【課題】少なくとも１つが単結晶半導体からなる数層によって形成される活性部を備える構造を形成する、ＳＯＩ基板を用いるよりも低コストであり、より速い方法を提供すること。
【解決手段】第１の単結晶シリコン基板から少なくとも２つの層を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、ａ）第１の基板に少なくとも１つの多孔質シリコン領域を形成する段階、ｂ）第１の基板の表面全体及び多孔質シリコン領域の表面に単結晶シリコン層をエピタキシャル成長成膜させる段階、ｃ）多孔質シリコン領域にエピタキシャル成長された単結晶層を加工して第１の懸架領域を形成する段階、ｄ）多孔質シリコンを除去または酸化する段階、ｇ）シリコンに対して選択的な犠牲層を成膜する段階、ｆ）第１の基板を加工する段階、及びｇ）犠牲層を除去することによって懸架領域をリリースする段階を備える方法である。 （もっと読む）

【課題】皮膚への穿刺時および複製版への転写時等に先端部の破損が生じにくい針状体を簡単な方法で製造することを可能とする針状体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、底面部の外形形状の一部または全部が円弧形状で、かつ周縁部から中央部へ連続的に厚みが増加するエッチングマスク１２を形成する工程と、前記エッチングマスク１２を用いてエッチング処理を施すことにより基板に針状の構造体１３を形成する工程と、前記構造体１３に上部斜面１４を形成する工程とを含むことを特徴とする針状体１５の製造方法。 （もっと読む）

【課題】可撓梁の厚みのばらつきを小さくすることができる梁構造デバイスと、その製造方法とを実現する。
【解決手段】第一面と第二面とを有する可撓梁形成基板２１を用意し、可撓梁形成基板２１の第一面側を厚み方向に削り、可撓梁の固定部３Ｃと空洞部２１Ａとを可撓梁形成基板２１に形成する第一工程と、支持基板２を用意し、可撓梁形成基板２１の第一面が支持基板２に対向するように、可撓梁形成基板２１と支持基板２とを接合して、固定部３Ｃを支持基板２に固定する第二工程と、可撓梁形成基板２１の第二面を研削して可撓梁形成基板２１を薄化させる第三工程と、可撓梁形成基板２１の第二面側を厚み方向に削り、可撓梁を形成する第四工程と、を有し、第三工程において、可撓梁が形成される位置とは異なる位置であって、可撓梁形成基板２１と支持基板２との間に、支持柱７が配置されている。 （もっと読む）

【課題】断熱構造を持つマイクロ流体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板内の少なくとも１つのマイクロリアクタ１０５と、半導体基板内でマイクロリアクタに接続された１つ以上のマイクロ流体チャネル１０１と、マイクロ流体チャネルを封止するための、半導体基板に接合されたカバー層と、マイクロリアクタ及びマイクロ流体チャネルを包囲する基板貫通トレンチ１００とを備えたマイクロ流体デバイス１０４であって、基板貫通トレンチは空隙であるか、または断熱材料で充填されている、マイクロ流体デバイス （もっと読む）

【課題】複合テンプ輪を製造する方法の改善。
【解決手段】基板（２１）上に少なくとも１つの金属層（２３、２３’、２４、２４’）を選択的に堆積させて、テンプ輪の少なくとも１つの金属部分のパターンを形成するステップ（５、１３）と、
前記基板（２１）に少なくとも１つのキャビティ（２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、２６’、２７’、２８’、２９’、３０’、３１’、３２’、３３’、３４’）を選択的にエッチングして、前記少なくとも１つの金属層を含む前記テンプ輪（４５、４５’）のパターン（３５、３５’）を形成するステップ（７、１７）と、
前記基板（２１）から複合テンプ輪（４５、４５’）を解放するステップ（９）と
を含む。 （もっと読む）

