【課題】 ブロック共重合体と電気めっき用ハードマスクを用いた、パターニングされた磁気記録ディスクのナノインプリント加工用マスタディスクの作製方法を提供する。
【解決手段】 パターニングされた媒体ディスクを作製するためのナノインプリント工程用のマスタディスクの作製方法は、導電基板と、ブロック共重合体の、ブロック共重合体成分の１つの、略半径方向の線および／または略同心円状の輪のパターンを形成する誘導自己組織化を利用する。基板上の、線および／または輪によって保護されていない領域内に金属を電気めっきする。ブロック共重合体成分を除去した後に、残っている金属のパターンをエッチングマスクとして使用して、最終的なマスタディスクまたは、後にマスタディスクの製造に使用される２つの別々のモールドのいずれかを製造する。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造を有し、高い比誘電率を有する強誘電体を提供すること。
【解決手段】格子定数が下記式（１）：
１≦（ａ_２／ａ_１）×１００≦８０ （１）
（式（１）中、ａ_１は第一強誘電材料の格子定数であり、ａ_２は第二強誘電材料の格子定数であり、ａ_１＞ａ_２である。）
で表される条件を満たす第一強誘電材料および第二強誘電材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、前記第一強誘電材料および前記第二強誘電材料のうちの他方の無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造強誘電体。 （もっと読む）

【課題】 銅化合物を液相中で還元しナノ酸化銅（Ｉ）粒子およびナノ銅粒子を製造する際に粒子成長抑制効果を有し、かつ媒体中で安定に分散させることができる化合物と当該ナノ粒子との複合体を提供すること。
【解決手段】 式（１）〜（２）
［Ｘ−（ＯＣＨ_２ＣＨＲ）_ｎ−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ_２−Ｓ−］_ｍＹ （１）［Ｘ−（ＯＣＨ_２ＣＨＲ）_ｎ−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ_２−Ｓ−Ｒ’−］_ｌＺ （２）〔Ｘはアルキル基、ＲはＨ又はメチル基、ｎは２〜１００、Ｙは２〜４価の基であって炭化水素基又は炭化水素基がＯ、Ｓ若しくはＮＨＲ”で連結した基、ｍは２〜４、Ｒ’はアルキルカルボニルオキシ基、Ｚは２〜６価の基であって、炭化水素基、炭化水素基がＯ、Ｓ、又はＮＨＲ”で連結した基、又はイソシアヌル酸−Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリエチレン基、ｌは２〜６。〕で表される化合物とナノ粒子とを含有する複合体。 （もっと読む）

【課題】有機修飾金属酸化物ナノ粒子の連続合成方法を提供すること。
【解決手段】金属水酸化物又は金属酸化物、有機修飾剤、無極性有機溶媒及び水を含む混合流体を反応管に導入し、該反応管から排出される混合流体の温度が３００〜５００℃になるように反応管を加熱制御することを特徴とする流通式合成による有機修飾金属酸化物ナノ粒子の連続合成方法。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ粉末およびその製造方法ならびに複合材料を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ粉末であって、分散剤と均一に混合されるカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ粉末を提供する。カーボンナノチューブと分散剤の重量比は３０：７０〜９０：１０である。カーボンナノチューブは、直径が１０〜１００ｎｍ、アスペクト比が１００：１〜５０００：１である。分散剤は、溶媒和セグメント（Ａ）と炭素親和性基（Ｂ）とを重合してなる交互共重合体、ブロック共重合体またはランダム共重合体である。カーボンナノチューブ粉末は、熱可塑性プラスチック材料と混合されて、複合材料を形成し、カーボンナノチューブと複合材料の重量比は０．５：１００〜５０：１００である。 （もっと読む）

【課題】従来の金属酸化物ナノ粒子の製造方法では、中間体が凝集し、得られる金属酸化物ナノ粒子の粒径が大きくなるという問題があった。そのため、凝集が抑制された金属酸化物ナノ粒子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリカ粒子のような無機酸化物担体の表面に担持された金属水酸化物を、前記無機酸化物担体と共に亜臨界状態または超臨界状態の水の存在下で水熱反応させる工程を含む金属酸化物ナノ粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】厚さが３５ｎｍ以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成したコバルト薄膜を用いたナノ接合素子を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート基板１１上に真空蒸着法などによりコバルト薄膜１２を３５ｎｍ以下の厚さに成膜する。こうしてポリエチレンナフタレート基板１１上にコバルト薄膜１２を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのコバルト薄膜１２のエッジ同士が、必要に応じて有機分子を挟んで、互いに対向するように交差させて接合することによりナノ接合素子を構成する。このナノ接合素子により不揮発性メモリや磁気抵抗効果素子を構成する。ポリエチレンナフタレート基板１１の代わりに、少なくとも一主面がＳｉＯ₂ からなる基板、例えば石英基板を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】グラフェンリボンの幅を揃えることを可能にすると共に、幅の揃ったグラフェンリボンを基板全面に備えることが出来る、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板の製造方法、及び、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板を提供する。
【解決手段】単結晶絶縁性基板を用意し、基板表面にグラフェンを固定し、コア粒子を内包するタンパク質の外径をピッチとして、コア粒子を内包するタンパク質を等間隔にグラフェン上に配置し、タンパク質を除去してコア粒子をグラフェン上に配置し、コア粒子によりグラフェンを切断して、グラフェンリボンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 量子ドット層製造方法及び量子ドット層を含む量子ドット光電子素子を提供する。
【解決手段】 ソース基板上に自己組織化単層、犠牲層及び量子ドット層を順次に積層し、量子ドット層上にスタンプを位置させてスタンプで犠牲層及び量子ドット層をピックアップし、犠牲層を溶解させる液体で、前記量子ドット層から前記犠牲層を除去する量子ドット層製造方法。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブなどを製造してから金属素材と混合する手段として金属に付着させるためにフェノール系のバインダを入れ混錬させてＭＩＭ方法やＨＩＰで熱を上げとばしていた製造法が従来の製造方法として行われている、又、出来上がったＣＮＴを特殊な界面活性剤に溶かして金属粉と混ぜ水素で満たした容器で加熱したりしている。
【解決手段】マイクロ、ナノ、ピコ構造炭素材料を混合したい金属やセラミックス、希土類などにじかに有機炭素液を介在させ金属触媒方法、アーク方法、ＣＶＤ方法で炭素膜を形成してＭＩＭやＨＩＰ法で炭素入機能性金属を製造する方法。フェノール系のバインダや特殊な界面活性剤が不要なため工程も少なくコストも大幅に安くなる。 （もっと読む）