜の厚さにおける十分に満足するような正確性を得ることを可能にする。正確性が求められる距離は、実際、溝の対向する壁から、各バンプ１６の上面を離す距離である。バンプ１６を形成する技術もまた、所望の正確性を得ることを可能にする。
【００１４】
図に示されるように、例えばフォトリソグラフィを用いて膜２６はパターニングされ、デバイス２２の中央部を露出しつつ、バンプ１６を有する端部（将来、溝の第１の側壁を形成するようにデザインされた領域）を覆う。パターニングは、好ましくは異方性のものであり、膜２６の開口部は、ウエハと垂直な壁となり、これらの壁は将来溝の底面を定めることとなる。
【００１５】
図２Ｃにおいて、デバイス２２に対応する空間を備えるモールド２８を、膜２６上に塗布する。モールド２８の空間は、膜２６の孔とともに、例えばＴ型断面を持ったカバーといった、将来のチップ要素のカバー１８ｂの形状を決定する。
【００１６】
カバーになるような所望の性質を有する硬化性液体３０は、例えばデバイス２２が発光ダイオードである場合には透過性エポキシ樹脂であり、モールド２８の各空間に注入される。
【００１７】
図２Ｄには、樹脂３０が硬化し、モールド２８を外した後の結果が示されている。樹脂３０は、デバイス２２を覆い、カバー１８ｂを形成し、デバイス２２の周辺の領域における膜２６を露出する。
【００１８】
図２Ｅにおいて、上面を介してダイシングが行われ、デバイス２２を切り離し、チップ１８ａを形成する。このようにして、ダイシングカット３２は、カバー１８ｂの間のモールドによって残された空間を貫通し、膜２６を貫通し、且つ、ウエハ２０を貫通することなくウエハ２０を刻む（start to cut）。
【００１９】
図２Ｆにおいて、例えばプラズマや化学エッチングを用いて、残った犠牲膜２６を除去する。カバー１８ｂにより決定された溝１４は、このようにしてチップ１８ａのバンプ１６の上に現れる。
【００２０】
犠牲膜２６の除去は、好ましくはダイシングの後に行われる。この順番で進めることによって、ダイシングのけずりくずが溝１４の中に堆積することを避け、後にワイヤ１２とバンプ１６との間の電気的接続の確立を妨げることを避ける。
【００２１】
支持プレート２４を外すことを行い、続いて、個々のチップ要素１０を得るために、ダイシングカットの底面における面Ｐまで、裏面のウエハ２０を研磨する。
【００２２】
プレート２４を外し、研磨している間に、ウエハ２０を固定保持するために、カバー１８ｂを、例えば除去可能な接着支持体（不図示）の上に押し付けることができる。研磨後、個々のチップ要素１０は、接着支持体の上に重ねられ、ウエハのダイシング後の従来のチップの状態と似た状態におかれる。チップ要素は、従来のチップハンドリングツールにより、利用する（exploit）ことができる。
【００２３】
変形例によれば、図２Ｅのダイシングステップの前に支持プレート２４は外され、ウエハ２０は、その裏面を介して除去可能な接着支持体に固定される。ダイシングカット３２は、ウエハ２０を貫通し、接着支持体を切り込む（cut into）。
【００２４】
チップ要素の製造を完了するために、後は、未処理のままであった溝１４の面に位置する犠牲膜２６の残った部分を除去する。この除去は、接着と相性の良い低い温度の方法を用いて行われることが好ましく、例えば、化学エッチングにより除去することが可能な金属から形成された犠牲膜２６を与えることによって行われる。
【００２５】
先の場合には、支持体の上に積み重ねられた各々のチップ要素１０のセットを持ち、従来のハンドリングツールによりすぐに用いることができる。この変形例においては、カバー１８ｂにより支持体の上に積層する代わりに、要素は、チップ１８ａにより積層される。
【００２６】
この変形例の利点の１つは、ウエハ２０の裏面の研磨ステップを避け、研磨による削りくずが溝１４の中に堆積するリスクを避けることである。
【００２７】
他の実施形態によれば、図２Ｃに示されるモールドは、各デバイス２２のそれぞれに対して個々の空間を備えず、しかし、デバイス２２のセット全体を覆うように伸びる１つの空間を備える。この場合、樹脂３０の注入及び硬化の後、図２Ｄのステップにおいて、犠牲膜２６を均一に覆う樹脂３０の層となる。個々のカバー１８ｂは、図２Ｅのステップにおいて、ダイシングカット３２により形成される。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ電子チップ要素（microelectronic chip elements）に関するものであり、その最大ディメンジョンはミリメートルよりも小さいものとすることができ、例えばチップに電力を供給する目的を果たす導電ワイヤを固定する（secure）ものである。
【背景技術】
【０００２】
図１は、国際特許出願２００９／１１２６４４に記載された、２つの平行なワイヤ１２ａ及び１２ｂを固定するチップ要素１０の透視図を示す。要素１０は、通常、平行四辺形の面を有する６面体（parallelepipedic）形状であり、２つの対向する側面は、それぞれ平行な溝１４ａ及び１４ｂを有し、溝は要素１０の長さ全体に及ぶものである。これらの溝のそれぞれは、ワイヤ１２ａ及び１２ｂのうちの１つを受けている。