【課題】標準的なＣＭＯＳプロセスに適合し、かつゲッタ材料又は反応性ガスに依存しないでキャビティをシールする方法を提供する。
【解決手段】キャビティ９１０は犠牲材料をエッチングにより除去することで形成され、キャビティのシールはキャビティより下側の材料がスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路の上及び中に再堆積されることでシールされる。キャビティに通じる通路の上に堆積された材料９０４も再びスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路内に再堆積される。スパッタエッチングを不活性雰囲気で行うことにより、スパッタエッチングの後にはキャビティ内は不活性ガスで充填される。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制することのできるサポートプレート、液滴吐出ヘッド、液体カートリッジおよびインクジェット記録装置を提供する。
【解決手段】接着部材を介してウエハの面に密着し、ウエハをサポートするサポートプレート１０であって、ウエハの面に密着させる範囲内に、凹部および貫通孔のうち少なくとも一方の略長方形状の複数のパターンを備え、パターンは、ウエハの中心に密着する当該サポートプレート１０の中心点とパターンの対角線の交点とを通る直線と、当該パターンの長手方向の直線とがなす角のうち小さい角の角度が４５度以上となるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】ミラー面の鏡面性と製造歩留りに優れたＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法を提供する。
【解決手段】空洞HOが形成されるハンドル層Hと表面が鏡面仕上げされたデバイス層B、Ｔとがシリコン酸化膜を介して接合されたウエハを準備する工程、デバイス層にＭＥＭＳ走査型ミラーの下層構成要素に対応しかつデバイス層に形成すべき下層構造体を形成する工程、下層構造体形成後のウエハのデバイス層にシリコン酸化膜を介して上層のデバイス層を形成するためのウエハを接合する工程、上層のウエハを加工して所定厚さの上層のデバイス層を形成する工程、上層のデバイス層にＭＥＭＳ走査型ミラーの上層構成要素に対応しかつ上層のデバイス層に形成すべき上層構造体を形成する工程、ハンドル層Hに空洞を形成する工程、下層構造体のシリコン酸化膜を除去してＭＥＭＳ走査型ミラーを完成させる工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】マイクロシステムおよび／またはナノシステムタイプの新規作製方法、ならびに新規構造体を提供すること。
【解決手段】下部電極と呼ばれる少なくとも１つの電極（１０２）、および少なくとも１つの誘電体層（１０３）を含む第１の基板（１００）と、
可動部分（２１０）を含めた、デバイスのメイン平面と呼ばれる平面全体に延在する中間基板（２００’）と、
中間基板（２００’）に付着された上部基板（３００）であって、前記可動部分が下部電極と上部基板との間を移動することができる、上部基板と
を含む、マイクロシステムおよび／またはナノシステムタイプのデバイスについて記載されている。 （もっと読む）

【課題】最適化された感度を有するＭＥＭＳおよび／またはＮＥＭＳ圧力測定デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上で懸架された変形可能な膜４であって、膜の面の１つが測定される圧力を受けるように意図された膜と、歪みゲージを備え、膜４の変形を検出する手段であって、基板２上に形成される検出手段６と、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達する変形不能なアーム１４とを備え、アーム１４が、膜４の面にほぼ平行な軸線Ｙの周りで回転可能に基板２にヒンジ留めされ、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達するように膜と一体である。 （もっと読む）

【課題】均一厚み寸法を有する機能膜を備えたＭＥＭＳデバイスを製造するＭＥＭＳデバイスの製造方法、ＭＥＭＳデバイス、及び超音波トランスデューサーを提供する
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの製造方法は、基板１１の第一面１１Ａに、平坦な先端面と側面部とを有する凸部を形成する凸部形成工程と、第一面１１Ａに側壁部１２１及びメンブレン１２２を有する支持膜１２を形成する成膜工程と、突出先端面と重なる位置に孔部３１を有するマスク層を形成するマスク工程と、孔部から支持膜１２のメンブレン１２２までを、厚み方向に沿ってエッチングした後、メンブレン１２２の表面に沿って側壁部１２１までをサイドエッチングしてキャビティＣを形成するエッチング工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は三次元構造体の製造効率の低下を招くことなく、電極パッドをシリコン基板に形成可能な三次元構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の三次元構造体の製造方法は、シリコン基板T、B、Hを用いて形成された三次元微細構造体の電極パッド１６P３、１６P４の形成領域１６P３’、１６P４’に金Ａｕを堆積させる金属堆積工程と、シリコン基板T、B、Hを熱により酸化させて金Ａｕの形成領域以外の表面にシリコンの酸化膜ＳiO₂を形成する酸化膜形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を低減して、ノイズの増大、帯域幅の減少や感度の低下を防止することができる電気機械変換装置を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は、基板７と、振動膜４と、基板７と振動膜４との間に間隙５が形成されるように振動膜４を支持する振動膜支持部６と、から構成されるセル１と、基板７に絶縁物１１を介して配置されたセル１の引き出し配線１２と、を有する。電気機械変換装置において、絶縁物１１は振動膜支持部６の厚さよりも厚い。 （もっと読む）

