【課題】親水性の高いナノ粒子を水系溶媒中で生成するナノ粒子の製造方法、及びその方法で製造されたナノ粒子において、粒径のばらつきを抑制すること。
【解決手段】超純水中にＺｎイオン源と配位子（Ｎ−アセチル−Ｌ−システイン）とを添加し、ｐＨ調整後、Ｓｅイオン源を注入し、更にｐＨを調整して前駆体溶液１を得た。この前駆体溶液１をオートクレーブ１０により加圧，加熱してＺｎＳｅナノ粒子５１を水熱合成し（Ａ）、更に前駆体溶液１を添加して（Ｂ）、オートクレーブ１０による水熱合成を実行した（Ｃ）。そして、この矢印Ｂ，Ｃに対応する処理を繰り返すことにより、５ｎｍを超える大粒径で粒径のばらつきも少ないＺｎＳｅナノ粒子５１を得ることができた。 （もっと読む）

【課題】金属複合超微粒子の製造において、収率良く、かつ分布幅の小さい均一な粒径の金属複合超微粒子を製造することのできる金属複合超微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】無機金属塩と常温で固体の高級アルコールとを加熱して反応させることにより、金属複合超微粒子を製造する方法において、加熱反応を、予め溶融処理された前記高級アルコールと無機金属塩とを接触させることにより行なうことを特徴とする金属複合超微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が大幅に向上し、耐久性の高い光電変換材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐ型有機高分子半導体、ｎ型有機半導体及び金属ナノ粒子を含有する光電変換層を有する有機光電変換素子において、該金属ナノ粒子に有機化合物が吸着されており、該有機化合物の３０〜１００質量％が前記ｐ型有機高分子半導体であることを特徴とする有機光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族半導体ナノ細線の製造方法並びに構造制御方法を提供する。
【解決手段】気相−液相−固相（Vapor-Liquid-Solid : VLS）成長法により、ＳｉとＧｅの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりＳｉＯ_２膜で被覆されたＧｅナノ細線を作製する。また、気相-液相-固相成長法により、Ｓｉ結晶およびＳｉとＧｅの混晶からなる超格子ナノ細線を作製し、酸化濃縮法を利用してナノメートル（ｎｍ）スケールでサイズ制御された、ＳｉとＧｅの混晶から成るナノディスク又はナノドットを周期的に配列したナノ細線を作製する。 （もっと読む）

【課題】余剰の還元剤等を除去するための洗浄工程が不要となり、よって、貴金属コロイド粒子の生産性を向上できること、さらに、焼結温度が低くコロイド発色の高い貴金属コロイド粒子を提供する。
【解決手段】水１と、貴金属塩２と、非水溶性有機溶媒３と、保護コロイド１０として働く還元剤４とを含む貴金属含有液を撹拌しながら加熱することによって、還元された前記貴金属塩２を保護コロイド化して貴金属コロイド粒子６として非水溶性有機溶媒相に抽出する第１工程と、前記非水溶性有機溶媒相と水相とを分離する第２工程と、前記非水溶性有機溶媒相から前記貴金属コロイド粒子６を得る第３工程とを有すること。 （もっと読む）

【課題】描画部材の尖鋭部先端の先鋭度の低下を抑制し、描画距離を従来よりも伸長させるとともに、描画線幅の均一化を図ることができる描画物製造方法を提供し、更に、先鋭度の低下を抑えた描画部材及び当該描画部材を備えた描画装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋが載置される基台２、基台２を移動させる基台移動機構３、内層としての金層と外層としての白金層が形成された尖鋭部を有する描画部材１０、描画部材１０を支持する支持部材４、支持部材４を介して描画部材１０を移動させる描画部材移動機構５、基板Ｋと描画部材１０に電圧を印加する電圧印加機構６など備えた描画装置１を用いて、電子線レジスト上にフッ素含有化合物を含む被膜を形成させた基板Ｋに描画処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 微細な粒子径を有し、かつ低温度での焼結性に優れる銅微粒子を含む銅微粒子分散液を提供する。
【解決手段】 溶媒に、還元剤、保護剤として脂肪族モノカルボン酸、および銅化合物を添加して、前記溶媒中に前記銅化合物を固体状態で分散し、前記溶媒中で分散している前記銅化合物を還元して、前記脂肪族モノカルボン酸で表面が被覆された銅微粒子を形成し、前記溶媒中に前記銅微粒子が分散している銅微粒子分散液の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】配向ＣＮＴをより一層安価に量産することができる配向ＣＮＴの製造方法を提供する。
【解決手段】還元ガス、原料ガス及び触媒賦活物質を噴出させ、基板の触媒被膜形成面に直交する方向に配向するカーボンナノチューブを化学気相成長により製造するための方法であり、基板の触媒被膜形成面を臨む位置に設けられた複数の噴出孔を備えるシャワーヘッドの該噴出孔から還元ガスを噴出させ、該噴出された還元ガスによって触媒被膜形成面に存在する金属触媒粒子の密度を１．０×１０^１１から１．０×１０^１３個／ｃｍ^２に調整させ、かつ、該シャワーヘッドの噴出孔から原料ガス及び触媒賦活物質を噴出させ、該噴出された原料ガス及び触媒活性物質を前記成長して配向したカーボンナノチューブの集合体中を拡散させて触媒被覆形成面と接触させるようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電性膜を作製してから、導電性膜に通電しナノギャップを作製するプロセスを行うことなく、エレクトロマイグレーション時の大幅な印加電流の低減とプロセス時間の短縮することができるナノギャップ電極の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体基板７０上に金属電極８０，８１を形成し、この金属電極間にエレクトロマイグレーションを誘発する電圧又は電流を印加しながら、絶縁体基板上に導電性材料を堆積して、ナノスケールのギャップを有する導電性細線を形成する。 （もっと読む）

【課題】３次元的に規則的に配置された量子ドット列を有する光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層された複数のトンネル接合型半導体層を有する積層体を作製する積層体作製工程と、該積層体作製工程後に、積層体の上面側に量子ドット用の複数の凸部を有する凹凸パターンを形成するパターン形成工程と、該パターン形成工程で形成した凹部を削って複数の半導体層を貫通する溝を形成する溝形成工程と、を経て形成された３次元量子ドット列を有する、光電変換素子の製造方法とし、該製造方法で製造された光電変換素子とする。 （もっと読む）