【０００３】
ワイヤ１２ａ及び１２ｂは通常電気接続の役割を持ち、例えば、要素１０のチップに形成された発光ダイオードに電流を供給するものである。従って、ワイヤ１２ａ及び１２ｂは接続され、各溝の側壁に形成された伝導バンプ１６を用いてチップと電気的に接続される。溝の幅とバンプ１６の高さとはワイヤ１２の直径に従って選択され、各ワイヤがバンプと溝１４の対向する側壁との間に差し込まれる。
【０００４】
図１のタイプの要素は通常２つの部分で形成される。第１の部分１８ａは、要素の下の１／３部分（the bottom third）であり、チップにより形成される。第２の部分１８ｂは、要素の残りの上部分であり、保護カバーを形成する。チップのアクティブ表面は、カバー１８ｂと向かい合っており、バンプ１６を備え、溝１４の第１の側壁を形成する。カバー１８ｂは、Ｔ型の断面を有しており、溝の第２の側壁と底面とを形成することができる。
【０００５】
チップ要素１０の小ささのために、チップ１８ａ上にカバー１８ｂをアセンブルすることはいくつかの問題を生じさせることとなる。特に、再現性を持って（in reproducible manner）、溝１４の側壁を離す（separating）距離を確保（respect）することは難しい。上記の国際特許出願２００９／１１２６４４に記載されているように、一方の側にあるバンプ１６と他方の側にあるバンプと対向する溝の側壁との間の溝に挟まれたゴム（elastic）により、ワイヤ１２を固定することが必要とされる。離す距離が大きい場合には、ワイヤ１２を挟むことができない。離す距離が小さい場合には、要素１０を破壊することなく、溝の中にワイヤ１２を挿入することはできない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、再現性と正確性と持った溝の側壁の間の距離を得ることができる手段を提供することが求められている。
【０００７】
従って、この要求に合わせるようにするために、製造方法は、ウエハ（２０）上に形成された複数のデバイス（２２）から、溝（１４）を有する複数のチップ要素（１０）を製造することを提供する。この方法は、ウエハ（２０）上に犠牲膜（２６）を溝が形成されるような高さ（level）で堆積し、各デバイス（２２）の中央部を露出させたまま、且つ、デバイスの端部を覆うようにする堆積ステップと、犠牲膜上にモールド（２８）を塗布する（applying）塗布ステップと、モールドに硬化性材料（３０）を注入する注入ステップと、硬化性材料を硬化させる硬化ステップと、ウエハをデバイスの間においてダイシングするダイシングステップと、犠牲膜を除去する除去ステップと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、前述の、２つのワイヤを固定するチップ要素の透視図である。
【図２】図２Ａから図２Ｆは、方法の各ステップを示すものであり、これにより、正確且つ再現性がある幅の溝を有するチップ要素を製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
他の利点及び特徴は、本発明の特定の実施形態についての下記の説明により、さらに明らかにされる。本発明の特定の実施形態は、単なる例示であって、本発明を限定するものではない。本発明の特定の実施形態は、添付の図面により示される。
【００１０】
図２Ａはウエハ２０の断面の部分を示し、ウエハ上には、集積されたデバイス２２のセットが、所望のチップ要素のチップ１８ａに対応するように形成されている。これらのデバイス２２のそれぞれは、それらの２つの端部に、後にワイヤ１２との接続を確立する目的のための伝導バンプ１６を有する。
【００１１】
ウエハ２０は、例えばシリコンから形成され、この例においては、ウエハ２０の厚さは最終的なチップ要素の所望のディメンジョンと両立できるように（compatible）、薄いものとなっている。好ましくは、ウエハ２０は薄く、剛性（regidity）が減少していることから、ウエハ２０は、その裏面を介して支持プレート、又は“ハンドル”２４に固定され、製造方法の各ステップにおいて所望の剛性を持ったアセンブリを与える。支持プレート２４上のウエハ２０のアセンブリは、通常、デバイス２２の様々な製造オペレーションの間において高い温度にさらされることに耐える役割を持っていなくてはならない。
【００１２】
図２Ｂにおいては、犠牲膜２６が薄膜状にウエハ２０の上面の上に堆積され、例えば１００μｍである。この膜２６は、半導体分野の通常の技術により、パターニング、平坦化、及び、除去が可能であるような材料から形成される。材料は、例えば、樹脂、ポリイミド、又は金属である。
【００１３】