【課題】キャビティ、好ましくはＭＥＭＳ又はＮＥＭＳデバイスが位置するキャビティを簡単な工程で封止するための方法を提供する。
【解決手段】薄膜層を犠牲層２上に堆積し、その後放出孔を薄膜層内でエッチングし放出工程を実施する。その際、少なくとも犠牲層の一部を放出孔を通じて除去し、キャビティを形成する。前記放出工程の前に狭窄層を放出孔の側壁に形成する。狭窄層を封止層５とする場合は封止層のリフローにより放出孔を閉鎖し、狭窄層が封止層でない場合には薄膜層上部に封止層を堆積し、直接封止層をリフローすることで放出孔を閉鎖する。 （もっと読む）

【課題】ミラーを備える金属基板の反りが低減された走査デバイス、及びその走査デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板を構成する材料の融点未満の第１温度において、金属基板を構成する材料の熱膨張率と金属基板に形成される薄膜の材料の熱膨張率との大小関係に応じて、室温において測定された金属基板の反り量に応じた膜厚の薄膜が金属基板の凹面または凸面に形成され、薄膜が形成された金属基板が室温に降温されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】機械構造及びこれらの機械構造を基板に固定するためのアンカーを含むＭＥＭＳ装置及びその製造技術を提供する。
【解決手段】アンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃの解放プロセスによる影響を比較的受け難い材料で形成される。エッチング解放プロセスは、機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃをアンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃを構成する材料に固定する材料に対し、選択的又は優先的である。更に、アンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、絶縁層の除去が機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃの基板１４に対する固定にほとんど又は全く影響を及ぼさないように基板１４に固定される。 （もっと読む）

【課題】マスキングを減少させた微小電子機械システム(MEMS)デバイスを製作する方法と、その方法によって形成されたMEMSデバイスが開示される。
【解決手段】一実施形態では、MEMSデバイス(900)は、事前形成された構成要素を各々が有する、前面基板(910)と保持体(950)を積層することによって製作される。前面基板(910)には、その上に重ねて形成された静止電極が提供される。その上に重ねて形成された可動電極(1360)を含む保持体(950)は、前面基板(910)に結合される。いくつかの実施形態の保持体(3500)は、可動電極(3510)を前面基板(3570)に移転させた後で除去される。他の実施形態では、保持体(3450)は、前面基板(3410)上に留まり、MEMSデバイス(3400)のための背面板として機能する。フィーチャは、付着およびパターン形成によって、型押しによって、またはパターン形成およびエッチングによって形成される。 （もっと読む）

【課題】優れた素子特性を得ることができるＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】基板１０上に下部電極１２Ａを形成する工程と、下部電極１２Ａに隣接するように電気的にフローティング状態になる補助構造体１３Ａを基板１０上に形成する工程と、下部電極１２Ａ上、補助構造体１３Ａ上、及び基板１０上に犠牲膜を形成する工程と、犠牲膜上に上部電極１６を形成する工程と、犠牲層を除去し、上部電極１６を下部電極１２Ａの上方に空洞２１Ａを介して配置する工程とを具備する。下部電極１２Ａ上及び補助構造体１３Ａ上に形成された犠牲膜は上面が平坦であり、犠牲膜上に形成された上部電極１６は下面が平坦である。 （もっと読む）

【課題】基板を貫通するトレンチによって複数の部分領域に分割されてなる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法であって、部分領域の側壁に導電層を形成するメリットだけを享受して、該導電層の形成に伴う悪影響を排除することのできる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅ，Ｃｅａ〜Ｃｅｄ，Ｃｅｋ，Ｃｅｌに分割され、前記複数の部分領域のうち、一部の部分領域Ｃｅａ〜Ｃｅｄの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、トレンチ３１ａに絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ２０とする。 （もっと読む）