以下からわかるように、この膜２６の厚さは、将来の溝１４の幅を決定する。通常の堆積技術は、膜の厚さにおける十分に満足するような正確性を得ることを可能にする。正確性が求められる距離は、実際、溝の対向する壁から、各バンプ１６の上面を離す距離である。バンプ１６を形成する技術もまた、所望の正確性を得ることを可能にする。
【００１４】
図に示されるように、例えばフォトリソグラフィを用いて膜２６はパターニングされ、デバイス２２の中央部を露出しつつ、バンプ１６を有する端部（将来、溝の第１の側壁を形成するようにデザインされた領域）を覆う。パターニングは、好ましくは異方性のものであり、膜２６の開口部は、ウエハと垂直な壁となり、これらの壁は将来溝の底面を定めることとなる。
【００１５】
図２Ｃにおいて、デバイス２２に対応する空間を備えるモールド２８を、膜２６上に塗布する。モールド２８の空間は、膜２６の孔とともに、例えばＴ型断面を持ったカバーといった、将来のチップ要素のカバー１８ｂの形状を決定する。
【００１６】
カバーになるような所望の性質を有する硬化性液体３０は、例えばデバイス２２が発光ダイオードである場合には透過性エポキシ樹脂であり、モールド２８の各空間に注入される。
【００１７】
図２Ｄには、樹脂３０が硬化し、モールド２８を外した後の結果が示されている。樹脂３０は、デバイス２２を覆い、カバー１８ｂを形成し、デバイス２２の周辺の領域における膜２６を露出する。
【００１８】
図２Ｅにおいて、上面を介してダイシングが行われ、デバイス２２を切り離し、チップ１８ａを形成する。このようにして、ダイシングカット３２は、カバー１８ｂの間のモールドによって残された空間を貫通し、膜２６を貫通し、且つ、ウエハ２０を貫通することなくウエハ２０を刻む（start to cut）。
【００１９】
図２Ｆにおいて、例えばプラズマや化学エッチングを用いて、残った犠牲膜２６を除去する。カバー１８ｂにより決定された溝１４は、このようにしてチップ１８ａのバンプ１６の上に現れる。
【００２０】
犠牲膜２６の除去は、好ましくはダイシングの後に行われる。この順番で進めることによって、ダイシングのけずりくずが溝１４の中に堆積することを避け、後にワイヤ１２とバンプ１６との間の電気的接続の確立を妨げることを避ける。
【００２１】
支持プレート２４を外すことを行い、続いて、個々のチップ要素１０を得るために、ダイシングカットの底面における面Ｐまで、裏面のウエハ２０を研磨する。
【００２２】
プレート２４を外し、研磨している間に、ウエハ２０を固定保持するために、カバー１８ｂを、例えば除去可能な接着支持体（不図示）の上に押し付けることができる。研磨後、個々のチップ要素１０は、接着支持体の上に重ねられ、ウエハのダイシング後の従来のチップの状態と似た状態におかれる。チップ要素は、従来のチップハンドリングツールにより、利用する（exploit）ことができる。
【００２３】
変形例によれば、図２Ｅのダイシングステップの前に支持プレート２４は外され、ウエハ２０は、その裏面を介して除去可能な接着支持体に固定される。ダイシングカット３２は、ウエハ２０を貫通し、接着支持体を切り込む（cut into）。
【００２４】
チップ要素の製造を完了するために、後は、未処理のままであった溝１４の面に位置する犠牲膜２６の残った部分を除去する。この除去は、接着と相性の良い低い温度の方法を用いて行われることが好ましく、例えば、化学エッチングにより除去することが可能な金属から形成された犠牲膜２６を与えることによって行われる。
【００２５】
先の場合には、支持体の上に積み重ねられた各々のチップ要素１０のセットを持ち、従来のハンドリングツールによりすぐに用いることができる。この変形例においては、カバー１８ｂにより支持体の上に積層する代わりに、要素は、チップ１８ａにより積層される。
【００２６】
この変形例の利点の１つは、ウエハ２０の裏面の研磨ステップを避け、研磨による削りくずが溝１４の中に堆積するリスクを避けることである。
【００２７】
他の実施形態によれば、図２Ｃに示されるモールドは、各デバイス２２のそれぞれに対して個々の空間を備えず、しかし、デバイス２２のセット全体を覆うように伸びる１つの空間を備える。この場合、樹脂３０の注入及び硬化の後、図２Ｄのステップにおいて、犠牲膜２６を均一に覆う樹脂３０の層となる。個々のカバー１８ｂは、図２Ｅのステップにおいて、ダイシングカット３２により形成される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ（２０）上に形成された複数のデバイス（２２）から、溝（１４）を有する複数のチップ要素（１０）を製造する製造方法であって、以下のステップである、
− 前記ウエハ（２０）上に犠牲膜（２６）を前記溝が形成されるような高さで堆積し、前記各デバイス（２２）の中央部を露出させたまま、且つ、前記デバイスの端部を覆うようにする堆積ステップと、
− 前記犠牲膜上にモールド（２８）を塗布する塗布ステップと、
− 前記モールドに硬化性材料（３０）を注入する注入ステップと、
− 前記硬化性材料を硬化させる硬化ステップと、
− 前記ウエハを前記デバイスの間においてダイシングするダイシングステップと、
− 前記犠牲膜を除去する除去ステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記モールド（２８）は各チップに対応する空間を備える、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ダイシングステップは前記犠牲膜の除去ステップの前に行う、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ダイシングステップで形成されるダイシングカット（３２）は、前記ウエハ（２０）を完全に貫通するものではなく、前記方法は、前記ダイシングカットに到達するまで前記ウエハの裏面を研磨するステップをさらに備える、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ウエハはその裏面を介して支持プレート（２４）に固定され、前記方法は、前記ダイシングステップ後、前記支持プレートから前記ウエハを外すステップをさらに備える、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１】
ウエハ（２０）上に形成された複数のデバイス（２２）から、溝（１４）を有する複数のチップ要素（１０）を製造する製造方法であって、以下のステップである、
− 前記ウエハ（２０）上に犠牲膜（２６）を前記溝が形成されるような高さで堆積し、前記各デバイス（２２）の中央部を露出させたまま、且つ、前記デバイスの端部を覆うようにする堆積ステップと、
− 前記犠牲膜上にモールド（２８）を塗布する塗布ステップと、
− 前記モールドに硬化性材料（３０）を注入する注入ステップと、
− 前記硬化性材料を硬化させる硬化ステップと、
− 前記ウエハを前記デバイスの間においてダイシングするダイシングステップと、
− 前記犠牲膜を除去する除去ステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記モールド（２８）は各チップに対応する空間を備える、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ダイシングステップは前記犠牲膜の除去ステップの前に行う、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ダイシングステップで形成されるダイシングカット（３２）は、前記ウエハ（２０）を完全に貫通するものではなく、前記方法は、前記ダイシングカットに到達するまで前記ウエハの裏面を研磨するステップをさらに備える、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ウエハはその裏面を介して支持プレート（２４）に固定され、前記方法は、前記ダイシングステップ後、前記支持プレートから前記ウエハを外すステップをさらに備える、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１１−２４０４８１（Ｐ２０１１−２４０４８１Ａ）
【公開日】平成２３年１２月１日（２０１１．１２．１）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１１−１１００５４（Ｐ２０１１−１１００５４）
【出願日】平成２３年５月１７日（２０１１．５．１７）
【出願人】（５１０２２５２９２）コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ (97)
【氏名又は名称原語表記】ＣＯＭＭＩＳＳＡＲＩＡＴ Ａ Ｌ’ＥＮＥＲＧＩＥ ＡＴＯＭＩＱＵＥ ＥＴ ＡＵＸ ＥＮＥＲＧＩＥＳ ＡＬＴＥＲＮＡＴＩＶＥＳ
【住所又は居所原語表記】Ｂａｔｉｍｅｎｔ Ｌｅ Ｐｏｎａｎｔ Ｄ，２５ ｒｕｅ Ｌｅｂｌａｎｃ，Ｆ−７５０１５ Ｐａｒｉｓ， ＦＲＡＮＣＥ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月１日（２０１１．１２．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１１００５４（Ｐ２０１１−１１００５４）
【出願日】平成２３年５月１７日（２０１１．５．１７）
【出願人】（５１０２２５２９２）コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ (97)
【氏名又は名称原語表記】ＣＯＭＭＩＳＳＡＲＩＡＴ Ａ Ｌ’ＥＮＥＲＧＩＥ ＡＴＯＭＩＱＵＥ ＥＴ ＡＵＸ ＥＮＥＲＧＩＥＳ ＡＬＴＥＲＮＡＴＩＶＥＳ
【住所又は居所原語表記】Ｂａｔｉｍｅｎｔ Ｌｅ Ｐｏｎａｎｔ Ｄ，２５ ｒｕｅ Ｌｅｂｌａｎｃ，Ｆ−７５０１５ Ｐａｒｉｓ， ＦＲＡＮＣＥ
【Ｆターム（参考）】
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